JPH01109554A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、希土類−遷移金属非晶質合金光磁気記録媒体
の製造方法に関する。

〔従来の技術〕

従来からＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏな
どの希土類−遷移金属非晶合金が光磁気記録媒体の記録
膜材料として用いられている。しかし、これらの希土類
−遷移金属非晶質合金は大気中で酸化しやすいため、例
えばテレビジョン学会誌　ＶＯＬ、４０．Ｎｏ、６　（
１９８１３＞のように光磁気記録層を酸化ケイ素などの
透明誘電体薄膜で覆うことにより、酸化されるのを防い
できた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

光磁気記録媒体は、非晶質であることが必要であるため
、作製法としてスパッタリング、蒸着などの気相急冷法
が利用されている。しかし、光磁気記録媒体として用い
られる希土類−遷移金属非晶質合金は、非常に酸化され
やすく、また、レーザー光を照射することにより記録・
消去する際の繰り返しの温度上昇により酸化が一層進行
する。

そのため、光磁気記録層に含まれる酸素濃度ができる限
り低いだけでなく、光磁気記録層を覆う保護層からの光
磁気配０層への酸素および不純物の混入を防ぐ必要があ
る。

本発明はこのような問題点を解決するもので、第１保護
層であるＧｅＦ！Ｊを、プラズマエツチングし、プラズ
マエツチング終了直後に、直前までプレスパツタリング
したターゲットをスパッタリングすることにより、光磁
気配Ｌｋ層を形成し、光磁気記録層の形成終了と同時に
、直前までプレスパッタリングされたターゲットをスパ
ッタリングすることにより、第２保護層の形成を開始す
ることにより高真空中においても、基板及びターゲット
表面に吸着する酸素及び不純物が記録層に混入するのを
押さえ従来のものに比べて高性能な光磁気記録媒体を製
造する方法である。

（問題点を解決するための手段〕 本発明の光磁気記録媒体の製造方法は、基体上に、第１
保護層、光磁気記録層、第２保Ｎ層を順次形成する光磁
気記録媒体において、第１保Ｎ層としてＧｅ単層あるい
は複数の層上にＧｅ層を形成し、記録層を形成する直前
に、前記第１保護層表面に）Ｉｅ、ＡｒおよびＮｅガス
の１種又は２！！以上の混合ガスを用いて、プラズマエ
ツチングを行ない、同時に、前記記録層を形成する際に
用いるスバッタリ／グφターゲットをプレスパツタリン
グし、前記プラズマエツチングと前記プレスパツタリン
グ終了と同時に前記記録層を形成し、前記記録層の形成
が終了するまでに、第２保護層を形成する際に用いられ
るスパッタリング・ターゲットのプレスパッタリングを
終了し、前記記録膜の形成の終了と同時に、第２保護層
を形成することを特徴としている。さらに前記記録層と
して、重希土類金属（ＨＲ）Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙのうち１
１ｍ以上、軽希土類金１）Ｑ　（ＬＲ）Ｎｄ、Ｓｍ、Ｐ
ｒ、Ｃｅのうち１種項以上、遷移金ＩＩ　（ＴＭ）　Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうち１種類以上からなり、組成を原子
比で （（ＬＲ）ｘ　　（ＨＲ）、−ｘ）ｙ、ＴＭ＋　ｏ　　
ｏ　　−−ｚＡｚ と表わしたとき（但しＡはＴｉ、Ａβ、Ｃｒ、ＣＵから
選ばれた１種類以上の元素）＋　　ｘ＋　　ｙｒ　　Ｚ
が各々 ０．０５≦Ｘ≦０．５０ １５≦ｙ≦４０ ０＜ｚ≦１５ の範囲にあればより望ましい。

〔実施例〕

（実施例１） 実施例により、本発明の効果について述べる。

第１図に本発明実施例における光磁気記録媒体の構造を
示す。本発明実施例では円盤状透明基体としてポリカー
ボネイト基板を用いた。第１保護層および第２保ＦＪ５
としてＧｅＴＪをスパッタリング法により、膜厚３５０
人になるよう形成した。、Ｇｅ層を形成するときは、す
べて直前までプレスパツタリングを行なった。記録層は
すべて溶解骨鋳造ターゲットをスパッタリングすること
により４００人の膜厚になるよう作製した。作製した光
磁気記録媒体の組成を第１表に示す。各組成でＧｅ層表
面のプラズマエツチングおよび成膜直前までのプレスパ
ツタリングを行なったものと、行なわないものを作製し
た。プラズマエツチングの条件は、Ａｒガス圧２ｍＴｏ
　ｒ　ｒｓパワー０．１Ｗ／ｃｍ”で１０分間であった
。

