JP3853873B2 - 半導体ウエハの分割方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハを個々に分割する方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の半導体ウエハの分割は、以下のようにして行われていた。
【0003】
図12はかかる従来の半導体ウエハの分割工程図、図13は従来の半導体ウエハの分割状態を示す図である。
【0004】
図13に示すように、半導体ウエハ1を粘着剤3が塗られた粘着テープ2上に貼り付けた状態で、半導体素子分割装置のチャックステージ4に粘着テープ2を介して固定する。なお、チャックステージ4には吸気穴4Aが形成されており、下部を負圧にして粘着テープ2を吸着する。
【0005】
その半導体ウエハ1を切削刃5を矢印の回転方向6に回転させながら、チャックステージ4を左方向へ前進させることにより分割する。
【0006】
以下、その半導体ウエハの分割工程をより詳細に説明する。
【0007】
(1)まず、図12(a)に示すように、粘着テープ2上に粘着剤3により貼り付けられた半導体ウエハ1をチャックステージ4にセットし、切削刃5を対応させる。
【0008】
(2)次いで、図12(b)に示すように、約2万〜4万rpmの速度で回転方向6に高速回転している切削刃5の最下点は、粘着テープ2と半導体ウエハ1の境界面から±50μmの位置に移動する。
【0009】
(3)その状態で、図12(c)に示すように、チャックステージ4が、切削面において、切削刃5の回転方向6と一致する方向(ダウンカット)7へ移動することにより、半導体ウエハ1の分割を行う。ここで、ダウンカット状態が、図13に示されている。
【0010】
(4)次に、切削刃5の最下点は、半導体ウエハ1の表面より上に移動する。そして、チャックステージ4が切削刃5の初期位置〔図12(a)の位置〕まで移動し、かつ、図12(d)〔上面図〕及び図12(e)に示すように、次の切削位置である半導体ウエハ1の奥行き方向8へ移動し終了する。
【0011】
以上の1連の動作を連続して実施することで半導体ウエハを個々に分割する。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来の半導体ウエハの分割方法では、特に、半導体ウエハの分割される表面に半導体素子形成において必要である位置出し用の目印や電気特性試験用の回路などの半導体ウエハ基板と異なる材質が存在する場合、分割サイクルを繰り返し行うと、
(1)切削刃が目詰まりを起こし、半導体ウエハ分割時に、半導体ウエハの振動を生じ、チッピング、欠け、クラック等の品質上の問題が生じる。
【0013】
(2)目詰まりを起こすことで、刃のこぼれが発生し、切削刃の寿命が短くなる。
といった問題があった。
【0014】
本発明は、上記問題点を除去し、切削刃を傷めることがなく、半導体ウエハを高品質に保ち、しかも円滑に分割することができる半導体ウエハの分割方法を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔1〕表面に半導体ウエハとは異なる材料が形成された半導体ウエハを、回転する切削刃によって分割する半導体ウエハの分割方法において、前記半導体ウエハをステージ上に固定する工程と、前記半導体ウエハと前記切削刃との接触部分において該半導体ウエハを切削刃を用いた第1のアッパーカットにより前記異なる材料を除去するように前記半導体ウエハを所定の厚みを残して切削し、前記第1のアッパーカットにより切削された位置に隣接する位置を切削刃を用いた第2のアッパーカットにより所定の厚みを残して切削する第1の切削工程と、前記第1のアッパーカットにより切削された位置と第2のアッパーカットにより切削された位置との中心位置を切削刃を用いたダウンカットにより完全に分割する工程とを施すことを特徴とする。
【0016】
〔2〕上記〔1〕記載の半導体ウエハの分割方法において、前記異なる材料は、電気特性試験用回路の配線材であることを特徴とする。
【0017】
〔3〕上記〔1〕又は〔2〕記載の半導体ウエハの分割方法において、前記第1の切削工程と前記分割工程とは交互に行われることを特徴とする。
