JPH0589425A - メタルインギヤツプヘツド - Google Patents
メタルインギヤツプヘツドInfo
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- JPH0589425A JPH0589425A JP24783991A JP24783991A JPH0589425A JP H0589425 A JPH0589425 A JP H0589425A JP 24783991 A JP24783991 A JP 24783991A JP 24783991 A JP24783991 A JP 24783991A JP H0589425 A JPH0589425 A JP H0589425A
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- head
- magnetic
- metal
- ferrite
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 フェライト表面のエッチングの際における非
磁性層の形成を抑制し、高い再生出力を得ることができ
るメタルインギャップヘッドを提供する。 【構成】 Ｆｅ3 Ｏ4 単結晶からなるヘッドコア１，２
上の磁気ギャップ部にエッチングによりＦｅＧａＳｉＲ
ｕ合金の金属磁性膜３が形成され、さらにヘッドコア
１，２と金属磁性膜３との界面にＦｅ3 Ｏ4 多結晶層４
が形成されている。このＦｅ3 Ｏ4 多結晶層４は酸素を
１０ｖｏｌ％含むアルゴンガス中においてエッチングす
ることにより形成される。
磁性層の形成を抑制し、高い再生出力を得ることができ
るメタルインギャップヘッドを提供する。 【構成】 Ｆｅ3 Ｏ4 単結晶からなるヘッドコア１，２
上の磁気ギャップ部にエッチングによりＦｅＧａＳｉＲ
ｕ合金の金属磁性膜３が形成され、さらにヘッドコア
１，２と金属磁性膜３との界面にＦｅ3 Ｏ4 多結晶層４
が形成されている。このＦｅ3 Ｏ4 多結晶層４は酸素を
１０ｖｏｌ％含むアルゴンガス中においてエッチングす
ることにより形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッド、特にフェ
ライト（ＭＯ−Ｆｅ2 Ｏ3)からなるヘッドコアの磁気ギ
ャップ部に例えばＦｅＧａＳｉＲｕ合金等の金属磁性膜
を形成してなるメタルインギャップヘッドに関する。
ライト（ＭＯ−Ｆｅ2 Ｏ3)からなるヘッドコアの磁気ギ
ャップ部に例えばＦｅＧａＳｉＲｕ合金等の金属磁性膜
を形成してなるメタルインギャップヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】メタルインギャップヘッドは、フェライ
トコアの磁気ギャップ部に金属の磁性膜をスパッタリン
グにより形成してなるものであるが、その製造工程にお
いては、従来より、磁性膜の付着強度を高める目的でフ
ェライト表面をアルゴン雰囲気中でエッチングするよう
にしている。これは、有機溶剤による洗浄のみでは鏡面
仕上げを行ったフェライト基板表面の汚れを完全に落と
し切れないためである。
トコアの磁気ギャップ部に金属の磁性膜をスパッタリン
グにより形成してなるものであるが、その製造工程にお
いては、従来より、磁性膜の付着強度を高める目的でフ
ェライト表面をアルゴン雰囲気中でエッチングするよう
にしている。これは、有機溶剤による洗浄のみでは鏡面
仕上げを行ったフェライト基板表面の汚れを完全に落と
し切れないためである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来例の方法では、エッチングによりフェライト表面が
変質し、磁性膜−フェライト界面に非磁性層が形成され
るため、磁気ヘッドとしての十分な再生出力が得れない
という問題があった。
従来例の方法では、エッチングによりフェライト表面が
変質し、磁性膜−フェライト界面に非磁性層が形成され
