JPH04272924A - 芳香族ポリエーテルケトンおよびその製造方法 - Google Patents
芳香族ポリエーテルケトンおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高いガラス転移温度と
優れた耐熱性を有する芳香族ポリエーテルケトンおよび
その製造方法に関する。
優れた耐熱性を有する芳香族ポリエーテルケトンおよび
その製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、芳香族ポリエーテルケトンとして
は、ハロゲン化ベンゾフェノンとヒドロキノンの2つの
モノマーを用いた求核芳香族置換型溶液重縮合反応(特
公昭60−32642号公報等)により製造される、1
つの繰り返し単位中に2つのエーテル基と1つのケトン
基を持つポリエーテルエーテルケトンがよく知られてい
る。
は、ハロゲン化ベンゾフェノンとヒドロキノンの2つの
モノマーを用いた求核芳香族置換型溶液重縮合反応(特
公昭60−32642号公報等)により製造される、1
つの繰り返し単位中に2つのエーテル基と1つのケトン
基を持つポリエーテルエーテルケトンがよく知られてい
る。
【0003】また、1つの分子中に求核攻撃をする部位
とそれを受ける部位を持ったモノマーの求核芳香族置換
型溶液重縮合反応を利用して、1つの繰り返し単位中に
エーテル基、ケトン基を1つずつ持つポリエーテルケト
ンを合成している例(特公昭47−617号公報等)も
ある。
とそれを受ける部位を持ったモノマーの求核芳香族置換
型溶液重縮合反応を利用して、1つの繰り返し単位中に
エーテル基、ケトン基を1つずつ持つポリエーテルケト
ンを合成している例(特公昭47−617号公報等)も
ある。
【0004】また、芳香族ポリエーテルケトンを合成す
るためには、上述した求核芳香族置換型溶液重縮合反応
の他に、親電子芳香族置換反応を利用することもよく知
られている。
るためには、上述した求核芳香族置換型溶液重縮合反応
の他に、親電子芳香族置換反応を利用することもよく知
られている。
【0005】その例として、フッ化水素/三フッ化ホウ
素を用いる方法によるポリエーテルケトンケトン(特公
昭46−3392、47−31440号公報等)、ルイ
ス酸を用いる方法によるポリエーテルケトンケトン(特
開昭59−159826号公報)、ポリリン酸を用いる
方法によるポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテル
ケトン(高分子、17、130(1968))、トリフ
ルオロアルカンスルホン酸を用いる方法によるポリエー
テルケトンケトン(特開昭58−208320、Pol
ymer、29、1902(1988))、五酸化二り
んとメタンスルホン酸の混合物を用いる方法によるポリ
エーテルエーテルケトン(特開昭59−135224号
公報)、トリフルオロメタンスルホン酸を用いる方法に
よるポリエーテルエーテルケトン(特開昭58−208
320号公報)等がある。
素を用いる方法によるポリエーテルケトンケトン(特公
昭46−3392、47−31440号公報等)、ルイ
ス酸を用いる方法によるポリエーテルケトンケトン(特
開昭59−159826号公報)、ポリリン酸を用いる
方法によるポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテル
ケトン(高分子、17、130(1968))、トリフ
ルオロアルカンスルホン酸を用いる方法によるポリエー
テルケトンケトン(特開昭58−208320、Pol
ymer、29、1902(1988))、五酸化二り
んとメタンスルホン酸の混合物を用いる方法によるポリ
エーテルエーテルケトン(特開昭59−135224号
公報)、トリフルオロメタンスルホン酸を用いる方法に
よるポリエーテルエーテルケトン(特開昭58−208
320号公報)等がある。
【0006】そして、これらの芳香族ポリエーテルケト
ンはその優れた耐熱性、強靭性、耐薬品性、耐放射線性
を生かし、ケーブルワイヤ被覆分野、成型品分野、フィ
ルム分野、ファイバーフィラメント分野など様々な分野
における用途開発が進んでいる。
ンはその優れた耐熱性、強靭性、耐薬品性、耐放射線性
を生かし、ケーブルワイヤ被覆分野、成型品分野、フィ
ルム分野、ファイバーフィラメント分野など様々な分野
における用途開発が進んでいる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のポリエ
ーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトン等は、部分