【0018】
〔4〕上記〔1〕〜〔3〕のいずれか一つに記載の半導体ウエハの分割方法において、前記第1の切削工程では、前記半導体ウエハは50μm〜350μmの厚さを残して、切削されることを特徴とする。
【0019】
〔5〕上記〔1〕〜〔4〕のいずれか一つに記載の半導体ウエハの分割方法において、前記半導体ウエハは、刃厚が25μm〜150μmの前記切削刃によって切削あるいは分割されることを特徴とする。
【0020】
〔6〕上記〔1〕〜〔4〕のいずれか一つに記載の半導体ウエハの分割方法において、前記半導体ウエハは、前記第1の切削工程では第1の刃厚を有する第1の切削刃によって切削され、前記分割工程では該第1の刃厚よりも薄い第2の刃厚を有する第2の切削刃によって分割されることを特徴とする。
【0021】
〔7〕上記〔1〕〜〔4〕のいずれか一つに記載の半導体ウエハの分割方法において、前記第1の切削刃は刃厚が40μm〜150μmであり、前記第2の切削刃は刃厚が15μm〜40μmであることを特徴とする。
【0022】
〔8〕上記〔1〕〜〔7〕のいずれか一つに記載の半導体ウエハの分割方法において、前記半導体ウエハは、前記切削刃が1万rpm〜6万rpmで回転することによって切削あるいは分割されることを特徴とする。
【0023】
〔9〕上記〔1〕〜〔8〕のいずれか一つに記載の半導体ウエハの分割方法において、前記半導体ウエハは、前記ステージ上に粘着テープを介して固定された状態で切削あるいは分割されることを特徴とする。
【0024】
〔10〕上記〔1〕〜〔9〕のいずれか一つに記載の半導体ウエハの分割方法において、前記第1の切削工程では、前記半導体ウエハは砥粒径が4μm〜12μmの切削刃によって切削され、前記分割工程では、前記半導体ウエハは砥粒径が1μm〜6μmの切削刃によって分割されることを特徴とする。
【0025】
〔11〕表面に半導体ウエハとは異なる材料が形成された半導体ウエハを、回転する切削刃によって分割する半導体ウエハの分割方法において、前記半導体ウエハをステージ上に固定する工程と、前記切削刃を回転させ、前記半導体ウエハと接触させることによって、前記異なる材料を除去するように前記半導体ウエハを所定の深さだけアッパーカットする第1の切削工程と、前記第1の切削工程の後に、前記切削刃を回転させ、前記半導体ウエハを接触させることによって、前記第1の切削工程における切削された部分を更に切削し、該半導体ウエハをダウンカットする分割工程とを有することを特徴とする。
【0026】
〔12〕上記〔11〕記載の半導体ウエハの分割方法において、前記異なる材料は、電気特性試験用回路の配線材であることを特徴とする。
【0027】
〔13〕上記〔11〕又は〔12〕記載の半導体ウエハの分割方法において、前記第1の切削工程では、前記所定の深さにおける前記切削刃の回転方向は、前記半導体ウエハを切削する方向とは逆方向であり、前記分割工程では、前記所定の深さにおける前記切削刃の回転方向は、前記半導体ウエハを分割する方向と一致することを特徴とする。
【0028】
〔14〕上記〔11〕〜〔13〕のいずれか一つに記載の半導体ウエハの分割方法において、前記第1の切削工程と前記分割工程とは交互に行われることを特徴とする。
【0029】
〔15〕上記〔11〕〜〔14〕のいずれか一つに記載の半導体ウエハの分割方法は、前記第1の切削工程後に、前記第1の切削工程において切削された前記半導体ウエハの部分に隣接する部分を、この半導体ウエハと前記切削刃とを接触させることによって所定の深さだけアッパーカットする第2の切削工程を有することを特徴とする。
【0030】
〔16〕上記〔15〕記載の半導体ウエハの分割方法において、前記第2の切削工程では、前記半導体ウエハは50μm〜350μmの厚さを残して切削されることを特徴とする。
【0031】
〔17〕上記〔11〕〜〔16〕のいずれか一つに記載の半導体ウエハの分割方法において、前記第1の切削工程では、前記半導体ウエハは50μm〜350μmの厚さを残して切削されることを特徴とする。
【0032】
〔18〕上記〔11〕〜〔17〕のいずれか一つに記載の半導体ウエハの分割方法において、前記半導体ウエハは、刃厚が25μm〜150μmの前記切削刃によって切削あるいは分割されることを特徴とする。
