JPH04303537A - シャドーマスクのアンチドーミング材の蒸着方法 - Google Patents
シャドーマスクのアンチドーミング材の蒸着方法Info
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- JPH04303537A JPH04303537A JP3338600A JP33860091A JPH04303537A JP H04303537 A JPH04303537 A JP H04303537A JP 3338600 A JP3338600 A JP 3338600A JP 33860091 A JP33860091 A JP 33860091A JP H04303537 A JPH04303537 A JP H04303537A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は陰極線管のシャドーマス
クのアンチドーミング材の蒸着方法に関するものである
。
クのアンチドーミング材の蒸着方法に関するものである
。
【０００２】
【従来の技術】一般に、シャドーマスクは、板面に電子
ビームが通過することのできるアパーチャが無数に穿設
されたものであって、シャドーマスクはフレームにより
陰極線管のフェースの内側に設けられている。
ビームが通過することのできるアパーチャが無数に穿設
されたものであって、シャドーマスクはフレームにより
陰極線管のフェースの内側に設けられている。
【０００３】電子銃から放射される電子ビームはシャド
ーマスクを通過してフェースの内側面に付設された蛍光
体においてランディングされて画素をなすことになるが
、この過程において電子ビームの一部はシャドーマスク
と衝突することになり、これによりシャドーマスクは熱
膨張していわゆるドーミングと称される形態で変形され
ることになる。
ーマスクを通過してフェースの内側面に付設された蛍光
体においてランディングされて画素をなすことになるが
、この過程において電子ビームの一部はシャドーマスク
と衝突することになり、これによりシャドーマスクは熱
膨張していわゆるドーミングと称される形態で変形され
ることになる。
【０００４】前記ドーミングの結果、シャドーマスクの
アパーチャは電子ビームの放射経路からずれてしまい深
刻な画質劣化をしめすことになるが、従来は、かかるド
ーミング現象に対処するため、フレームをフェースの内
側に設けるときシャドーマスクのドーミング変形を防止
するためのフックスプリングを懸垂している。
アパーチャは電子ビームの放射経路からずれてしまい深
刻な画質劣化をしめすことになるが、従来は、かかるド
ーミング現象に対処するため、フレームをフェースの内
側に設けるときシャドーマスクのドーミング変形を防止
するためのフックスプリングを懸垂している。
【０００５】しかしながら、このような方法はドーミン
グを根本的に解決したものであるとはいえない。
グを根本的に解決したものであるとはいえない。
【０００６】シャドーマスクのドーミングを根本的に解
決することができる方法は、熱膨張係数が極端に低いア
ンバ（ｉｎｖａｒ）によりシャドーマスクを製造ことに
ある。
決することができる方法は、熱膨張係数が極端に低いア
ンバ（ｉｎｖａｒ）によりシャドーマスクを製造ことに
ある。
【０００７】しかしながら、アンバは生形成がよくない
ため、製造が困難で、コストが高いという短所があった
。
ため、製造が困難で、コストが高いという短所があった
。
【０００８】米国特許第４，４４２，３７６号明細書に
おいては、シャドーマスクの画面と反対の面に金属層を
コーティングすることにより、シャドーマスクに衝突さ
れる電子が反射されるようにして、前記シャドーマスク
が熱膨張されないようにしている。
おいては、シャドーマスクの画面と反対の面に金属層を
コーティングすることにより、シャドーマスクに衝突さ
れる電子が反射されるようにして、前記シャドーマスク
が熱膨張されないようにしている。
【０００９】しかしながら、この方式でもカラー陰極線
管の内部の輻射熱によりシャドーマスクが熱膨張される
ことを防ぐことができない。
管の内部の輻射熱によりシャドーマスクが熱膨張される
ことを防ぐことができない。
【００１０】前述した諸問題を改善するため、最近シャ
ドーマスクの表面にアンチドーミング材をコーティング
する方法が模索されている。
ドーマスクの表面にアンチドーミング材をコーティング
する方法が模索されている。
【００１１】ここに用いられるアンチドーミング材とし
ては、シャドーマスクをドーミング変形の反対方向に熱
膨張させるか、あるいはシャドーマスクのドーミング変
形を抑制する物質が望ましい。
