JP2001274006A - 半導体チップおよびその製造方法 - Google Patents
半導体チップおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体チップ同士を複数個ほぼ接するように配
列して使用する場合、隣接するチップのエッジ同士が接
触し欠けが発生しやすい。また、半導体基板の切断の
際、チッピングが発生しやすい。このような損傷の発生
は直ちに素子不良の原因となってしまう。 【解決手段】半導体チップ３５の端面の一部がチップ表
面およびチップ裏面よりも外側に張り出した突起３４を
もつ半導体チップを提供する。このような半導体チップ
３５は突起３４部分が互いに接するように配置して実装
することができる。このような半導体チップ３５は、半
導体基板３１から切り出す際、最初に前記半導体チップ
３５の表面側エッジが鋭角になるように傾斜角を設定し
たダイシングブレード３３により浅く切断溝を形成し、
ついで前記表面側エッジよりわずか外側を前記と等しい
傾斜角のダイシングブレード３３で基板裏面に達するま
で切断することで製造できる。
列して使用する場合、隣接するチップのエッジ同士が接
触し欠けが発生しやすい。また、半導体基板の切断の
際、チッピングが発生しやすい。このような損傷の発生
は直ちに素子不良の原因となってしまう。 【解決手段】半導体チップ３５の端面の一部がチップ表
面およびチップ裏面よりも外側に張り出した突起３４を
もつ半導体チップを提供する。このような半導体チップ
３５は突起３４部分が互いに接するように配置して実装
することができる。このような半導体チップ３５は、半
導体基板３１から切り出す際、最初に前記半導体チップ
３５の表面側エッジが鋭角になるように傾斜角を設定し
たダイシングブレード３３により浅く切断溝を形成し、
ついで前記表面側エッジよりわずか外側を前記と等しい
傾斜角のダイシングブレード３３で基板裏面に達するま
で切断することで製造できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数個、アレイ状
に配列して使用する半導体チップ、とくに電気的および
／または光学的機能を有する素子を複数搭載した半導体
チップおよびその実装方法、製造方法に関する。
に配列して使用する半導体チップ、とくに電気的および
／または光学的機能を有する素子を複数搭載した半導体
チップおよびその実装方法、製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光プリンターヘッドやイメージセンサー
等では、発光素子アレイあるいは受光素子アレイを複数
搭載した半導体チップを複数個接続して使用する。これ
らの半導体チップを実装する際には、チップ間の距離を
１０μｍ程度以下と非常に接近させてダイボンドするこ
とが要求される。それは、チップ間の距離が離れると、
表示画像あるいは読取画像の連続性が失われ、画像品質
が低下するためである。最近は、画像の高精細化が進ん
できているため、チップ間の距離はますます近く、また
チップ上の素子の位置もますますチップのエッジの極め
て近傍まで配置するように要求されるようになってき
た。
等では、発光素子アレイあるいは受光素子アレイを複数
搭載した半導体チップを複数個接続して使用する。これ
らの半導体チップを実装する際には、チップ間の距離を
１０μｍ程度以下と非常に接近させてダイボンドするこ
とが要求される。それは、チップ間の距離が離れると、
表示画像あるいは読取画像の連続性が失われ、画像品質
が低下するためである。最近は、画像の高精細化が進ん
できているため、チップ間の距離はますます近く、また
チップ上の素子の位置もますますチップのエッジの極め
て近傍まで配置するように要求されるようになってき
た。
【０００３】これらの半導体チップを基板から切り出す
際の従来の方法を図１を参照して説明する。図１に示す
ように、半導体基板１１の裏面１９にダイシングテープ
１２を貼り、ダイシングブレード１３で基板表面１０か