結晶性のポリマーであり、その結晶融点は300℃以上
と高いものの、ガラス転移温度は140〜150℃程度
であり、150℃以上の高温条件で使用する際の力学特
性が低いという問題があった。
ーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトン等は、部分
結晶性のポリマーであり、その結晶融点は300℃以上
と高いものの、ガラス転移温度は140〜150℃程度
であり、150℃以上の高温条件で使用する際の力学特
性が低いという問題があった。
【0008】本発明は、以上の問題点を解決しガラス転
移温度が高く、高温条件下であっても力学特性が高い芳
香族ポリエーテルケトンを提供することを目的とする。
移温度が高く、高温条件下であっても力学特性が高い芳
香族ポリエーテルケトンを提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、芳香族ポ
リエーテルケトンが本来持つ高い熱安定性、機械的強度
に加え高いガラス転移温度を有し、高温条件下で好適に
使用できる芳香族ポリエーテルケトンを開発するための
鋭意検討を重ねた。その結果、一般式
リエーテルケトンが本来持つ高い熱安定性、機械的強度
に加え高いガラス転移温度を有し、高温条件下で好適に
使用できる芳香族ポリエーテルケトンを開発するための
鋭意検討を重ねた。その結果、一般式
【0010】
【化4】
【0011】(式中、Rはアルキル基を、mは整数を表
す) で表されるジアルコキシジフェニルエーテル(m=0)
、又はビス(アルコキシフェノキシ)ベンゼン(m=1
)、又は両端にアルコキシ置換基を持つポリフェニレン
オキシド(m≧2)と、一般式
す) で表されるジアルコキシジフェニルエーテル(m=0)
、又はビス(アルコキシフェノキシ)ベンゼン(m=1
)、又は両端にアルコキシ置換基を持つポリフェニレン
オキシド(m≧2)と、一般式
【0012】
【化5】
【0013】(式中、Arは2価の芳香族残基を、Xは
水酸基あるいはハロゲン原子を表す) で表される芳香族ジカルボン酸又は芳香族ジカルボン酸
ジハライドとを反応させることにより得られるポリマー
が、上記の目的を達成することを見いだし、本発明を完
成させるに至った。
水酸基あるいはハロゲン原子を表す) で表される芳香族ジカルボン酸又は芳香族ジカルボン酸
ジハライドとを反応させることにより得られるポリマー
が、上記の目的を達成することを見いだし、本発明を完
成させるに至った。
【0014】すなわち本発明の芳香族ポリエーテルケト
ンは、一般式
ンは、一般式
【0015】
【化6】
【0016】(式中、Rはアルキル基を、mは整数を、
Arは2価の芳香族残基を表す) で表される繰り返し単位から構成されている。
Arは2価の芳香族残基を表す) で表される繰り返し単位から構成されている。
【0017】また、本発明の芳香族ポリエーテルケトン
の製造方法は、一般式
の製造方法は、一般式
【0018】
【化7】
【0019】(式中、Rはアルキル基を、mは整数を表
す) で表されるジアルコキシジフェニルエーテル(m=0)
、又はビス(アルコキシフェノキシ)ベンゼン(m=1
)、又は両端にアルコキシ置換基を持つポリフェニレン
オキシド(m≧2)と、一般式
す) で表されるジアルコキシジフェニルエーテル(m=0)
、又はビス(アルコキシフェノキシ)ベンゼン(m=1
)、又は両端にアルコキシ置換基を持つポリフェニレン
オキシド(m≧2)と、一般式
【0020】
【化8】
【0021】(式中、Arは2価の芳香族残基を、Xは
水酸基あるいはハロゲン原子を表す) で表される芳香族ジカルボン酸又は芳香族ジカルボン酸
ジハライドとを反応させ、芳香族ポリエーテルケトンを
製造することを特徴とする芳香族ポリエーテルケトンの
製造方法である。
水酸基あるいはハロゲン原子を表す) で表される芳香族ジカルボン酸又は芳香族ジカルボン酸
ジハライドとを反応させ、芳香族ポリエーテルケトンを
製造することを特徴とする芳香族ポリエーテルケトンの
製造方法である。
【0022】本発明の原料単量体である一般式
【002
3】
3】
【化9】
【0024】(式中、Rはアルキル基を、mは整数を表
す) で表されるジアルコキシジフェニルエーテル(m=0)
およびビス(アルコキシフェノキシ)ベンゼン(m=1
)は、いずれも公知の化合物であるが、ジアルコキシジ
フェニルエーテルはアルコキシフェノールとアルコキシ
ハロゲン化ベンゼンを、ビス(アルコキシフェノキシ)
ベンゼンはジハロゲン化ベンゼンとアルコキシハロゲン
化ベンゼンを、銅または銅塩の存在下で反応させれば容
易に得ることができる(Ullmann反応;Org.
