JPH05121544A - ダイシング方法 - Google Patents
ダイシング方法Info
- Publication number
- JPH05121544A JPH05121544A JP28000591A JP28000591A JPH05121544A JP H05121544 A JPH05121544 A JP H05121544A JP 28000591 A JP28000591 A JP 28000591A JP 28000591 A JP28000591 A JP 28000591A JP H05121544 A JPH05121544 A JP H05121544A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dicing
- wafer
- cut
- semiconductor element
- full
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体素子の表面端部が鋭角とならずかつカ
ット精度が良く、しかもチッピングやクラックを生じさ
せないように半導体素子のダイシングを行なう。 【構成】 ダイシングブレードにより、半導体素子２６
が作り込まれているウエハの表面から、その面と垂直方
向にウエハのハーフカットダイシングを行ない、次に、
前記ハーフカットダイシングで形成された垂直面２４ａ
に対し所定の角度θに傾けたダイシングブレードによ
り、垂直面の所定の深さａのところを起点としてフルカ
ットダイシングを行なう。
ット精度が良く、しかもチッピングやクラックを生じさ
せないように半導体素子のダイシングを行なう。 【構成】 ダイシングブレードにより、半導体素子２６
が作り込まれているウエハの表面から、その面と垂直方
向にウエハのハーフカットダイシングを行ない、次に、
前記ハーフカットダイシングで形成された垂直面２４ａ
に対し所定の角度θに傾けたダイシングブレードによ
り、垂直面の所定の深さａのところを起点としてフルカ
ットダイシングを行なう。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、複数の半導体素子が
作り込まれているウエハから、各半導体素子をダイシン
グする方法に関し、特に、ダイシング後に半導体素子同
士を高精度に隣接させて用いる必要がある半導体素子の
ダイシング方法に関する。
作り込まれているウエハから、各半導体素子をダイシン
グする方法に関し、特に、ダイシング後に半導体素子同
士を高精度に隣接させて用いる必要がある半導体素子の
ダイシング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】発光ダイオード（以下、「ＬＥＤ」）の
作製に用いる化合物半導体基板（例えばＧａＡｓ基板）
の直径は、現在のところ最大でも３インチ（１インチは
約２．５４ｃｍ。）程度である。これに対し、電子写真
方式で使用されるＬＥＤプリントヘッドの全長は、所望
の印字幅に見合うよう、例えばＡ−４サイズ紙の横幅程
度というように、化合物半導体基板の直径以上である。
作製に用いる化合物半導体基板（例えばＧａＡｓ基板）
の直径は、現在のところ最大でも３インチ（１インチは
約２．５４ｃｍ。）程度である。これに対し、電子写真
方式で使用されるＬＥＤプリントヘッドの全長は、所望
の印字幅に見合うよう、例えばＡ−４サイズ紙の横幅程
度というように、化合物半導体基板の直径以上である。
【０００３】このため、ＬＥＤプリントヘッドを作製す
る場合は、先ず、ＬＥＤアレイが多数形成されている化
合物半導体ウエハからダイシングにより各ＬＥＤアレイ
を分離し、次いで、これらＬＥＤアレイをＬＥＤプリン
トヘッドに要求される長さを満たす数だけプリントハッ
ド用基板上に隣接させて並べ、基板に接着する必要があ
った。
る場合は、先ず、ＬＥＤアレイが多数形成されている化
合物半導体ウエハからダイシングにより各ＬＥＤアレイ
を分離し、次いで、これらＬＥＤアレイをＬＥＤプリン
トヘッドに要求される長さを満たす数だけプリントハッ
ド用基板上に隣接させて並べ、基板に接着する必要があ
った。
【０００４】そして、この際のウエハからの各ＬＥＤア
レイの分離は、一般には、裏面にダイシングテープを貼
ったウエハの表面より裏面に向かってウエハの裏面側で
ウエハが薄皮状に残るようにダイシングソーにより切り
込みを入れ、その後、このウエハに圧力を加えて前記薄
皮部分を割ることで行なっていた。しかし、この方法の
場合、図２にウエハ断面で示すように、ＬＥＤアレイ１
の裏面端部に突起部２が残る。そのため、このようなＬ
ＥＤアレイ１をＬＥＤプリントヘッドなどに使用する
と、高精度な位置合わせを行なうことが非常に困難であ
るとともに、突起部からの漏洩光（図２中Ｌで示す）が
問題となり、印字品質を損ねてしまう。そこで、これら
問題を解決できるダイシング方法として例えば特開平２
−１０８７９号に開示のものがあった。図３はその説明