ら直角に基板裏面１９に達する直前まで切断（いわゆる
ハーフカット）し、その後、圧力を加えて未切断部分を
割り、チップを分離する。この場合、裏面エッジに突起
が残る。
際の従来の方法を図１を参照して説明する。図１に示す
ように、半導体基板１１の裏面１９にダイシングテープ
１２を貼り、ダイシングブレード１３で基板表面１０か
ら直角に基板裏面１９に達する直前まで切断（いわゆる
ハーフカット）し、その後、圧力を加えて未切断部分を
割り、チップを分離する。この場合、裏面エッジに突起
が残る。
【０００４】このような裏面エッジ１７に突起１４が残
ったチップ１５を突き合わせると、図２に示すように、
裏面エッジ１７の突起１４同士が干渉し、チップ１５間
に隙間１６が生じてしまう。このため隣接したチップ間
の寸法が要求寸法よりも大きな寸法になってしまう場合
があった。また、この突起の寸法は制御ができないた
め、チップ間の寸法はばらついてしまう。
ったチップ１５を突き合わせると、図２に示すように、
裏面エッジ１７の突起１４同士が干渉し、チップ１５間
に隙間１６が生じてしまう。このため隣接したチップ間
の寸法が要求寸法よりも大きな寸法になってしまう場合
があった。また、この突起の寸法は制御ができないた
め、チップ間の寸法はばらついてしまう。
【０００５】この問題を解決するため、特公平７−４０
６０９号公報に開示された技術が提案されている。この
方法を図３を参照して説明する。この切断法によれば、
図３（Ａ）に示すように、裏面２９にダイシングテープ
２２を貼り付けた半導体基板２１をテーブル（図示せ
ず）に載せ、ダイシングブレード２３を半導体基板表面
２０の法線に対して斜めに保持してチップ２５の一端を
切断する。次に図３（Ｂ）に示すように、テーブルを１
８０度回転してチップ２５の他端を切断する。この方法
により切断されたチップ２５は裏面チップ幅を短辺とす
る台形の形状をしており、図４に示すように、得られた
チップ２５を複数個接続すると、チップ裏面側に隙間２
６が生じる。このため表面に配置された素子を基準とす
るチップ間の距離はほぼ０まで近づけることができるよ
うになる。
６０９号公報に開示された技術が提案されている。この
方法を図３を参照して説明する。この切断法によれば、
図３（Ａ）に示すように、裏面２９にダイシングテープ
２２を貼り付けた半導体基板２１をテーブル（図示せ
ず）に載せ、ダイシングブレード２３を半導体基板表面
２０の法線に対して斜めに保持してチップ２５の一端を
切断する。次に図３（Ｂ）に示すように、テーブルを１
８０度回転してチップ２５の他端を切断する。この方法
により切断されたチップ２５は裏面チップ幅を短辺とす
る台形の形状をしており、図４に示すように、得られた
チップ２５を複数個接続すると、チップ裏面側に隙間２
６が生じる。このため表面に配置された素子を基準とす
るチップ間の距離はほぼ０まで近づけることができるよ
うになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、実際にチップ
が接触するまで近づけると、隣接するチップのエッジ２
８同士が衝突する場合があり、欠け２７が発生しやす
い。これらのチップのエッジ２８の極めて近傍まで素子
が存在すると、欠け２７の発生は直ちに素子不良の原因
となってしまう。
が接触するまで近づけると、隣接するチップのエッジ２
８同士が衝突する場合があり、欠け２７が発生しやす
い。これらのチップのエッジ２８の極めて近傍まで素子
が存在すると、欠け２７の発生は直ちに素子不良の原因
となってしまう。
【０００７】また、この切断方法は、切断の際のチッピ
ングに対する配慮がなされていない。チップエッジ２８
が鋭角となるため、実際にチッピングが発生した場合に
は、チップエッジ２８に発生する欠け等の損傷は通常の
切断の場合よりも大きくなる。そして、前述した通り、
これらのチップはエッジ２８の極めて近傍まで素子が存
在するため、チッピングの発生は直ちに素子不良の原因
となってしまう。
ングに対する配慮がなされていない。チップエッジ２８
が鋭角となるため、実際にチッピングが発生した場合に