【0033】
〔19〕上記〔11〕〜〔17〕のいずれか一つに記載の半導体ウエハの分割方法において、前記半導体ウエハは、前記第1の切削工程では刃厚が40μm〜150μmの前記切削刃によって切削され、前記分割工程では刃厚が15μm〜40μmの前記切削刃によって分割されることを特徴とする。
【0034】
〔20〕上記〔11〕〜〔19〕のいずれか一つに記載の半導体ウエハの分割方法において、前記半導体ウエハは、前記切削刃が1万rpm〜6万rpmで回転することによって切削あるいは分割されることを特徴とする。
【0035】
〔21〕上記〔11〕〜〔20〕のいずれか一つに記載の半導体ウエハの分割方法において、前記半導体ウエハは、前記ステージ上に粘着テープを介して固定された状態で切削あるいは分割されることを特徴とする。
【0036】
〔22〕上記〔11〕〜〔21〕のいずれか一つに記載の半導体ウエハの分割方法において、前記第1の切削工程では、前記半導体ウエハは砥粒径が4μm〜12μmの切削刃によって切削され、前記分割工程では、前記半導体ウエハは砥粒径が1μm〜6μmの切削刃によって分割されることを特徴とする。
【0037】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【0038】
図1は本発明の第1実施例を示す半導体ウエハの分割工程断面図、図2はその半導体ウエハの分割工程における切削刃の初期位置を示す平面図、図3はその半導体ウエハの分割工程におけるアッパーカット工程を示す図、図4はその半導体ウエハの分割工程におけるダウンカット工程前の状態を示す拡大断面図、図5はその半導体ウエハの分割工程におけるダウンカット工程を示す図である。
【0039】
(1)まず、図1(a)に示すように、ウエハチャックステージ14上には、粘着テープ12上に粘着剤13により固定された半導体ウエハ11がウエハチャックステージ14の負圧〔吸気穴14A(図3参照)よる真空吸着〕によって保持されている。また、半導体ウエハ11の分割のために、刃厚25μm〜150μmの切削刃15が、1万〜6万rpmで高速回転している。この回転方向は、矢印16の方向と仮定する。平面的に見ると、図2に示すような配置となる。なお、図2において、17は奥行き方向を示している。
【0040】
(2)次いで、図1(b)に示すように、半導体ウエハ11の表面より上部に位置する切削刃15は、粘着テープ12と半導体ウエハ11の界面より、+50μm〜350μmの高さに移動する。これは半導体ウエハ11を50μm〜350μm残してアッパーカットを行うためである。
【0041】
(3)次に、半導体ウエハ11を保持しているウエハチャックステージ14が、切削面において切削刃15の回転方向とは逆の方向、つまり右方向18に水平移動する。つまり、アッパーカットを行う。そのアッパーカット状態は、図3に示されている。
【0042】
このように、切削刃15と半導体ウエハ11が接触し、半導体ウエハ11は、この半導体ウエハ11と粘着テープ12の界面から50μm〜350μmの位置まで厚みを残し切削される。そして、半導体ウエハ11と切削刃15の接触(重なり合う)部分が無くなると、ウエハチャックステージ14は、停止する〔図1(c)参照〕。
【0043】
(4)次いで、図1(d)に示すように、切削刃15は、半導体ウエハ11と粘着テープ12の界面より、低い(−0μm〜−60μm)位置に下がる。その状態を、図4に拡大して示す。
【0044】
(5)次に、図1(e)に示すように、停止しているウエハチャックステージ14は、切削面において切削刃15の回転方向16と一致する方向、つまり左方向19に水平移動を行う。つまり、ダウンカットを行う。そのダウンカット状態を図5に示している。
【0045】
そして、半導体ウエハ11と切削刃15の接触(重なり合う)部分がなくなると、ウエハチャックステージ14は停止する。
【0046】
最後に、切削刃15は、図1(a)の位置まで上昇し、次の切削位置である図2に示す奥行き方向17に切削刃15が移動し、1連の動作を終了する。
【0047】
以上の動作を繰り返し実行することで半導体ウエハを分割する。
