JPH0426208B2 - - Google Patents

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JPH0426208B2
JPH0426208B2 JP59152363A JP15236384A JPH0426208B2 JP H0426208 B2 JPH0426208 B2 JP H0426208B2 JP 59152363 A JP59152363 A JP 59152363A JP 15236384 A JP15236384 A JP 15236384A JP H0426208 B2 JPH0426208 B2 JP H0426208B2
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magnetic
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Description

【発明の詳細な説明】 (a) 産業上の利用分野 本発明はエツチング或いはデポジツトに用いら
れる、改良されたマイクロ波プラズマ処理装置に
関する。
予てより半導体装置の製造工程において、プラ
ズマを用いる処理は多く行われている。
プラズマはその中に電子、イオン、ラジカル
（活性化された中性粒子）、安定中性分子を多く含
んでいるが、大部分のプラズマ処理においてはそ
の中のイオン及びラジカルを主として用いること
によつて処理がなされている。
特にイオンは電荷を持つているので、静電的に
加速でき、且つ方向性や加速エネルギーを制御し
易く利用範囲も広い。
一方ラジカルは電気的に中性なので静電的に操
作が出来ず、方向性等の制御が出来ない。
従つて微細パターンの形成に適する異方性エツ
チングを行う際には、電場によりイオンを加速し
て行うのが一般的である。
(b) 従来の技術 上記異方性エツチング処理において従来から最
も多く使われるのは、第２図に模式的に示すリア
クテイブ・イオンエツチング（RIE）処理であ
る。
該RIE処理は被加工物１の搭載されたエツチン
グ電極２と対向電極３の間に高周波数電圧RFを
かけてエツチングするもので、この時イオン４は
プラズマ５とエツチング電極２（被加工物の表
面）との間に形成されるイオンのシース（イオン
鞘）６によつて静電的に加速されて被加工物の表
面に入射する。この時の加速エネルギーは通常
100eV程度と言われており、この加速エネルギー
によつて加速されたイオンの働きによつてエツチ
ング電極面に対して垂直方向の加工ができること
が、該RIE処理の一つの大きな特徴である。（図
中、７はサセプタ、８はシールド、９は絶縁体、
Inはガス導入管、Exは排気管、REは高周波発振
器、GNDは接地部） 更にイオンの方向性を利用する試みとしてリア
クテイブ・イオン・ビーム・エツチング
（RIBE）処理がある。これはプラズマにより静
電的にイオンを取り出し被加工物にそのビームを
照射して行うもので、松尾氏等のイオンシヤワー
装置はその代表的なものである（特開昭55−
141729）。このRIBE処理でのイオンの加速エネ
ルギーは500〜1000eV程度が一般的である。
以上のようにイオンを主とした加工は種々なさ
れているが、その一方イオンの加速エネルギーが
大きいことによる欠点も数多く指摘されており、
例えばデバイスのダーメージやレジストのダメー
ジが問題にされている。ここでデバイスのダメー
ジとはイオン衝撃によつて生ずる欠陥によりデバ
イスの特性が損なわれる現象で、レジストのダメ
ージとはイオン衝撃によつてレジスト面が炭化し
て該レジストの除去が困難になる現象である。
かかるプラズマからのイオンや電子によるダメ
ージを避けるための試みも多くなされており、そ
の代表的なものが堀池氏等によるケミカル・ドラ
イエツチング（CDE）法（特公昭53−14472）で
ある。これはイオンよりもプラズマで生成された
活性粒子を取り出してエツチングする方法である
ために、加工の方向性を制御できず等方的なエツ