Synth. Coll.Vol. III, 56
6(1955), Org. Synth. Coll
. Vol. II, 445(1943)などを参照
)。
す) で表されるジアルコキシジフェニルエーテル(m=0)
およびビス(アルコキシフェノキシ)ベンゼン(m=1
)は、いずれも公知の化合物であるが、ジアルコキシジ
フェニルエーテルはアルコキシフェノールとアルコキシ
ハロゲン化ベンゼンを、ビス(アルコキシフェノキシ)
ベンゼンはジハロゲン化ベンゼンとアルコキシハロゲン
化ベンゼンを、銅または銅塩の存在下で反応させれば容
易に得ることができる(Ullmann反応;Org.
Synth. Coll.Vol. III, 56
6(1955), Org. Synth. Coll
. Vol. II, 445(1943)などを参照
)。
【0025】ジアルコキシジフェニルエーテルとしては
、2,2’−ジアルコキシジフェニルエーテル、3,3
’−ジアルコキシジフェニルエーテル、4,4’−ジア
ルコキシジフェニルエーテルがある。そして、アルコキ
シとしては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、1−プ
ロポキシ基、2−プロポキシ基、2−メチル−1−プロ
ポキシ基、2−メチル−2−プロポキシ基、1−ブトキ
シ基、2−ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキソキシ基、
ヘプトキシ基、オクトキシ基がある。これらのジアルコ
キシジフェニルエーテルはいずれも用いることができる
が、高分子量の芳香族ポリエーテルケトンを得るために
は、アシルカチオンの親電子的な攻撃に対する立体障害
が少ないので、2,2’−ジアルコキシジフェニルエー
テルが好ましい。また、アルコキシ基も立体障害の少な
い炭素数1〜5程度のものが好ましい。
、2,2’−ジアルコキシジフェニルエーテル、3,3
’−ジアルコキシジフェニルエーテル、4,4’−ジア
ルコキシジフェニルエーテルがある。そして、アルコキ
シとしては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、1−プ
ロポキシ基、2−プロポキシ基、2−メチル−1−プロ
ポキシ基、2−メチル−2−プロポキシ基、1−ブトキ
シ基、2−ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキソキシ基、
ヘプトキシ基、オクトキシ基がある。これらのジアルコ
キシジフェニルエーテルはいずれも用いることができる
が、高分子量の芳香族ポリエーテルケトンを得るために
は、アシルカチオンの親電子的な攻撃に対する立体障害
が少ないので、2,2’−ジアルコキシジフェニルエー
テルが好ましい。また、アルコキシ基も立体障害の少な
い炭素数1〜5程度のものが好ましい。
【0026】ビス(アルコキシフェノキシ)ベンゼンと
しては、1,4−ビス(2−アルコキシフェキシ)ベン
ゼン、1,3−ビス(2−アルコキシフェノキシ)ベン
ゼン、1,2−ビス(2−アルコキシフェノキシ)ベン
ゼン、1,4−ビス(3−アルコキシフェノキシ)ベン
ゼン、1,3−ビス(3−アルコキシフェノキシ)ベン
ゼン、1,2−ビス(3−アルコキシフェノキシ)ベン
ゼン、1,4−ビス(4−アルコキシフェノキシ)ベン
ゼン、1,3−ビス(4−アルコキシフェノキシ)ベン
ゼン、1,2−ビス(4−アルコキシフェノキシ)ベン
ゼンがある。そして、アルコキシとしては、例えば、メ
トキシ基、エトキシ基、1−プロポキシ基、2−プロポ
キシ基、2−メチル−1−プロポキシ基、2−メチル−
2−プロポキシ基、1−プトキシ基、2−プトキシ基、
ペントキシ基、ヘキソキシ基、ヘプトキシ基、オクトキ
シ基がある。これらのビス(アルコキシフェノキシ)ベ
ンゼンはいずれも用いることができるが、高分子量の芳
香族ポリエーテルケトンを得るためには、アシルカチオ
ンの親電子的な攻撃に対する立体障害が少ないので、1
,4−ビス(2−アルコキシフェノキシ)ベンゼン、1
,3−ビス(2−アルコキシフェノキシ)ベンゼンが好
ましい。また、アルコキシ基も立体障害の少ないRの炭
素数1〜5程度のものが好ましい。
しては、1,4−ビス(2−アルコキシフェキシ)ベン
ゼン、1,3−ビス(2−アルコキシフェノキシ)ベン
ゼン、1,2−ビス(2−アルコキシフェノキシ)ベン
ゼン、1,4−ビス(3−アルコキシフェノキシ)ベン
ゼン、1,3−ビス(3−アルコキシフェノキシ)ベン
ゼン、1,2−ビス(3−アルコキシフェノキシ)ベン
