JP2012121106A - 切削方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 切削開始時に切削ブレードが逃げたり蛇行することを防止可能な円形被加工物の切削方法を提供することである。
【解決手段】 円板状の被加工物を切削ブレードで切削する切削方法であって、被加工物の上面側から該切削ブレードを回転させつつ被加工物の外周部に所定の深さで切り込ませる切込みステップと、被加工物に所定深さで切り込んだ状態の該切削ブレードと被加工物とを相対移動させて、被加工物を該切削ブレードで切削する切削ステップと、を具備したことを特徴とする。
【選択図】図8
【解決手段】 円板状の被加工物を切削ブレードで切削する切削方法であって、被加工物の上面側から該切削ブレードを回転させつつ被加工物の外周部に所定の深さで切り込ませる切込みステップと、被加工物に所定深さで切り込んだ状態の該切削ブレードと被加工物とを相対移動させて、被加工物を該切削ブレードで切削する切削ステップと、を具備したことを特徴とする。
【選択図】図8
Description
本発明は、略円板状の被加工物を切削ブレードで切削する切削方法に関する。
半導体ウエーハ等のウエーハを個々のデバイスに分割する切削装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持されたウエーハの切削予定ラインを切削する切削ブレードを回転可能に支持した切削手段とを具備しており、ウエーハを高精度に個々のデバイスに分割することができる。
切削手段は、例えばスピンドルを回転駆動するスピンドルユニットと、スピンドルの先端に取り付けられたブレードマウントと、このブレードマウントに装着された薄い切刃を有する切削ブレードと、切削ブレードをブレードマウントに固定する固定ナットとから構成される。
このような切削装置で、サファイアウエーハ、ガラスウエーハ、SiCウエーハや水晶ウエーハ等の円板状の被加工物を切削ブレードで切削する際、ウエーハの外周の切り始め部分において切削ブレードが蛇行したり、逃げたりすることがある。
特に円板状被加工物の厚みが厚い場合には、切削ブレードの刃先出し量を多くする必要があるため、切り始め部分において切削ブレードの蛇行や逃げが顕著に発生する。また、円板状被加工物が難切削材である場合も同様である。
このように切り始め部分において切削ブレードが逃げたり蛇行すると、円板状被加工物や切削ブレードの破損を招くため問題である。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、切り始め部分において切削ブレードが逃げたり蛇行することを防止可能な円板状被加工物の切削方法を提供することである。
本発明によると、円板状の被加工物を切削ブレードで切削する切削方法であって、被加工物の上面側から該切削ブレードを回転させつつ被加工物の外周部に所定の深さで切り込ませる切込みステップと、被加工物に所定深さで切り込んだ状態の該切削ブレードと被加工物とを相対移動させて、被加工物を該切削ブレードで切削する切削ステップと、を具備したことを特徴とする切削方法が提供される。
本発明の切削方法によると、円板状被加工物の外周外側から切削ブレードを被加工物に対して切り込ませるのではなく、被加工物の上面側から切削ブレードを被加工物に切り込ませるため、切削開始時に切削ブレードの逃げや蛇行が防止され、被加工物や切削ブレードの破損を抑制することができる。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明の切削方法を実施するのに適した切削装置2の外観斜視図が示されている。
切削装置2の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作手段4が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像手段によって撮像された画像が表示されるCRT等の表示手段6が設けられている。
図2に示すように、切削対象のサファイアウエーハ(光デバイスウエーハ)Wの表面においては、オリエンテーションフラット(オリフラ)11と平行な第1方向に伸長する第1のストリート(切削予定ライン)S1と第1方向に直交する第2方向に伸長する第2のストリート(切削予定ライン)S2とが直交して形成されており、第1のストリートS1と第2のストリートS2とによって区画された各領域に光デバイスDが形成されている。
図3に示すように、サファイアウエーハWは粘着テープであるダイシングテープTに貼着され、ダイシングテープTの外周縁部は環状フレームFに貼着されている。これにより、サファイアウエーハWはダイシングテープTを介してフレームFに支持された状態となり、図1に示したウエーハカセット8中にウエーハが複数枚(例えば25枚)収容される。ウエーハカセット8は上下動可能なカセットエレベータ9上に載置される。