チングしか出来ないという欠点を持つている。
そこでダメージが少なく異方性の加工ができる
方法が検討されており、その一つがイオンの加速
エネルギーを下げる方法であり、他の一つが中性
活性粒子を差圧で吹きつける方法である。
イオンの加速エネルギーを下げる方法として代
表的なものがH.R.Kaufman等による低エネルギ
ーイオンビーム法（J.Electrochem、Soc Vol
128No.５ May 1981“Low Energy Ion Beam
Etching”）であり、他の一つは鈴木氏等のマイ
クロ波プラズマエツチング（J.Electrochem、
Soc Vol 126 No.６ June 1979“The Roles of
Ions and Neutral Active Species in
Microwave Plasuma Etching”）である。
両者は基本的にはプラズマの浮遊電位を利用し
被加工物を異方性エツチングするものであり、こ
の時のイオンの加速エネルギーは20eV程度でダ
メージは非常に少ない。然し前者においてはエツ
チングをイオンのみに頼るためにエツチングレー
トが極端に遅いという欠点があり、後者において
はプラズマ中に被加工物があるため電子も入射し
て温度が上昇すること及び中性粒子が多くなると
異方性のエツチングができなくなる等の欠点があ
つた。
中性粒子を差圧で吹きつける方法は、秋谷氏が
試みている（第３回ドライプロセス・シンポジウ
ムOctober 26−27、1981 Tokyo“Directional
dry etching of silicon by areactive nozzl−
jet”）。
この方法は0.1〜1Torrの圧力下で作つたプラ
ズマをノズルから10-4〜10-5Torrのチヤンバー
へ噴出させるもので、中性活性粒子により異方性
エツチングが実現できる。然しこの方法において
は差圧を設けるためにノズル径が小さく（0.5〜
１mmφ）なり、そのため広い面積を均一にエツチ
ングすることが出来ず且つエツチングレートも遅
くなるという欠点があつた。
(c) 発明が解決しようとする問題点 本発明は上記従来の異方性プラズマ処理方法に
おける、処理レートを速めた際には被加工物の受
けるダメージが大きく、該ダメージを減少せしめ
た際には処理レートが極端に遅くなるという問題
点、及び処理中に被加工物の温度が上昇するとい
う問題点を解決しようとするものである。
(d) 問題点を解決するための手段 上記問題点は、マイクロ波入射手段とガス導入
手段とを具備したプラズマ発生室と被加工物を収
容する加工室との間に、各々連通した磁気ミラー
発生部を備え且つ該磁気ミラー発生部と該加工室
との間に活性粒子を通過させマイクロ波を遮断す
る金属メツシユを備え、該磁気ミラー発生部に備
えられた磁気ミラー発生手段は、該プラズマ発生
室において電子サイクロトロン共鳴を生ぜしめる
と共に磁気ミラー発生部において磁気ミラーを発
生し、該プラズマ発生室内で生じた電子を反射し
て該電子の被加工部への到達を抑制し、ミラー点
と該被加工物間の距離を該被加工物に入射する活
性粒子の平均自由工程以下にしたマイクロ波プラ
ズマ処理装置によつて解決される。
(e) 作用 即ち本発明の装置を用いるプラズマ処理におい
ては、反応ガス例えばエツチング・ガスを
10-4Torr程度の極めて低いガス圧に保持し、マ
イクロ波と磁場の作用による電子サイクロトロン
共鳴によつて電子密度を高め且つ該電子を高速に
加速してプラズマを発生させ、該プラズマによつ
て該エツチング・ガス中に多量のラジカル及びイ
オン等の活性粒子を生成させる。この際、該プラ
ズマ形成領域と被加工物の間に磁気ミラーが形成
されるような磁場形成手段を用いることによつて
プラズマ発生室内の電子が被加工物に到達するの
を抑制し、且つ金属メツシユを配属することによ
つて活性粒子を通過させると共にマイクロ波を遮
断して被加工物配設領域にプラズマが発生するの
を防止する。
ここで磁気ミラーとは、磁束密度匂配を持つた