【0048】
以上のように、第1実施例によれば、切削はアッパーカットとダウンカットを交互に行うことから、目詰まりの原因である電気特性試験用配線材をアッパーカットで除去する。つまり、切削面において、時間的に最終位置で配線材を加工するので、切削刃に切り粉が付着しない。
【0049】
よって、目詰まりが発生しないので、
(1)半導体ウエハの欠け、クラックなどがなくなり、チップの品質の向上を図ることができる。
【0050】
(2)目詰まりによる刃こぼれ等の切削刃の摩耗を減少させることができる。
【0051】
更に、アッパーカットとダウンカットの2回のカット動作で分割するので、切り粉の除去能力を現状の2倍にすることができ、ウエハ表面への切り粉付着を低減させることができる。
【0052】
次に、本発明の第2実施例について説明する。
【0053】
図6は本発明の第2実施例を示す半導体ウエハの分割工程断面図、図7はその半導体ウエハの分割工程における第1のアッパーカット工程前の側面拡大図、図8はその半導体ウエハの分割工程における第1のアッパーカットによる切削溝を示す図、図9はその半導体ウエハの分割工程における第1のアッパーカット工程前の側面拡大図、図10はその半導体ウエハの分割工程における第2のアッパーカットによる切削溝を示す図、図11はその半導体ウエハの分割工程におけるダウンカットによる切削溝を示す図である。
【0054】
(1)まず、図6(a)に示すように、ウエハチャックステージ14上には、粘着テープ12上に粘着剤13により固定された半導体ウエハ11がウエハチャックステージ14の負圧によって保持されている。また、半導体ウエハ11の分割のために、刃厚25μm〜150μmの切削刃15が、1万〜6万rpmで高速回転している。この回転方向は、矢印16の方向と仮定する。
【0055】
(2)次に、図6(b)に示すように、半導体ウエハ11の表面より上部に位置する切削刃15は、粘着テープ12と半導体ウエハ11の界面より、+50μm〜350μmの高さに移動する。これは半導体ウエハ11を50μm〜350μm残してアッパーカットを行うためである。このアッパーカット前の状態が側面拡大図として図7に示されている。
【0056】
(3)次に、半導体ウエハ11を保持しているウエハチャックステージ14が、切削面において切削刃15の回転方向16と逆の方向、つまり、右方向18に水平移動し、第1のアッパーカットを行う。その第1のアッパーカット状態は、図3に示したものと同じである。
【0057】
つまり、切削刃15と半導体ウエハ11が接触し、半導体ウエハ11は、この半導体ウエハ11と粘着テープ12の界面から50μm〜350μmの位置まで厚みを残し切削される。半導体ウエハ11と切削刃15の接触(重なり合う)部分が無くなると、ウエハチャックステージ14は停止する〔図6(c)参照〕。
【0058】
(4)次に、図6(d)に示すように、切削刃15は、半導体ウエハ11に接しない位置まで上昇する。この状態での半導体ウエハ11のA−A′線断面形状、つまり、第1のアッパーカットによる切削溝21の形状は、図8に示すようになっている。
【0059】
(5)次に、図6(e)に示すように、前記第1のアッパーカットにより切削された位置に隣接する位置を第2のアッパーカットにより切削するように切削刃15を移動する。その切削刃15側からの側面拡大図が図9として示されている。この図9から明らかなように、第2のアッパーカット位置は、第1のアッパーカット位置に隣接する位置に設定される。
【0060】
(6)次に、半導体ウエハ11を保持しているウエハチャックステージ14が、切削面において、切削刃15の回転方向とは逆の方向、つまり右方向18に水平移動する。つまり、第2のアッパーカットを行う。その第2のアッパーカット状態は、図3に示したものと同じである。
【0061】
つまり、切削刃15と半導体ウエハ11が接触し、半導体ウエハ11は、この半導体ウエハ11と粘着テープ12の界面から50μm〜350μmの位置まで厚みを残し切削される。図6(f)に示すように、半導体ウエハ11と切削刃15の接触(重なり合う)部分が無くなると、ウエハチャックステージ14は停止する。
【0062】
