JPH04272864A - 傾斜面を有する絶縁膜の形成方法 - Google Patents
傾斜面を有する絶縁膜の形成方法Info
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- JPH04272864A JPH04272864A JP5568291A JP5568291A JPH04272864A JP H04272864 A JPH04272864 A JP H04272864A JP 5568291 A JP5568291 A JP 5568291A JP 5568291 A JP5568291 A JP 5568291A JP H04272864 A JPH04272864 A JP H04272864A
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Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば感熱記録用の
サーマルヘッドの製造に際し、傾斜面を有する絶縁膜を
形成する方法に関する。
サーマルヘッドの製造に際し、傾斜面を有する絶縁膜を
形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】発熱素子の選択的発熱により感熱記録を
行うサーマルヘッドでは、基板に発熱素子だけが備えら
れ、駆動回路部が別体となっていると、発熱素子と駆動
回路部とを半田付け等によって接続することとなり、こ
のため接続信頼性や生産性が悪く、また小型化に限界が
あるという問題がある。
行うサーマルヘッドでは、基板に発熱素子だけが備えら
れ、駆動回路部が別体となっていると、発熱素子と駆動
回路部とを半田付け等によって接続することとなり、こ
のため接続信頼性や生産性が悪く、また小型化に限界が
あるという問題がある。
【０００３】そこで、最近では、発熱素子と駆動回路部
とを１枚の基板に設けることにより、発熱素子と駆動回
路部とを半田付け等によって接続する工程を省略するこ
とが検討されている。このようなサーマルヘッドでは、
基板上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜上に発熱素子とこ
の発熱素子を駆動するための薄膜トランジスタとを形成
する構造となっている。
とを１枚の基板に設けることにより、発熱素子と駆動回
路部とを半田付け等によって接続する工程を省略するこ
とが検討されている。このようなサーマルヘッドでは、
基板上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜上に発熱素子とこ
の発熱素子を駆動するための薄膜トランジスタとを形成
する構造となっている。
【０００４】ところで、このようなサーマルヘッドでは
、絶縁膜の厚さが全体に亘って一様であると、感熱記録
時における発熱素子部の記録紙に対する当たりが悪く、
また絶縁膜の厚さが薄いと、発熱素子部における蓄熱効
率が悪くなってしまう。そこで、発熱素子部における絶
縁膜の厚さだけを厚くし、この厚くした分だけ発熱素子
部を突出させ、これにより感熱記録時における発熱素子
部の記録紙に対する当たりを良くし、また厚くした絶縁
膜を蓄熱層として用いることにより、発熱素子部におけ
る蓄熱効率を良くするようにしている。この場合、絶縁
膜の材料として一般に酸化シリコン（ＳｉＯ２）を用い
ているので、エッチングにより蓄熱層の部分のみが厚く
なるようにしている。
、絶縁膜の厚さが全体に亘って一様であると、感熱記録
時における発熱素子部の記録紙に対する当たりが悪く、
また絶縁膜の厚さが薄いと、発熱素子部における蓄熱効
率が悪くなってしまう。そこで、発熱素子部における絶
縁膜の厚さだけを厚くし、この厚くした分だけ発熱素子
部を突出させ、これにより感熱記録時における発熱素子
部の記録紙に対する当たりを良くし、また厚くした絶縁
膜を蓄熱層として用いることにより、発熱素子部におけ
る蓄熱効率を良くするようにしている。この場合、絶縁
膜の材料として一般に酸化シリコン（ＳｉＯ２）を用い
ているので、エッチングにより蓄熱層の部分のみが厚く
なるようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このようなサーマルヘッドでは、ドライエッチングの場
合、例えば図５に示すように、基板１上にほぼ一様の厚
さで形成された蓄熱層２上にフォトレジスト膜３をパタ
ーン形成し、この状態でドライエッチングを施すと、蓄
熱層２の側部の傾斜面４が急峻となってしまう。このた
め、蓄熱層２上のフォトレジスト膜３を除去した後にお
いて蓄熱層２上に発熱素子の電極をパターン形成する際
、この形成が困難となり、ひいては発熱素子の電極が断
線して不良品が発生してしまう危険率がかなり高くなる
という問題があった。一方、ウェットエッチングの場合
には、例えば図６に示すように、ドライエッチングの場
合と比較して、蓄熱層２の側部の傾斜面４を緩慢にする
ことができる。しかしながら、ウェットエッチングの場
合には、蓄熱層２の側部の中央部の傾斜面４の角度θ１
がほぼ３５°程度であるのに対し、フォトレジスト膜３
との界面近くにおける蓄熱層２の側部の傾斜面４の角度
θ２がほぼ７０°程度とやや急峻となり、このため蓄熱
層２上に発熱素子の電極をパターン形成する際に断線し
て不良品が発生してしまうおそれがあるという問題があ
った。この発明の目的は、絶縁膜の側部の傾斜面を全体
に亘って緩慢とすることのできる傾斜面を有する絶縁膜
の形成方法を提供することにある。
このようなサーマルヘッドでは、ドライエッチングの場
合、例えば図５に示すように、基板１上にほぼ一様の厚
さで形成された蓄熱層２上にフォトレジスト膜３をパタ
ーン形成し、この状態でドライエッチングを施すと、蓄
熱層２の側部の傾斜面４が急峻となってしまう。このた
め、蓄熱層２上のフォトレジスト膜３を除去した後にお
いて蓄熱層２上に発熱素子の電極をパターン形成する際
、この形成が困難となり、ひいては発熱素子の電極が断
線して不良品が発生してしまう危険率がかなり高くなる
という問題があった。一方、ウェットエッチングの場合
には、例えば図６に示すように、ドライエッチングの場
合と比較して、蓄熱層２の側部の傾斜面４を緩慢にする
ことができる。しかしながら、ウェットエッチングの場
合には、蓄熱層２の側部の中央部の傾斜面４の角度θ１
がほぼ３５°程度であるのに対し、フォトレジスト膜３
との界面近くにおける蓄熱層２の側部の傾斜面４の角度
θ２がほぼ７０°程度とやや急峻となり、このため蓄熱
層２上に発熱素子の電極をパターン形成する際に断線し
て不良品が発生してしまうおそれがあるという問題があ
った。この発明の目的は、絶縁膜の側部の傾斜面を全体
に亘って緩慢とすることのできる傾斜面を有する絶縁膜
の形成方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、基板上にほ
ぼ一様な厚さの絶縁膜を形成し、等方性エッチングによ
り前記絶縁膜の不要な部分を除去して側部に傾斜面を有
する絶縁膜を形成し、前記絶縁膜の側部の傾斜面を含む
全表面にスピンコートによりシラノール系化合物膜をそ
の側部の傾斜面が前記絶縁膜の側部の傾斜面よりも全体
に亘って緩慢となるように形成した後乾燥硬化するよう
にしたものである。
ぼ一様な厚さの絶縁膜を形成し、等方性エッチングによ
り前記絶縁膜の不要な部分を除去して側部に傾斜面を有
する絶縁膜を形成し、前記絶縁膜の側部の傾斜面を含む
全表面にスピンコートによりシラノール系化合物膜をそ
の側部の傾斜面が前記絶縁膜の側部の傾斜面よりも全体
に亘って緩慢となるように形成した後乾燥硬化するよう
にしたものである。
【０００７】
【作用】この発明によれば、ほぼ一様な厚さの絶縁膜を
等方性エッチングして形成された絶縁膜の側部の傾斜面
が急峻となっても、この急峻な傾斜面を含む絶縁膜の全
表面にスピンコートによりシラノール系化合物膜をその
側部の傾斜面が絶縁膜の側部の傾斜面よりも全体に亘っ
て緩慢となるように形成した後乾燥硬化しているので、
乾燥硬化後のシラノール系化合物膜からなる絶縁膜の側
部の傾斜面をその下側の等方性エッチングにより形成さ
れた絶縁膜の側部の傾斜面よりも全体に亘って緩慢とす
ることができ、ひいては絶縁膜全体としての側部の傾斜