磁場をいい、サイクロトロン運動をしている電子
は該磁気ミラー部で反射され、質量が大きくてサ
イクロトロン運動をしていないイオンやラジカル
は熱運動によつて該磁気ミラーを通過する。従つ
てプラズマとイオン、ラジカルの分離が可能にな
る。ミラー点は上記において磁束密度が最も高い
位置にあたる。
かかる状態において磁気ミラーから被加工物配
設領域には、質量の大きい上記活性粒子および、
ごく一部の電子がその熱運動によつて飛び出して
来る。この際前記のように10-4Torr程度の低い
ガス圧を用いることによつてこれら粒子の平均自
由行程を約50cm程度にまで拡大し作業性の向上が
図られる。
そして被加工物配設領域における磁気ミラーの
ミラー点から上記粒子の平均自由行程以内の位置
に、被加工物例えば被加工基板を配置する。従つ
て該被加工面には上記プラズマによつて生成した
一次粒子のみが入射し、上記一次粒子がガス分子
に衝突することによつて生成する二次粒子が入射
することはない。
そこで本発明のプラズマ処理装置においては上
記位置に、所望の厚さを有するマスク膜を被着し
た被加工基板を置くことによつて該被加工基板の
表面に、該マスク膜の開孔を介して該基板面に対
してほぼ垂直な方向に飛んで来る静電的に加速さ
れず熱運動のエネルギーのみによつて弱く加速さ
れた粒子のみを選択的に照射させる。
かくて本発明のプラズマ処理装置によれば被加
工基板面やレジスト・マスクに与えるダメージを
従来よりも十分低減させ、該被加工基板面に対し
て垂直方向の異方性エツチングがなされ、且つ該
基板面に付着した中性粒子もイオンに叩かれて活
性化しエツチングに寄与するので、高いエツチン
グ・レートが得られる。
又プラズマ中の電子は磁気ミラーによつて反射
され被加工基板面に到達する割合は十分低減され
るので、被加工基板の温度上昇も防止される。
(f) 実施例 以下本発明を第図ａ及びｂに示す実施例によ
り、具体的に説明する。
第１図ａは本発明のマイクロ波プラズマ処理装
置の一実施例を示す模式断面図で、第１図ｂはエ
ツチングの状態を示す模式断面図である。
本発明のマイクロ波プラズマ処理装置は例えば
第１図ａのように、上部にセラミツク等よりなる
マイクロ波（μ波）透過窓１１を介して導波管１
２が接続されてなるμ波導入手段１３を有し、且
つ導入管１４よりなる反応ガス導入手段を有する
プラズマ発生室１５と、 該プラズマ発生室１５の例えば下部に連通し周
囲に例えばマグネツト・コイル１６よりなるミラ
ー磁場形成手段を有する磁気ミラー発生部１７
と、 該磁気ミラー発生部１７を介して前記プラズマ
発生室１５に連通し、且つ該磁気ミラー発生部１
７との境界部に例えばアルミニウム等よりなり厚
さ５mm、孔径２〜３mm程度の金属メツシユ１８よ
りなる活性粒子通過手段を有し、更に図示しない
真空ポンプに接続された排気管１９よりなる排気
手段を有する加工室２０とを有してなり、 且つ該加工室２０内における前記磁気ミラー発
生部１７内に形成される磁気ミラー２１のミラー
点Pmからラジカル、イオン等の粒子の平均自由
行程ｄ以内の位置に、被加工物例えば被加工基板
２２を保持する被加工物支持手段２３を備えてな
つている。マグネツト・コイル１６は巻数が220
回で内径100mm、上下方向の厚さ83mmである。
なお上記プラズマ発生室１５、磁気ミラー発生
部１７、金属メツシユ１８、加工室２０、被加工
基板支持手段２３には、反応ガスに侵されないア
ルミニウム等の金属材料が用いられる。
本発明の装置を用いるプラズマ処理方法におい
ては、例えば被加工基板２２上に形成された図示
しない多結晶シリコン層を異方性エツチングする
に際して、該被加工基板２２を被加工物支持手段
２３上に搭載し、前記ガス導入管１４から所定流
量の弗素ガスF2を流入し、排気管１９からの所
定の排気を行つてプラズマ発生室１５、磁気ミラ
ー発生部１７及び加工室２０内を10-4Torr程度
の弗素ガス圧に保つ。
次いで上記状態において、プラズマ発生室１５
