JPH05160257A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05160257A JPH05160257A JP31907191A JP31907191A JPH05160257A JP H05160257 A JPH05160257 A JP H05160257A JP 31907191 A JP31907191 A JP 31907191A JP 31907191 A JP31907191 A JP 31907191A JP H05160257 A JPH05160257 A JP H05160257A
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- Japan
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- dicing
- conductive layer
- blade
- semiconductor wafer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の製造方法、詳しくは、半導体ウ
ェーハをダイシングするときの切り込み深さをコントロ
ールする方法に関し、ダイシングの処理能率を低下させ
ずにダイシング時の半導体ウェーハの切り込み量を安定
してコントロールする方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 ダイシングテープ２上に粘着された半導体ウ
ェーハ４をダイシングブレード５をもってダイシングす
る工程を有する半導体装置の製造方法において、ダイシ
ングテープ２上に導電層６を形成して導電層６とダイシ
ングブレード５との間の導通の有無をチェックし、導通
が無くなったときにダイシングブレード５をダイシング
テーブル１の方向に移動するように構成する。
ェーハをダイシングするときの切り込み深さをコントロ
ールする方法に関し、ダイシングの処理能率を低下させ
ずにダイシング時の半導体ウェーハの切り込み量を安定
してコントロールする方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 ダイシングテープ２上に粘着された半導体ウ
ェーハ４をダイシングブレード５をもってダイシングす
る工程を有する半導体装置の製造方法において、ダイシ
ングテープ２上に導電層６を形成して導電層６とダイシ
ングブレード５との間の導通の有無をチェックし、導通
が無くなったときにダイシングブレード５をダイシング
テーブル１の方向に移動するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方
法、詳しくは、半導体ウェーハをダイシングするときの
切り込み深さをコントロールする方法に関する。
法、詳しくは、半導体ウェーハをダイシングするときの
切り込み深さをコントロールする方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ダイシングテープ上に粘着材をもって粘
着された半導体ウェーハをダイシングテーブル上に載置
し、ダイシングブレードとダイシングテーブルとの間の
導通の有無をチェックしながらダイシングブレードをダ
イシングテーブルに近づけて両者が接触したことを確認
した後、ダイシングブレードをダイシングテープの厚さ
に相当する距離だけダイシングテーブルから離して半導
体ウェーハのダイシングを開始する。
着された半導体ウェーハをダイシングテーブル上に載置
し、ダイシングブレードとダイシングテーブルとの間の
導通の有無をチェックしながらダイシングブレードをダ
イシングテーブルに近づけて両者が接触したことを確認
した後、ダイシングブレードをダイシングテープの厚さ
に相当する距離だけダイシングテーブルから離して半導
体ウェーハのダイシングを開始する。
【０００３】半導体ウェーハを何枚かダイシングする毎
にダイシングブレードとダイシングテーブルとの間の導
通チェックを実施するか、あるいは、ダイシングブレー
ドの摩耗量を計算により求めるかしてダイシングブレー
ドとダイシングテーブルとの間隔を調整し、ダイシング
時の切り込み量をコントロールする。
にダイシングブレードとダイシングテーブルとの間の導
通チェックを実施するか、あるいは、ダイシングブレー
ドの摩耗量を計算により求めるかしてダイシングブレー
ドとダイシングテーブルとの間隔を調整し、ダイシング
時の切り込み量をコントロールする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】半導体ウェーハを何枚
かダイシングする毎に導通チェックする方法は時間がか
ゝり、ダイシングの処理能率の低下を招く。また、計算
によってダイシングブレードの位置を調整する方法は、
ブレードによって摩耗量にばらつきがあるため切り込み
量を安定してコントロールすることができない。
かダイシングする毎に導通チェックする方法は時間がか
ゝり、ダイシングの処理能率の低下を招く。また、計算
によってダイシングブレードの位置を調整する方法は、
ブレードによって摩耗量にばらつきがあるため切り込み
量を安定してコントロールすることができない。
【０００５】本発明の目的は、これらの欠点を解消する
ことにあり、ダイシングの処理能率を低下させずにダイ
シング時の半導体ウェーハの切り込み量を安定してコン
トロールする方法を提供することにある。
ことにあり、ダイシングの処理能率を低下させずにダイ
シング時の半導体ウェーハの切り込み量を安定してコン
トロールする方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、ダイシン
グテープ（２）上に粘着された半導体ウェーハ（４）を
ダイシングブレード（５）をもってダイシングする工程
を有する半導体装置の製造方法において、前記のダイシ
ングテープ（２）上に導電層（６）を形成してこの導電
層（６）と前記のダイシングブレード（５）との間の導
通の有無をチェックし、この導通が無くなったときに前
記のダイシングブレード（５）をダイシングテーブル
（１）の方向に移動する半導体装置の製造方法によって
達成される。
グテープ（２）上に粘着された半導体ウェーハ（４）を
ダイシングブレード（５）をもってダイシングする工程
を有する半導体装置の製造方法において、前記のダイシ
ングテープ（２）上に導電層（６）を形成してこの導電
層（６）と前記のダイシングブレード（５）との間の導
通の有無をチェックし、この導通が無くなったときに前
記のダイシングブレード（５）をダイシングテーブル
（１）の方向に移動する半導体装置の製造方法によって
達成される。
【０００７】
【作用】ダイシングテープ２上に導電層６を形成し、こ
の導電層６の上面がダイシングテープ２上に塗布された
粘着材３の上面より僅かに低くなるようにしておき、ダ
イシング時にダイシングブレード５と導電層６との間の
導通が無くなった時にダイシングブレード５を導電層６
の厚さを越えない範囲内でダイシングテーブル１側に近
づければ、ダイシング時の半導体ウェーハの切り込みの
深さは導電層６の厚さの範囲内にコントロールされる。
の導電層６の上面がダイシングテープ２上に塗布された
粘着材３の上面より僅かに低くなるようにしておき、ダ
イシング時にダイシングブレード５と導電層６との間の
導通が無くなった時にダイシングブレード５を導電層６
