JPS60200441A - カラ−受像管 - Google Patents
カラ−受像管Info
- Publication number
- JPS60200441A JPS60200441A JP5675984A JP5675984A JPS60200441A JP S60200441 A JPS60200441 A JP S60200441A JP 5675984 A JP5675984 A JP 5675984A JP 5675984 A JP5675984 A JP 5675984A JP S60200441 A JPS60200441 A JP S60200441A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum
- color picture
- picture tube
- silicon carbide
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/18—Luminescent screens
- H01J29/28—Luminescent screens with protective, conductive or reflective layers
Landscapes
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明はカラー受像管の色ずれ防止に関するもので、
特にフェースプレートの内面に位置する螢光体層を覆っ
ている光反射性金属膜上に形成されるシャドーマスクか
らの熱放射を吸収し、ドーミング現象を軽減させる物質
に関するものである。
特にフェースプレートの内面に位置する螢光体層を覆っ
ている光反射性金属膜上に形成されるシャドーマスクか
らの熱放射を吸収し、ドーミング現象を軽減させる物質
に関するものである。
従来のカラー受像管においては、螢光体層を覆っている
光反射性金属膜上にカーボン塗料を塗布し、この塗料の
熱吸収作用によってシャドーマスクからの熱放射を吸収
するようにしている。しかしながらカーボン塗料の塗布
工程は非常に繁雑であり、前後の工程との関連から連続
作業は困難である。
光反射性金属膜上にカーボン塗料を塗布し、この塗料の
熱吸収作用によってシャドーマスクからの熱放射を吸収
するようにしている。しかしながらカーボン塗料の塗布
工程は非常に繁雑であり、前後の工程との関連から連続
作業は困難である。
従来方法の他の方法として上記光反射性金属膜上に、黒
化したアルミニウムを蒸着する方法がある １０−１〜
１Ｏ−２Ｔｏｒｒの圧力でアルミニウムを真空蒸着する
と黒化したアルミニウム蒸着膜が容易ニ得られる。従っ
て、１０ ’〜１０ ’Ｔｏｒｒの圧力下でアルミニウ
ムを蒸着することによって得た光反射性金属膜の上に黒
化したアルミニウムを形成することは、その工程を連続
して行なうことができるため製造上都合がよい。
化したアルミニウムを蒸着する方法がある １０−１〜
１Ｏ−２Ｔｏｒｒの圧力でアルミニウムを真空蒸着する
と黒化したアルミニウム蒸着膜が容易ニ得られる。従っ
て、１０ ’〜１０ ’Ｔｏｒｒの圧力下でアルミニウ
ムを蒸着することによって得た光反射性金属膜の上に黒
化したアルミニウムを形成することは、その工程を連続
して行なうことができるため製造上都合がよい。
黒化したアルミニウムは低真空下で蒸発したアルミニウ
ム原子が周囲の窒素や酸素分子と衝突しながら気相核成
長したアルミニウム微粒子である。
ム原子が周囲の窒素や酸素分子と衝突しながら気相核成
長したアルミニウム微粒子である。
この方式は連続プロセスで製造できるため作業効率は非
常にすぐれているが、次の熱処理工程で変質してしまっ
たり、電子を長時間照射した場合、熱吸収の効果が低下
する場合があり、その製造条件によっては長時間安定性
に欠ける傾向がまれに見られた。
常にすぐれているが、次の熱処理工程で変質してしまっ
たり、電子を長時間照射した場合、熱吸収の効果が低下