は、チップエッジ２８に発生する欠け等の損傷は通常の
切断の場合よりも大きくなる。そして、前述した通り、
これらのチップはエッジ２８の極めて近傍まで素子が存
在するため、チッピングの発生は直ちに素子不良の原因
となってしまう。
【０００８】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたもので、チップを複数個接続した場合、隣
接チップとの衝突によるチップ表面エッジ欠けが発生し
ないようなチップの形状を提供することを目的とする。
また、本発明では、切断エッジのチッピングの発生を防
止しつつ、上記形状のチップを製造するための、半導体
基板の切断方法を提供する。
めになされたもので、チップを複数個接続した場合、隣
接チップとの衝突によるチップ表面エッジ欠けが発生し
ないようなチップの形状を提供することを目的とする。
また、本発明では、切断エッジのチッピングの発生を防
止しつつ、上記形状のチップを製造するための、半導体
基板の切断方法を提供する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明では、前記の課題
を解決するため、電気的および／または光学的機能を有
する素子を表面に形成した半導体チップにおいて、該半
導体チップの端面の一部がチップ表面およびチップ裏面
よりも外側に張り出している半導体チップを提供する。
このような半導体チップはそれら複数を、チップ表面お
よびチップ裏面よりも外側に張り出している端面の一部
が互いに接するように配置して実装することができる。
を解決するため、電気的および／または光学的機能を有
する素子を表面に形成した半導体チップにおいて、該半
導体チップの端面の一部がチップ表面およびチップ裏面
よりも外側に張り出している半導体チップを提供する。
このような半導体チップはそれら複数を、チップ表面お
よびチップ裏面よりも外側に張り出している端面の一部
が互いに接するように配置して実装することができる。
【００１０】前記の形状をもつ半導体チップは、半導体
基板から複数切り出す際、最初に前記半導体チップの表
面側エッジが鋭角になるように傾斜角を設定したダイシ
ングブレードにより浅く切断溝を形成し、ついで前記表
面側エッジよりわずか外側を前記と等しい傾斜角のダイ
シングブレードで基板裏面に達するまで切断することで
製造できる。その際、ダイシングブレードの傾斜角が１
度から１０度であることが望ましく、また、最初に形成
する切断溝の深さが１０μｍから１００μｍであること
が望ましい。さらに基板裏面に達する切断を行う際のダ
イシングブレードの位置が最初に形成した切断溝の位置
より１μｍから２０μｍ外側であることが望ましい。
基板から複数切り出す際、最初に前記半導体チップの表
面側エッジが鋭角になるように傾斜角を設定したダイシ
ングブレードにより浅く切断溝を形成し、ついで前記表
面側エッジよりわずか外側を前記と等しい傾斜角のダイ
シングブレードで基板裏面に達するまで切断することで
製造できる。その際、ダイシングブレードの傾斜角が１
度から１０度であることが望ましく、また、最初に形成
する切断溝の深さが１０μｍから１００μｍであること
が望ましい。さらに基板裏面に達する切断を行う際のダ
イシングブレードの位置が最初に形成した切断溝の位置
より１μｍから２０μｍ外側であることが望ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】前記問題点を解決するため、本発
明では、切断端面内にチップ表面よりもわずかに突起し
た部分を設け、隣接チップと接触する際にはその突起同
士が当たり、チップ表面にて欠けが発生することを防ぐ
ようにしている。ただしこの突起の高さは切断方法によ
り制御できるようにしておく必要がある。これらの要件
を満たしつつ、チッピングの発生を最小限に押さえるた
めに、本発明では以下のようなウェハの切断方法を提案
する。
明では、切断端面内にチップ表面よりもわずかに突起し
た部分を設け、隣接チップと接触する際にはその突起同