ゼン、1,4−ビス(4−アルコキシフェノキシ)ベン
ゼン、1,3−ビス(4−アルコキシフェノキシ)ベン
ゼン、1,2−ビス(4−アルコキシフェノキシ)ベン
ゼンがある。そして、アルコキシとしては、例えば、メ
トキシ基、エトキシ基、1−プロポキシ基、2−プロポ
キシ基、2−メチル−1−プロポキシ基、2−メチル−
2−プロポキシ基、1−プトキシ基、2−プトキシ基、
ペントキシ基、ヘキソキシ基、ヘプトキシ基、オクトキ
シ基がある。これらのビス(アルコキシフェノキシ)ベ
ンゼンはいずれも用いることができるが、高分子量の芳
香族ポリエーテルケトンを得るためには、アシルカチオ
ンの親電子的な攻撃に対する立体障害が少ないので、1
,4−ビス(2−アルコキシフェノキシ)ベンゼン、1
,3−ビス(2−アルコキシフェノキシ)ベンゼンが好
ましい。また、アルコキシ基も立体障害の少ないRの炭
素数1〜5程度のものが好ましい。
【0027】もう一方の原料単量体は、一般式
【002
8】
8】
【化10】
【0029】(式中、Arは2価の芳香族残基を、Xは
水酸基あるいはハロゲン電子を表す) で表される芳香族ジカルボン酸又は芳香族ジカルボン酸
ジハライドであり、この芳香族ジカルボン酸としては、
例えばテレフタル酸、イソフタル酸、4,4’−オキシ
ビス安息香酸、4,4’−ビフェニルジカルボン酸、3
,3’−オキシビス安息香酸、3,3’−ビフェニルジ
カルボン酸、2,6−ナフタレンジカルボン酸等があり
、芳香族ジカルギン酸ジハライドは前記の芳香族ジカル
ボン酸の酸クロリドあるいは酸ブロミド等がある。
水酸基あるいはハロゲン電子を表す) で表される芳香族ジカルボン酸又は芳香族ジカルボン酸
ジハライドであり、この芳香族ジカルボン酸としては、
例えばテレフタル酸、イソフタル酸、4,4’−オキシ
ビス安息香酸、4,4’−ビフェニルジカルボン酸、3
,3’−オキシビス安息香酸、3,3’−ビフェニルジ
カルボン酸、2,6−ナフタレンジカルボン酸等があり
、芳香族ジカルギン酸ジハライドは前記の芳香族ジカル
ボン酸の酸クロリドあるいは酸ブロミド等がある。
【0030】以上のモノマーは市販品をそのまま用いて
もよいが、適当な溶媒での再結晶等で精製した状態で用
いるのが好ましい。
もよいが、適当な溶媒での再結晶等で精製した状態で用
いるのが好ましい。
【0031】ジアルコキシジフェニルエーテル又はビス
(アルコキシフェノキシ)ベンゼンと芳香族ジカルボン
酸又は芳香族ジカルボン酸ジハライドとの仕込み比は、
ジアルコキシジフェニルエーテル又はビス(アルコキシ
フェノキシ)ベンゼン1モルに対し、芳香族ジカルボン
酸又は芳香族ジカルボン酸ジハライド0.95〜1.0
5モルの範囲が好ましく、特に0.97〜1.01モル
の範囲が好ましい。
(アルコキシフェノキシ)ベンゼンと芳香族ジカルボン
酸又は芳香族ジカルボン酸ジハライドとの仕込み比は、
ジアルコキシジフェニルエーテル又はビス(アルコキシ
フェノキシ)ベンゼン1モルに対し、芳香族ジカルボン
酸又は芳香族ジカルボン酸ジハライド0.95〜1.0
5モルの範囲が好ましく、特に0.97〜1.01モル
の範囲が好ましい。
【0032】本発明の芳香族ポリエーテルケトンを得る
には、公知の親電子芳香族置換反応を利用することがで
きる。その方法としては、例えば、フッ化水素/三フッ
化ホウ素を用いる方法(特公昭46−3392、47−
31440号公報等)、ルイス酸を用いる方法(特開昭
59−159826号公報等)、ポリリン酸を用いる方
法(高分子、17、130(1968))、トリフルオ
ロアルカンスルホン酸を用いる方法(特開昭58−20
8320号公報・Polymer、29、1902(1
988))、五酸化二りんとメタンスルホン酸の混合物
を用いる方法(特開昭59−135224号公報)、ト
リフルオロメタンスルホン酸を用いる方法(特開昭58
−208320号公報)等がある。
には、公知の親電子芳香族置換反応を利用することがで
きる。その方法としては、例えば、フッ化水素/三フッ
化ホウ素を用いる方法(特公昭46−3392、47−
31440号公報等)、ルイス酸を用いる方法(特開昭
59−159826号公報等)、ポリリン酸を用いる方
法(高分子、17、130(1968))、トリフルオ
ロアルカンスルホン酸を用いる方法(特開昭58−20
8320号公報・Polymer、29、1902(1
988))、五酸化二りんとメタンスルホン酸の混合物
を用いる方法(特開昭59−135224号公報)、ト
リフルオロメタンスルホン酸を用いる方法(特開昭58
−208320号公報)等がある。