るため、磁気ヘッドとしての十分な再生出力が得れない
という問題があった。
【０００４】本発明は従来例のかかる点に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、フェライト表面の
エッチングの際における非磁性層の形成を抑制し、高い
再生出力を得ることができるメタルインギャップヘッド
を提供することにある。
たもので、その目的とするところは、フェライト表面の
エッチングの際における非磁性層の形成を抑制し、高い
再生出力を得ることができるメタルインギャップヘッド
を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、例えば図１に
示すように、フェライト単結晶からなるヘッドコア１，
２の磁気ギャップ部に金属磁性膜３を形成してなるメタ
ルインギャップヘッドにおいて、このヘッドコア１，２
とこの金属磁性膜３との界面にＦｅ3 Ｏ4 多結晶層４を
形成してなるものである。
示すように、フェライト単結晶からなるヘッドコア１，
２の磁気ギャップ部に金属磁性膜３を形成してなるメタ
ルインギャップヘッドにおいて、このヘッドコア１，２
とこの金属磁性膜３との界面にＦｅ3 Ｏ4 多結晶層４を
形成してなるものである。
【０００６】
【作用】かかる構成を有する本発明においては、ヘッド
コア１，２と金属磁性膜３との界面に磁性層であるフェ
ライト多結晶層４を形成したことから、この部分に非磁
性のＦｅＯ単結晶層が存在しなくなり、金属磁性膜３か
らヘッドコア１，２へ磁力線が妨げられることなく到達
する。
コア１，２と金属磁性膜３との界面に磁性層であるフェ
ライト多結晶層４を形成したことから、この部分に非磁
性のＦｅＯ単結晶層が存在しなくなり、金属磁性膜３か
らヘッドコア１，２へ磁力線が妨げられることなく到達
する。
【０００７】
【実施例】以下、本発明に係るメタルインギャップヘッ
ド（以下「ＭＩＧヘッド」という。）の実施例について
図面を参照して説明する。
ド（以下「ＭＩＧヘッド」という。）の実施例について
図面を参照して説明する。
【０００８】図１は本実施例の全体構成を示すものであ
る。本実施例のＭＩＧヘッドは、フェライトとしてＦｅ
3 Ｏ4 からなるヘッドコア１，２の各磁気ギャップ部
（即ち磁気ギャップ形成面）に金属磁性膜３を形成し、
これらのヘッドコア１，２を例えばガラス融着により接
合してなるものである。
る。本実施例のＭＩＧヘッドは、フェライトとしてＦｅ
3 Ｏ4 からなるヘッドコア１，２の各磁気ギャップ部
（即ち磁気ギャップ形成面）に金属磁性膜３を形成し、
これらのヘッドコア１，２を例えばガラス融着により接
合してなるものである。
【０００９】ヘッドコア１，２はＦｅ3 Ｏ4 単結晶から
なるが、金属磁性膜３との界面には後述の方法によりＦ
ｅ3 Ｏ4 多結晶層４が形成されている。
なるが、金属磁性膜３との界面には後述の方法によりＦ
ｅ3 Ｏ4 多結晶層４が形成されている。
【００１０】金属磁性膜３は、例えはＦｅＧａＳｉＲｕ
合金、センダスト、アモルファス合金等からなり、後述
するようにスパッタリングにより形成される。尚、この
金属磁性膜３の厚みは約８μｍである。
合金、センダスト、アモルファス合金等からなり、後述
するようにスパッタリングにより形成される。尚、この
金属磁性膜３の厚みは約８μｍである。
【００１１】金属磁性膜３上には、ギャップ材としてＳ
ｉＯ2 膜５が形成されている。このＳｉＯ2 膜５はスパ
ッタリングにより形成され、その厚みは約０．０９μｍ
である。
ｉＯ2 膜５が形成されている。このＳｉＯ2 膜５はスパ
ッタリングにより形成され、その厚みは約０．０９μｍ
である。
【００１２】次に本実施例の製造方法について説明す
る。まず、単結晶フェライト基板に深さ約１５０μｍの
１次溝を形成した。
る。まず、単結晶フェライト基板に深さ約１５０μｍの
１次溝を形成した。
【００１３】次に、このフェライト基板を高周波スパッ