士が当たり、チップ表面にて欠けが発生することを防ぐ
ようにしている。ただしこの突起の高さは切断方法によ
り制御できるようにしておく必要がある。これらの要件
を満たしつつ、チッピングの発生を最小限に押さえるた
めに、本発明では以下のようなウェハの切断方法を提案
する。
【００１２】まず図５（Ａ）に示すように、基板裏面３
９にダイシングテープ３２を貼り付けた半導体基板３１
をテーブルに載せ、ダイシングブレード３３を半導体基
板３１表面の法線に対して斜めに保持して、チップの一
端のエッジ３８が鋭角になるように浅く切り込む。次に
図５（Ｂ）に示すように、ブレード３３を外側にわずか
に送り、同じ角度にて基板裏面３９に達するまで切断
（いわゆるフルカット）を行う。これにより、チップ端
面には２回の切断経路の差による突起３４が生じる。こ
の突起３４の大きさ４０は、ブレードの傾斜角度４４、
１回目の切断の切り込み量４２、２回目の切断位置の送
り量４６を変更することで制御が可能であり、容易に目
的とするチップ形状を得ることができる。
９にダイシングテープ３２を貼り付けた半導体基板３１
をテーブルに載せ、ダイシングブレード３３を半導体基
板３１表面の法線に対して斜めに保持して、チップの一
端のエッジ３８が鋭角になるように浅く切り込む。次に
図５（Ｂ）に示すように、ブレード３３を外側にわずか
に送り、同じ角度にて基板裏面３９に達するまで切断
（いわゆるフルカット）を行う。これにより、チップ端
面には２回の切断経路の差による突起３４が生じる。こ
の突起３４の大きさ４０は、ブレードの傾斜角度４４、
１回目の切断の切り込み量４２、２回目の切断位置の送
り量４６を変更することで制御が可能であり、容易に目
的とするチップ形状を得ることができる。
【００１３】チッピングの発生については、１回目の切
断では、切り込み量が非常に少ないため、一度に深く切
り込みを入れてしまう場合に比べて切削抵抗が非常に小
さくなり、チッピングの発生を防止することができる。
また、２回目の切断ではブレード３３がチップ３５にふ
れる部分が鈍角となるため、チッピングは発生しにくく
なる。さらに、ブレード３３はチップ表面３０に接しな
いため、たとえチッピングが生じたとしても素子を破壊
する可能性はほとんどなくなる。
断では、切り込み量が非常に少ないため、一度に深く切
り込みを入れてしまう場合に比べて切削抵抗が非常に小
さくなり、チッピングの発生を防止することができる。
また、２回目の切断ではブレード３３がチップ３５にふ
れる部分が鈍角となるため、チッピングは発生しにくく
なる。さらに、ブレード３３はチップ表面３０に接しな
いため、たとえチッピングが生じたとしても素子を破壊
する可能性はほとんどなくなる。
【００１４】図５（Ｃ）に示すように、この切断方法を
チップ接続を必要とする端面について繰り返した後、そ
の他の端面について通常の方法で切断することにより、
ウェハよりチップを切り出す。
チップ接続を必要とする端面について繰り返した後、そ
の他の端面について通常の方法で切断することにより、
ウェハよりチップを切り出す。
【００１５】得られたチップを図６に示すように複数個
接続して配置する場合、突起３４部分だけを接触させる
ことにより、チップ表面３０への衝撃は加わらなくな
る。これによりチップ表面の欠けは防ぐことができる。
接続して配置する場合、突起３４部分だけを接触させる
ことにより、チップ表面３０への衝撃は加わらなくな
る。これによりチップ表面の欠けは防ぐことができる。
【００１６】図５（Ａ）に示した２段階切断の１回目の
切り込みの様子をさらに詳しく説明する。ブレード３３
の切り込み量４２は、ブレード３３の切り込み方向の位
置精度、ダイシングテープ３２および基板３１の厚みば
らつきから考えて、最低１０μｍは必要である。また、
チッピング防止の面から考えると、切り込み量４２はで
きるだけ少ない方が望ましく、１００μｍを超えること
は好ましくない。したがって最初に形成する切断溝の深
さは１０μｍから１００μｍの範囲であることが望まし
い。