に供する図であり、この方法で用いるダイシングブレー
ドと、この方法により得られたＬＥＤアレイとを併せて
示した断面図である。この方法は、ＬＥＤアレイ１１が
多数作り込まれたウエハ１２の裏面１３（発光部１４が
形成された面とは反対面）から、角度付けされた面１０
ａを有するダイシングブレード１０によって、このウエ
ハをフルカットダイシングするというものであった。こ
のダイシング後に得られるＬＥＤアレイ１１の側面１５
は、ブレード１０の角度付けされた面１０ａに相似して
傾斜している。この側面１５と表面１６により形成され
る表面端部１７における角度は、鋭角となっている。こ
れらＬＥＤアレイ１１は、端部１７同士が対向するよう
隣接させ使用される。傾斜している側面１５によりＬＥ
Ｄプリントヘッド用基板とＬＥＤアレイ１１の側面１５
との間に空間ができ接着剤のにげ場が構成できるので、
接着精度の向上も図れた。
レイの分離は、一般には、裏面にダイシングテープを貼
ったウエハの表面より裏面に向かってウエハの裏面側で
ウエハが薄皮状に残るようにダイシングソーにより切り
込みを入れ、その後、このウエハに圧力を加えて前記薄
皮部分を割ることで行なっていた。しかし、この方法の
場合、図２にウエハ断面で示すように、ＬＥＤアレイ１
の裏面端部に突起部２が残る。そのため、このようなＬ
ＥＤアレイ１をＬＥＤプリントヘッドなどに使用する
と、高精度な位置合わせを行なうことが非常に困難であ
るとともに、突起部からの漏洩光（図２中Ｌで示す）が
問題となり、印字品質を損ねてしまう。そこで、これら
問題を解決できるダイシング方法として例えば特開平２
−１０８７９号に開示のものがあった。図３はその説明
に供する図であり、この方法で用いるダイシングブレー
ドと、この方法により得られたＬＥＤアレイとを併せて
示した断面図である。この方法は、ＬＥＤアレイ１１が
多数作り込まれたウエハ１２の裏面１３（発光部１４が
形成された面とは反対面）から、角度付けされた面１０
ａを有するダイシングブレード１０によって、このウエ
ハをフルカットダイシングするというものであった。こ
のダイシング後に得られるＬＥＤアレイ１１の側面１５
は、ブレード１０の角度付けされた面１０ａに相似して
傾斜している。この側面１５と表面１６により形成され
る表面端部１７における角度は、鋭角となっている。こ
れらＬＥＤアレイ１１は、端部１７同士が対向するよう
隣接させ使用される。傾斜している側面１５によりＬＥ
Ｄプリントヘッド用基板とＬＥＤアレイ１１の側面１５
との間に空間ができ接着剤のにげ場が構成できるので、
接着精度の向上も図れた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ように表面端部が鋭角となったＬＥＤアレイ同士を隣接
させると鋭角な表面端部１７同士が接触した際に端部が
欠けることがある。これは、ＬＥＤアレイの素材である
ＧａＡｓ（ガリウムヒ素）の脆さもさることながら、表
面端部が鋭角になっていることに起因する。
ように表面端部が鋭角となったＬＥＤアレイ同士を隣接
させると鋭角な表面端部１７同士が接触した際に端部が
欠けることがある。これは、ＬＥＤアレイの素材である
ＧａＡｓ（ガリウムヒ素）の脆さもさることながら、表
面端部が鋭角になっていることに起因する。
【０００６】ＬＥＤプリントヘッドの解像度を高めるに
は個々の発光部１４を高密度に形成する必要があるの
で、個々のＬＥＤアレイではその長手方向端部際まで発
光部が位置するようになる。このような場合上述のよう
な端部の欠けは端部際の発光部を欠損させることとなる
のでますます問題となる。
は個々の発光部１４を高密度に形成する必要があるの
で、個々のＬＥＤアレイではその長手方向端部際まで発
光部が位置するようになる。このような場合上述のよう
な端部の欠けは端部際の発光部を欠損させることとなる
のでますます問題となる。
【０００７】また、角度付けされた面を有するダイシン
グブレードでのフルカットダイシングでは、ＬＥＤのウ
エハの厚さバラツキ、およびダイシング装置のステージ
上へのセットずれによるＬＥＤ表面の高さバラツキによ
り、カット精度が悪くなる。さらに、角度付けされた面
を有するダイシングブレードは、ブレードの両面での切
削抵抗が変化し易いので、ブレードの直進性が悪くなる
ためカット精度がよくないという問題点があった。
グブレードでのフルカットダイシングでは、ＬＥＤのウ
エハの厚さバラツキ、およびダイシング装置のステージ
上へのセットずれによるＬＥＤ表面の高さバラツキによ
り、カット精度が悪くなる。さらに、角度付けされた面
を有するダイシングブレードは、ブレードの両面での切
削抵抗が変化し易いので、ブレードの直進性が悪くなる
ためカット精度がよくないという問題点があった。
【０００８】またさらに、１回のダイシングで裏面側か
らフルカットダイシングするために、ダイシングテープ
もＬＥＤアレイと同時に切削する。このテープを切削す
ることにより、ダイシングブレードに目づまりを起こ
し、そのため、ＬＥＤアレイの表面端部のところにチッ