第２表に第１表の記録媒体のファラデ一方式による再生
信号のＣＮ比を示す。なお、線速４．７ｒｒ＞／５ｅｃ
ｓ記録周波数Ｉ　Ｍ　Ｈｚ　１分解能帯域幅３０ＫＨｚ
で評価を行なった。第２表から明らかなように、Ｇｅ１
表面のプラズマエツチングおよび記録層と第２保護層の
作製直前までのスパッタリング・ターゲットの、プレス
パツタリングにより、ＣＮ比が４〜５ｄＢ向上すること
がわかり、その効果がはっきり認められた。

第２表 第２図に試料番号１のファラデー回転角の磁場依存性を
示す。これから、再生信号のシグナル強度に、Ｇｅ層表
面のプラズマエツチングおよび記録層と、第２保護層の
作製直前までのスパッタリング・ターゲットのプレスパ
ッタリングが効果があることがわかる。

（実施例２） 試料番号１と同じ組成で、Ｇｅｍ表面のプラズマエツチ
ング時のパフ−とプレスパツタリングの有無を変えて、
光磁気記録媒体のＣＮ比を実施例１と同様な方法で評価
した。プレスパツタリングの有無それダれについて、プ
ラズマエツチングのパワーとＣＮ比との関係を第３図に
示す。プラズマエツチングはＡｒ圧２ｍＴｏ　ｒ　ｒ、
、１０分間行なった。図かられかるように、プレスパツ
タリングによるＣＮ比の向上は明らかであり、またプラ
ズマエツチングの、パワーについてあまり高いパワーで
行なうとＣＮ比が低下するが、これはプラズマエツチン
グによりノイズレベルが高くなったためと考えられる。

（実施例３） 試料番号１と同じ組成で、プレスパツタリングおよび、
プラズマエツチング終了から記録層作製までの経過時間
を変えて、光磁気記録媒体を作製Ｌ、ＣＮ比の変化を測
定した。プラズマエツチングの条件は、Ａｒガス圧２ｍ
Ｔｏ　ｒ　ｒ、パワーは高周波で０．ＩＷ／ｃｍ”で１
０分間行なった。

プレスパッタリングは直流０．３Ａで１時間行ない、プ
ラズマエツチングと同時に終了するように行なった。Ｃ
Ｎ比の測定は、実施例１と同様に行なった。プラズマエ
ツチングおよびプレスパッタリング終了から記録層作製
までの経過時間に対するＣＮ比の変化を第４図に示す。

図から明らかなように、プラズマエツチングまたはプレ
スパッタリングそれぞれ単独のみで行なうより、同時に
行なった方がＣＮ比が２〜３ｄＢ高く効果があることが
わかる。またプラズマエツチングおよびプレスパッタリ
ング終了直後に記録層を作製した試料が最もＣＮ比が高
く、経過時間が長（なる程、ＣＮ比が劣化してしまうこ
とがわかる。

（実施例４） 試料番号１と同じ組成で、第１保護層および第２保護層
のＧｅ層の膜厚を変えて、光磁気記録媒体を作製し、Ｃ
Ｎ比の変化を測定した。プラズマエツチングおよびプレ
スパツタ条件は実施例３と同様に、またＣＮ比の測定は
実施例１と同様に行なった。第１保護層と第２保護層の
ｇ厚は同一にしたａ　Ｇ　ｅ層膜厚と、ＣＮ比の関係を
第５図に示す。Ｇ　ｅ　ＦＭ　ｍ厚が薄い方がＣＮ比は
高いことがわかる。ここで、ＧｅＰｌ！：厚２００，３
５０，５００人の試料を、温度６０”Ｃ１相対湿度９０
％の恒温恒湿槽内に置き、ＣＮ比の変化を測定した。Ｃ
Ｎ比の経時変化を第６図に示す。図かられかるように、
６０層膜厚が２００人のものは、作製直後最も高いＣＮ
比を示したが、高温高温中でＣＮ比の劣化が激しいこと
から、保ＮＦ３としての機能を果たしていないものと考
えられる。また、Ｇ　ｅ　Ｂ膜厚を、３５０人に作製し
たものは、ＣＮ比が高く、ＣＮ比の落ちが非常に少なく
効果があることがわかった。

（実施例５） 試料番号１及び４と同じ組成でプラズマエツチングおよ
びプレスパッタリング終了直後ｌこ記録膜を作製したも
の、プラズマエツチングもプレスパッタリングも行なわ
ない、以上の２種類の試料を作製し、温度６０°Ｃ１相
対湿度９０％の恒温恒湿槽内に置き、ＣＮ比の変化を測
定した。プラズマエツチング、プレスパツタの条件およ
びＣＮ比の測定は、すべて実施例１と同様に行ない、第
１保Ｎ層及び第２保護層の膜厚は３５０人とした。