する場合があり、その製造条件によっては長時間安定性
に欠ける傾向がまれに見られた。
また、第１図は黒化したアルミニウムの赤外吸収スペク
トルを示すもので、縦軸は透過率を、横軸は波長を表わ
している。第２図はシャドーマスクからの熱輻射を黒体
輻射に近似させた場合の放射スペクトルを示すもので、
縦軸は放射強度を、横軸は波長を表わしている。図から
黒化したアルミニウムの赤外吸収スペクトルはシャドー
マスクから放出されるスペクトル成分との取なりが少な
く熱吸収の効率は良いとは言えない。っ−まシ、第１図
で透過率が低い波長は１２／ＩＩｒＬ附近で、この附近
で赤外線を効果的に吸収するが、第２図で放射される強
度が強い波長は８μｍ附近で、第１図の効果的吸収波長
域とずれている。
トルを示すもので、縦軸は透過率を、横軸は波長を表わ
している。第２図はシャドーマスクからの熱輻射を黒体
輻射に近似させた場合の放射スペクトルを示すもので、
縦軸は放射強度を、横軸は波長を表わしている。図から
黒化したアルミニウムの赤外吸収スペクトルはシャドー
マスクから放出されるスペクトル成分との取なりが少な
く熱吸収の効率は良いとは言えない。っ−まシ、第１図
で透過率が低い波長は１２／ＩＩｒＬ附近で、この附近
で赤外線を効果的に吸収するが、第２図で放射される強
度が強い波長は８μｍ附近で、第１図の効果的吸収波長
域とずれている。
カラー受像管の内側に設置されているシャドーマスクの
開孔率は２０俤前後であり、従ってビーム量の約８０チ
はシャドーマスクの温度上昇に関与することになる。こ
の温度上昇は４０℃前後であると言われている。
開孔率は２０俤前後であり、従ってビーム量の約８０チ
はシャドーマスクの温度上昇に関与することになる。こ
の温度上昇は４０℃前後であると言われている。
シャドーマスクから熱輻射を黒体輻射に近似させた場合
の放射スペクトルは第２図に示すように５０〜１００℃
付近においてはほぼ８μｍのところにピークを有する。
の放射スペクトルは第２図に示すように５０〜１００℃
付近においてはほぼ８μｍのところにピークを有する。
従って、この放射スペクトルを隣接する物質によって有
効に吸収させるためには８μｍ前後の波長に吸収ピーク
をもつ物質であることが理想的である。従って、シャド
ーマスクからの熱吸収を吸収させ、シャドーマスクのド
ーミング現象を軽減させるにはシャドーマスクの対向面
に以下の条件を満足する物質を設けることが肝要である
。
効に吸収させるためには８μｍ前後の波長に吸収ピーク
をもつ物質であることが理想的である。従って、シャド
ーマスクからの熱吸収を吸収させ、シャドーマスクのド
ーミング現象を軽減させるにはシャドーマスクの対向面
に以下の条件を満足する物質を設けることが肝要である
。
（１） 動作状態のカラー受像管におけるシャドーマス
クから放射スペクトルのピーク波長に一致する吸収スペ
クトルを有する物質であること。
クから放射スペクトルのピーク波長に一致する吸収スペ
クトルを有する物質であること。
（２） この物質を設ける工程の次に続く工程において
、この物質の劣化の程度が最小であること。
、この物質の劣化の程度が最小であること。
（３）電子線に長期間さらされても初期特性が低下しな
いこと。
いこと。
（４） さらにこの物質を設ける工程と、この工程の前
後の工程が連続的であると、作業性も良好になる。
後の工程が連続的であると、作業性も良好になる。
この発明は上記の点に鑑みてなされたもので、フェース
プレートの内面に形成した螢光体層、この螢光体層上に
形成した光反射性金属膜、及びこの光反射性金属膜上に
形成したアモルファス炭化硅素膜を備えたものにするこ
とにより、色ずれが少なく長期安定性に優れたカラー受
像管を提供することを目的としている。さらに、例えば
プラズマＣＶＤ法で作業性良くアモルファス炭化硅素膜
を形成しようとするものである。
プレートの内面に形成した螢光体層、この螢光体層上に
形成した光反射性金属膜、及びこの光反射性金属膜上に