切り込みの様子をさらに詳しく説明する。ブレード３３
の切り込み量４２は、ブレード３３の切り込み方向の位
置精度、ダイシングテープ３２および基板３１の厚みば
らつきから考えて、最低１０μｍは必要である。また、
チッピング防止の面から考えると、切り込み量４２はで
きるだけ少ない方が望ましく、１００μｍを超えること
は好ましくない。したがって最初に形成する切断溝の深
さは１０μｍから１００μｍの範囲であることが望まし
い。
【００１７】またブレード３３の角度は、チップエッジ
３８が必ず鋭角となる角度でなくてはならない。これは
エッジでの角度が垂直あるいは鈍角であると、本発明で
作る突起位置をチップの最も外側に配すために２回目の
切断の際、ブレードの角度を鋭角に変更する必要が出て
くるためである。ブレードの角度を変更する場合の問題
点は後述する。ただし、チッピング防止の面から考える
とチップエッジ３８の角度はあまり鋭い鋭角は望ましく
なく、ダイシングブレードの傾斜角に直すと、１度から
１０度程度の範囲が適当である。
３８が必ず鋭角となる角度でなくてはならない。これは
エッジでの角度が垂直あるいは鈍角であると、本発明で
作る突起位置をチップの最も外側に配すために２回目の
切断の際、ブレードの角度を鋭角に変更する必要が出て
くるためである。ブレードの角度を変更する場合の問題
点は後述する。ただし、チッピング防止の面から考える
とチップエッジ３８の角度はあまり鋭い鋭角は望ましく
なく、ダイシングブレードの傾斜角に直すと、１度から
１０度程度の範囲が適当である。
【００１８】図５（Ｂ）に示す２段階切断の２回目の切
り込みでは、ウェハを切断するために十分な切り込み量
を与える。ブレードの角度は１段目に対し変更するべき
ではない。原理的にはチップ表面と切断面がなす角度が
鋭角であれば変更しても問題は無いはずである。しか
し、ブレードの角度を変更するとブレードの位置の基準
が変わってしまうため、１回目の切断位置に対し精度良
く２段目の切断位置を制御することが困難となる。これ
に対し同一の角度で加工する際には、機械の送り精度が
そのまま反映できる。この点から１回目の切断を鈍角に
設定して行うことは避けるべきである。
り込みでは、ウェハを切断するために十分な切り込み量
を与える。ブレードの角度は１段目に対し変更するべき
ではない。原理的にはチップ表面と切断面がなす角度が
鋭角であれば変更しても問題は無いはずである。しか
し、ブレードの角度を変更するとブレードの位置の基準
が変わってしまうため、１回目の切断位置に対し精度良
く２段目の切断位置を制御することが困難となる。これ
に対し同一の角度で加工する際には、機械の送り精度が
そのまま反映できる。この点から１回目の切断を鈍角に
設定して行うことは避けるべきである。
【００１９】２回目の切断位置は、１回目の切断位置よ
りも外側である必要がある。突起の位置を表面エッジの
位置よりＤだけ外に出すとし、ブレード角度をθ、１段
目の切り込み量をＺとすると、１回目に対する２回目の
切断位置の送り量Ｙはおよそ次式で求まる。 Ｙ ＝ Ｚｓｉｎθ ＋ Ｄ
りも外側である必要がある。突起の位置を表面エッジの
位置よりＤだけ外に出すとし、ブレード角度をθ、１段
目の切り込み量をＺとすると、１回目に対する２回目の
切断位置の送り量Ｙはおよそ次式で求まる。 Ｙ ＝ Ｚｓｉｎθ ＋ Ｄ
【００２０】すでに説明した好ましいブレード角度、１
回目の切り込み量の範囲から、Ｙが最大となるのはθ＝
１０度、Ｚ＝１００μｍの場合であり、 Ｙ＝１７．３μｍ＋Ｄ となる。Ｄが３μｍ未満である場合、Ｙの値は１μｍか
ら２０μｍ程度であることが必要となる。
回目の切り込み量の範囲から、Ｙが最大となるのはθ＝
１０度、Ｚ＝１００μｍの場合であり、 Ｙ＝１７．３μｍ＋Ｄ となる。Ｄが３μｍ未満である場合、Ｙの値は１μｍか
ら２０μｍ程度であることが必要となる。
【００２１】上式は次のようにも書ける。 Ｄ ＝ Ｙ − Ｚｓｉｎθ ここでθは１度から１０度となるため、ｔａｎθは０．
０１７から０．１７３程度の範囲の値となる。ゆえに、