ウエーハカセット8の後方には、ウエーハカセット8から切削前のウエーハWを搬出するとともに、切削後のウエーハをウエーハカセット8に搬入する搬出入手段10が配設されている。ウエーハカセット8と搬出入手段10との間には、搬出入対象のウエーハが一時的に載置される領域である仮置き領域12が設けられており、仮置き領域12には、ウエーハWを一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段14が配設されている。
仮置き領域12の近傍には、ウエーハWと一体となったフレームFを吸着して搬送する旋回アームを有する搬送手段16が配設されており、仮置き領域12に搬出されたウエーハWは、搬送手段16により吸着されてチャックテーブル18上に搬送され、このチャックテーブル18に吸引されるとともに、複数のクランプ19によりフレームFが固定されることでチャックテーブル18上に保持される。
チャックテーブル18は、回転可能且つX軸方向に往復動可能に構成されており、チャックテーブル18のX軸方向の移動経路の上方には、ウエーハWの切削すべきストリートを検出するアライメント手段20が配設されている。
アライメント手段20は、ウエーハWの表面を撮像する撮像手段22を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の処理によって切削すべきストリートを検出することができる。撮像手段22によって取得された画像は、表示手段6に表示される。
アライメント手段20の左側には、チャックテーブル18に保持されたウエーハWに対して切削加工を施す切削手段24が配設されている。切削手段24はアライメント手段20と一体的に構成されており、両者が連動してY軸方向及びZ軸方向に移動する。
切削手段24は、回転可能なスピンドル26の先端に切削ブレード28が装着されて構成され、Y軸方向及びZ軸方向に移動可能となっている。切削ブレード28は撮像手段22のX軸方向の延長線上に位置している。
切削の終了したウエーハWは搬送手段25により吸着されてスピンナ洗浄装置27まで搬送される。スピンナ洗浄装置27では、切削の終了したウエーハWがスピン洗浄されるとともにスピン乾燥される。
図4を参照すると、スピンドルと、スピンドルに装着されるブレードマウントとの関係を示す分解斜視図が示されている。スピンドルユニット30のスピンドルハウジング32中には、図示しないサーボモータにより回転駆動されるスピンドル26が回転可能に収容されている。スピンドル26はテーパ部26a及び先端小径部26bを有しており、先端小径部26bには雄ねじ34が形成されている。
36はボス部(凸部)38と、ボス部38と一体的に形成された固定フランジ40とから構成されるブレードマウントであり、ボス部38には雄ねじ42が形成されている。さらに、ブレードマウント36は装着穴43を有している。
ブレードマウント36は、装着穴43をスピンドル26の先端小径部26b及びテーパ部26aに挿入して、ナット44を雄ねじ34に螺合して締め付けることにより、図5に示すようにスピンドル26の先端部に取り付けられる。
図5はブレードマウント36が固定されたスピンドル26と、切削ブレード28との装着関係を示す分解斜視図である。切削ブレード28はハブブレードと呼ばれ、円形ハブ48を有する円形基台46の外周にニッケル母材中にダイヤモンド砥粒が分散された切刃50が電着されて構成されている。
切削ブレード28の装着穴52をブレードマウント36のボス部38に挿入し、固定ナット54をボス部38の雄ねじ42に螺合して締め付けることにより、図6に示すように切削ブレード28がスピンドル26に取り付けられる。
図7(A)を参照すると、図2に示したようなオリフラ11及び表面にパターンを有しないウエーハW´の平面図が示されている。このようにオリフラもパターンも有しないウエーハW´に対しては、図7(B)に示すように、切り出すチップのサイズに合わせて第1方向と平行な第1のストリート(切削予定ライン)S1と第1方向と直交する第2方向と平行な第2のストリート(切削予定ライン)S2とを切削装置2のコントローラのメモリ上に設定する。
次に、図8及び図9を参照して、本発明実施形態の切削方法について説明する。本実施形態の切削方法は、図8(A)に示すように、サファイアウエーハWの上面側から切削ブレード28を矢印R方向に例えば40000rpmの高速で回転させつつ、切削ブレード28を矢印Z方向に下ろしサファイアウエーハWの厚さ方向の途中まで所定の深さで切り込ませる切込みステップを含んでいる。この切り込みステップは非常に低速で、例えば0.1〜0.3mm/秒の速度で切削ブレード28を矢印Z方向に移動して実施する。
切り込みステップ実施後、図8(B)に示すように、切削ブレード28がサファイアウエーハWに所定深さまで切り込んだ状態で切削ブレード28とサファイアウエーハWとを矢印X1方向に相対移動させて、サファイアウエーハWを第1のストリートS1に沿って切削する切削ステップを実施する。