面を全体に亘って緩慢とすることができる。
等方性エッチングして形成された絶縁膜の側部の傾斜面
が急峻となっても、この急峻な傾斜面を含む絶縁膜の全
表面にスピンコートによりシラノール系化合物膜をその
側部の傾斜面が絶縁膜の側部の傾斜面よりも全体に亘っ
て緩慢となるように形成した後乾燥硬化しているので、
乾燥硬化後のシラノール系化合物膜からなる絶縁膜の側
部の傾斜面をその下側の等方性エッチングにより形成さ
れた絶縁膜の側部の傾斜面よりも全体に亘って緩慢とす
ることができ、ひいては絶縁膜全体としての側部の傾斜
面を全体に亘って緩慢とすることができる。
【０００８】
【実施例】図１はこの発明の一実施例におけるサーマル
ヘッドの要部を示したものである。このサーマルヘッド
は単結晶のｎ型シリコン基板１１を備えている。シリコ
ン基板１１上には発熱素子１２とこの発熱素子１２を駆
動するための薄膜トランジスタ１３とが形成されている
。
ヘッドの要部を示したものである。このサーマルヘッド
は単結晶のｎ型シリコン基板１１を備えている。シリコ
ン基板１１上には発熱素子１２とこの発熱素子１２を駆
動するための薄膜トランジスタ１３とが形成されている
。
【０００９】まず、発熱素子１２について説明すると、
シリコン基板１１の上面にはＳｉＯ２からなる絶縁膜２
１およびこの絶縁膜２１よりも厚目の同じくＳｉＯ２か
らなる蓄熱層（絶縁膜）２２が形成されている。蓄熱層
２２は、後で説明するが、その側部の傾斜面２３が全体
に亘ってほぼ３５°程度と緩慢とされた構造となってい
る。蓄熱層２２の頂面中央部には、多結晶シリコンに不
純物を拡散してなる発熱抵抗層２４が形成されている。 蓄熱層２２の頂面両側および側部の傾斜面２３等にはＡ
ｌからなるアース電極２５および制御電極２６がパター
ン形成され、発熱抵抗層２４と接続されている。アース
電極２５および制御電極２６等を含む全表面にはＳｉＯ
Ｎからなる保護膜２７が形成されている。
シリコン基板１１の上面にはＳｉＯ２からなる絶縁膜２
１およびこの絶縁膜２１よりも厚目の同じくＳｉＯ２か
らなる蓄熱層（絶縁膜）２２が形成されている。蓄熱層
２２は、後で説明するが、その側部の傾斜面２３が全体
に亘ってほぼ３５°程度と緩慢とされた構造となってい
る。蓄熱層２２の頂面中央部には、多結晶シリコンに不
純物を拡散してなる発熱抵抗層２４が形成されている。 蓄熱層２２の頂面両側および側部の傾斜面２３等にはＡ
ｌからなるアース電極２５および制御電極２６がパター
ン形成され、発熱抵抗層２４と接続されている。アース
電極２５および制御電極２６等を含む全表面にはＳｉＯ
Ｎからなる保護膜２７が形成されている。
【００１０】次に、薄膜トランジスタ１３について説明
すると、シリコン基板１１の上面側にはボロンイオンが
拡散されたｐ型領域３１が形成され、このｐ型領域３１
内にはリンイオンが拡散された２つのｎ型領域３２、３
３が形成されている。右側のｎ型領域３２はソース領域
を形成するためのものであり、左側のｎ型領域３３はド
レイン領域を形成するためのものである。ｐ型領域３１
を含むシリコン基板１１の上面には、２つのｎ型領域３
２、３３を含む中央部分を除いて、発熱素子１２の絶縁
膜２１の形成と同時に、同一の材料からなる絶縁膜２１
が形成されている。２つのｎ型領域３２、３３の間の上
面にはＳｉＯ２からなるゲート絶縁膜３４が形成されて
いる。ゲート絶縁膜３４の上面には、発熱素子１２の発
熱抵抗層２４の形成と同時に、同一の材料からなるゲー
ト電極３５が形成されている。ゲート電極３５の表面に
はＰＳＧからなる絶縁膜３６が形成されている。シリコ
ン基板１１の上面に形成された絶縁膜２１の上面には、
発熱素子１２のアース電極２５および制御電極２６の形
成と同時に、同一の材料からなるソース電極３７および
ドレイン電極３８がパターン形成され、２つのｎ型領域
３２、３３とそれぞれ接続されている。ソース電極３７
は発熱素子１２の制御電極２６と接続されている。ソー
ス電極３７およびドレイン電極３８等を含む全表面には
、発熱素子１２の保護膜２７の形成と同時に、同一の材
料からなる保護膜２７が形成されている。
すると、シリコン基板１１の上面側にはボロンイオンが