ピングやクラックを生じ易くさせるという問題もある。
らフルカットダイシングするために、ダイシングテープ
もＬＥＤアレイと同時に切削する。このテープを切削す
ることにより、ダイシングブレードに目づまりを起こ
し、そのため、ＬＥＤアレイの表面端部のところにチッ
ピングやクラックを生じ易くさせるという問題もある。
【０００９】この発明は、このような点に鑑みなされた
ものであり、従って、この発明の目的は、ウエハからダ
イシングにより得た半導体素子の表面端部が鋭角となら
ずかつカット精度が良く、しかもチッピングやクラック
を生じさせない半導体素子のダイシング方法を提供する
ことにある。
ものであり、従って、この発明の目的は、ウエハからダ
イシングにより得た半導体素子の表面端部が鋭角となら
ずかつカット精度が良く、しかもチッピングやクラック
を生じさせない半導体素子のダイシング方法を提供する
ことにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述の目的の達成を図る
ため、この発明によれば、複数の半導体素子が作り込ま
れているウエハから各半導体素子をダイシングする方法
において、ダイシングブレードにより、ウエハの表面か
ら、その面と垂直方向に前記ウエハをハーフカットダイ
シングし、前記ハーフカットダイシングで形成された垂
直面に対し所定の角度に傾けたダイシングブレードによ
り、前記垂直面の所定の深さのところを起点としてフル
カットダイシングすることを特徴とする。
ため、この発明によれば、複数の半導体素子が作り込ま
れているウエハから各半導体素子をダイシングする方法
において、ダイシングブレードにより、ウエハの表面か
ら、その面と垂直方向に前記ウエハをハーフカットダイ
シングし、前記ハーフカットダイシングで形成された垂
直面に対し所定の角度に傾けたダイシングブレードによ
り、前記垂直面の所定の深さのところを起点としてフル
カットダイシングすることを特徴とする。
【００１１】
【作用】この発明によれば、垂直方向のハーフカット
と、斜め方向からのフルカットにより、垂直面と、この
垂直面と所定の角度をなして連なる面とからなる側面を
有するダイシング済みの半導体素子が形成される。ウエ
ハの表面から垂直にダイシングすることにより、ＬＥＤ
アレイの表面端部の角度が鋭角とならず正確に９０度な
いしはそれに近い角度となり、かつ加工精度が確保され
る。このように側面にほぼ垂直な面を有するＬＥＤアレ
イでは、これらＬＥＤアレイを隣接させる際にこの垂直
面を利用して高精度に位置合わせが行なえる。
と、斜め方向からのフルカットにより、垂直面と、この
垂直面と所定の角度をなして連なる面とからなる側面を
有するダイシング済みの半導体素子が形成される。ウエ
ハの表面から垂直にダイシングすることにより、ＬＥＤ
アレイの表面端部の角度が鋭角とならず正確に９０度な
いしはそれに近い角度となり、かつ加工精度が確保され
る。このように側面にほぼ垂直な面を有するＬＥＤアレ
イでは、これらＬＥＤアレイを隣接させる際にこの垂直
面を利用して高精度に位置合わせが行なえる。
【００１２】さらに、垂直面に対し所定の角度に傾けた
ダイシングブレードによりフルカットダイシングするの
で、ＬＥＤアレイの裏面端部には従来のＬＥＤアレイに
みられた突起は生じない。このため、ＬＥＤアレイを基
板上に載置する際に、突起に起因する位置合わせ精度の
低下は生じない。
ダイシングブレードによりフルカットダイシングするの
で、ＬＥＤアレイの裏面端部には従来のＬＥＤアレイに
みられた突起は生じない。このため、ＬＥＤアレイを基
板上に載置する際に、突起に起因する位置合わせ精度の
低下は生じない。
【００１３】この斜め方向からのフルカットダイシング
において、カット位置精度は垂直ダイシングで規定され
ているので、ある程度のカット位置のずれは許容でき
る。さらに、前記斜め方向からのフルカットダイシング
において、最後にダイシングテープを切削することによ
るダイシングブレードに目詰まりが生じても、このフル
カットダイシングの際にはＬＥＤアレイの表面をカット
しないので（表面側のカットは済んでいるので）、チッ
ピングやクラックがＬＥＤアレイの表面に及ぶことがな
い。
において、カット位置精度は垂直ダイシングで規定され
ているので、ある程度のカット位置のずれは許容でき
る。さらに、前記斜め方向からのフルカットダイシング
において、最後にダイシングテープを切削することによ
るダイシングブレードに目詰まりが生じても、このフル
カットダイシングの際にはＬＥＤアレイの表面をカット
しないので（表面側のカットは済んでいるので）、チッ
ピングやクラックがＬＥＤアレイの表面に及ぶことがな
い。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照して、この発明の好適実施
例を説明する。
例を説明する。
【００１５】なお、図面は、この発明を理解できる程度
に、各構成成分の寸法、形状および配設位置を概略的に
