JPH0426596A - β―メタホウ酸バリウム単結晶の製造方法 - Google Patents
β―メタホウ酸バリウム単結晶の製造方法Info
- Publication number
- JPH0426596A JPH0426596A JP12903290A JP12903290A JPH0426596A JP H0426596 A JPH0426596 A JP H0426596A JP 12903290 A JP12903290 A JP 12903290A JP 12903290 A JP12903290 A JP 12903290A JP H0426596 A JPH0426596 A JP H0426596A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- microcrystals
- barium
- crystal
- compd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- IWOUKMZUPDVPGQ-UHFFFAOYSA-N barium nitrate Chemical compound [Ba+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O IWOUKMZUPDVPGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 150000001553 barium compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RQPZNWPYLFFXCP-UHFFFAOYSA-L barium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ba+2] RQPZNWPYLFFXCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 229910001863 barium hydroxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 claims description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- QBLDFAIABQKINO-UHFFFAOYSA-N barium borate Chemical compound [Ba+2].[O-]B=O.[O-]B=O QBLDFAIABQKINO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 9
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 4
- 239000007858 starting material Substances 0.000 abstract 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 9
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007716 flux method Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- -1 or both Chemical compound 0.000 description 1
- 238000004781 supercooling Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は第2次高調波発生(SHG)用の光学結晶とし
て使用しうる高品質のβ−メタホウ酸バリウム単結晶を
得るための方法に関する。
て使用しうる高品質のβ−メタホウ酸バリウム単結晶を
得るための方法に関する。
[従来の技術]
高出力レーザー光の実用に際しては危険防止のために可
視光に変換する必要があり、そのために第2次高調波発
生(SHG)用の光学結晶が用いられる。β−メタホウ
酸バリウム(β−BaB□0.)はKTiOPO4、L
iNbOx等と同様の非線形光学結晶であり、赤外から
紫外に至る広い透光領域を持っていることや温度許容度
が大きいという利点があるため近年注目されている結晶
材料である。
視光に変換する必要があり、そのために第2次高調波発
生(SHG)用の光学結晶が用いられる。β−メタホウ
酸バリウム(β−BaB□0.)はKTiOPO4、L
iNbOx等と同様の非線形光学結晶であり、赤外から
紫外に至る広い透光領域を持っていることや温度許容度
が大きいという利点があるため近年注目されている結晶
材料である。
ところで、このβ−BaBiOaはBaB、0.の低温
相であり、通常フラックス法により製造されてきた。し
かし、フラックス法は単結晶中に不純物が混入しやすく
、品質の良好な結晶が得にくい欠点がある。これの欠点
を解消するものとして引上げ法により β−BaB*0