【0033】これらの中で好ましく用いられる方法は、
五酸化二りんとメタンスルホン酸の混合物を縮合剤とし
て用いる方法、トリフルオロメタンスルホン酸を縮合剤
として用いる方法およびルイス酸を用いる方法である。 ただし、ルイス酸触媒による溶液重縮合による方法では
、芳香族ジカルボン酸ジハライドではポリマーを得るこ
とができるが、芳香族ジカルボン酸では得ることができ
ない。したがって、ルイス酸を用いる方法は、芳香族ジ
カルボン酸には使用できない。
五酸化二りんとメタンスルホン酸の混合物を縮合剤とし
て用いる方法、トリフルオロメタンスルホン酸を縮合剤
として用いる方法およびルイス酸を用いる方法である。 ただし、ルイス酸触媒による溶液重縮合による方法では
、芳香族ジカルボン酸ジハライドではポリマーを得るこ
とができるが、芳香族ジカルボン酸では得ることができ
ない。したがって、ルイス酸を用いる方法は、芳香族ジ
カルボン酸には使用できない。
【0034】トリフルオロメタンスルホン酸は市販品を
そのまま用いることができる。五酸化二りんとメタンス
ルホン酸の混合物は市販品(東京化成製)を用いてもよ
いし、新たに調製したものを用いてもよい。調製する場
合、五酸化二りん1重量部に対しメタンスルホン酸8〜
20重量部の範囲で混合したものを用いることができる
が、好ましくは五酸化二りん1重量部に対しメタンスル
ホン酸9〜11重量部の範囲で混合したものである。メ
タンスルホン酸は市販品をそのまま用いることができる
が、脱水処理後減圧蒸留して精製したものを用いてもよ
い。
そのまま用いることができる。五酸化二りんとメタンス
ルホン酸の混合物は市販品(東京化成製)を用いてもよ
いし、新たに調製したものを用いてもよい。調製する場
合、五酸化二りん1重量部に対しメタンスルホン酸8〜
20重量部の範囲で混合したものを用いることができる
が、好ましくは五酸化二りん1重量部に対しメタンスル
ホン酸9〜11重量部の範囲で混合したものである。メ
タンスルホン酸は市販品をそのまま用いることができる
が、脱水処理後減圧蒸留して精製したものを用いてもよ
い。
【0035】縮合剤の量は、原料を溶解しうる量であれ
ば特に限定されないが、通常、原料1重量部に対し縮合
剤5〜20重量部の範囲である。
ば特に限定されないが、通常、原料1重量部に対し縮合
剤5〜20重量部の範囲である。
【0036】そして、芳香族ポリエーテルケトンを製造
するには、まず上述した原料を縮合剤に溶解せしめ、所
定温度で所定時間反応を継続させる。反応温度は、原料
により好ましい温度範囲が異なるが、通常0〜140℃
の範囲で行なわれる。反応の途中で昇温又は降温しても
よい。反応時間は、通常、2〜100時間の範囲である
。
するには、まず上述した原料を縮合剤に溶解せしめ、所
定温度で所定時間反応を継続させる。反応温度は、原料
により好ましい温度範囲が異なるが、通常0〜140℃
の範囲で行なわれる。反応の途中で昇温又は降温しても
よい。反応時間は、通常、2〜100時間の範囲である
。
【0037】所定時間反応を行なった後に内容物を水、
あるいは塩基性水溶液中に滴下することにより反応を停
止させる。内容物が粘稠な場合、適当な溶媒で内容物を
稀釈してもよい。塩基性水溶液の種類は特に限定されな
いが、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリ
ウム、炭酸水素カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム等がある。生成した重合物は細かく粉砕した後、
水、塩基性水溶液中及びメタノール、アセトン等の有機
溶媒中で数回加熱洗浄することにより又は適当な溶媒に
溶かして再沈殿処理をすることにより残存した縮合剤を
除くことができる。そして、さらに減圧下で数時間加熱
乾燥することにより目的の芳香族ポリエーテルケトンを
得ることができる。
あるいは塩基性水溶液中に滴下することにより反応を停
止させる。内容物が粘稠な場合、適当な溶媒で内容物を
稀釈してもよい。塩基性水溶液の種類は特に限定されな
いが、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリ
ウム、炭酸水素カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム等がある。生成した重合物は細かく粉砕した後、
水、塩基性水溶液中及びメタノール、アセトン等の有機
溶媒中で数回加熱洗浄することにより又は適当な溶媒に
溶かして再沈殿処理をすることにより残存した縮合剤を