示しているにすぎない。また以下の説明では、特定の数
値的条件を挙げて説明するが、これら条件は単なる好適
例にすぎず、従って、この発明は、これらに限定される
ものではない。
に、各構成成分の寸法、形状および配設位置を概略的に
示しているにすぎない。また以下の説明では、特定の数
値的条件を挙げて説明するが、これら条件は単なる好適
例にすぎず、従って、この発明は、これらに限定される
ものではない。
【００１６】図１（Ａ）〜（Ｃ）は、この発明の実施例
のダイシング方法の説明に供する要部断面工程図であ
る。
のダイシング方法の説明に供する要部断面工程図であ
る。
【００１７】半導体素子としての例えばＬＥＤアレイ２
６が多数作り込まれている例えば厚さが４００μｍのウ
エハ２１にダイシングテープ２３を貼り付け、次に、図
１の（Ａ）に示すように、ダイシングブレード（図示せ
ず）により、発光部２２から所定の距離だけ離隔した位
置でウエハ２１をその表面と垂直方向にハーフカットダ
イシングを行ない、深さが約３００μｍ以上の溝２４を
形成する。これにより、半導体素子２６の側面の一部を
形成する垂直面２４ａが得られる。
６が多数作り込まれている例えば厚さが４００μｍのウ
エハ２１にダイシングテープ２３を貼り付け、次に、図
１の（Ａ）に示すように、ダイシングブレード（図示せ
ず）により、発光部２２から所定の距離だけ離隔した位
置でウエハ２１をその表面と垂直方向にハーフカットダ
イシングを行ない、深さが約３００μｍ以上の溝２４を
形成する。これにより、半導体素子２６の側面の一部を
形成する垂直面２４ａが得られる。
【００１８】次に、前記垂直面２４ａに対し所定の角
度、例えば約８度傾けたダイシングブレード（図示せ
ず）により、図１の（Ｂ）に示すように、前記垂直面２
４ａの、ウエハ表面から所定の深さａのところ、例えば
１００μｍのところを起点としてフルカットダイシング
することによって傾斜した溝２５を形成する。これによ
り、半導体素子２６の側面の下方部を形成する傾斜面２
５ａが得られる。
度、例えば約８度傾けたダイシングブレード（図示せ
ず）により、図１の（Ｂ）に示すように、前記垂直面２
４ａの、ウエハ表面から所定の深さａのところ、例えば
１００μｍのところを起点としてフルカットダイシング
することによって傾斜した溝２５を形成する。これによ
り、半導体素子２６の側面の下方部を形成する傾斜面２
５ａが得られる。
【００１９】フルカットダイシング終了後、ダイシング
されたウエハからダイシングテープ２３を引き剥し、図
１の（Ｃ）に示すようば半導体素子２６を得る。
されたウエハからダイシングテープ２３を引き剥し、図
１の（Ｃ）に示すようば半導体素子２６を得る。
【００２０】図から明らかなように、所定の角度傾けた
ダイシングブレードによるフルカットダイシングによっ
て溝２５を形成するため、ＬＥＤアレイである半導体素
子２６の裏面２７の端部２８は、半導体素子２６の表面
２９の端部３０よりも内側になっている。また、半導体
素子の表面端部３０には、垂直方向のハーフカットダイ
シングによって形成される溝２４により、９０度ないし
はそれに近い角度が確保される。
ダイシングブレードによるフルカットダイシングによっ
て溝２５を形成するため、ＬＥＤアレイである半導体素
子２６の裏面２７の端部２８は、半導体素子２６の表面
２９の端部３０よりも内側になっている。また、半導体
素子の表面端部３０には、垂直方向のハーフカットダイ
シングによって形成される溝２４により、９０度ないし
はそれに近い角度が確保される。
【００２１】なお、ハーフカットダイシングで形成され
た垂直面２４ａに対し所定の角度、例えば８度傾けたダ
イシングブレードにより、前記垂直面２４ａをウエハの
表面２９から少なくとも１００μｍ残すようにしてフル
カットダイシングする場合、ブレードが入るカット位置
の許容公差は、約２８μｍ（この値を図中ｂで示す）ま
で許容される（図１の（Ｂ）参照）。通常、傾けたダイ
シングブレードによるダイシング位置の精度を確保する
ことは難しいとされているが、この発明によれば、フル
カットダイシングの際のダイシング位置許容公差が２８
μｍまで許容されるため、良好な条件でダイシングを行
なうことができる。
た垂直面２４ａに対し所定の角度、例えば８度傾けたダ
イシングブレードにより、前記垂直面２４ａをウエハの
表面２９から少なくとも１００μｍ残すようにしてフル
カットダイシングする場合、ブレードが入るカット位置
の許容公差は、約２８μｍ（この値を図中ｂで示す）ま
で許容される（図１の（Ｂ）参照）。通常、傾けたダイ
シングブレードによるダイシング位置の精度を確保する
ことは難しいとされているが、この発明によれば、フル
カットダイシングの際のダイシング位置許容公差が２８
μｍまで許容されるため、良好な条件でダイシングを行
なうことができる。
【００２２】上述の実施例では、所定の角度に傾けたダ
イシングブレードによりフルカットダイシングを行なう
ことにつき説明したが、場合によっては、ダイシングブ
レードを傾ける代わりにウエハを所定の角度だけ傾ける