4を製造しようとする幾つかの試みがなされてきた。こ
れらの試みの一つとして、本発明者らは特願平1−24
5056号にBaB、O4−Naミオの2元組成を原料
とする方法を開示した。
相であり、通常フラックス法により製造されてきた。し
かし、フラックス法は単結晶中に不純物が混入しやすく
、品質の良好な結晶が得にくい欠点がある。これの欠点
を解消するものとして引上げ法により β−BaB*0
4を製造しようとする幾つかの試みがなされてきた。こ
れらの試みの一つとして、本発明者らは特願平1−24
5056号にBaB、O4−Naミオの2元組成を原料
とする方法を開示した。
この方法は原料を上記2元組成とすることにより引上げ
時の過冷却の制御の困難性を解消し、得られる結晶のク
ラックの発生を防止しようとするものである。
時の過冷却の制御の困難性を解消し、得られる結晶のク
ラックの発生を防止しようとするものである。
[発明が解決しようとする課題]
近年の当該技術分野の進歩は目覚しく、すでにより高品
質の結晶が求められるようになってきたが、上記方法は
この要求を満足させるには充分なものとは言えない。と
いうのは、BaBzO4−Na、0の2元組成を原料と
して引上法により単結晶を育成するために結晶中への微
量のNaの混入を防止できないからであり、このNaが
レーザー光の散乱の原因となるからである。
質の結晶が求められるようになってきたが、上記方法は
この要求を満足させるには充分なものとは言えない。と
いうのは、BaBzO4−Na、0の2元組成を原料と
して引上法により単結晶を育成するために結晶中への微
量のNaの混入を防止できないからであり、このNaが
レーザー光の散乱の原因となるからである。
本発明の目的は、結晶中にNaを含まないβ−BaBx
04単結晶の製造方法の提供にある。
04単結晶の製造方法の提供にある。
[課題を解決するための手段]
上記課題を解決する本発明の方法は、バリウム化合物と
ホウ素化合物とを、バリウムとホウ素とのモル比が1=
2となるように混合し、400〜600℃で少なくとも
12時間仮焼して焼成物を得、これを粉砕し、混合し、
次いで800〜900℃で少なくとも6時間加熱して微
結晶を得、この微結晶を原料として用いて引上法により
単結晶を育成することを特徴とするものであり、好まし
くはバリウム化合物として硝酸バリウム、水酸化バリウ
ムのうちの何れか、又は双方を用い、ホウ素化合物とし
て酸化ホウ素、ホウ酸のうちの何れか、又は双方を用い
るものである。
ホウ素化合物とを、バリウムとホウ素とのモル比が1=
2となるように混合し、400〜600℃で少なくとも
12時間仮焼して焼成物を得、これを粉砕し、混合し、
次いで800〜900℃で少なくとも6時間加熱して微
結晶を得、この微結晶を原料として用いて引上法により
単結晶を育成することを特徴とするものであり、好まし
くはバリウム化合物として硝酸バリウム、水酸化バリウ
ムのうちの何れか、又は双方を用い、ホウ素化合物とし
て酸化ホウ素、ホウ酸のうちの何れか、又は双方を用い
るものである。
[作用]
本発明はバリウム化合物とホウ素化合物との混合物を低
温で仮焼して焼成物を得、次いでこれを高温で加熱する
ことにより、式■に例示される反応を完了させβ−Ba
BzO4の微結晶を得、この微結晶を原料として引上法
により β−Ba8.04単結晶を育成するものである
が、本発明の機構の理論的な解明はなされていない。
温で仮焼して焼成物を得、次いでこれを高温で加熱する
ことにより、式■に例示される反応を完了させβ−Ba
BzO4の微結晶を得、この微結晶を原料として引上法
により β−Ba8.04単結晶を育成するものである
が、本発明の機構の理論的な解明はなされていない。
■ Ba(NOs)s + s、o、 = BaB20
k + Nzog本発明でバリウムとホウ素とをモル比
で1:2となるように各化合物を混合するのはBaB2
O3を得るためである。この際に使用する化合物として
比較的高純度の物であること、またBaBxOs以外の
生成物が除去されやすいことが必要であり、この点より
バリウム源として硝酸バリウム、水酸化バリウムのうち
の何れか、又は双方を用い、ホウ素源として酸化ホウ素
、ホウ酸のうちの何れか、又は双方を用いることが好ま
しい。
k + Nzog本発明でバリウムとホウ素とをモル比
で1:2となるように各化合物を混合するのはBaB2
O3を得るためである。この際に使用する化合物として
比較的高純度の物であること、またBaBxOs以外の
生成物が除去されやすいことが必要であり、この点より
バリウム源として硝酸バリウム、水酸化バリウムのうち
の何れか、又は双方を用い、ホウ素源として酸化ホウ素
、ホウ酸のうちの何れか、又は双方を用いることが好ま
しい。
バリウム化合物とホウ素化合物との混合物を400〜6
00℃で少なくとも12時間仮焼して焼成物を得、得た
焼成物を粉砕し、混合し、次いで800〜900℃で少
なくとも6時間加熱するのは、こうすることにより初め
て引上法でβ−BaBxO<単結晶が得られるからであ
り、これ以外の条件ではα−BaBzOt単結晶しか得