除くことができる。そして、さらに減圧下で数時間加熱
乾燥することにより目的の芳香族ポリエーテルケトンを
得ることができる。
【0038】ルイス酸を用いる溶液重縮合においては、
ルイス酸として、例えば、無水三塩化アルミニウム、無
水三臭化アルミニウム、四塩化チタン、四塩化錫、塩化
第二鉄、五塩化アンチモン、塩化亜鉛があるが、必ずし
もこれらに限定されるものではない。これらの中では無
水三塩化アルミニウムが反応性及びコストの点でもっと
も好ましい。これらルイス酸の使用量は原料の酸ハライ
ドに対しモル比で2.0〜6の範囲が好ましい。
ルイス酸として、例えば、無水三塩化アルミニウム、無
水三臭化アルミニウム、四塩化チタン、四塩化錫、塩化
第二鉄、五塩化アンチモン、塩化亜鉛があるが、必ずし
もこれらに限定されるものではない。これらの中では無
水三塩化アルミニウムが反応性及びコストの点でもっと
も好ましい。これらルイス酸の使用量は原料の酸ハライ
ドに対しモル比で2.0〜6の範囲が好ましい。
【0039】ルイス酸を用いた溶液重縮合を本発明のポ
リマーの製造に適用する場合、溶媒は通常非プロトン性
有機溶媒である。この非プロトン性有機溶媒としては、
1,2−ジクロロエタン、塩化メチレン、クロロホルム
などのハロゲン化炭化水素、ニトロベンゼン、ニトロメ
タン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチ
ルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドンなどの含
窒素有機溶媒、二硫化炭素、ジメチルスルホキシドなど
の含硫黄有機溶媒があるが、これらの中ではハロゲン化
炭化水素が高重合度のポリマーを得るうえで好ましく、
1,2−ジクロロエタンが特に好ましい。また、これら
非プロトン性有機溶媒は単独または二種類以上の混合物
として用いてもよい。かかる溶媒の使用量は使用する芳
香族ジカルボン酸ジハライドに対し重量比で2〜100
、好ましくは5〜50である。
リマーの製造に適用する場合、溶媒は通常非プロトン性
有機溶媒である。この非プロトン性有機溶媒としては、
1,2−ジクロロエタン、塩化メチレン、クロロホルム
などのハロゲン化炭化水素、ニトロベンゼン、ニトロメ
タン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチ
ルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドンなどの含
窒素有機溶媒、二硫化炭素、ジメチルスルホキシドなど
の含硫黄有機溶媒があるが、これらの中ではハロゲン化
炭化水素が高重合度のポリマーを得るうえで好ましく、
1,2−ジクロロエタンが特に好ましい。また、これら
非プロトン性有機溶媒は単独または二種類以上の混合物
として用いてもよい。かかる溶媒の使用量は使用する芳
香族ジカルボン酸ジハライドに対し重量比で2〜100
、好ましくは5〜50である。
【0040】上述した方法における反応温度は、通常−
78〜50℃、好ましくは−5〜25℃の範囲である。 −5℃以下の反応温度は反応速度が遅い、反応系中にお
けるポリマーの凝集が著しいなどの理由で好ましくなく
、また30℃以上の反応温度で反応を行なうと好ましく
ない副反応が起こりやすくなる。反応の途中で昇温ある
いは降温してもよい。反応時間は通常2〜50時間の範
囲で行なわれる。また、反応の圧力に関しては何ら制限
はない。
78〜50℃、好ましくは−5〜25℃の範囲である。 −5℃以下の反応温度は反応速度が遅い、反応系中にお
けるポリマーの凝集が著しいなどの理由で好ましくなく
、また30℃以上の反応温度で反応を行なうと好ましく
ない副反応が起こりやすくなる。反応の途中で昇温ある
いは降温してもよい。反応時間は通常2〜50時間の範
囲で行なわれる。また、反応の圧力に関しては何ら制限
はない。
【0041】また、ルイス酸を用いた溶液重縮合反応に
おいて、ルイス塩基を共存させることにより反応の制御
を行なう方法(例えば特開昭63−132936号公報
等)を本発明のポリマーに適用することも可能である。
おいて、ルイス塩基を共存させることにより反応の制御
を行なう方法(例えば特開昭63−132936号公報
等)を本発明のポリマーに適用することも可能である。
【0042】ここで得られた芳香族ポリエーテルケトン
を公知の方法(特開昭63−317号公報等)により末
端の不安定な官能基を保護し、熱的性質を改善せしめる
ことも勿論可能である。
を公知の方法(特開昭63−317号公報等)により末
