JPH0729857A - 半導体ウェハのダイシング方法 - Google Patents
半導体ウェハのダイシング方法Info
- Publication number
- JPH0729857A JPH0729857A JP15502493A JP15502493A JPH0729857A JP H0729857 A JPH0729857 A JP H0729857A JP 15502493 A JP15502493 A JP 15502493A JP 15502493 A JP15502493 A JP 15502493A JP H0729857 A JPH0729857 A JP H0729857A
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- JP
- Japan
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- semiconductor wafer
- adhesive tape
- dicing blade
- dicing
- conductive layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体ウェハのダイシングする場合の、切込み
量のバラツキを防止し、安定した切削品質を得る。 【構成】半導体ウェハ１は、絶縁層６と導電層７Ａの２
層を有する粘着テープ２Ａで固定され、粘着テープ２Ａ
は吸着ステージ３で吸着支持される。更に、吸着ステー
ジ３には、ダイシングブレード４の切込み量を制御する
Ｚ軸制御装置５が連結している。ダイシングブレード４
が導電層７Ａまで切込むことで、ダイシングブレード
４、粘着テープ２Ａの導電層７Ａ、吸着ステージ３を常
時導通状態に保つように切込み量をＺ軸制御装置５で制
御することで、切込み量を一定にする。
量のバラツキを防止し、安定した切削品質を得る。 【構成】半導体ウェハ１は、絶縁層６と導電層７Ａの２
層を有する粘着テープ２Ａで固定され、粘着テープ２Ａ
は吸着ステージ３で吸着支持される。更に、吸着ステー
ジ３には、ダイシングブレード４の切込み量を制御する
Ｚ軸制御装置５が連結している。ダイシングブレード４
が導電層７Ａまで切込むことで、ダイシングブレード
４、粘着テープ２Ａの導電層７Ａ、吸着ステージ３を常
時導通状態に保つように切込み量をＺ軸制御装置５で制
御することで、切込み量を一定にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハのダイシ
ング方法に関し、特に半導体ウェハを粘着テープで固定
する半導体ウェハのダイシング方法に関する。
ング方法に関し、特に半導体ウェハを粘着テープで固定
する半導体ウェハのダイシング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体ウェハのダイシング方法
は、図３に示す様に、半導体ウェハ１を粘着テープ２Ｃ
で固定し、その粘着テープ２Ｃを吸着ステージ３で吸着
支持する。また、半導体ウェハ１及び粘着テープ２Ｃを
切削するダイシングブレード４には、その切込み量を制
御するＺ軸制御装置５が連結する。
は、図３に示す様に、半導体ウェハ１を粘着テープ２Ｃ
で固定し、その粘着テープ２Ｃを吸着ステージ３で吸着
支持する。また、半導体ウェハ１及び粘着テープ２Ｃを
切削するダイシングブレード４には、その切込み量を制
御するＺ軸制御装置５が連結する。
【０００３】本方法は、任意に設定した切込み量のデー
タをＺ軸制御装置５に与えＺ軸制御装置５からダイシン
グブレード４に切込み量を伝達する。ダイシングブレー
ド４は、高速回転のもと所定の切込み量で吸着ステージ
３上を左右に移動し、半導体ウェハ１と粘着テープ２Ｃ
の一部を切削する方法である。また、切削するダイシン
グブレード４の摩擦量を考慮して、ある切削本数毎にダ
イシングブレード４の高さを数μｍ下方に修正するデー
タを任意にＺ軸制御装置５へ設定することによって、切
込み量を安定させる機能を有している。
タをＺ軸制御装置５に与えＺ軸制御装置５からダイシン
グブレード４に切込み量を伝達する。ダイシングブレー
ド４は、高速回転のもと所定の切込み量で吸着ステージ
３上を左右に移動し、半導体ウェハ１と粘着テープ２Ｃ
の一部を切削する方法である。また、切削するダイシン
グブレード４の摩擦量を考慮して、ある切削本数毎にダ
イシングブレード４の高さを数μｍ下方に修正するデー
タを任意にＺ軸制御装置５へ設定することによって、切
込み量を安定させる機能を有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体ウェ
ハのダイシング方法では、半導体ウェハ，粘着テープの
切削によるダイシングブレードの摩擦量を、ある切削本
数毎に、ダイシングブレードの高さを下方に下げ修正す
るが、ダイシングブレードの摩擦量自体にバラツキが存
在するため、必ずしも適正な切込み量が得られず極端に
切込み量が浅くなったり、あるいは極端に切込み量が深
くなったりする問題が生じていた。
ハのダイシング方法では、半導体ウェハ，粘着テープの
切削によるダイシングブレードの摩擦量を、ある切削本
数毎に、ダイシングブレードの高さを下方に下げ修正す
るが、ダイシングブレードの摩擦量自体にバラツキが存
在するため、必ずしも適正な切込み量が得られず極端に
切込み量が浅くなったり、あるいは極端に切込み量が深
くなったりする問題が生じていた。
【０００５】特に、後工程の粘着テープを拡大し、半導
体ウェハを個々のチップとして分割、認識する装置で
は、切込み量浅時に、個々のチップに分割、認識できな
い、あるいは切込み量深時に、装置のテープ拡大力によ