タリング装置内にセットし、アルゴンガス３４ＳＣＣ
Ｍ、３０％酸素を含むアルゴンガス１６．６ＳＣＣＭ即
ち酸素を１０ｖｏｌ％含むアルゴンガス５０ＳＣＣＭを
導入した後、内部の気圧を０．５１Ｐａに保持しつつ投
入電力３００Ｗで５分間エッチング（逆スパッタリン
グ）を行った。
タリング装置内にセットし、アルゴンガス３４ＳＣＣ
Ｍ、３０％酸素を含むアルゴンガス１６．６ＳＣＣＭ即
ち酸素を１０ｖｏｌ％含むアルゴンガス５０ＳＣＣＭを
導入した後、内部の気圧を０．５１Ｐａに保持しつつ投
入電力３００Ｗで５分間エッチング（逆スパッタリン
グ）を行った。
【００１４】その後、この高周波スパッタリング装置に
おいてＦｅＧａＳｉＲｕの合金ターゲットを用い、フェ
ライト基板上に上述の金属磁性膜３を形成した。
おいてＦｅＧａＳｉＲｕの合金ターゲットを用い、フェ
ライト基板上に上述の金属磁性膜３を形成した。
【００１５】さらに、この成膜したフェライト基板に、
巻き線溝６、ガラス溝、トラック幅規制溝、サイド溝等
を形成し、これをブロック状に切断した。
巻き線溝６、ガラス溝、トラック幅規制溝、サイド溝等
を形成し、これをブロック状に切断した。
【００１６】この切断したコアブロックに、スパッタリ
ングによって上述のＳｉＯ2 膜５を形成した。
ングによって上述のＳｉＯ2 膜５を形成した。
【００１７】そして、このコアブロックを２本１組とし
て低融点ガラスにより融着し、巻き線ガイド溝７及び当
たり幅規制溝を形成した後にヘッドチップ形状に切断し
て図１に示す磁気ヘッドを作製した。この磁気ヘッドの
７ＭＨｚにおける再生出力を表１に示す。
て低融点ガラスにより融着し、巻き線ガイド溝７及び当
たり幅規制溝を形成した後にヘッドチップ形状に切断し
て図１に示す磁気ヘッドを作製した。この磁気ヘッドの
７ＭＨｚにおける再生出力を表１に示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】他方、以下の手順により本実施例の磁気ヘ
ッドの結晶構造を解析した。
ッドの結晶構造を解析した。
【００２０】まず、単結晶フェライト基板の表面を１／
４μｍダイヤ砥粒鏡面仕上げで平滑にし、表面分析用の
試料片を作製した。
４μｍダイヤ砥粒鏡面仕上げで平滑にし、表面分析用の
試料片を作製した。
【００２１】そして、この試料片の表面に対し上述の実
施例と同様の条件下でエッチングを行い、基板表面の結
晶構造をＸ線回折法の一種であるＲＨＥＥＤ（Relative
ly High Energy Electron Deflaction）法により解析し
た。その結果、図２に示すように、フェライト基板８の
Ｆｅ3 Ｏ4 単結晶層８ａ上にＦｅ3 Ｏ4 多結晶層８ｂが
形成されていることが判明した。
施例と同様の条件下でエッチングを行い、基板表面の結
晶構造をＸ線回折法の一種であるＲＨＥＥＤ（Relative
ly High Energy Electron Deflaction）法により解析し
た。その結果、図２に示すように、フェライト基板８の
Ｆｅ3 Ｏ4 単結晶層８ａ上にＦｅ3 Ｏ4 多結晶層８ｂが
形成されていることが判明した。
【００２２】比較例 本実施例の効果を確認するため、従来例に係る磁気ヘッ
ドを比較例として作製した。
ドを比較例として作製した。
【００２３】まず、上述の実施例と同様に、単結晶フェ
ライト基板に約１５０μｍの１次溝を形成した。
ライト基板に約１５０μｍの１次溝を形成した。
【００２４】次に、このフェライト基板を高周波スパッ
タリング装置内にセットし、アルゴンガス５０ＳＣＣＭ
を導入した後、内部気圧を０．５１Ｐａにして投入電力
３００Ｗで５分間エッチングを行った。
タリング装置内にセットし、アルゴンガス５０ＳＣＣＭ
を導入した後、内部気圧を０．５１Ｐａにして投入電力
３００Ｗで５分間エッチングを行った。
【００２５】その後、このスパッタリング装置でＦｅＧ
ａＳｉＲｕの合金ターゲットを用い、フェライト基板上