形成したアモルファス炭化硅素膜を備えたものにするこ
とにより、色ずれが少なく長期安定性に優れたカラー受
像管を提供することを目的としている。さらに、例えば
プラズマＣＶＤ法で作業性良くアモルファス炭化硅素膜
を形成しようとするものである。
シャドーマスクからの放射スペクトルを吸収する物質を
設ける工程の一つ前の工程で行なわれる光反射性金属膜
の形成は、アルミニウムを抵抗加熱方式で高真空下にお
いて蒸着で行うため、次の工程を連続作業にするために
は必然的に真空下での処理が望ましい条件になる。我々
は種々の物質を検討した結果、前記の４項目を満足する
物質が炭化硅素であることを見出した。炭化硅素はプラ
ズマＣＶＤ法によって容易に薄膜状に形成することがで
きる。薄膜の結晶構造はアモルファスである。第３図は
アモルファス炭化硅素膜の赤外吸収スペクトルを示すも
ので、縦軸は透過率を、横軸は波長を表わす。この吸収
スペクトルは、透過率が小さく、すなわち吸収率が大き
く、第２図に示した黒体輻射における５０〜１００℃で
の放射スペクトルとかなり良い一致を示していることが
わかる。
設ける工程の一つ前の工程で行なわれる光反射性金属膜
の形成は、アルミニウムを抵抗加熱方式で高真空下にお
いて蒸着で行うため、次の工程を連続作業にするために
は必然的に真空下での処理が望ましい条件になる。我々
は種々の物質を検討した結果、前記の４項目を満足する
物質が炭化硅素であることを見出した。炭化硅素はプラ
ズマＣＶＤ法によって容易に薄膜状に形成することがで
きる。薄膜の結晶構造はアモルファスである。第３図は
アモルファス炭化硅素膜の赤外吸収スペクトルを示すも
ので、縦軸は透過率を、横軸は波長を表わす。この吸収
スペクトルは、透過率が小さく、すなわち吸収率が大き
く、第２図に示した黒体輻射における５０〜１００℃で
の放射スペクトルとかなり良い一致を示していることが
わかる。
炭化硅素は発熱体としても工業化されているように、耐
熱性に、また耐蝕性に非常にすぐれておシこの性質はア
モルファス炭化硅素薄膜においても同様である。従って
放射スペクトル吸収性物質として炭化硅素薄膜を形成さ
せた後の種々の熱的および化学的処理工程を経てもなん
ら変化を受けることはない。またプラズマＣＶＤ法は減
圧下での薄膜形成技術の一つであるので連続作業を円滑
に行なうことができる。光反射のだめのアルミニウム薄
膜とアモルファス炭化硅素薄膜との密着性は良好である
。
熱性に、また耐蝕性に非常にすぐれておシこの性質はア
モルファス炭化硅素薄膜においても同様である。従って
放射スペクトル吸収性物質として炭化硅素薄膜を形成さ
せた後の種々の熱的および化学的処理工程を経てもなん
ら変化を受けることはない。またプラズマＣＶＤ法は減
圧下での薄膜形成技術の一つであるので連続作業を円滑
に行なうことができる。光反射のだめのアルミニウム薄
膜とアモルファス炭化硅素薄膜との密着性は良好である
。
この発明の理解を助けるために、実施例をあげてさらに
詳細に説明する。第４図はこの実施例を製造する際に用
いられる蒸着装置を示す構成図で、図において（１）は
真空！、（２）はプラズマ発生用電極（３）はシャッタ
ー、（４）はヒーター、（５）は螢光体塗布後のフェー
スプレー１・、（６）はアルミニウムの蒸発源である。
詳細に説明する。第４図はこの実施例を製造する際に用
いられる蒸着装置を示す構成図で、図において（１）は
真空！、（２）はプラズマ発生用電極（３）はシャッタ
ー、（４）はヒーター、（５）は螢光体塗布後のフェー
スプレー１・、（６）はアルミニウムの蒸発源である。
螢光体塗布後のフェースプレート（５）は、光反射性金
属膜であるアルミニウムの蒸着Ｉ ｒ−ｉｔにはいる。
属膜であるアルミニウムの蒸着Ｉ ｒ−ｉｔにはいる。
アルミニウムの蒸発源（６）、ヒーター（４）、フェー
スプレート（５）などを真空槽（１）の所定の場所に設
置した後、真空Ｎ（１）を排気する。真空槽（１）内の