り粘着テープが破損する等、品質劣化、生産性低下が生
じる問題点があった。
体ウェハを個々のチップとして分割、認識する装置で
は、切込み量浅時に、個々のチップに分割、認識できな
い、あるいは切込み量深時に、装置のテープ拡大力によ
り粘着テープが破損する等、品質劣化、生産性低下が生
じる問題点があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウェハの
ダイシング方法は、粘着テープを絶縁層と導電層の２層
または３層以上からで構成し、ダイシングブレードを該
導電層まで切込みかつダイシングブレード、粘着テー
プ、吸着ステージを導通状態に保つことで切込み量を制
御する。
ダイシング方法は、粘着テープを絶縁層と導電層の２層
または３層以上からで構成し、ダイシングブレードを該
導電層まで切込みかつダイシングブレード、粘着テー
プ、吸着ステージを導通状態に保つことで切込み量を制
御する。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は一実施例を示す側面図である。図１におい
て、半導体ウェハ１は半導体ウェハ１接触面側の絶縁層
６と吸着ステージ３接触面側の導電層７Ａの２層を有す
る粘着テープ２Ａで固定され、粘着テープ２Ａは、吸着
ステージ３によって吸着支持される。更に、吸着ステー
ジ３には、ダイシングブレード４の切込み量を制御する
Ｚ軸制御装置５が連結している。
る。図１は一実施例を示す側面図である。図１におい
て、半導体ウェハ１は半導体ウェハ１接触面側の絶縁層
６と吸着ステージ３接触面側の導電層７Ａの２層を有す
る粘着テープ２Ａで固定され、粘着テープ２Ａは、吸着
ステージ３によって吸着支持される。更に、吸着ステー
ジ３には、ダイシングブレード４の切込み量を制御する
Ｚ軸制御装置５が連結している。
【０００８】本実施例の機構は、ダイシングブレード４
が高速で回転しながら、あらかじめＺ軸制御装置５に設
定した高さまで移動し、粘着テープ２Ａの導電層７Ａ
に、ダイシングブレード４先端が接触するまで切込む。
更に、ダイシングブレード４、粘着テープ２Ａの導電層
７Ａ、吸着ステージ３を介して、導通を確認後、ダイシ
ングブレード４が左右に移動し、切削を行う。切削中
は、ダイシングブレード４、粘着テープ２Ａの導電層７
Ａ、吸着ステージ３を常時導通状態に保つように、ダイ
シングブレード４の切込み量をＺ軸制御装置５で制御す
る。
が高速で回転しながら、あらかじめＺ軸制御装置５に設
定した高さまで移動し、粘着テープ２Ａの導電層７Ａ
に、ダイシングブレード４先端が接触するまで切込む。
更に、ダイシングブレード４、粘着テープ２Ａの導電層
７Ａ、吸着ステージ３を介して、導通を確認後、ダイシ
ングブレード４が左右に移動し、切削を行う。切削中
は、ダイシングブレード４、粘着テープ２Ａの導電層７
Ａ、吸着ステージ３を常時導通状態に保つように、ダイ
シングブレード４の切込み量をＺ軸制御装置５で制御す
る。
【０００９】尚、粘着テープ２Ａの構成は、例えば粘着
テープ２Ａへの切込み量を２０μｍとした場合、絶縁層
６を約２０μｍ厚で、導電層７を約８０μｍ厚で構成す
ることが好ましい。
テープ２Ａへの切込み量を２０μｍとした場合、絶縁層
６を約２０μｍ厚で、導電層７を約８０μｍ厚で構成す
ることが好ましい。
【００１０】図２は本発明の実施例２を示す側面図であ
る。本実施例では、粘着テープ２Ｂは、絶縁層６の下に
抵抗値の異なる導電層７Ｂ、７Ｃ、を複数有した３層以
上で構成する。本実施例の動作は、ダイシングブレード
４を導電層７Ｂまで切込み、ダイシングブレード４、粘
着テープ２Ｂの導電層７Ｂ、７Ｃ、吸着ステージ３を常
時導通状態に保ちながら得られる抵抗値をモニターする
ことによって切込み量を一定に制御するほか、任意の抵
抗値になる様に制御することで切込み量が可変できる。
る。本実施例では、粘着テープ２Ｂは、絶縁層６の下に
抵抗値の異なる導電層７Ｂ、７Ｃ、を複数有した３層以
上で構成する。本実施例の動作は、ダイシングブレード
４を導電層７Ｂまで切込み、ダイシングブレード４、粘
着テープ２Ｂの導電層７Ｂ、７Ｃ、吸着ステージ３を常
時導通状態に保ちながら得られる抵抗値をモニターする
ことによって切込み量を一定に制御するほか、任意の抵
抗値になる様に制御することで切込み量が可変できる。
【００１１】尚、本粘着テープ２Ｂの構成は例えば粘着
テープ２Ｂへの切込み量を１５μｍとした場合、絶縁層
６を約１０μｍ厚で、その下を約２０μｍ厚の導電層７
Ｂで更にその下を約７０μｍ厚の導電層７Ｃで構成する
ことが好ましい。
テープ２Ｂへの切込み量を１５μｍとした場合、絶縁層
６を約１０μｍ厚で、その下を約２０μｍ厚の導電層７
Ｂで更にその下を約７０μｍ厚の導電層７Ｃで構成する
ことが好ましい。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体ウ
ェハのダイシング方法において絶縁層と導電層の２層以
上からなる粘着テープを有し、ダイシングブレードを該
導電層まで切込みかつダイシングブレード、粘着テー
プ、吸着ステージを導通状態に保つように切込み量を制
御することで、ダイシングブレードの摩擦量のバラツキ
の影響を受けることなく、安定した切削品質が得られる
効果を有する。
ェハのダイシング方法において絶縁層と導電層の２層以
上からなる粘着テープを有し、ダイシングブレードを該
導電層まで切込みかつダイシングブレード、粘着テー
プ、吸着ステージを導通状態に保つように切込み量を制
御することで、ダイシングブレードの摩擦量のバラツキ
の影響を受けることなく、安定した切削品質が得られる
効果を有する。
【図１】本発明の実施例１の側面図。
【図２】本発明の実施例２の側面図。