に８μｍの金属磁性膜を形成し、以下上述の実施例と同
様の工程によりヘッドチップ形状の磁気ヘッドを作製し
た。この磁気ヘッドの７ＭＨｚにおける再生出力を上述
の表１に示す。
ａＳｉＲｕの合金ターゲットを用い、フェライト基板上
に８μｍの金属磁性膜を形成し、以下上述の実施例と同
様の工程によりヘッドチップ形状の磁気ヘッドを作製し
た。この磁気ヘッドの７ＭＨｚにおける再生出力を上述
の表１に示す。
【００２６】一方、この比較例の磁気ヘッドについて
も、上述の実施例と同様の方法によりその結晶構造を解
析した。すなわち、実施例の場合と同様に表面分析用の
フェライト試料片を作製し、この試料片の表面に対し比
較例と同様の条件下でエッチングを行い、上述のＲＨＥ
ＥＤ法により表面の結晶構造を解析した。その結果、図
３に示すように、フェライト基板９のＦｅ3 Ｏ4 単結晶
層９ａ上にＦｅＯ単結晶層９ｂが形成されていることが
判明した。
も、上述の実施例と同様の方法によりその結晶構造を解
析した。すなわち、実施例の場合と同様に表面分析用の
フェライト試料片を作製し、この試料片の表面に対し比
較例と同様の条件下でエッチングを行い、上述のＲＨＥ
ＥＤ法により表面の結晶構造を解析した。その結果、図
３に示すように、フェライト基板９のＦｅ3 Ｏ4 単結晶
層９ａ上にＦｅＯ単結晶層９ｂが形成されていることが
判明した。
【００２７】図２と図３とを比較すると、アルゴンガス
の雰囲気中でエッチングをしたときにはＦｅ3 Ｏ4 単結
晶層９ａ上に非磁性層であるＦｅＯ単結晶層９ｂが形成
されるが、アルゴンガス中に酸素を混合するとＦｅ3 Ｏ
4 単結晶層９ａ上にＦｅ3 Ｏ 4 多結晶層９ｂが形成され
ることが理解される。
の雰囲気中でエッチングをしたときにはＦｅ3 Ｏ4 単結
晶層９ａ上に非磁性層であるＦｅＯ単結晶層９ｂが形成
されるが、アルゴンガス中に酸素を混合するとＦｅ3 Ｏ
4 単結晶層９ａ上にＦｅ3 Ｏ 4 多結晶層９ｂが形成され
ることが理解される。
【００２８】これは、従来例のようにアルゴンガス雰囲
気中でエッチングをした場合には、アルゴンのプラズマ
の衝突によりフェライト表面のＦｅ3 Ｏ4 の結合が不安
定となり酸素が減少するためにＦｅＯが形成されるから
であると思われる。そして、このようなフェライトによ
り磁気ヘッドを構成した場合には、ＦｅＯが金属磁性膜
からフェライトへの磁力線の流れを妨げるように作用す
る。
気中でエッチングをした場合には、アルゴンのプラズマ
の衝突によりフェライト表面のＦｅ3 Ｏ4 の結合が不安
定となり酸素が減少するためにＦｅＯが形成されるから
であると思われる。そして、このようなフェライトによ
り磁気ヘッドを構成した場合には、ＦｅＯが金属磁性膜
からフェライトへの磁力線の流れを妨げるように作用す
る。
【００２９】一方、本実施例のようにアルゴンガスに酸
素を混合してエッチングした場合には、アルゴンプラズ
マのみならず酸素プラズマも同時にフェライト基板に衝
突するため、アルゴンプラズマの衝突によって酸素の欠
陥が生じた部分に再び酸素が供給され、この結果、Ｆｅ
Ｏの単結晶がＦｅ3 Ｏ4 の多結晶へと変化しＦｅＯ単結
晶の形成を抑制するものと考えられる。従って、かかる
プロセスにより作製される本実施例においては、Ｆｅ3
Ｏ4 多結晶層４が形成され、金属磁性膜３からヘッドコ
ア２への磁力線の流れを妨げる非磁性層が存在しないの
で、高出力が得られることになる。
素を混合してエッチングした場合には、アルゴンプラズ
マのみならず酸素プラズマも同時にフェライト基板に衝
突するため、アルゴンプラズマの衝突によって酸素の欠
陥が生じた部分に再び酸素が供給され、この結果、Ｆｅ
Ｏの単結晶がＦｅ3 Ｏ4 の多結晶へと変化しＦｅＯ単結
晶の形成を抑制するものと考えられる。従って、かかる
プロセスにより作製される本実施例においては、Ｆｅ3
Ｏ4 多結晶層４が形成され、金属磁性膜３からヘッドコ
ア２への磁力線の流れを妨げる非磁性層が存在しないの