拡散されたｐ型領域３１が形成され、このｐ型領域３１
内にはリンイオンが拡散された２つのｎ型領域３２、３
３が形成されている。右側のｎ型領域３２はソース領域
を形成するためのものであり、左側のｎ型領域３３はド
レイン領域を形成するためのものである。ｐ型領域３１
を含むシリコン基板１１の上面には、２つのｎ型領域３
２、３３を含む中央部分を除いて、発熱素子１２の絶縁
膜２１の形成と同時に、同一の材料からなる絶縁膜２１
が形成されている。２つのｎ型領域３２、３３の間の上
面にはＳｉＯ２からなるゲート絶縁膜３４が形成されて
いる。ゲート絶縁膜３４の上面には、発熱素子１２の発
熱抵抗層２４の形成と同時に、同一の材料からなるゲー
ト電極３５が形成されている。ゲート電極３５の表面に
はＰＳＧからなる絶縁膜３６が形成されている。シリコ
ン基板１１の上面に形成された絶縁膜２１の上面には、
発熱素子１２のアース電極２５および制御電極２６の形
成と同時に、同一の材料からなるソース電極３７および
ドレイン電極３８がパターン形成され、２つのｎ型領域
３２、３３とそれぞれ接続されている。ソース電極３７
は発熱素子１２の制御電極２６と接続されている。ソー
ス電極３７およびドレイン電極３８等を含む全表面には
、発熱素子１２の保護膜２７の形成と同時に、同一の材
料からなる保護膜２７が形成されている。
【００１１】次に、以上のような構成のサーマルヘッド
において蓄熱層２２を形成する場合について図２〜図４
を参照しながら説明する。まず、図２において二点鎖線
で示すように、シリコン基板１１の上面にほぼ一様な厚
さのＳｉＯ２膜（絶縁膜）４１を形成する。次に、この
ＳｉＯ２膜４１の上面にフォトレジスト膜（図示せず）
をパターン形成し、この状態で等方性ドライエッチング
あるいは等方性ウェットエッチングを行い、不要な部分
のＳｉＯ２膜４１を除去し、側部の傾斜面４２が急峻な
絶縁膜４３を形成する。次に、図３に示すように、急峻
な傾斜面４２を含む絶縁膜４３の全表面およびシリコン
基板１１の上面に、例えばＳｉ（ＯＨ）４をエタノール
等で希釈してなるシラノール系化合物をスピンコートに
より被着し、シラノール系化合物膜４４を形成する。こ
の場合、シラノール系化合物の粘性により、凹部つまり
絶縁膜４３の急峻な傾斜面４２に対応する部分には厚く
塗布され、凸部つまり絶縁膜４３の頂面およびシリコン
基板１１の上面には薄く塗布される。したがって、この
状態では、シラノール系化合物膜４４の側部の傾斜面４
５は絶縁膜４３の急峻な傾斜面４２よりも全体に亘って
ほぼ３５°程度と緩慢となる。次に、シラノール系化合
物膜４４を熱処理して乾燥すると、Ｓｉ（ＯＨ）４→Ｓ
ｉＯ２＋２Ｈ２Ｏのうち２Ｈ２Ｏが蒸発して硬化し、シ
ラノール系化合物膜４４がＳｉＯ２膜（絶縁膜）となる
。 そして、このＳｉＯ２膜４４とその下側の絶縁膜４３と
によって蓄熱層２２が形成され、ＳｉＯ２膜４４の側部
の傾斜面４５が蓄熱層２２の側部の傾斜面２３となる。
において蓄熱層２２を形成する場合について図２〜図４
を参照しながら説明する。まず、図２において二点鎖線
で示すように、シリコン基板１１の上面にほぼ一様な厚
さのＳｉＯ２膜（絶縁膜）４１を形成する。次に、この
ＳｉＯ２膜４１の上面にフォトレジスト膜（図示せず）
をパターン形成し、この状態で等方性ドライエッチング
あるいは等方性ウェットエッチングを行い、不要な部分
のＳｉＯ２膜４１を除去し、側部の傾斜面４２が急峻な
絶縁膜４３を形成する。次に、図３に示すように、急峻
な傾斜面４２を含む絶縁膜４３の全表面およびシリコン
基板１１の上面に、例えばＳｉ（ＯＨ）４をエタノール
等で希釈してなるシラノール系化合物をスピンコートに
より被着し、シラノール系化合物膜４４を形成する。こ
の場合、シラノール系化合物の粘性により、凹部つまり
絶縁膜４３の急峻な傾斜面４２に対応する部分には厚く
塗布され、凸部つまり絶縁膜４３の頂面およびシリコン
基板１１の上面には薄く塗布される。したがって、この
状態では、シラノール系化合物膜４４の側部の傾斜面４
５は絶縁膜４３の急峻な傾斜面４２よりも全体に亘って
ほぼ３５°程度と緩慢となる。次に、シラノール系化合