内にμ波導入手段を介して例えば2.45GHzのμ波
を導入しつつ、マグネツト・コイル１６によつて
プラズマ発生室１５、磁気ミラー発生部１７及び
加工室２０内に磁力線ｍで示すように延在し且つ
磁気ミラー発生部１７内に磁気ミラー２１を形成
する例えば1.5〜2.5キロガウス程度の磁場を形成
する。電子サイクロトロン共鳴によりプラズマを
発生させるためには2.45GHzのマイクロ波を用い
た場合、875ガウスの磁場が必要である。
この875ガウスの磁場を得るためには実用的に
は磁束密度匂配を設け、匂配の途中に875ガウス
の磁場が存在するようにしているが、このような
磁束密度匂配を設けると電子が反射される、いわ
ゆるミラー効果が生ずる。
従つて、本発明のようにプラズマ発生室と加工
室との間に磁気ミラー発生部を設けることによ
り、プラズマ発生室で生じた電子を反射し被加工
物への電子の到達を抑制してダメージを低減させ
ることができる。
磁気ミラーにおいては、到来した電子のうち、
反射されるものと通過するものとがあるが、両者
の割合は最小磁場に対する最大磁場の比、即ちミ
ラー比によつて決まる。
本実施例装置では電子サイクロトロン共鳴によ
つて発生したプラズマの電子が存在する875ガウ
スを最小磁場としている。ミラー比が２〜３、即
ち最大磁場が1.5〜2.5キロガウス程度の場合には
電子の反射率は90％となる。
ミラー比が２より小さくなるにつれて電子の反
射率は低下し、ミラー比が３より大きくなつても
反射率は90％より増大せず、従つてミラー比32〜
３が最適である。
しかし、ミラー比が1.3程度、即ち最大磁場が
1.2キロガウス以上で電子の反射率はおよそ60％
以上となる。
実用的には、これ以上の反射率であれば被加工
物のダメージは十分低減されるので好ましい。
かくすることによつてプラズマ発生室１５内に
前記電子サイクロトロン共鳴（ECR）領域が形
成され、該領域に高密度に生じた高速電子によつ
て形成されるプラズマ２４によつて弗素ガスが励
起されて多量の弗素イオン、弗素ラジカル等の粒
子が生成する。そして該プラズマ２４内の電子は
前記磁気ミラー２１によつて反射されてプラズマ
発生室１５内に閉じ込められ、上記弗素イオン、
弗素ラジカル等の質量の大きい粒子が熱運動によ
つて磁気ミラー２１を通過し、静電的に加速され
ず熱運動エネルギーのみによつて弱く加速されて
加工室２０内へ飛来する。
この際本発明の装置においては被加工基板２２
が前述のように前記磁気ミラー２１のミラー点
Pmから前記の粒子の平均自由行程（一般に50cm
程度）以内の位置例えば20cm程度の位置に配置さ
れる。
従つて該被加工基板２２面には磁気ミラー２１
を通過して該被加工基板２２面に対して垂直若し
くはそれに近い角度を持ち、且つその熱運動エネ
ルギーのみによつて弱く加速されて飛来する一次
粒子のみが入射し、該一次粒子がガス分子と衝突
して生じた種々な飛行角度を有する二次粒子は入
射しない。
そこで第１図ｂに示すように、例えば半導体基
板４１上に二酸化シリコン等の絶縁膜４２が形成
され該絶縁膜４２上に多結晶シリコン層４３が形
成されてなる被加工基板上にレジスト・マスク４
４を形成して上記実施例の装置により該多結晶シ
リコン層４３のパターンニングを行う際、該被加
工基板面に照射されるイオン及びラジカル等の粒
子４５はその熱運動のエネルギーによつて弱く加
速されているだけなので、レジスト・マスクや基
板に与えるダメージを十分低減させることができ
る。
又レジスト・マスク４４の開孔４６に入射する
上記粒子４５は前述したように基板面に対して垂
直若しくはこれに近い角度を有する一次粒子のみ
であるので、該多結晶シリコン層４３は基板面に
対してほぼ垂直な角度に異方性エツチングされ
る。
更にこの際、ラジカルもイオンに衝突して活性
化するので、イオンのみによつてエツチングされ
るダメージの少ない従来方法に比べエツチング・
レートが大幅に向上し、500〜1000〓／min程度
の充分に実用性を持つたエツチング・レートが得
られる。