で、高出力が得られることになる。
【００３０】そして、表１に示すように、酸素を含むア
ルゴンガスの雰囲気中でエッチングを行って得られた本
実施例の磁気ヘッドによれば、従来方法によって得られ
た比較例の磁気ヘッドに比べ７ＭＨｚで約２．６ｄＢ高
い出力が得られた。
ルゴンガスの雰囲気中でエッチングを行って得られた本
実施例の磁気ヘッドによれば、従来方法によって得られ
た比較例の磁気ヘッドに比べ７ＭＨｚで約２．６ｄＢ高
い出力が得られた。
【００３１】尚、上述の実施例においてはヘッドコアを
構成するフェライトとしてＦｅ3 Ｏ 4 を用いたが、本発
明はこれに限られるものではなく、ヘッドコア材として
使用されるものであれば例えばＭｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃ
ａ，Ｚｎなどを含むすべてのフェライトを用いることが
できる。
構成するフェライトとしてＦｅ3 Ｏ 4 を用いたが、本発
明はこれに限られるものではなく、ヘッドコア材として
使用されるものであれば例えばＭｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃ
ａ，Ｚｎなどを含むすべてのフェライトを用いることが
できる。
【００３２】また、上述の実施例においては、エッチン
グ用ガスとして酸素を１０ｖｏｌ％含むアルゴンガスを
用いたが、本発明はこれに限られず、５〜５０ｖｏｌ％
酸素を含むアルゴンガスを用いてもよい。ただし、１０
〜２０ｖｏｌ％酸素を含む場合が最も効果的である。
グ用ガスとして酸素を１０ｖｏｌ％含むアルゴンガスを
用いたが、本発明はこれに限られず、５〜５０ｖｏｌ％
酸素を含むアルゴンガスを用いてもよい。ただし、１０
〜２０ｖｏｌ％酸素を含む場合が最も効果的である。
【００３３】さらに、本発明は図１に示すタイプのメタ
ルインギャップヘッドに限られず、フェライトを用いる
メタルインギャップヘッドであればすべてのタイプのも
のに適用することができる。
ルインギャップヘッドに限られず、フェライトを用いる
メタルインギャップヘッドであればすべてのタイプのも
のに適用することができる。
【００３４】
【発明の効果】以上述べたように本発明においては、ヘ
ッドコアと金属磁性膜との界面にＦｅ 3 Ｏ4 多結晶層を
形成したことから、金属磁性膜の付着力を維持したまま
出力の向上を図ることができるという効果を有する。
ッドコアと金属磁性膜との界面にＦｅ 3 Ｏ4 多結晶層を
形成したことから、金属磁性膜の付着力を維持したまま
出力の向上を図ることができるという効果を有する。
【図１】本発明の実施例の全体構成図である。
【図２】同実施例の結晶構造を示す説明図である。
【図３】比較例の結晶構造を示す説明図である。
１，２ ヘッドコア ３ 金属磁性膜 ４ Ｆｅ3 Ｏ4 多結晶層
【手続補正書】
【提出日】平成３年１２月２５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、例えば図１に
示すように、スピネル相フェライト単結晶からなるヘッ
ドコア１，２の磁気ギャップ部に金属磁性膜３を形成し
てなるメタルインギャップヘッドにおいて、このヘッド
コア１，２とこの金属磁性膜３との界面にスピネル相
（Ｆｅ3 Ｏ4 ）多結晶層４を形成してなるものである。
示すように、スピネル相フェライト単結晶からなるヘッ
ドコア１，２の磁気ギャップ部に金属磁性膜３を形成し
てなるメタルインギャップヘッドにおいて、このヘッド
コア１，２とこの金属磁性膜３との界面にスピネル相
（Ｆｅ3 Ｏ4 ）多結晶層４を形成してなるものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】
【作用】かかる構成を有する本発明においては、ヘッド
コア１，２と金属磁性膜３との界面に磁性層であるスピ
ネル相フェライト（Ｆｅ3 Ｏ4）多結晶層４を形成した
ことから、この部分に非磁性のウスタイト相（ＦｅＯ）