物膜４４を熱処理して乾燥すると、Ｓｉ（ＯＨ）４→Ｓ
ｉＯ２＋２Ｈ２Ｏのうち２Ｈ２Ｏが蒸発して硬化し、シ
ラノール系化合物膜４４がＳｉＯ２膜（絶縁膜）となる
。 そして、このＳｉＯ２膜４４とその下側の絶縁膜４３と
によって蓄熱層２２が形成され、ＳｉＯ２膜４４の側部
の傾斜面４５が蓄熱層２２の側部の傾斜面２３となる。
【００１２】このようにして形成された蓄熱層２２を備
えたサーマルヘッドでは、蓄熱層２２の側部の傾斜面２
３を全体に亘ってほぼ３５°程度と緩慢にすることがで
きるので、この蓄熱層２２上に発熱素子１２のアース電
極２５および制御電極２６をパターン形成する際、この
形成が容易となり、このためアース電極２５および制御
電極２６が断線しにくいようにすることができる。
えたサーマルヘッドでは、蓄熱層２２の側部の傾斜面２
３を全体に亘ってほぼ３５°程度と緩慢にすることがで
きるので、この蓄熱層２２上に発熱素子１２のアース電
極２５および制御電極２６をパターン形成する際、この
形成が容易となり、このためアース電極２５および制御
電極２６が断線しにくいようにすることができる。
【００１３】なお、シラノール系化合物膜４４を乾燥硬
化してなるＳｉＯ２膜の表面が凸凹している場合には、
この凸凹をエッチングして除去するようにしてもよい。 また、例えば図４において二点鎖線で示すように、エッ
チバックすることにより、側部の傾斜面５１が緩慢で全
表面が滑らかな蓄熱層５２を形成するとともに、シリコ
ン基板１１の上面に形成されたＳｉＯ２膜４４をすべて
除去するようにしてもよい。また、この発明において緩
慢とは傾斜角度３５°程度のみを指すものではなく、こ
の発明に記載の目的・手段をもって、通常では、傾斜が
急俊となる表層部を傾斜面となす範囲すべてを包含する
ものであること、当然のことである。また、この方法は
、サーマルヘッドに限らず、各種デバイスに適用できる
ものである。
化してなるＳｉＯ２膜の表面が凸凹している場合には、
この凸凹をエッチングして除去するようにしてもよい。 また、例えば図４において二点鎖線で示すように、エッ
チバックすることにより、側部の傾斜面５１が緩慢で全
表面が滑らかな蓄熱層５２を形成するとともに、シリコ
ン基板１１の上面に形成されたＳｉＯ２膜４４をすべて
除去するようにしてもよい。また、この発明において緩
慢とは傾斜角度３５°程度のみを指すものではなく、こ
の発明に記載の目的・手段をもって、通常では、傾斜が
急俊となる表層部を傾斜面となす範囲すべてを包含する
ものであること、当然のことである。また、この方法は
、サーマルヘッドに限らず、各種デバイスに適用できる
ものである。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
、ほぼ一様な厚さの絶縁膜を等方性エッチングして形成
された絶縁膜の側部の傾斜面が急峻となっても、この急
峻な傾斜面を含む絶縁膜の全表面にスピンコートにより
シラノール系化合物膜をその側部の傾斜面が絶縁膜の側
部の傾斜面よりも全体に亘って緩慢となるように形成し
た後乾燥硬化しているので、乾燥硬化後のシラノール系
化合物膜からなる絶縁膜の側部の傾斜面をその下側の等
方性エッチングにより形成された絶縁膜の側部の傾斜面
よりも全体に亘って緩慢とすることができ、ひいては絶
縁膜全体としての側部の傾斜面を全体に亘って緩慢とす
ることができ、このため絶縁膜上に例えば発熱素子の電
極をパターン形成する場合、発熱素子の電極が断線しに
くいようにすることができる。
、ほぼ一様な厚さの絶縁膜を等方性エッチングして形成
された絶縁膜の側部の傾斜面が急峻となっても、この急
峻な傾斜面を含む絶縁膜の全表面にスピンコートにより
シラノール系化合物膜をその側部の傾斜面が絶縁膜の側
部の傾斜面よりも全体に亘って緩慢となるように形成し
た後乾燥硬化しているので、乾燥硬化後のシラノール系
化合物膜からなる絶縁膜の側部の傾斜面をその下側の等
方性エッチングにより形成された絶縁膜の側部の傾斜面
よりも全体に亘って緩慢とすることができ、ひいては絶
縁膜全体としての側部の傾斜面を全体に亘って緩慢とす
ることができ、このため絶縁膜上に例えば発熱素子の電
極をパターン形成する場合、発熱素子の電極が断線しに