られないからである。
00℃で少なくとも12時間仮焼して焼成物を得、得た
焼成物を粉砕し、混合し、次いで800〜900℃で少
なくとも6時間加熱するのは、こうすることにより初め
て引上法でβ−BaBxO<単結晶が得られるからであ
り、これ以外の条件ではα−BaBzOt単結晶しか得
られないからである。
以下、図を用いて更に本発明を説明する。
箪1図は硝酸バリウムと酸化ホウ素の計算量とを混合し
、600℃で12時間仮焼して得た焼成物を粉砕して測
定して求めた焼成物のX線回折像である。第1図は部分
的にβ−BaBsOnが生成していることを示唆してい
る。加熱時間をこれ以上長くしても得られる回折像には
大差がなく、仮焼時間をいくら長くしてもこれ以上反応
は進行しないものと思われる。この仮焼は、次工程での
粉砕、混合による均一分散化を促進すると思われる。
、600℃で12時間仮焼して得た焼成物を粉砕して測
定して求めた焼成物のX線回折像である。第1図は部分
的にβ−BaBsOnが生成していることを示唆してい
る。加熱時間をこれ以上長くしても得られる回折像には
大差がなく、仮焼時間をいくら長くしてもこれ以上反応
は進行しないものと思われる。この仮焼は、次工程での
粉砕、混合による均一分散化を促進すると思われる。
上記焼成物を粉砕し、混合するのは次工程での加熱に先
立ち、バリウムとホウ素とを均一に分散させるためであ
る。
立ち、バリウムとホウ素とを均一に分散させるためであ
る。
第2図は粉砕し、混合された焼成物を850℃で6時間
加熱して得た微結晶を粉砕して測定し、得たX線回折像
である。第2図より該微結晶がβ−BaB、O,である
ことがわかる。
加熱して得た微結晶を粉砕して測定し、得たX線回折像
である。第2図より該微結晶がβ−BaB、O,である
ことがわかる。
引上法でβ−BaBsO<単結晶を得るためには、原料
としてβ−BaB□04微結晶を用いることが必要であ
り、a−BaBzO4微結晶を用いるとa −BaBz
O<単結晶しか得られない。
としてβ−BaB□04微結晶を用いることが必要であ
り、a−BaBzO4微結晶を用いるとa −BaBz
O<単結晶しか得られない。
[実施例1]
硝酸バリウム1モルと酸化ホウ素1モルとを充分混合し
、白金製容器に入れ、電気炉で500℃で12時間仮焼
した。その後、得た焼成物をアルミナ製の自動乳鉢によ
り全量lOμ■以下になるように粉砕した。これを混合
した後、白金製容器に入れ、電気炉で850℃6時間加
熱した。得た微粒結晶を直径50 mm、高さ50 +
amの白金坩堝に入れ、高周波加熱炉で溶融し、白金棒
をシードとし、引上速度1.0〜3.0■、回転数5〜
10rp■とじ、空気中で引上方位をa軸として引上げ
、9時間かけて直径15 ■、長さ15mmの単結晶を
育成した。
、白金製容器に入れ、電気炉で500℃で12時間仮焼
した。その後、得た焼成物をアルミナ製の自動乳鉢によ
り全量lOμ■以下になるように粉砕した。これを混合
した後、白金製容器に入れ、電気炉で850℃6時間加
熱した。得た微粒結晶を直径50 mm、高さ50 +
amの白金坩堝に入れ、高周波加熱炉で溶融し、白金棒
をシードとし、引上速度1.0〜3.0■、回転数5〜
10rp■とじ、空気中で引上方位をa軸として引上げ
、9時間かけて直径15 ■、長さ15mmの単結晶を
育成した。
得られた単結晶にNd−YAGレーザー光を入射したと
ころ緑色の2次高調波が発生した。また、この結晶は肉
眼でクラックが確認できず、偏光顕微鏡観察でも充分に
消光し、良好なβ−BaB、O,単結晶であることがわ
かった。また、この結晶と特願平1−245056号の
方法により作られたNaの混入した結晶とを用いて光の
吸収特性を測定し、その結果を箪3図に示した。第3図
より本実施例のβ−BaBaOiの方が特願平1−24
5056号の方法により作られたNaの混入したものよ
りはるかに良好な特性を持つことがわかった。
ころ緑色の2次高調波が発生した。また、この結晶は肉
眼でクラックが確認できず、偏光顕微鏡観察でも充分に
消光し、良好なβ−BaB、O,単結晶であることがわ
かった。また、この結晶と特願平1−245056号の
方法により作られたNaの混入した結晶とを用いて光の
吸収特性を測定し、その結果を箪3図に示した。第3図
より本実施例のβ−BaBaOiの方が特願平1−24
5056号の方法により作られたNaの混入したものよ
りはるかに良好な特性を持つことがわかった。
[実施例2]
硝酸バリウムとホウ酸とを用いた以外は実施例1と同様
にしてβ−Ba8.04単結晶を育成した。
にしてβ−Ba8.04単結晶を育成した。
得られたβ−BaBtO4単結晶は実施例1と同様の物
であった。
であった。
[実施例3]
水酸化バリウムと酸化ホウ素とを用いた以外は実施例1
と同様にしてβ−BaB、04単結晶を育成した。得ら
れたβ−BaBtO<単結晶は実施例1と同様の物であ
った。
と同様にしてβ−BaB、04単結晶を育成した。得ら
れたβ−BaBtO<単結晶は実施例1と同様の物であ
った。
[実施例4]