端の不安定な官能基を保護し、熱的性質を改善せしめる
ことも勿論可能である。
【0043】
【作用】本発明の芳香族ポリエーテルケトンでは、構成
する繰り返し単位のアルコキシ基の立体効果および電気
的効果により、従来のポリエーテルケトンより高いガラ
ス転移温度が実現されている。
する繰り返し単位のアルコキシ基の立体効果および電気
的効果により、従来のポリエーテルケトンより高いガラ
ス転移温度が実現されている。
【0044】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない
。
るが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない
。
【0045】なお、本発明におけるポリマーの分子量の
尺度として用いた対数粘度は、ポリマー30mgを96
%濃硫酸に溶解して10mlとしたものを試料溶液とし
、30.0℃の恒温水槽中、オストワルド型粘度計を用
いて次式に従って測定した。 ηinh=(1n(t/t0))/c ただし、t=試料溶液落下時間、t0=濃硫酸落下時間
、c=試料濃度(単位g/dL)
尺度として用いた対数粘度は、ポリマー30mgを96
%濃硫酸に溶解して10mlとしたものを試料溶液とし
、30.0℃の恒温水槽中、オストワルド型粘度計を用
いて次式に従って測定した。 ηinh=(1n(t/t0))/c ただし、t=試料溶液落下時間、t0=濃硫酸落下時間
、c=試料濃度(単位g/dL)
【0046】また、ガラス転移温度はセイコー電子製D
SC−200により(窒素下、昇温速度10℃/min
)、赤外吸収スペクトル(IR)は日本分光製FT−I
R 7000(KBr錠剤法)により、核磁気共鳴スペ
クトル(NMR)は日本電子製GX−270(測定溶媒
:ジメチルスルホキシド−d6)により測定した。
SC−200により(窒素下、昇温速度10℃/min
)、赤外吸収スペクトル(IR)は日本分光製FT−I
R 7000(KBr錠剤法)により、核磁気共鳴スペ
クトル(NMR)は日本電子製GX−270(測定溶媒
:ジメチルスルホキシド−d6)により測定した。
【0047】実施例1
2,2’−ジメトキシジフェニルエーテル 0.230
g(1mmol)と4,4’−オキシビス安息香酸 0
.258g(1mmol)を五酸化二りんとメタンスル
ホン酸の混合物(重量比1:10)3gに溶解し、60
℃で24時間反応させた。反応終了時3gのメタンスル
ホン酸で稀釈した後、飽和炭酸ナトリウム水溶液200
ml中に滴下し、得られた重合物を十分に粉砕後、30
0mlの飽和炭酸ナトリウム水溶液中で3時間加熱し、
その後濾過し十分に水で洗浄した。洗浄後120℃で1
torrの減圧下で1日乾燥した。得られたポリマーの
収率はほぼ100%であり、対数粘度は0.34dL/
gであった。
g(1mmol)と4,4’−オキシビス安息香酸 0
.258g(1mmol)を五酸化二りんとメタンスル
ホン酸の混合物(重量比1:10)3gに溶解し、60
℃で24時間反応させた。反応終了時3gのメタンスル
ホン酸で稀釈した後、飽和炭酸ナトリウム水溶液200
ml中に滴下し、得られた重合物を十分に粉砕後、30
0mlの飽和炭酸ナトリウム水溶液中で3時間加熱し、
その後濾過し十分に水で洗浄した。洗浄後120℃で1
torrの減圧下で1日乾燥した。得られたポリマーの
収率はほぼ100%であり、対数粘度は0.34dL/
gであった。
【0048】このポリマーの赤外吸収スペクトルを図1
に、核磁気共鳴スペクトルを図2に、ガラス転移温度の
測定結果を図3に、元素分析値を表1に示しす。
に、核磁気共鳴スペクトルを図2に、ガラス転移温度の
測定結果を図3に、元素分析値を表1に示しす。
【0049】
【表1】
【0050】図1の赤外吸収スペクトルより、1241
cm4にエーテル結合に、1655cm4にカルボニル
基に基づく吸収が認められた。また、核磁気共鳴スペク
トルによる分析結果および元素分析値の一致も良好なこ
とにより、得られたポリマーは下の単位構造を持つ、目
的のポリマーであることを確認した。
cm4にエーテル結合に、1655cm4にカルボニル
基に基づく吸収が認められた。また、核磁気共鳴スペク
トルによる分析結果および元素分析値の一致も良好なこ
とにより、得られたポリマーは下の単位構造を持つ、目
的のポリマーであることを確認した。
【0051】
【化11】
【0052】また、図3よりこのポリマーのガラス転移
温度は163.5℃であり、融点は認められなかった。