ては、シャドーマスクをドーミング変形の反対方向に熱
膨張させるか、あるいはシャドーマスクのドーミング変
形を抑制する物質が望ましい。
【００１２】アンチドーミング材として適合する物質は
、高い熱膨張係数を有するものとしてはアルミニウムが
知られており、また、低い熱膨張係数を有するものとし
ては窒化ホウ素セラミックが知られているが、アンチド
ーミング材としてのアルミニウムは大気中に露出したと
き簡単に酸化するため、窒化ホウ素セラミックがより安
定的である。
、高い熱膨張係数を有するものとしてはアルミニウムが
知られており、また、低い熱膨張係数を有するものとし
ては窒化ホウ素セラミックが知られているが、アンチド
ーミング材としてのアルミニウムは大気中に露出したと
き簡単に酸化するため、窒化ホウ素セラミックがより安
定的である。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、窒化ホ
ウ素セラミックは沸騰点が３０００℃以上であるため実
際においては高熱に耐える設備が必要であり、蒸着工程
にも多い技術的な難しさを有して実用的ではないという
問題点があった。
ウ素セラミックは沸騰点が３０００℃以上であるため実
際においては高熱に耐える設備が必要であり、蒸着工程
にも多い技術的な難しさを有して実用的ではないという
問題点があった。
【００１４】そこで、本発明は、ホウ素の蒸着過程にお
いて窒素を注入させて反応するという比較的簡単な方法
で得ることができる窒化ホウ素セラミックに着目したも
のである。すなわち、ホウ素の融点は２３００℃、沸騰
点は２５５０℃で、窒化ホウ素セラミックに比べて取扱
いが非常に容易である。
いて窒素を注入させて反応するという比較的簡単な方法
で得ることができる窒化ホウ素セラミックに着目したも
のである。すなわち、ホウ素の融点は２３００℃、沸騰
点は２５５０℃で、窒化ホウ素セラミックに比べて取扱
いが非常に容易である。
【００１５】そこで、本発明の目的は、窒化ホウ素を蒸
着することができるシャドーマスクのアンチドーミング
材の蒸着方法を提供することにある。
着することができるシャドーマスクのアンチドーミング
材の蒸着方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、真空度が５×
１０−５Ｔｏｒｒに調節された雰囲気においてホウ素を
蒸着材として蒸着温度２５００〜２６００℃、蒸着時間
１２〜２０秒でシャドーマスクの表面に蒸着して１μｍ
厚さのホウ素を蒸着した後、窒素ガスを注入して真空度
を１０−４Ｔｏｒｒに調節して維持したまま、再度１２
〜２０秒間ホウ素を蒸着して総厚さ２μｍ内外の窒化ホ
ウ素層を前記シャドーマスクの表面にコーティングし、
再び真空度を５×１０−５Ｔｏｒｒに調節して維持した
まま蒸着温度２４００〜２６００℃、蒸着時間２５〜３
０秒でチタンを前記窒化ホウ素層上に１〜２μｍ厚さで
コーティングすることを特徴とする。
１０−５Ｔｏｒｒに調節された雰囲気においてホウ素を
蒸着材として蒸着温度２５００〜２６００℃、蒸着時間
１２〜２０秒でシャドーマスクの表面に蒸着して１μｍ
厚さのホウ素を蒸着した後、窒素ガスを注入して真空度
を１０−４Ｔｏｒｒに調節して維持したまま、再度１２
〜２０秒間ホウ素を蒸着して総厚さ２μｍ内外の窒化ホ
ウ素層を前記シャドーマスクの表面にコーティングし、
再び真空度を５×１０−５Ｔｏｒｒに調節して維持した
まま蒸着温度２４００〜２６００℃、蒸着時間２５〜３
０秒でチタンを前記窒化ホウ素層上に１〜２μｍ厚さで
コーティングすることを特徴とする。
【００１７】
【作用】本発明により得られるシャドーマスクは、窒化
ホウ素層によりドーミング変形が仰制され、さらに、窒
化ホウ素層上にコーティングされたチタン層は良好な伝
導性を有するため、前記シャドーマスクにアノード電圧
を印加することができるようになる。
ホウ素層によりドーミング変形が仰制され、さらに、窒
化ホウ素層上にコーティングされたチタン層は良好な伝
導性を有するため、前記シャドーマスクにアノード電圧
を印加することができるようになる。
【００１８】
【実施例】本発明のより良い目的及び利点は以下の詳細
な説明から一層さらに理解することができるだろう。
な説明から一層さらに理解することができるだろう。
【００１９】外部と遊離される雰囲気を提供することが
できる通常の蒸着器の内部に被蒸着物となるシャドーマ
スクを懸垂し、ボートにホウ素を適当量いれた後、前記
蒸着器の内部真空度を５×１０−５Ｔｏｒｒに維持する
。
できる通常の蒸着器の内部に被蒸着物となるシャドーマ
スクを懸垂し、ボートにホウ素を適当量いれた後、前記
蒸着器の内部真空度を５×１０−５Ｔｏｒｒに維持する