水酸化バリウムとホウ酸とを用いた以外は実施例1と同
様にしてβ−BaB□04単結晶を育成した。
様にしてβ−BaB□04単結晶を育成した。
得られたβ−Ba8.04単結晶は実施例1と同様の物
であった。
であった。
[比較例1]
硝酸バリウム1モルと酸化ホウ素1モルとを充分混合し
、白金製容器に入れ、電気炉で850℃で20時間仮焼
した。得た焼成物を直径50111、高さ50 amの
白金坩堝に入れ、高周波加熱炉で溶融し、白金棒をシー
ドとし、引上速度1.0〜3.0■、回転数5〜10
rpmとし、空気中で引上方位をa軸として引上げ、9
時間かけて直径15 am、長さ 15m1のを育成し
た。
、白金製容器に入れ、電気炉で850℃で20時間仮焼
した。得た焼成物を直径50111、高さ50 amの
白金坩堝に入れ、高周波加熱炉で溶融し、白金棒をシー
ドとし、引上速度1.0〜3.0■、回転数5〜10
rpmとし、空気中で引上方位をa軸として引上げ、9
時間かけて直径15 am、長さ 15m1のを育成し
た。
得られた結晶はX線回折の結果α−BaB□04である
ことがわかった。
ことがわかった。
[比較例2コ
焼成時間を24時間とする以外は実施例1と同様にして
焼成物を得、この焼成物を原料として引上法により単結
晶の育成を試みた。
焼成物を得、この焼成物を原料として引上法により単結
晶の育成を試みた。
得られた結晶はX線回折の結果α−BaBzO4である
ことがわかった。
ことがわかった。
〔比較例3]
加熱温度を950℃とした以外は実施例1と同様にして
微結晶を得た。この微結晶は部分的に溶融しており、か
つ α−BaBaOnであった。
微結晶を得た。この微結晶は部分的に溶融しており、か
つ α−BaBaOnであった。
これを用いて実施例と同様にして単結晶の育成を行った
。
。
得られた結晶はX線回折の結果α−BaBzOaである
ことがわかった。
ことがわかった。
[比較例4]
仮焼時間を10時間とした以外は実施例1と同様にして
微結晶を得た。この微結晶はβ−BaBxOaと α−
BaB□04 との混合物であった。
微結晶を得た。この微結晶はβ−BaBxOaと α−
BaB□04 との混合物であった。
これを用いて実施例と同様にして単結晶の育成を行った
が、得られた結晶はX線回折の結果β−BaB*0<と
α−BaBsO*との混合物となり純粋な単結晶とな
らなかった。
が、得られた結晶はX線回折の結果β−BaB*0<と
α−BaBsO*との混合物となり純粋な単結晶とな
らなかった。
[比較例5]
加熱時間を5時間とした以外は実施例1と同様にして微
結晶を得た。この微結晶はβ−BaBzO<と α−B
aBi04との混合物であった。
結晶を得た。この微結晶はβ−BaBzO<と α−B
aBi04との混合物であった。
これを用いて実施例と同様にして単結晶の育成を行った
が、得られた結晶はX線回折の結果β−BaB*Oaと
α−BaB、O,との混合物となり純粋な単結晶とな
らなかった。
が、得られた結晶はX線回折の結果β−BaB*Oaと
α−BaB、O,との混合物となり純粋な単結晶とな
らなかった。
[発明の効果]
本発明の方法によれば、不純物を含まないβ−BaBx
04微結晶を作成し、これを用いてβ−BaB*04単
結晶を育成するために高純度の単結晶が容易に得ること
ができる。
04微結晶を作成し、これを用いてβ−BaB*04単
結晶を育成するために高純度の単結晶が容易に得ること
ができる。
このようにして得られたβ−BaBJn単結晶は第2次
高調波発生(SHG)用の光学結晶として最適である。
高調波発生(SHG)用の光学結晶として最適である。
第1図は本発明の焼成物のX線回折像の1例である。
第2図は本発明の微粒結晶のX線回折像の1例である。
第3図は本実施例で得られたβ−BaB204と特願平
1−245056号記載の方法により得られたβ−Ba
B204との光の吸収特性を示したものである。
1−245056号記載の方法により得られたβ−Ba
B204との光の吸収特性を示したものである。
Claims (2)
- (1)バリウム化合物とホウ素化合物とを、バリウムと
ホウ素とのモル比が1:2となるように混合し、400
〜600℃で少なくとも12時間仮焼して焼成物を得、
これを粉砕し、混合し、次いで800〜900℃で少な
くとも6時間加熱して微結晶を得、該微結晶を原料とし
て引上法により単結晶を育成することを特徴とするβ−
メタホウ酸バリウム単結晶の製造方法。 - (2)バリウム化合物として硝酸バリウム、水酸化バリ
ウムのうちの何れか、又は双方を用い、ホウ素化合物と
して酸化ホウ素、ホウ酸のうちの何れか、又は双方を用
いることを特徴とする請求項(1)記載のβ−メタホウ