(7)次に、図6(g)に示すように、切削刃15は、半導体ウエハ11と粘着テープ12の界面より、低い(−0μm〜−60μm)位置に下がる。その状態は、図4に拡大して示されているものと同様である。そして、図10に示すように、第2のアッパーカットにより切削溝22が形成される。
【0063】
(8)次に、図6(h)に示すように、ウエハチャックステージ14は、切削面において切削刃15の回転方向16と一致する方向、つまり左方向19に水平移動を行う。つまり、ダウンカットを行う。そのダウンカットによる切削溝23の形状が図11〔図6(h)のC−C′線断面図〕に示されている。
【0064】
そして、半導体ウエハ11と切削刃15の接触(重なり合う)部分がなくなると、ウエハチャックステージ14は停止する。
【0065】
最後に、切削刃15は、図6(a)の位置まで上昇し、次の切削位置である図2に示す奥行き方向17に切削刃15が移動し、1連の動作を終了する。
【0066】
以上の動作を繰り返し実行することで半導体ウエハを分割する。
【0067】
以上のように、第2実施例によれば、切削はアッパーカットを2回行い、最後にダウンカットを行うので、目詰まりの原因である半導体ウエハの表面側にある電気特性試験用配線材をアッパーカットで除去し、切削面において最終位置で配線材を加工するので、刃に切り粉が付着せず、目詰まりが発生しない。よって、 (1)半導体ウエハの欠け、クラックなどがなくなり、チップの品質の向上を図ることができる。
【0068】
(2)切削刃の目詰まりによる刃こぼれ等がなくなり、切削刃の磨耗が減少し、更に、アッパーカット2回、ダウンカット1回の計3回のカット動作で分割するので切り粉除去能力を現状の2倍以上にすることができる。
【0069】
(3)半導体ウエハ表面への切り粉付着を低減させることができる。
【0070】
さらに、第2実施例によれば、半導体ウエハ表面の切削幅が、刃厚の2倍近くまで広がるので、金ワイヤの端子接続工程での、ウエハエッジとワイヤ接触による電気不良が低減する。
【0071】
また、本発明は、更に、以下のような実施例を有する。
【0072】
第1実施例及び第2実施例では、同一の切削刃で一つのラインを切削するという例を説明したが、最初のアッパーカットの切削と最後のダウンカットの切削を異なる切削刃で実施することもできる。より具体的には、
(1)アッパーカットを太い厚みの切削刃40μm〜150μmで行い、ダウンカットをそれより細い厚みの切削刃15μm〜40μmの切削刃で実施する。
【0073】
(2)アッパーカットを切削刃の砥粒径の大きい切削刃(約φ4μm〜12μmの砥粒径)で行い、ダウンカットをそれより細かい砥粒径(約φ1μm〜6μmの砥粒径)の切削刃で実施する。
【0074】
(3)アッパーカットを切削刃の砥粒を固定しているボンド材が磨耗のはやい、やわらかい切削刃で行い、ダウンカットを磨耗の少ない、硬いボンド材の切削刃で実施する。
【0075】
このように、カット工程の切削刃を、切削対象物との関係で適宜設定することにより、的確な半導体ウエハの分割を行うことができる。
【0076】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【0077】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、以下のような効果を奏することができる。
【0078】
(1)切削刃を傷めることがなく、半導体ウエハを高品質に保ち、しかも円滑に分割することができる。
【0079】
(2)切削はアッパーカットを2回行い、最後にダウンカットを行うので、目詰まりの原因である半導体ウエハの表面側にある電気特性試験用配線材をアッパーカットで除去し、切削面において最終位置で配線材を加工するので、刃に切り粉が付着せず、目詰まりが発生しない。
【0080】
(3)カット工程の切削刃を、切削対象物との関係で、適宜設定することにより、的確な半導体ウエハの分割を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1実施例を示す半導体ウエハの分割工程断面図である。
【図2】 本発明の第1実施例を示す半導体ウエハの分割工程における切削刃の初期位置を示す平面図である。