ようにして実施してもよい。また、上述の実施例では、
半導体素子をＬＥＤアレイとしていた。しかし、この発
明の方法は、ダイシング後に素子同士を精度良く隣接さ
せて用いる必要のある半導体素子のダイシングに広く適
用できることは明らかである。
イシングブレードによりフルカットダイシングを行なう
ことにつき説明したが、場合によっては、ダイシングブ
レードを傾ける代わりにウエハを所定の角度だけ傾ける
ようにして実施してもよい。また、上述の実施例では、
半導体素子をＬＥＤアレイとしていた。しかし、この発
明の方法は、ダイシング後に素子同士を精度良く隣接さ
せて用いる必要のある半導体素子のダイシングに広く適
用できることは明らかである。
【００２３】
【発明の効果】上述の説明からも明らかなように、この
発明によれば、ウエハの表面からその面と直交する方向
へのダイシングブレードによるハーフカットダイシング
と、このハーフカットダイシングで形成される垂直面に
対し所定の角度に傾けたダイシングブレードによるフル
カットダイシングとを組み合わせて行なうので、半導体
素子の表面端部に鋭角部をつくることなく、良好なカッ
ト精度が確保される垂直方向のハーフカットダイシング
ができるとともに、ハーフカットダイシングとすること
でダイシングテープをカットしなくなり、これに起因す
る半導体素子表面端部でのチッピングやクラックなどが
減少される。
発明によれば、ウエハの表面からその面と直交する方向
へのダイシングブレードによるハーフカットダイシング
と、このハーフカットダイシングで形成される垂直面に
対し所定の角度に傾けたダイシングブレードによるフル
カットダイシングとを組み合わせて行なうので、半導体
素子の表面端部に鋭角部をつくることなく、良好なカッ
ト精度が確保される垂直方向のハーフカットダイシング
ができるとともに、ハーフカットダイシングとすること
でダイシングテープをカットしなくなり、これに起因す
る半導体素子表面端部でのチッピングやクラックなどが
減少される。
【００２４】また、ハーフカットダイシングにより垂直
面を精度よく形成することができ、かつ、カット位置の
許容公差の大きいフルカットダイシングにより半導体素
子の側面の一部を形成している傾斜面が得られるので、
半導体素子同士の整列が良好にでき、しかも基板上にＬ
ＥＤアレイを高精度に位置合わせすることができる。従
って、高解像度対応のＬＥＤプリントヘッド用のＬＥＤ
アレイのダイシングに好適である。
面を精度よく形成することができ、かつ、カット位置の
許容公差の大きいフルカットダイシングにより半導体素
子の側面の一部を形成している傾斜面が得られるので、
半導体素子同士の整列が良好にでき、しかも基板上にＬ
ＥＤアレイを高精度に位置合わせすることができる。従
って、高解像度対応のＬＥＤプリントヘッド用のＬＥＤ
アレイのダイシングに好適である。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）〜（Ｃ）は、この発明の実施例のダイシ
ング方法の要部断面工程図である。
ング方法の要部断面工程図である。
【図２】従来技術のダイシング方法による半導体素子の
要部断面図である。
要部断面図である。
【図３】従来技術のダイシング方法による半導体素子と
この方法で用いる角度付けされた面を有するダイシング
ブレードとを示した断面図である。
この方法で用いる角度付けされた面を有するダイシング
ブレードとを示した断面図である。
２１：ウエハ ２２：発光部 ２３：ダイシングテープ ２４：溝 ２４ａ：垂直面 ２５：傾斜した溝 ２５ａ：傾斜面 ２６：半導体素子 ２７：裏面 ２８：裏面端部 ２９：表面 ３０：表面端部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/78 Ｌ 8617−4Ｍ (72)発明者 池端 昌夫 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 複数の半導体素子が作り込まれているウ
エハから各半導体素子をダイシングする方法において、 ダイシングブレードにより、ウエハの表面から、その面
と垂直方向に前記ウエハをハーフカットダイシングし、 前記ハーフカットダイシングで形成された垂直面に対し
所定の角度に傾けたダイシングブレードにより、前記垂
直面の所定の深さのところを起点としてフルカットダイ