【図３】従来の半導体ウェハのダイシング方法の側面
図。
図。
１ 半導体ウェハ ２Ａ，２Ｂ，２Ｃ 粘着テープ ３ 吸着ステージ ４ ダイシングブレード ５ Ｚ軸制御装置 ６ 絶縁層 ７Ａ，７Ｂ，７Ｃ 導電層
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウェハを固定した粘着テープを吸
着ステージで吸着支持し、該半導体ウェハを切削するダ
イシングブレードの切込み量をＺ軸制御装置で制御する
半導体ウェハのダイシング方法において、前記粘着テー
プは、半導体ウェハ接触面側の絶縁層と吸着ステージ接
触面側の導電層の２層で構成しダイシングブレードを該
導電層まで切込みかつダイシングブレード，粘着テー
プ，吸着ステージを導通状態に保つことで切込み量を制
御することを特徴とする半導体ウェハのダイシング方
法。 - 【請求項２】 粘着テープは、絶縁層の下に抵抗値の異
なる導電層を複数有した３層以上からで構成し、ダイシ
ングブレードを該導電層まで切込みかつダイシングブレ
ード，粘着テープ，吸着ステージを導通状態にし、該抵
抗値を一定に保つことで切込み量を制御することを特徴
とする請求項１記載の半導体ウェハのダイシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15502493A JPH0729857A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 半導体ウェハのダイシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15502493A JPH0729857A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 半導体ウェハのダイシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0729857A true JPH0729857A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=15597008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15502493A Withdrawn JPH0729857A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 半導体ウェハのダイシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0729857A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001082351A1 (en) * | 2000-04-26 | 2001-11-01 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | A method of forming a conductive coating on a semiconductor device |
| DE102008039773A1 (de) * | 2008-08-26 | 2010-03-04 | Gebr. Jäcklin GmbH Maschinen- und Getriebebau | Schleifschlammpresse |
| JP2010141150A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Fujitsu Microelectronics Ltd | ダイシング処理方法及びダイシングテープ |
| JP2012121106A (ja) * | 2010-12-09 | 2012-06-28 | Disco Corp | 切削方法 |
-
1993
- 1993-06-25 JP JP15502493A patent/JPH0729857A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001082351A1 (en) * | 2000-04-26 | 2001-11-01 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | A method of forming a conductive coating on a semiconductor device |
| US6551912B2 (en) | 2000-04-26 | 2003-04-22 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Method of forming a conductive coating on a semiconductor device |
| DE102008039773A1 (de) * | 2008-08-26 | 2010-03-04 | Gebr. Jäcklin GmbH Maschinen- und Getriebebau | Schleifschlammpresse |
| JP2010141150A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Fujitsu Microelectronics Ltd | ダイシング処理方法及びダイシングテープ |
| JP2012121106A (ja) * | 2010-12-09 | 2012-06-28 | Disco Corp | 切削方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000905 |