。
【００２０】つぎに、電子ビーム蒸着法を用いてホウ素
を２５００〜２６００℃で加熱し、１２〜２０秒間蒸着
させる。このとき、得られる総厚さは、ほぼ１μｍ程度
である。
を２５００〜２６００℃で加熱し、１２〜２０秒間蒸着
させる。このとき、得られる総厚さは、ほぼ１μｍ程度
である。
【００２１】１２〜２０秒間蒸着してしばらく中止した
後、蒸着器の内部に窒素ガスを注入して真空度を１０−
４Ｔｏｒｒ水準に調整し、再び１２〜２０秒間窒素雰囲
気で蒸着を行なう。
後、蒸着器の内部に窒素ガスを注入して真空度を１０−
４Ｔｏｒｒ水準に調整し、再び１２〜２０秒間窒素雰囲
気で蒸着を行なう。
【００２２】このとき、注入された窒素ガスがホウ素と
反応してシャドーマスクに窒化ホウ素層を蒸着しこの過
程において得られる膜厚も１μｍ程度となって、アンチ
ドーミング層の総厚さは２μｍ以内になる。
反応してシャドーマスクに窒化ホウ素層を蒸着しこの過
程において得られる膜厚も１μｍ程度となって、アンチ
ドーミング層の総厚さは２μｍ以内になる。
【００２３】前記した蒸着工程が終わると、真空を解除
し、蒸着材をホウ素からチタンにかえた後、再び内部真
空度を５×１０−５Ｔｏｒｒに調整してこれを維持させ
たまま、チタンを２４００〜２６００℃で２５〜３０秒
間加熱して窒化ホウ素層上にチタンが１〜２μｍ厚さで
積層されるようにして所望のシャドーマスクを得る。
し、蒸着材をホウ素からチタンにかえた後、再び内部真
空度を５×１０−５Ｔｏｒｒに調整してこれを維持させ
たまま、チタンを２４００〜２６００℃で２５〜３０秒
間加熱して窒化ホウ素層上にチタンが１〜２μｍ厚さで
積層されるようにして所望のシャドーマスクを得る。
【００２４】本発明により得られるシャドーマスクは、
その表面に蒸着された窒化ホウ素の低い熱膨張係数によ
りドーミングが積極抑制され、さらに、窒化ホウ素層上
に積層されるチタン層は窒化ホウ素が有しない高導電性
を有しているため、シャドーマスクのアーノド電圧を印
加することができる。
その表面に蒸着された窒化ホウ素の低い熱膨張係数によ
りドーミングが積極抑制され、さらに、窒化ホウ素層上
に積層されるチタン層は窒化ホウ素が有しない高導電性
を有しているため、シャドーマスクのアーノド電圧を印
加することができる。
【００２５】なお、本発明は、前述した説明に限定され
るものではなく、必要に応じて種々の変更が可能である
。
るものではなく、必要に応じて種々の変更が可能である
。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、窒化ホ
ウ素セラミックを蒸着量として用いる方法より著しく低
い温度で行なわれるものであるため、非常に容易に実施
することができるという利点がある。
ウ素セラミックを蒸着量として用いる方法より著しく低
い温度で行なわれるものであるため、非常に容易に実施
することができるという利点がある。
【００２７】さらに、窒化ホウ素の熱膨張係数も窒化ホ
ウ素セラミックと同様なものであるので、前記窒化ホウ
素セラミックを用いたものと同様にシャドーマスクのド
ーミング変形を抑制する効果を有する。
ウ素セラミックと同様なものであるので、前記窒化ホウ
素セラミックを用いたものと同様にシャドーマスクのド
ーミング変形を抑制する効果を有する。
Claims (3)
- 【請求項１】 真空度が５×１０−５Ｔｏｒｒに調節
された雰囲気においてホウ素を蒸着材として蒸着温度２
５００〜２６００℃、蒸着時間１２〜２０秒でシャドー
マスクの表面に蒸着して１μｍ厚さのホウ素を蒸着した
後、窒素ガスを注入して真空度を１０−４Ｔｏｒｒに調
節して維持したまま、再度１２〜２０秒間ホウ素を蒸着
して総厚さ２μｍ内外の窒化ホウ素層を前記シャドーマ
スクの表面にコーティングし、再び真空度を５×１０−
５Ｔｏｒｒに調節して維持したまま蒸着温度２４００〜
２６００℃、蒸着時間２５〜３０秒でチタンを前記窒化
ホウ素層上に１〜２μｍ厚さでコーティングすることを
特徴とするシャドーマスクのアンチドーミング材の蒸着
方法。 - 【請求項２】 窒化ホウ素層およびチタン層はシャド
ーマスクの表面からスクリーンに向かう反対方向に限定
してコーティングされることを特徴とする請求項１に記
載のシャドーマスクのアンチドーミング材の蒸着方法。 - 【請求項３】 窒化ホウ素層が少なくともシャドーマ
スクの表裏面にコーティングされることを特徴とする請
求項１記載のシャドーマスクのアンチドーミング材の蒸
着方法。
Applications Claiming Priority (2)
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