JPH04293298A - 厚膜多層回路基板 - Google Patents

厚膜多層回路基板

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Publication number
JPH04293298A
JPH04293298A JP5885991A JP5885991A JPH04293298A JP H04293298 A JPH04293298 A JP H04293298A JP 5885991 A JP5885991 A JP 5885991A JP 5885991 A JP5885991 A JP 5885991A JP H04293298 A JPH04293298 A JP H04293298A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductor wiring
thick film
layer
multilayer circuit
wiring layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP5885991A
Other languages
English (en)
Inventor
Shiro Ezaki
江崎 史郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Lighting and Technology Corp
Original Assignee
Toshiba Lighting and Technology Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Lighting and Technology Corp filed Critical Toshiba Lighting and Technology Corp
Priority to JP5885991A priority Critical patent/JPH04293298A/ja
Publication of JPH04293298A publication Critical patent/JPH04293298A/ja
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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は厚膜多層回路基板に関す
る。
【0002】
【従来の技術】厚膜多層回路基板では、チップコンデン
サやミニモールドトランジスタ等の電子部品を良好に半
田付けできるように、半田濡れ性に優れ、半田食われの
少ない銅導体によって多層導体配線を形成することが行
なわれている。図2は、前記厚膜多層回路基板の従来例
を示す断面図である。
【0003】即ち、図中の1は、絶縁基材である。前記
絶縁基材1上には、4層の銅導体配線層2からなる多層
導体配線が形成されている。前記4層の銅導体配線層2
間には、それぞれ絶縁体層3が介在されている。前記各
絶縁体層3には、その上下の銅導体配線層2を接続する
ビアホールが形成されている。
【0004】かかる厚膜多層回路基板は、次のように製
造される。まず、前記絶縁基材1上に銅ペーストを印刷
した後、窒素中で焼成して1層目の銅導体配線層2を形
成する。つづいて、前記銅導体配線層2上に絶縁体ペー
ストを印刷した後、窒素中で焼成して1層目の絶縁体層
3を形成する。こうした銅ペーストの印刷,焼成工程と
絶縁体ペーストの印刷,焼成工程とを交互に繰り返すこ
とにより前記厚膜多層回路基板を製造する。
【0005】しかしながら、上述した従来の厚膜多層回
路基板では、その製造時に焼成が繰り返されるために特
に下層の銅導体配線層2が絶縁体層3中に拡散して絶縁
性の低下を招くという問題点があった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の問題
点を解決するためになされたもので、半田付けを良好に
行なうことができ、かつ製造時に焼成が繰り返されるこ
とによる導体配線間の絶縁性の低下を防止した厚膜多層
回路基板を提供しようとするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁体層を介
在した多数の導体配線層を絶縁基材上に積層した厚膜多
層回路基板において、前記多数の導体配線層が前記絶縁
基材上に形成した1層以上の金導体配線層と前記金導体
配線層上に形成した1層以上の銅導体配線層とからなる
ことを特徴とする厚膜多層回路基板である。前記絶縁基
材としては、例えばアルミナ基材などが挙げられる。
【0008】前記金導体配線層は、金ペーストを印刷し
た後、これを焼成することにより形成される。なお、金
導体からなるワイヤボンディング用パッドを前記絶縁基
材上に形成する場合には前記金導体配線層をワイヤボン
ディング用パッドと同時に形成させることが可能である
【0009】前記銅導体配線層は、銅ペーストを印刷し
た後、これを焼成することにより形成される。かかる銅
導体配線層の層数は、導体配線層を4層以上とした場合
、導体配線間の絶縁性の低下をより確実に防止する観点
から3層以下にすることが望ましい。より好ましい銅導
体配線層の層数は、2層以下である。この場合、導体配
線層は3層以上となる。上述した厚膜多層回路基板は、
例えば次のような方法により製造される。
【0010】まず、絶縁基材上に金ペーストを印刷した
後、焼成して金導体配線層を形成する。つづいて、前記
金導体配線層上に例えばホウケイ酸系ガラスペーストや
ホウケイ酸亜鉛系ガラスペースト等からなる絶縁体ペー
ストを印刷した後、焼成して絶縁体層を形成する。こう