ＣＮ比の経時変化を第７図に示す。図かられかるように
、プラズマエツチング及び、プレスパツタリング終了直
後に記録層を作製したものが、最もＣＮ比が高く、また
、ＣＮ比の落ちが非常に少ない、プラズマエツチング及
びプレスパツタリング終了直後に記録層を作製し、記録
層の形成終了直前までに、Ｇｅターゲットをプレスパッ
タリングし、記録層終了直後に第２保＊ｌｉｉを作製す
ることは、信頼性の面においても効果があることがわか
る。

〔発明の効果〕

以上述べたように本発明によれば、粘土￥ｌ１１１遷移
金填系元磁気記録媒体の特性を充分に引き出すことが可
能で、また、長期信頼性を向上させるという効果を有す
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例で用いた光磁気記録媒体の構
造を示す図。 第２図（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明の製造方法を用
いた光磁気記録媒体と従来の製造方法による光磁気記録
媒体のファラデー回転角のＭｉ場依存性を表わす図。 第３図は、本発明の製造方法を用いた光磁気記録媒体の
プラズマエツチング時のパワーのＣＮ比に対する影響を
表わす図。なお、○はプレスパツタ１時間、Δはプレス
パツタなしを表わす。 第４図は、プラズマエツチング及びプレスパッタリング
から記録層作製までの経過時間のＣＮ比に対する影響を
表わす図。なお、○はプラズマエツチングとプレスパッ
タリングの両方、Δはプラズマエツチングのみ、Ｘプレ
スパッタリングのみを表わす。 第５図は、第１保護層及び第２保護層の膜厚のＣＮ比へ
の影響を表わす図。 第６図は、第１保護層及び第２保Ｎ厄の膜厚を変えた試
料を、塩ｌ１ｆ６０°Ｃ２相対湿度９０％の雰囲気中に
置き、そのＣＮ比の変化を表わす図。 なお、×は膜厚２００人、０は膜厚３５０人、Δは膜厚
５００人を表わ゛す。 第７図は、本発明の製造方法を用いた光磁気記録媒体と
従来の発明法による光磁気記録媒体を、温度６０°Ｃ２
相対湿度９０％の、雰囲気中に置き、そのＣＮ比の、時
間変化を表わす図。なお、・、○は試料番号１．ム、Δ
は試料番号４を表わす。また、それぞれの白めきは本発
明の製造方法を用いて作製した光磁気記録媒体、黒ぬり
は従来の製造方法により作製した光磁気記録媒体を表わ
す。 １−Ｇｅ層（膜厚３５０人） ２・・・記録層（膜厚４００人） ３　・Ｇ　ｅ層（膜厚３５０人） ４・・・透明基体（ポリカーボネイト）以　　上 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士　最　上　　務　他１名易　１　図 み〔−〕 Ｑｐ　ｃＬｅっ〕 第２図（ト） ５　　　　　１ｏ　　　　　　１５ １シ　６　図　　　　　〔日〕 ♂凰

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）少なくとも円盤状透明基体上に、第１保護層を形
   成し、その上に膜面に垂直方向に磁気異方性を有する希
   土類・遷移金属非晶質合金を主たる成分とする記録層を
   形成し、その上に第２保護層を形成した構造をその一部
   に持つ光磁気記録媒体の製造方法において、第１保護層
   としてＧｅ単層あるいは複数の層上にＧｅ層を形成し、
   記録層を形成する直前に、前記第１保護層表面にＨｅ、
   ＡｒおよびＮｅガスの１種又は２種以上の混合ガスを用
   いて、プラズマエッチングを行ない、同時に、前記記録
   層を形成する際に用いるスパッタリング・ターゲットを
   プレスパッタリングし、前記プラズマエッチングと前記
   プレスパッタリング終了と同時に前記記録層を形成し、
   前記記録層の形成が終了するまでに、第２保護層を形成
   する際に用いられるスパッタリング・ターゲットのプレ
   スパッタリングを終了し、前記記録膜の形成の終了と同
   時に、第２保護層を形成することを特徴とする光磁気記
   録媒体の製造方法。 （２）前記記録層として、重希土類金属（ＨＲ）Ｔｂ、
   Ｇｄ、Ｄｙのうち１種類以上、軽希土類金属（ＬＲ）Ｎ
   ｄ、Ｓｍ、Ｐｒ、Ｃｅのうち１種類以上、遷移金属（Ｔ
   Ｍ）Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうち１種類以上からなり、組成
   を原子比で （（ＬＲ）＿ｘ（ＨＲ）＿１＿−＿ｘ）＿ｙＴＭ＿１＿
   ０＿０＿−＿ｙ＿−＿ｚＡ＿ｚ と表したとき（但しＡはＴｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕから選
   ばれた１種類以上の元素）、ｘ、ｙ、ｚが各々 ０．０５≦ｘ≦０．５０ １５≦ｙ≦４０ ０＜ｚ≦１５ の範囲にあることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の光磁気記録媒体の製造方法。