酸バリウム単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12903290A JPH0426596A (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | β―メタホウ酸バリウム単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12903290A JPH0426596A (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | β―メタホウ酸バリウム単結晶の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0426596A true JPH0426596A (ja) | 1992-01-29 |
Family
ID=14999431
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12903290A Pending JPH0426596A (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | β―メタホウ酸バリウム単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0426596A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6146609A (en) * | 1998-01-28 | 2000-11-14 | National Research Institute For Metals | Amorphous substance for wavelength conversion and a making process of the same |
-
1990
- 1990-05-21 JP JP12903290A patent/JPH0426596A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6146609A (en) * | 1998-01-28 | 2000-11-14 | National Research Institute For Metals | Amorphous substance for wavelength conversion and a making process of the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN113046822A (zh) | 氟硼酸铝铷非线性光学晶体及其制备方法和用途 | |
JPH0426596A (ja) | β―メタホウ酸バリウム単結晶の製造方法 | |
CN1122732C (zh) | 一种硼磷酸镁锌非线性光学晶体及其制备方法和用途 | |
JP3127015B2 (ja) | 酸化物レーザ単結晶の製造方法 | |
Savytskii et al. | Growth and properties of YAlO3: Nd single crystals | |
CN1322174C (zh) | 硼酸铋晶体的坩埚下降法生长工艺 | |
EP1602751B1 (en) | Method for preparing borate-based crystal | |
JPH04300296A (ja) | チタン酸バリウムの単結晶の製造方法 | |
CN101191253A (zh) | 一种碱金属硼铝酸盐化合物及其单晶和制备方法 | |
CN114108085B (zh) | 一种氟硼铝酸钡二阶非线性光学晶体及其制备方法和用途 | |
CN116891343B (zh) | 一种析出双相非线性晶体的铌硅酸盐微晶玻璃及其制备方法与应用 | |
RU2777116C1 (ru) | Способ получения борсодержащего монокристалла ниобата лития | |
JPS5938193B2 (ja) | 星彩を放つコランダム単結晶の製造法 | |
JP2741747B2 (ja) | 酸化物単結晶とその製造方法 | |
Gharibshahian et al. | Growth of KTiOPO 4 crystals by flux technique and their characterization | |
KR100382160B1 (ko) | 란가사이트 분말과 그 제조방법 | |
JP3763424B2 (ja) | 非線形光学材料およびその製造方法 | |
JPH04243998A (ja) | β−メタホウ酸バリウム単結晶の製造方法 | |
JPH05148090A (ja) | βメタホウ酸バリウム単結晶の製造方法 | |
JPS5869799A (ja) | 繊維状チタン酸カリウムの製造法 | |
JP2647940B2 (ja) | 単結晶育成方法 | |
Brun et al. | Crystal growth and characterization of lithium metasilicate | |
JP2672597B2 (ja) | チタン酸バリウム単結晶の製造方法 | |
JP2807282B2 (ja) | ベータ型メタホウ酸バリウム単結晶の製造方法 | |
JPH0476349B2 (ja) |