くいようにすることができる。
【図１】この発明の一実施例におけるサーマルヘッドの
要部を示す断面図。
要部を示す断面図。
【図２】このサーマルヘッドにおける蓄熱層の形成に際
し、シリコン基板上に側部の傾斜面が急峻な絶縁膜を形
成した状態を示す断面図。
し、シリコン基板上に側部の傾斜面が急峻な絶縁膜を形
成した状態を示す断面図。
【図３】このサーマルヘッドにおける蓄熱層の形成に際
し、シラノール系化合物膜を形成した状態を示す断面図
。
し、シラノール系化合物膜を形成した状態を示す断面図
。
【図４】このサーマルヘッドにおける蓄熱層の形成に際
し、さらにエッチバックを行った状態を示す断面図。
し、さらにエッチバックを行った状態を示す断面図。
【図５】従来のサーマルヘッドの蓄熱層をドライエッチ
ングで形成した状態を示す断面図。
ングで形成した状態を示す断面図。
【図６】従来のサーマルヘッドの蓄熱層をウェットエッ
チングで形成した状態を示す断面図。
チングで形成した状態を示す断面図。
１１ シリコン基板
２２ 蓄熱層（絶縁膜）
２３ 傾斜面
４２ 傾斜面
４３ 絶縁膜
４４ シラノール系化合物膜
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上にほぼ一様な厚さの絶縁膜を形
成し、等方性エッチングにより前記絶縁膜の不要な部分
を除去して側部に傾斜面を有する絶縁膜を形成し、前記
絶縁膜の側部の傾斜面を含む全表面にスピンコートによ
りシラノール系化合物膜をその側部の傾斜面が前記絶縁
膜の側部の傾斜面よりも全体に亘って緩慢となるように
形成した後乾燥硬化することを特徴とする傾斜面を有す
る絶縁膜の形成方法。 - 【請求項２】 前記シラノール系化合物膜を乾燥硬化
した後にエッチバックを行うことを特徴とする請求項１
記載の傾斜面を有する絶縁膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5568291A JPH04272864A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 傾斜面を有する絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5568291A JPH04272864A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 傾斜面を有する絶縁膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04272864A true JPH04272864A (ja) | 1992-09-29 |
Family
ID=13005672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5568291A Pending JPH04272864A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 傾斜面を有する絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04272864A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021100826A (ja) * | 2016-09-15 | 2021-07-08 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッド |
-
1991
- 1991-02-28 JP JP5568291A patent/JPH04272864A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021100826A (ja) * | 2016-09-15 | 2021-07-08 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッド |
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