【図3】 本発明の第1実施例を示す半導体ウエハの分割工程におけるアッパーカット工程を示す図である。
【図4】 本発明の第1実施例を示す半導体ウエハの分割工程におけるダウンカット工程前の状態を示す拡大断面図である。
【図5】 本発明の第1実施例を示す半導体ウエハの分割工程におけるダウンカット工程を示す図である。
【図6】 本発明の第2実施例を示す半導体ウエハの分割工程断面図である。
【図7】 本発明の第2実施例を示す半導体ウエハの分割工程における第1のアッパーカット工程前の側面拡大図である。
【図8】 本発明の第2実施例を示す半導体ウエハの分割工程における第1のアッパーカットによる切削溝を示す図である。
【図9】 本発明の第2実施例を示す半導体ウエハの分割工程における第1のアッパーカット工程前の側面拡大図である。
【図10】 本発明の第2実施例を示す半導体ウエハの分割工程における第2のアッパーカットによる切削溝を示す図である。
【図11】 本発明の第2実施例を示す半導体ウエハの分割工程におけるダウンカットによる切削溝を示す図である。
【図12】 従来の半導体ウエハの分割工程図である。
【図13】 従来の半導体ウエハの分割状態を示す図である。
【符号の説明】
11 半導体ウエハ
12 粘着テープ
13 粘着剤
14 ウエハチャックステージ
14A 吸気穴
15 切削刃
16 切削刃の回転方向
17 奥行き方向
18 ウエハチャックステージの移動方向(右方向)
19 ウエハチャックステージの移動方向(左方向)
21 切削溝(第1のアッパーカットにより形成)
22 切削溝(第2のアッパーカットにより形成)
23 切削溝(ダウンカットにより形成)
Claims (22)
- 表面に半導体ウエハとは異なる材料が形成された半導体ウエハを、回転する切削刃によって分割する半導体ウエハの分割方法において、
前記半導体ウエハをステージ上に固定する工程と、
前記半導体ウエハと前記切削刃との接触部分において該半導体ウエハを切削刃を用いた第1のアッパーカットにより前記異なる材料を除去するように前記半導体ウエハを所定の厚みを残して切削し、前記第1のアッパーカットにより切削された位置に隣接する位置を切削刃を用いた第2のアッパーカットにより所定の厚みを残して切削する第1の切削工程と、
前記第1のアッパーカットにより切削された位置と第2のアッパーカットにより切削された位置との中心位置を切削刃を用いたダウンカットにより完全に分割する工程とを施すことを特徴とする半導体ウエハの分割方法。 - 請求項1記載の半導体ウエハの分割方法において、前記異なる材料は、電気特性試験用回路の配線材であることを特徴とする半導体ウエハの分割方法。
- 請求項1又は2記載の半導体ウエハの分割方法において、前記第1の切削工程と前記分割工程とは交互に行われることを特徴とする半導体ウエハの分割方法。
- 請求項1〜3のいずれか一つに記載の半導体ウエハの分割方法において、前記第1の切削工程では、前記半導体ウエハは50μm〜350μmの厚さを残して、切削されることを特徴とする半導体ウエハの分割方法。
- 請求項1〜4のいずれか一つに記載の半導体ウエハの分割方法において、前記半導体ウエハは、刃厚が25μm〜150μmの前記切削刃によって切削あるいは分割されることを特徴とする半導体ウエハの分割方法。
- 請求項1〜4のいずれか一つに記載の半導体ウエハの分割方法において、前記半導体ウエハは、前記第1の切削工程では第1の刃厚を有する第1の切削刃によって切削され、前記分割工程では該第1の刃厚よりも薄い第2の刃厚を有する第2の切削刃によって分割されることを特徴とする半導体ウエハの分割方法。
- 請求項1〜4のいずれか一つに記載の半導体ウエハの分割方法において、前記第1の切削刃は刃厚が40μm〜150μmであり、前記第2の切削刃は刃厚が15μm〜40μmであることを特徴とする半導体ウエハの分割方法。
- 請求項1〜7のいずれか一つに記載の半導体ウエハの分割方法において、前記半導体ウエハは、前記切削刃が1万rpm〜6万rpmで回転することによって切削あるいは分割されることを特徴とする半導体ウエハの分割方法。