した金ペーストの印刷,焼成工程と絶縁体ペーストの印
刷,焼成工程によって絶縁基材上に1層以上の金導体配
線層を形成する。
【0011】次いで、前記金導体配線層上に前記絶縁体
層を介在させて銅ペーストを印刷した後、焼成して銅導
体配線層を形成する。更に銅導体配線層を形成する場合
、前記銅導体配線層上に絶縁体ペーストを印刷した後、
焼成して絶縁体層を形成する。こうした銅ペーストの印
刷,焼成工程と絶縁体ペーストの印刷,焼成工程によっ
て前記金導体配線層上に1層以上の銅導体配線層を形成
することにより、厚膜多層回路基板を製造する。
【0012】
【作用】本発明の厚膜多層回路基板によれば、前記絶縁
基材上に形成した1層以上の金導体配線層と前記金導体
配線層上に形成した1層以上の銅導体配線層とからなる
多数の導体配線層を積層したことにより、半田付けを良
好に行なうことができ、かつ製造時に焼成が繰り返され
ることによる導体配線間の絶縁性の低下を防止できる。
【0013】即ち、前記金導体配線層は、絶縁体層との
反応性が低いことから焼成が繰り返しなされても銅導体
配線層と比べて絶縁体層中への拡散が進行し難い。その
結果、前記金導体配線層を焼成が繰り返しなされる下層
(絶縁基材側)に配置することによって、製造時に焼成
が繰り返されることによる導体配線間の絶縁性の低下を
防止できる。また、半田付け性の良い銅導体配線層を上
層に配置することによって、電子部品等を半田付けによ
り良好に実装できる。
【0014】なお、前記銅導体配線層は、焼成回数が5
回(銅ペースト焼成3回、絶縁ペースト焼成2回)以内
であれば導体配線間の絶縁性を良好に維持することが可
能である。このため、導体配線層を4層以上とした場合
、前記銅導体配線層の層数を3層以下にすれば、導体配
線間の絶縁性の低下をより確実に防止できる。
【0015】
【実施例】以下、本発明を図面を参照して詳細に説明す
る。図1は、本発明の一実施例を示す厚膜多層回路基板
の断面図である。かかる厚膜多層回路基板を次のように
製造した。
【0016】まず、例えばアルミナからなる絶縁基材1
1上に金ペーストを印刷した後、空気中800〜900
℃程度で焼成して1層目の金導体配線層12を形成する
。つづいて、絶縁体ペーストをビアホールとなる位置に
穴が形成されるように印刷した後、空気中800〜90
0℃程度で焼成して1層目の絶縁体層13を形成する。 ひきつづき、前記金ペーストの印刷,焼成工程と前記絶
縁体ペーストの印刷,焼成工程を同様に繰り返して前記
1層目の金導体配線層12とビアホールを通して接続し
た2層目の金導体配線層12、及び2層目の絶縁体層1
3を形成する。次いで、前記2層目の絶縁体層13上に
銅ペーストを印刷した後、窒素中600℃程度で焼成し
て前記2層目の金導体配線層12とビアホールを通して
接続した1層目の銅導体配線層14を形成する。つづい
て、絶縁体ペーストをビアホールとなる位置に穴が形成
されるように印刷した後、窒素中600℃程度で焼成し
て3層目の絶縁体層15を形成する。ひきつづき、前記
銅ペーストの印刷,焼成工程を同様に繰り返して前記1
層目の銅導体配線層14とビアホールを通して接続した
2層目の銅導体配線層14を形成する。
【0017】こうして前記絶縁基材11上に形成された
2層の金導体配線層12と前記金導体配線層12上に形
成された2層の銅導体配線層14とからなる4層の導体
配線層が積層され、かつ前記4層の導体配線間にそれぞ
れビアホールを形成した絶縁体層13,15が介在され
た厚膜多層回路基板を製造する。
【0018】このような構成の厚膜多層回路基板よれば
、金導体配線層12が焼成時において絶縁体層13中に
拡散し難いため、この金導体配線層12を焼成が繰り返
しなされる下層に配置することによって、製造時に焼成
が繰り返されることによる導体配線間の絶縁性の低下を
防止できる。また、半田付け性の良い銅導体配線層14
を上層に配置することによって、電子部品等を半田付け
により良好に実装できる。
【0019】
【発明の効果】以上詳述した如く、本発明によれば半田
付けを良好に行なうことができ、かつ製造時に焼成が繰
り返されることによる導体配線間の絶縁性の低下を防止
した高信頼性の厚膜多層回路基板を提供することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す厚膜多層回路基板の断
面図
【図2】従来の厚膜多層回路基板を示す断面図
【符号の説明】
11…絶縁基材、12…金導体配線層、14…銅導体配
線層、13,15…絶縁体層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  絶縁体層を介在した多数の導体配線層
    を絶縁基材上に積層した厚膜多層回路基板において、前
    記多数の導体配線層が前記絶縁基材上に形成した1層以
    上の金導体配線層と前記金導体配線層上に形成した1層
    以上の銅導体配線層とからなることを特徴とする厚膜多
    層回路基板。
JP5885991A 1991-03-22 1991-03-22 厚膜多層回路基板 Pending JPH04293298A (ja)

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JP5885991A JPH04293298A (ja) 1991-03-22 1991-03-22 厚膜多層回路基板

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JPH04293298A true JPH04293298A (ja) 1992-10-16

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