なお上記過程において加工室２０内に十分な強
度のμ波が入射している場合には、図示磁力線ｍ
のように加工室２０内にも磁場が延在するために
該加工室２０内にも図示しない電子サイクロトロ
ン共鳴領域が生じ、該加工室２０内でも弗素イオ
ンや弗素ラジカルが生成されて異方性エツチング
が行われなくなる。
従つて実施例の装置においては加工室２０内に
プラズマが形成されるのを防止するために、プラ
ズマ発生室１５と加工室２０との間に該装置の外
壁を介して接地された例えばアルミニウム等から
なり活性粒子が通過する金属メツシユ１８を配設
してμ波の遮断がなされる。この金属メツシユ１
８はプラズマ内に設けた場合スパツタされて被加
工物を汚染することがある。従つて図示のように
磁気ミラー２１の加工室２０側に配設しプラズマ
から完全に隔離することによつて、上記スパツタ
の防止がなされる。
(g) 発明の効果 以上説明したように本発明によれば、被加工物
に与えるダメージを極度に減少させ且つ高処理レ
ートで被加工面に対して垂直な異方性を有するプ
ラズマ処理を行うことが出来る。
又プラズマ中の電子は磁気ミラーによつて反射
され被加工物に到達する割合は十分低減されるの
で、被加工物の温度上昇は防止される。
従つて本発明は半導体装置の製造行程等に極め
て有効である。
なお本発明は上記エツチング処理に限らず、半
導体層、絶縁層等のデポジツト処理にも適用され
る。
【図面の簡単な説明】
第１図ａは本発明のマイクロ波プラズマ処理装
置の一実施例を示す模式断面図で、第１図ｂはエ
ツチングの状態を示す模式断面図、第２図はリア
クテイブ・イオンエツチング装置の模式断面図で
ある。 図において、１１はマイクロ波透過窓、１２は
導波管、１３はマイクロ波導入手段、１４はガス
導入管、１５はプラズマ発生室、１６はマグネツ
ト・コイル、１７は磁気ミラー発生部、１８は金
属メツシユ、１９は排気管、２０は加工室、２１
は磁気ミラー、２２は被加工基板、２３は被加工
物支持手段、２４はプラズマ、ｍは磁力線、Pm
はミラー点、ｄは粒子の平均自由行程を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ マイクロ波入射手段とガス導入手段とを具備
    したプラズマ発生室と被加工物を収容する加工室
    との間に、各々に連通した磁気ミラー発生部を備
    え且つ該磁気ミラー発生部と該加工室との間に活
    性粒子を通過させマイクロ波を遮断する金属メツ
    シユを備え、該磁気ミラー発生部に備えられた磁
    気ミラー発生手段は、該プラズマ発生室において
    電子サイクロトロン共鳴を生ぜしめると共に磁気
    ミラー発生部において磁気ミラーを発生し、該プ
    ラズマ発生室内で生じた電子を反射して該電子の
    被加工部への到達を抑制し、ミラー点と該被加工
    物間の距離を該被加工物に入射する活性粒子の平
    均自由行程以下にしたことを特徴とするマイクロ
    波プラズマ処理装置。
JP15236384A 1984-07-23 1984-07-23 マイクロ波プラズマ処理装置 Granted JPS6130036A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15236384A JPS6130036A (ja) 1984-07-23 1984-07-23 マイクロ波プラズマ処理装置
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US06/756,233 US4609428A (en) 1984-07-23 1985-07-18 Method and apparatus for microwave plasma anisotropic dry etching
DE8585305217T DE3575047D1 (de) 1984-07-23 1985-07-23 Mikrowellen-plasma-aetzvorrichtung.