単結晶層が存在しなくなり、金属磁性膜３からヘッドコ
ア１，２へ磁力線が妨げられることなく到達する。
コア１，２と金属磁性膜３との界面に磁性層であるスピ
ネル相フェライト（Ｆｅ3 Ｏ4）多結晶層４を形成した
ことから、この部分に非磁性のウスタイト相（ＦｅＯ）
単結晶層が存在しなくなり、金属磁性膜３からヘッドコ
ア１，２へ磁力線が妨げられることなく到達する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２８】これは、従来例のようにアルゴンガス雰囲
気中でエッチングをした場合には、アルゴンのプラズマ
の衝突によりフェライト表面のＦｅ3 Ｏ4 の結合が不安
定となり酸素が解離するためにＦｅＯが形成されるから
であると思われる。そして、このようなフェライトによ
り磁気ヘッドを構成した場合には、ＦｅＯが金属磁性膜
からフェライトへの磁力線の流れを妨げるように作用す
る。
気中でエッチングをした場合には、アルゴンのプラズマ
の衝突によりフェライト表面のＦｅ3 Ｏ4 の結合が不安
定となり酸素が解離するためにＦｅＯが形成されるから
であると思われる。そして、このようなフェライトによ
り磁気ヘッドを構成した場合には、ＦｅＯが金属磁性膜
からフェライトへの磁力線の流れを妨げるように作用す
る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３４】
【発明の効果】以上述べたように本発明においては、ヘ
ッドコアと金属磁性膜との界面にスピネル相（Ｆｅ3 Ｏ
4 ）多結晶層を形成したことから、金属磁性膜の付着力
を維持したまま出力の向上を図ることができるという効
果を有する。
ッドコアと金属磁性膜との界面にスピネル相（Ｆｅ3 Ｏ
4 ）多結晶層を形成したことから、金属磁性膜の付着力
を維持したまま出力の向上を図ることができるという効
果を有する。
Claims (1)
- 【請求項１】 フェライト単結晶からなるヘッドコアの
磁気ギャップ部に金属磁性膜を形成してなるメタルイン
ギャップヘッドにおいて、 上記ヘッドコアと上記金属磁性膜との界面にフェライト
多結晶層を形成してなることを特徴とするメタルインギ
ャップヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24783991A JPH0589425A (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | メタルインギヤツプヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24783991A JPH0589425A (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | メタルインギヤツプヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0589425A true JPH0589425A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17169446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24783991A Pending JPH0589425A (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | メタルインギヤツプヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0589425A (ja) |
-
1991
- 1991-09-26 JP JP24783991A patent/JPH0589425A/ja active Pending
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