一本の第1のストリートS1に沿っての切削が終了すると、切削ブレード28をストリートピッチずつY軸方向に移動して、上述した切り込みステップ及び切削ステップを繰り返して、図9に示すように第1方向に伸長する全ての第1のストリートS1に沿って切削溝60を形成する。
次いで、チャックテーブル18を90度回転してから、第2方向に伸長する全ての第2のストリートS2に沿って上述した切り込みステップ及び切削ステップを実施して、第2方向に伸長する全ての第2のストリートS2に沿って同様な切削溝60を形成する。
このように切り込みステップ及び切削ステップからなる切削方法により、全ての第1のストリートS1及び第2のストリートS2に沿って切削溝60を形成後、ブレーキング装置を使用してサファイアウエーハWに外力を付与することにより、切削溝60に沿ってサファイアウエーハWを個々の光デバイスDに割断することができる。
上述した本発明実施形態の切削方法によると、サファイアウエーハWの外周の外側から切削ブレード28をサファイアウエーハWに対して切り込ませるのではなく、サファイアウエーハWの表面側から切削ブレード28をサファイアウエーハWの外周部に切り込ませるため、切削開始時に切削ブレード28の逃げや蛇行が防止され、サファイアウエーハWや切削ブレード28の破損を抑制することができる。
上述した実施形態では、切削ブレード28として外周部分に切刃50を有するハブブレードを使用する例について説明したが、ガラスウエーハや水晶ウエーハを切削するのに適した全体が切刃から構成されるワッシャータイプの切削ブレードを使用した場合についても、本発明の切削方法を同様に適用することができる。
更に、上述した実施形態では、切削ブレード28でサファイアウエーハW等の円板状被加工物を不完全切断する例について説明したが、完全切断する場合にも本発明の切削方法は同様に適用可能である。
W サファイアウエーハ
S1 第1のストリート(切削予定ライン)
S2 第2のストリート(切削予定ライン)
D 光デバイス
2 切削装置
11 オリエンテーションフラット
18 チャックテーブル
28 切削ブレード
S1 第1のストリート(切削予定ライン)
S2 第2のストリート(切削予定ライン)
D 光デバイス
2 切削装置
11 オリエンテーションフラット
18 チャックテーブル
28 切削ブレード
Claims (1)
- 円板状の被加工物を切削ブレードで切削する切削方法であって、
被加工物の上面側から該切削ブレードを回転させつつ被加工物の外周部に所定の深さで切り込ませる切込みステップと、
被加工物に所定深さで切り込んだ状態の該切削ブレードと被加工物とを相対移動させて、被加工物を該切削ブレードで切削する切削ステップと、
を具備したことを特徴とする切削方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010274788A JP2012121106A (ja) | 2010-12-09 | 2010-12-09 | 切削方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2010274788A JP2012121106A (ja) | 2010-12-09 | 2010-12-09 | 切削方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2012121106A true JP2012121106A (ja) | 2012-06-28 |
Family
ID=46503126
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010274788A Pending JP2012121106A (ja) | 2010-12-09 | 2010-12-09 | 切削方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2012121106A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0590406A (ja) * | 1991-09-26 | 1993-04-09 | Nec Corp | 半導体ウエハのダイシング方法 |
JPH0729857A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-01-31 | Nec Yamaguchi Ltd | 半導体ウェハのダイシング方法 |
JP2002043254A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-08 | Hitachi Ltd | ダイシング装置及びダイシング方法 |
-
2010
- 2010-12-09 JP JP2010274788A patent/JP2012121106A/ja active Pending
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