JPH04282853A - 半導体装置の分割方法 - Google Patents
半導体装置の分割方法Info
- Publication number
- JPH04282853A JPH04282853A JP3045027A JP4502791A JPH04282853A JP H04282853 A JPH04282853 A JP H04282853A JP 3045027 A JP3045027 A JP 3045027A JP 4502791 A JP4502791 A JP 4502791A JP H04282853 A JPH04282853 A JP H04282853A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- adhesive tape
- cutting
- expanded
- semiconductor elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims abstract description 13
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置のダイシ
ングソーにおけるウェハーを分割する方法に関するもの
である。
ングソーにおけるウェハーを分割する方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来半導体装置の分割方法は、図２の様
に粘着テープ２の上にリング６とウェハー１を貼付けた
物を真空吸着孔４のある板（以降ステージ３と呼ぶ）を
介してウェハー１部分を真空吸着し、又、リング６は動
かない様リング固定爪５で固定する。その時の固定位置
がステージ３上板の面とリング６を固定している部分と
同一高さか、又は１〜２ｍｍ程度の段差が設けてある物
もある。ウェハー１上に成形された半導体素子をダイヤ
モンド粒子を固めた切刃７によって、予め設定された半
導体素子のサイズ，切残し量，カットスピード，カット
ストローク，等のデーター入力設定値で個々に分割する
方法である。
に粘着テープ２の上にリング６とウェハー１を貼付けた
物を真空吸着孔４のある板（以降ステージ３と呼ぶ）を
介してウェハー１部分を真空吸着し、又、リング６は動
かない様リング固定爪５で固定する。その時の固定位置
がステージ３上板の面とリング６を固定している部分と
同一高さか、又は１〜２ｍｍ程度の段差が設けてある物
もある。ウェハー１上に成形された半導体素子をダイヤ
モンド粒子を固めた切刃７によって、予め設定された半
導体素子のサイズ，切残し量，カットスピード，カット
ストローク，等のデーター入力設定値で個々に分割する
方法である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記構成
の方法では半導体素子の分割時に半導体素子と切刃が干
渉し合うことにより半導体素子の切削断面にクラックも
しくは欠けが発生する。又切削による切粉が除去されず
素子の上もしくは素子間に残り不良の原因となる。
の方法では半導体素子の分割時に半導体素子と切刃が干
渉し合うことにより半導体素子の切削断面にクラックも
しくは欠けが発生する。又切削による切粉が除去されず
素子の上もしくは素子間に残り不良の原因となる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明は、以上述べた
半導体素子と切刃との干渉と切粉の付着という問題点を
除去するために半導体素子同士の間隔を切削中に広げ、
切削性の優れた装置を提供することを目的としたもので
あり、その構成は半導体素子分割方法において粘着テー
プを拡張出来るステージを設け、ウェハーを張りつけた
粘着テープをエキスパンドしながら、ウェハーを切削す
るものである。
半導体素子と切刃との干渉と切粉の付着という問題点を
除去するために半導体素子同士の間隔を切削中に広げ、
切削性の優れた装置を提供することを目的としたもので
あり、その構成は半導体素子分割方法において粘着テー
プを拡張出来るステージを設け、ウェハーを張りつけた
粘着テープをエキスパンドしながら、ウェハーを切削す
るものである。
【０００５】
【作用】ウェハーを張りつけた粘着テープをエキスパン
ドしながらウェハーを切削するので、ウェハーの半導体
チップ間の溝が拡張されるので、切粉がその広がった溝
を流れやすくなる。
ドしながらウェハーを切削するので、ウェハーの半導体
チップ間の溝が拡張されるので、切粉がその広がった溝
を流れやすくなる。
【０００６】
【実施例】図１はこの発明の実施例を示す装置図であっ
てウェハー１，粘着テープ２，ステージ３，真空吸着孔
４，リング固定爪５，リング６，ブレード７を示す。ま
ずリング爪５が下がり粘着テープ２が拡張され、一方、
真空吸着孔４により、真空吸着されたウェハー１を固定
する。
てウェハー１，粘着テープ２，ステージ３，真空吸着孔
４，リング固定爪５，リング６，ブレード７を示す。ま
ずリング爪５が下がり粘着テープ２が拡張され、一方、
真空吸着孔４により、真空吸着されたウェハー１を固定
する。
【０００７】次に切刃７が高速回転（２００００〜４０
０００ＨＰｍ ）しながら粘着テープ２を２０〜３０μ
ｍ 程度切り込みウェハー１を完全切断し半導体素子を
個々に分割する。このとき切り終ったテープの溝が拡張
され個々の半導体素子と切刃の干渉をふせぐ。さらに半
導体素子間の間隔が広がっているために切粉がその広が
った溝を流れやすくするために切削性が良くなる。
０００ＨＰｍ ）しながら粘着テープ２を２０〜３０μ
ｍ 程度切り込みウェハー１を完全切断し半導体素子を
個々に分割する。このとき切り終ったテープの溝が拡張
され個々の半導体素子と切刃の干渉をふせぐ。さらに半
導体素子間の間隔が広がっているために切粉がその広が
った溝を流れやすくするために切削性が良くなる。
【０００８】