の厚さを越えない範囲内でダイシングテーブル１側に近
づければ、ダイシング時の半導体ウェーハの切り込みの
深さは導電層６の厚さの範囲内にコントロールされる。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の一実施例に
係るダイシング方法について説明する。
係るダイシング方法について説明する。
【０００９】図１に本発明に係るダイシング方法の説明
図を示す。図において、１はダイシングテーブルであ
り、２はダイシングテープであり、３はテープの粘着材
であり、４はダイシングテープ２上に粘着材３をもって
粘着された半導体ウェーハであり、５はダイシングブレ
ードであり、６は本発明の要旨に係る導電層である。導
電層６は、例えば導電性金属の薄膜をダイシングテープ
２上に載置し、その上に粘着材３を塗布することによっ
て形成することができる。
図を示す。図において、１はダイシングテーブルであ
り、２はダイシングテープであり、３はテープの粘着材
であり、４はダイシングテープ２上に粘着材３をもって
粘着された半導体ウェーハであり、５はダイシングブレ
ードであり、６は本発明の要旨に係る導電層である。導
電層６は、例えば導電性金属の薄膜をダイシングテープ
２上に載置し、その上に粘着材３を塗布することによっ
て形成することができる。
【００１０】ダイシングブレード５を回転させ、図にお
いて左右に移動させながら半導体ウェーハ４をダイシン
グするが、この時ダイシングブレード５と導電層６との
間の導通の有無をチェックする。ダイシングブレード５
が摩耗して導電層６と接触しなくなり、ダイシングブレ
ード５と導電層６との間の導通が無くなったらダイシン
グブレード５をダイシングテーブル１の方向に近づけて
再びダイシングを開始する。以下、この動作を繰り返し
実行する。
いて左右に移動させながら半導体ウェーハ４をダイシン
グするが、この時ダイシングブレード５と導電層６との
間の導通の有無をチェックする。ダイシングブレード５
が摩耗して導電層６と接触しなくなり、ダイシングブレ
ード５と導電層６との間の導通が無くなったらダイシン
グブレード５をダイシングテーブル１の方向に近づけて
再びダイシングを開始する。以下、この動作を繰り返し
実行する。
【００１１】こゝで、導電層６の上面はダイシングテー
プ２上の粘着材３の上面より僅かに低くしておき、ま
た、ダイシングブレード５と導電層６との導通が無くな
った場合には導電層６の厚さを越えない範囲内でダイシ
ングブレード５をダイシングテーブル１の方向に近づけ
るようにすれば、ダイシング時の半導体ウェーハの切り
込み量を導電層６の厚さの範囲内に安定してコントロー
ルすることができる。
プ２上の粘着材３の上面より僅かに低くしておき、ま
た、ダイシングブレード５と導電層６との導通が無くな
った場合には導電層６の厚さを越えない範囲内でダイシ
ングブレード５をダイシングテーブル１の方向に近づけ
るようにすれば、ダイシング時の半導体ウェーハの切り
込み量を導電層６の厚さの範囲内に安定してコントロー
ルすることができる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係る半導
体装置の製造方法においては、ダイシングテープ上に導
電層を形成し、ダイシングブレードと導電層との導通の
有無をチェックしながら半導体ウェーハをダイシングす
るので、ダイシング処理能率を低下させることなくダイ
シング時の半導体ウェーハの切り込み量を安定してコン
トロールすることが可能になり、切り込み量のばらつき
による半導体チップ背面の欠けや、半導体チップとダイ
シングテープとの密着力のばらつきの発生が改善され
る。
体装置の製造方法においては、ダイシングテープ上に導
電層を形成し、ダイシングブレードと導電層との導通の
有無をチェックしながら半導体ウェーハをダイシングす
るので、ダイシング処理能率を低下させることなくダイ
シング時の半導体ウェーハの切り込み量を安定してコン
トロールすることが可能になり、切り込み量のばらつき
による半導体チップ背面の欠けや、半導体チップとダイ
シングテープとの密着力のばらつきの発生が改善され
る。
【図１】本発明に係るダイシング方法の説明図である。
１ ダイシングテーブル ２ ダイシングテープ ３ 粘着材 ４ 半導体ウェーハ ５ ダイシングブレード ６ 導電層
Claims (1)
- 【請求項１】 ダイシングテープ（２）上に粘着された
半導体ウェーハ（４）をダイシングブレード（５）をも
ってダイシングする工程を有する半導体装置の製造方法
において、 前記ダイシングテープ（２）上に導電層（６）を形成し
て該導電層（６）と前記ダイシングブレード（５）との
間の導通の有無をチェックし、該導通が無くなったとき
に前記ダイシングブレード（５）をダイシングテーブル
（１）の方向に移動することを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31907191A JPH05160257A (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31907191A JPH05160257A (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05160257A true JPH05160257A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18106177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31907191A Withdrawn JPH05160257A (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05160257A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001082351A1 (en) * | 2000-04-26 | 2001-11-01 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | A method of forming a conductive coating on a semiconductor device |
-
1991
- 1991-12-03 JP JP31907191A patent/JPH05160257A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001082351A1 (en) * | 2000-04-26 | 2001-11-01 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | A method of forming a conductive coating on a semiconductor device |
| US6551912B2 (en) | 2000-04-26 | 2003-04-22 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Method of forming a conductive coating on a semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990311 |