圧力が１０ Ｔｏｒｒ台になったらアルミニウムの溶解
、ガス出しに引き続きシャッター（３）を開いて所定の
厚さにアルミニウムを蒸着する。次にフェースプレー）
（５）の位置を動がすことなく、同一の真空槽において
アモルファス炭化硅素の形成工程に移る。
スプレート（５）などを真空槽（１）の所定の場所に設
置した後、真空Ｎ（１）を排気する。真空槽（１）内の
圧力が１０ Ｔｏｒｒ台になったらアルミニウムの溶解
、ガス出しに引き続きシャッター（３）を開いて所定の
厚さにアルミニウムを蒸着する。次にフェースプレー）
（５）の位置を動がすことなく、同一の真空槽において
アモルファス炭化硅素の形成工程に移る。
プラダマンＣＶＤ法による薄膜形成時の真空槽内の圧力
は０．１〜Ｉ Ｔｏｒｒであるので、前記したアルミニ
ウム蒸着工程とは異なる排気系に切り換える必要がある
。例えばアルミニウムを蒸着するときは油拡散ポンプ（
７）と油回転ポンプ（８）の組み合わせで排気し、プラ
ズマＣＶＤ法によってアモルファス炭化硅素を形成する
ときは油回転ポンプ（８）のみで排気する。
は０．１〜Ｉ Ｔｏｒｒであるので、前記したアルミニ
ウム蒸着工程とは異なる排気系に切り換える必要がある
。例えばアルミニウムを蒸着するときは油拡散ポンプ（
７）と油回転ポンプ（８）の組み合わせで排気し、プラ
ズマＣＶＤ法によってアモルファス炭化硅素を形成する
ときは油回転ポンプ（８）のみで排気する。
ガス供給装置（９）から真空槽（１）に５ｉＨ４（シラ
ン）。
ン）。
（Ａｒｔ （メタン）、Ａｒ（アルゴン）の混合ガスを
供給しプラズマ発生用電極（２）に高周波電力を印加し
プラズマを発生させる。形成するアモルファス炭化硅素
の膜厚は高周波電力原料ガス供、ｓｉ、プラズマ発生時
間などによって任意に設定することができる。またフェ
ースプｌ／ −） （５）自体を加熱しても差し支えな
い。所定の膜厚にアモルファス炭化硅素を形成させた後
、高周波電力およびガスの供給を停止し真空槽を大気圧
にもどして得られたカラー受像管を取り出す。そして次
の工程に移る。この様にして得られたアモルファス炭化
硅素薄ｊ摸は第３図のような赤外吸収スペクトルを示し
、前記の黒体輻射における放射スペクトルとよくマツチ
ングがとれている。
供給しプラズマ発生用電極（２）に高周波電力を印加し
プラズマを発生させる。形成するアモルファス炭化硅素
の膜厚は高周波電力原料ガス供、ｓｉ、プラズマ発生時
間などによって任意に設定することができる。またフェ
ースプｌ／ −） （５）自体を加熱しても差し支えな
い。所定の膜厚にアモルファス炭化硅素を形成させた後
、高周波電力およびガスの供給を停止し真空槽を大気圧
にもどして得られたカラー受像管を取り出す。そして次
の工程に移る。この様にして得られたアモルファス炭化
硅素薄ｊ摸は第３図のような赤外吸収スペクトルを示し
、前記の黒体輻射における放射スペクトルとよくマツチ
ングがとれている。
放射スペクトル吸収性物質にアモルファス炭化硅素薄膜
を用いることによって従来よシも吸収効率が向上したた
め、シャドーマスクのドーミング現象を軽減でき電子ビ
ームのミスランディングが少なくなり、周辺部での色ず
れが非常に小さくなった。またアモルファス炭化硅素薄
膜は熱的に非常に安定であるため、形成後の熱処理工程
で特性や組成が変化することは皆無であり、長期にわた
る実使用においても周辺部での色ずれが増加することも
なく高い品質を維持し続ける。
を用いることによって従来よシも吸収効率が向上したた
め、シャドーマスクのドーミング現象を軽減でき電子ビ
ームのミスランディングが少なくなり、周辺部での色ず
れが非常に小さくなった。またアモルファス炭化硅素薄
膜は熱的に非常に安定であるため、形成後の熱処理工程
で特性や組成が変化することは皆無であり、長期にわた
る実使用においても周辺部での色ずれが増加することも
なく高い品質を維持し続ける。
以上のように、この発明によれば、フェースプレートの
内面に形成した螢光体層、この螢光体層上に形成した光