突起量Ｄの値を精度良く決めるためには、Ｙとθを一定
として１段目の切り込み量Ｚの値を調整してやることが
適当である。これにより、Ｙの繰り返し精度さえ良けれ
ば、Ｄの値を１μｍ以下の精度で制御することも可能と
なる。
０１７から０．１７３程度の範囲の値となる。ゆえに、
突起量Ｄの値を精度良く決めるためには、Ｙとθを一定
として１段目の切り込み量Ｚの値を調整してやることが
適当である。これにより、Ｙの繰り返し精度さえ良けれ
ば、Ｄの値を１μｍ以下の精度で制御することも可能と
なる。
【００２２】図６に示すように隣接したチップ３５同士
が接触した場合でも、チップ表面３０ではＤの２倍の寸
法が隣接チップとの空間として確保される。このため、
チップ表面の素子の欠け等は発生しない。
が接触した場合でも、チップ表面３０ではＤの２倍の寸
法が隣接チップとの空間として確保される。このため、
チップ表面の素子の欠け等は発生しない。
【００２３】つぎに実際のチップ切断の例を述べる。上
記の式にてθ＝５度、Ｚ＝５０μｍにてＤ＝０．５μｍ
を狙って仮のＹの値を計算してみると Ｙ＝４．８６μ
ｍとなる。使用したダイサーでは１μｍ以下の送り量は
設定できないので、とりあえず５μｍとして試し切りを
行った。この時のＤの予想値は０．６４μｍとなる。
記の式にてθ＝５度、Ｚ＝５０μｍにてＤ＝０．５μｍ
を狙って仮のＹの値を計算してみると Ｙ＝４．８６μ
ｍとなる。使用したダイサーでは１μｍ以下の送り量は
設定できないので、とりあえず５μｍとして試し切りを
行った。この時のＤの予想値は０．６４μｍとなる。
【００２４】切断後Ｄの値を抜き取りで２０ヶ所実測し
てみると、平均でおよそ１．２μｍとなった。この差の
原因は、もともと上式が近似式であるため誤差が含まれ
ること、およびブレード先端が矩形ではないこと等が考
えられる。幸い、Ｄの実測値のばらつきはレンジで０．
２μｍ以下であった。そこでＤの値を０．７μｍ減らす
ためＺの値を５０μｍから５８μｍに設定し直し、再度
切断を実施したところＤの値の２０ヶ所の平均はおよそ
０．５μｍとなった。以上の結果より、最終的に本実施
例での切断条件は、以下のように決定した。 θ＝５° Ｚ＝５８μｍ Ｙ＝５μｍ
てみると、平均でおよそ１．２μｍとなった。この差の
原因は、もともと上式が近似式であるため誤差が含まれ
ること、およびブレード先端が矩形ではないこと等が考
えられる。幸い、Ｄの実測値のばらつきはレンジで０．
２μｍ以下であった。そこでＤの値を０．７μｍ減らす
ためＺの値を５０μｍから５８μｍに設定し直し、再度
切断を実施したところＤの値の２０ヶ所の平均はおよそ
０．５μｍとなった。以上の結果より、最終的に本実施
例での切断条件は、以下のように決定した。 θ＝５° Ｚ＝５８μｍ Ｙ＝５μｍ
【００２５】切断後、従来手法では約５％のチップがチ
ッピングで不良となっていたが、この条件で切断した約
１５０００個のチップにおいては、チッピングによる不
良率が約１％にとどまった。また、このチップをダイボ
ンダーで基板上に実装する際、従来手法の場合にはチッ
プエッジの欠けによる不良チップの交換（リペア）が７
％ほど発生していた。しかし、本実施例では、約６００
０チップ実装に対しチップエッジの欠けは一件も発生せ
ず、チップ位置に関する異常も全く発生しなかった。結
局、本実施例では、全体で約１１％の歩留向上が期待で
きる結果となった。
ッピングで不良となっていたが、この条件で切断した約
１５０００個のチップにおいては、チッピングによる不
良率が約１％にとどまった。また、このチップをダイボ
ンダーで基板上に実装する際、従来手法の場合にはチッ
プエッジの欠けによる不良チップの交換（リペア）が７
％ほど発生していた。しかし、本実施例では、約６００
０チップ実装に対しチップエッジの欠けは一件も発生せ
ず、チップ位置に関する異常も全く発生しなかった。結
局、本実施例では、全体で約１１％の歩留向上が期待で
きる結果となった。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、半導体チップ同士を複