- 請求項1〜8のいずれか一つに記載の半導体ウエハの分割方法において、前記半導体ウエハは、前記ステージ上に粘着テープを介して固定された状態で切削あるいは分割されることを特徴とする半導体ウエハの分割方法。
- 請求項1〜9のいずれか一つに記載の半導体ウエハの分割方法において、前記第1の切削工程では、前記半導体ウエハは砥粒径が4μm〜12μmの切削刃によって切削され、前記分割工程では、前記半導体ウエハは砥粒径が1μm〜6μmの切削刃によって分割されることを特徴とする半導体ウエハの分割方法。
- 表面に半導体ウエハとは異なる材料が形成された半導体ウエハを、回転する切削刃によって分割する半導体ウエハの分割方法において、
前記半導体ウエハをステージ上に固定する工程と、
前記切削刃を回転させ、前記半導体ウエハと接触させることによって、前記異なる材料を除去するように前記半導体ウエハを所定の深さだけアッパーカットする第1の切削工程と、
前記第1の切削工程の後に、前記切削刃を回転させ、前記半導体ウエハを接触させることによって、前記第1の切削工程における切削された部分を更に切削し、該半導体ウエハをダウンカットする分割工程とを有することを特徴とする半導体ウエハの分割方法。 - 請求項11記載の半導体ウエハの分割方法において、前記異なる材料は、電気特性試験用回路の配線材であることを特徴とする半導体ウエハの分割方法。
- 請求項11又は12記載の半導体ウエハの分割方法において、前記第1の切削工程では、前記所定の深さにおける前記切削刃の回転方向は、前記半導体ウエハを切削する方向とは逆方向であり、前記分割工程では、前記所定の深さにおける前記切削刃の回転方向は、前記半導体ウエハを分割する方向と一致することを特徴とする半導体ウエハの分割方法。
- 請求項11〜13のいずれか一つに記載の半導体ウエハの分割方法において、前記第1の切削工程と前記分割工程とは交互に行われることを特徴とする半導体ウエハの分割方法。
- 請求項11〜14のいずれか一つに記載の半導体ウエハの分割方法は、前記第1の切削工程後に、前記第1の切削工程において切削された前記半導体ウエハの部分に隣接する部分を、該半導体ウエハと前記切削刃とを接触させることによって所定の深さだけアッパーカットする第2の切削工程を有することを特徴とする半導体ウエハの分割方法。
- 請求項15記載の半導体ウエハの分割方法において、前記第2の切削工程では、前記半導体ウエハは50μm〜350μmの厚さを残して切削されることを特徴とする半導体ウエハの分割方法。
- 請求項11〜16のいずれか一つに記載の半導体ウエハの分割方法において、前記第1の切削工程では、前記半導体ウエハは50μm〜350μmの厚さを残して切削されることを特徴とする半導体ウエハの分割方法。
- 請求項11〜17のいずれか一つに記載の半導体ウエハの分割方法において、前記半導体ウエハは、刃厚が25μm〜150μmの前記切削刃によって切削あるいは分割されることを特徴とする半導体ウエハの分割方法。
- 請求項11〜17のいずれか一つに記載の半導体ウエハの分割方法において、前記半導体ウエハは、前記第1の切削工程では刃厚が40μm〜150μmの前記切削刃によって切削され、前記分割工程では刃厚が15μm〜40μmの前記切削刃によって分割されることを特徴とする半導体ウエハの分割方法。
- 請求項11〜19のいずれか一つに記載の半導体ウエハの分割方法において、前記半導体ウエハは、前記切削刃が1万rpm〜6万rpmで回転することによって切削あるいは分割されることを特徴とする半導体ウエハの分割方法。
- 請求項11〜20のいずれか一つに記載の半導体ウエハの分割方法において、前記半導体ウエハは、前記ステージ上に粘着テープを介して固定された状態で切削あるいは分割されることを特徴とする半導体ウエハの分割方法。
- 請求項11〜21のいずれか一つに記載の半導体ウエハの分割方法において、前記第1の切削工程では、前記半導体ウエハは砥粒径が4μm〜12μmの切削刃によって切削され、前記分割工程では、前記半導体ウエハは砥粒径が1μm〜6μmの切削刃によって分割されることを特徴とする半導体ウエハの分割方法。
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