【発明の効果】以上、詳細に説明したようにこの発明に
よれば粘着性テープにテンションをかけながら半導体素
子を完全分割する方法を用いることにより、切り終った
ウェハーの半導体素子間の溝が拡張され、切刃と半導体
素子間の干渉を防ぐ。さらに個々に分割された半導体素
子の間隔が広がるため切粉がその広がった溝を流れやす
くなるため切削性が良くなることが期待できる。
よれば粘着性テープにテンションをかけながら半導体素
子を完全分割する方法を用いることにより、切り終った
ウェハーの半導体素子間の溝が拡張され、切刃と半導体
素子間の干渉を防ぐ。さらに個々に分割された半導体素
子の間隔が広がるため切粉がその広がった溝を流れやす
くなるため切削性が良くなることが期待できる。
【図１】本発明の半導体装置の分割方法を説明する図
【
図２】従来の分割方法を説明する図
図２】従来の分割方法を説明する図
１ ウェハー
２ 粘着テープ
３ ステージ
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体装置の分割方法において、ウェ
ハーを張りつけた粘着テープをエキスパンドしながら、
ウェハーを切削することを特徴とする半導体装置の分割
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3045027A JPH04282853A (ja) | 1991-03-11 | 1991-03-11 | 半導体装置の分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3045027A JPH04282853A (ja) | 1991-03-11 | 1991-03-11 | 半導体装置の分割方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04282853A true JPH04282853A (ja) | 1992-10-07 |
Family
ID=12707850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3045027A Pending JPH04282853A (ja) | 1991-03-11 | 1991-03-11 | 半導体装置の分割方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04282853A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5725728A (en) * | 1995-09-18 | 1998-03-10 | Kabushiki Kaisha Shinkawa | Pellet pick-up device |
-
1991
- 1991-03-11 JP JP3045027A patent/JPH04282853A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5725728A (en) * | 1995-09-18 | 1998-03-10 | Kabushiki Kaisha Shinkawa | Pellet pick-up device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103377909B (zh) | 用于分割半导体晶圆的设备和方法 | |
| US5904548A (en) | Trench scribe line for decreased chip spacing | |
| JPH0845879A (ja) | 半導体ウエハを切断する方法 | |
| JP2003124151A (ja) | サファイア基板のダイシング方法 | |
| JPH04276645A (ja) | 化合物半導体ウエーハのダイシング方法 | |
| EP0776029B1 (en) | Improvements in or relating to semiconductor chip separation | |
| JPH04282853A (ja) | 半導体装置の分割方法 | |
| JPH0774131A (ja) | ダイシング装置及び半導体チップの加工方法 | |
| JP2637852B2 (ja) | 半導体ウェハーのダイシング方法 | |
| CN206628451U (zh) | 晶圆背面刷胶装置及其夹具 | |
| JP2644069B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0423432A (ja) | 内周刃スライサーによる単結晶インゴットの切断方法及び装置 | |
| JP2662703B2 (ja) | 半導体ウェーハのダイシング装置 | |
| JPH11176772A (ja) | プリカット方法 | |
| JPH04307756A (ja) | 半導体素子の分離方法 | |
| JP3853873B2 (ja) | 半導体ウエハの分割方法 | |
| CN215094799U (zh) | 晶圆固定结构及切割装置 | |
| JPS633774Y2 (ja) | ||
| JPS6097641A (ja) | ウエハからペレツトを得る方法 | |
| JPH1083976A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| KR20040080274A (ko) | 건식 식각과 이면 연마를 이용한 웨이퍼 다이싱 방법 | |
| JPH0729857A (ja) | 半導体ウェハのダイシング方法 | |
| JPH03183153A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04317355A (ja) | 半導体ウェハの分離方法 | |
| JPS58196031A (ja) | 半導体装置の製造方法 |