数個至近距離に接続して使用する場合、チップ端面の突
起部分だけを接触させることにより接続チップ表面の欠
け不良を低減させることができる。また半導体基板から
チップを切り出す際に発生するチッピングを大幅に減少
させることができる。
数個至近距離に接続して使用する場合、チップ端面の突
起部分だけを接触させることにより接続チップ表面の欠
け不良を低減させることができる。また半導体基板から
チップを切り出す際に発生するチッピングを大幅に減少
させることができる。
【図１】従来の半導体基板の切断方法を示す図である
【図２】従来方法で切断された半導体チップの接続状態
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】改良された従来の半導体基板の切断方法を示す
図である。
図である。
【図４】改良された従来方法で切断された半導体チップ
の接続状態を示す断面図である。
の接続状態を示す断面図である。
【図５】本発明による半導体基板の切断方法を示す図で
ある。
ある。
【図６】本発明の方法で切断された半導体チップの接続
状態を示す断面図である。
状態を示す断面図である。
１０、２０、３０ チップ表面 １１、２１、３１ 半導体基板 １２、２２、３２ ダイシングテープ １３、２３、３３ ダイシングブレード １４ 裏面エッジ突起 １５、２５、３５ 半導体チップ １６、２６、３６ 隙間 ２８、３８ チップ表面エッジ １９、２９、３９ 基板裏面 ２７ 端面欠け ３４ 端面突起 ４０ 突起突出量Ｄ ４２ １回目ブレード切り込み量Ｚ ４４ ブレード傾斜角度θ ４６ ２回目切り込みブレード送り量Ｙ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 31/02 Ａ Ｂ
Claims (6)
- 【請求項１】電気的および／または光学的機能をもつ複
数の素子を表面に形成した半導体チップにおいて、該半
導体チップの端面にチップ表面およびチップ裏面よりも
外側に張り出した突起部分を有することを特徴とする半
導体チップ。 - 【請求項２】請求項１記載の半導体チップ複数を、前記
突起部分が互いに接するように配置することを特徴とす
る半導体チップの実装方法。 - 【請求項３】電気的および／または光学的機能をもつ複
数の素子を予め表面に形成した半導体基板から複数の半
導体チップを切り出す半導体チップの製造方法におい
て、 最初に前記半導体チップの表面側エッジが鋭角になるよ
うに傾斜角を設定したダイシングブレードにより浅い切
断溝を形成し、ついで前記表面側エッジよりわずか外側
を前記と等しい傾斜角のダイシングブレードで基板裏面
に達するまで切断することを特徴とする半導体チップの
製造方法。 - 【請求項４】ダイシングブレードの傾斜角が基板表面に
対して１度以上１０度以下であることを特徴とする請求
項３記載の半導体チップの製造方法。 - 【請求項５】最初に形成する切断溝の深さが基板表面か
ら１０μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする
請求項３記載の半導体チップの製造方法。 - 【請求項６】基板裏面に達する切断を行う際のダイシン
グブレードの位置が前記最初に形成した切断溝の位置よ
り１μｍ以上２０μｍ以下だけ表面側エッジより外側で
あることを特徴とする請求項３記載の半導体チップの製
造方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2000083597A JP2001274006A (ja) | 2000-03-24 | 2000-03-24 | 半導体チップおよびその製造方法 |
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| JP2001274006A true JP2001274006A (ja) | 2001-10-05 |
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