シングすることを特徴とするダイシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28000591A JPH05121544A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | ダイシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28000591A JPH05121544A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | ダイシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121544A true JPH05121544A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17618979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28000591A Withdrawn JPH05121544A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | ダイシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05121544A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274006A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 半導体チップおよびその製造方法 |
-
1991
- 1991-10-25 JP JP28000591A patent/JPH05121544A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274006A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 半導体チップおよびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4814296A (en) | Method of fabricating image sensor dies for use in assembling arrays | |
| JP2806576B2 (ja) | 大型アレー半導体デバイスを製造する方法 | |
| US4610079A (en) | Method of dicing a semiconductor wafer | |
| KR960005047B1 (ko) | 화합물 반도체 웨이퍼의 다이싱방법 | |
| EP0025690B1 (en) | A method of producing semiconductor laser elements | |
| US5506610A (en) | Back side relief on thermal ink jet die assembly | |
| JP2780618B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法 | |
| JPH0611071B2 (ja) | 化合物半導体基板の分割方法 | |
| JP2861991B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法 | |
| JP3395620B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP3227287B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法と窒化ガリウム系化合物半導体素子 | |
| US5300806A (en) | Separation of diode array chips during fabrication thereof | |
| JPH05121544A (ja) | ダイシング方法 | |
| US5706176A (en) | Butted chip array with beveled chips | |
| JPH06204336A (ja) | 半導体基板の分割方法 | |
| US6489250B1 (en) | Method for cutting group III nitride semiconductor light emitting element | |
| JP2703232B2 (ja) | 発光ダイオードアレイ及びその製造法 | |
| JP3454355B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
| JPH0141268B2 (ja) | ||
| JPH05152611A (ja) | Ｌｅｄアレイプリントヘツドにおけるｌｅｄ半導体チツプの製造方法 | |
| JPS5922345A (ja) | 半導体基板の分割方法 | |
| JP3772807B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
| JPH08279479A (ja) | 発光ダイオードアレイのダイシング方法 | |
| JPS6237901B2 (ja) | ||
| JPH06188311A (ja) | 半導体素子切断方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990107 |