反射性金属膜、及びこの光反射性金属膜上に形成したア
モルファス炭化硅素膜を備えたものにすることによシ、
色ずれが少なく長期安定性に優れたカラー受像管が得ら
れる効果がある。とともに、例えばプラズマＣＶＤ法で
アモルファス炭化硅素膜を形成できるので作業性も良好
である。
内面に形成した螢光体層、この螢光体層上に形成した光
反射性金属膜、及びこの光反射性金属膜上に形成したア
モルファス炭化硅素膜を備えたものにすることによシ、
色ずれが少なく長期安定性に優れたカラー受像管が得ら
れる効果がある。とともに、例えばプラズマＣＶＤ法で
アモルファス炭化硅素膜を形成できるので作業性も良好
である。
第１図は従来のカラー受像管に使用されている黒化した
アルミニウムの吸収スペクトルを示す特性図で、縦軸は
透過率を、横軸は波長を表わす。 第２図は黒体の放射スペクトルを示す特性図で、縦軸は
放射強度を、横軸は波長を表わす。第３図はこの発明の
一実施例のカラー受像管に使用したアモルファス炭化硅
素の吸収スペクトルを示す特性図で、縦軸は透過率を、
横軸は波長を表わす。 第４図はこの発明の一実施例のカラー受像管を製造する
際に用いられる蒸着装置を示すもので、図において（１
）は真空槽、（２）はプラズマ発生用電極、（３）はシ
ャッター、（４）はヒーター、（５）はフェースプレー
ト、（６）はアルミニウムの蒸発源である。 代理人 大岩 増雄 慴 窄 礪← （８） 塙＝恨づ （ミ宗嘔） 上製＠← （Ｘ） 第４図
アルミニウムの吸収スペクトルを示す特性図で、縦軸は
透過率を、横軸は波長を表わす。 第２図は黒体の放射スペクトルを示す特性図で、縦軸は
放射強度を、横軸は波長を表わす。第３図はこの発明の
一実施例のカラー受像管に使用したアモルファス炭化硅
素の吸収スペクトルを示す特性図で、縦軸は透過率を、
横軸は波長を表わす。 第４図はこの発明の一実施例のカラー受像管を製造する
際に用いられる蒸着装置を示すもので、図において（１
）は真空槽、（２）はプラズマ発生用電極、（３）はシ
ャッター、（４）はヒーター、（５）はフェースプレー
ト、（６）はアルミニウムの蒸発源である。 代理人 大岩 増雄 慴 窄 礪← （８） 塙＝恨づ （ミ宗嘔） 上製＠← （Ｘ） 第４図
Claims (1)
- フェースプレートの内面に形成した螢光体層、この螢光
体層上に形成した光反射性金属膜、及びこの光反射性金
属膜上に形成したアモルファス炭化硅素膜を備えだカラ
ー受像管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5675984A JPS60200441A (ja) | 1984-03-24 | 1984-03-24 | カラ−受像管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5675984A JPS60200441A (ja) | 1984-03-24 | 1984-03-24 | カラ−受像管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60200441A true JPS60200441A (ja) | 1985-10-09 |
Family
ID=13036426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5675984A Pending JPS60200441A (ja) | 1984-03-24 | 1984-03-24 | カラ−受像管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60200441A (ja) |
-
1984
- 1984-03-24 JP JP5675984A patent/JPS60200441A/ja active Pending
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