温度は163.5℃であり、融点は認められなかった。
【0053】
【発明の効果】本発明の芳香族ポリエーテルケトンは、
従来のポリエーテルケトンと比較して著しく高いガラス
転移温度を示し、優れた熱安定性を示すので高温条件下
で使用される成型品やフィルムなどに好適に利用するこ
とができる。
従来のポリエーテルケトンと比較して著しく高いガラス
転移温度を示し、優れた熱安定性を示すので高温条件下
で使用される成型品やフィルムなどに好適に利用するこ
とができる。
【0054】また耐熱性、耐薬品性、耐放射線性、機械
的特性、電気的特性、無機材料との接着性も優れていた
。
的特性、電気的特性、無機材料との接着性も優れていた
。
【図1】実施例の赤外吸収スペクトルを示す図。
【図2】実施例の核磁気共鳴スペクトルを示す図。
【図3】実施例のガラス転移温度の測定結果を示す図。
Claims (2)
- 【請求項1】 一般式 【化1】 (式中、Rはアルキル基を、mは整数を、Arは2価の
芳香族残基を表す) で表される芳香族ポリエーテルケトン - 【請求項2】 一般式 【化2】 (式中、Rはアルキル基を、mは整数を表す)で表され
るジアルコキシジフェニルエーテル(m=0)、又はビ
ス(アルコキシフェノキシ)ベンゼン(m=1)、又は
両端にアルコキシ置換基を持つポリフェニレンオキシド
(m≧2)と、一般式 【化3】 (式中、Arは2価の芳香族残基を、Xは水酸基あるい
はハロゲン原子を表す) で表される芳香族ジカルボン酸又は芳香族ジカルボン酸
ジハライドとを反応させ、請求項1に記載の芳香族ポリ
エーテルケトンを製造することを特徴とする芳香族ポリ
エーテルケトンの製造方法
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3320591A JPH04272924A (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 芳香族ポリエーテルケトンおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3320591A JPH04272924A (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 芳香族ポリエーテルケトンおよびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04272924A true JPH04272924A (ja) | 1992-09-29 |
Family
ID=12379966
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3320591A Pending JPH04272924A (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 芳香族ポリエーテルケトンおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04272924A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002332346A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Jsr Corp | 重合体及びその製造方法、並びにそれを含有する膜形成用組成物 |
JP2021020972A (ja) * | 2019-07-24 | 2021-02-18 | Dic株式会社 | ポリアリーレンエーテルケトン樹脂及びその製造方法、並びに成形体 |
JPWO2023008365A1 (ja) * | 2021-07-30 | 2023-02-02 |
-
1991
- 1991-02-27 JP JP3320591A patent/JPH04272924A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002332346A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Jsr Corp | 重合体及びその製造方法、並びにそれを含有する膜形成用組成物 |
JP2021020972A (ja) * | 2019-07-24 | 2021-02-18 | Dic株式会社 | ポリアリーレンエーテルケトン樹脂及びその製造方法、並びに成形体 |
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