EP85305217A EP0171949B1 (en) 1984-07-23 1985-07-23 Microwave plasma etching apparatus

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Families Citing this family (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61222534A (ja) * 1985-03-28 1986-10-03 Anelva Corp 表面処理方法および装置
FR2591002B1 (fr) * 1985-11-15 1995-10-27 Canon Kk Dispositif de commande d'ecoulement pour un courant de particules fines
US4662977A (en) * 1986-05-05 1987-05-05 University Patents, Inc. Neutral particle surface alteration
JPS62281331A (ja) 1986-05-29 1987-12-07 Fujitsu Ltd エツチング方法
US5354416A (en) * 1986-09-05 1994-10-11 Sadayuki Okudaira Dry etching method
US5044314A (en) * 1986-10-15 1991-09-03 Advantage Production Technology, Inc. Semiconductor wafer processing apparatus
US5433788A (en) * 1987-01-19 1995-07-18 Hitachi, Ltd. Apparatus for plasma treatment using electron cyclotron resonance
JPH0620048B2 (ja) * 1987-01-30 1994-03-16 富士電機株式会社 乾式薄膜加工装置
US4985112A (en) * 1987-02-09 1991-01-15 International Business Machines Corporation Enhanced plasma etching
US4930442A (en) * 1987-03-27 1990-06-05 Canon Kabushiki Kaisha Microwave plasma CVD apparatus having an improved microwave transmissive window
KR880013424A (ko) 1987-04-08 1988-11-30 미타 가츠시게 플라즈머 장치
US4926791A (en) * 1987-04-27 1990-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Microwave plasma apparatus employing helmholtz coils and ioffe bars
DE3853551T2 (de) * 1987-05-08 1995-10-05 Hitachi Ltd Plasmabehandlungsvorrichtung.
KR920002864B1 (ko) * 1987-07-20 1992-04-06 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 플라즈마 처리방법 및 그 장치
US4859303A (en) * 1987-10-09 1989-08-22 Northern Telecom Limited Method and apparatus for removing coating from substrate
US4836902A (en) * 1987-10-09 1989-06-06 Northern Telecom Limited Method and apparatus for removing coating from substrate
US4778561A (en) * 1987-10-30 1988-10-18 Veeco Instruments, Inc. Electron cyclotron resonance plasma source
US4973381A (en) * 1987-11-30 1990-11-27 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for etching surface with excited gas
US5115167A (en) * 1988-04-05 1992-05-19 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Plasma processor
US5146138A (en) * 1988-04-05 1992-09-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Plasma processor
JP2618001B2 (ja) * 1988-07-13 1997-06-11 三菱電機株式会社 プラズマ反応装置
US4952273A (en) * 1988-09-21 1990-08-28 Microscience, Inc. Plasma generation in electron cyclotron resonance
JPH04502981A (ja) * 1988-10-14 1992-05-28 アドバンテイジ・プロダクション・テクノロジー・インク 半導体ウエハー処理の方法と装置
JP2790878B2 (ja) * 1988-11-16 1998-08-27 治久 木下 ドライプロセス装置
JPH07101685B2 (ja) * 1989-01-26 1995-11-01 富士通株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置
US5145554A (en) * 1989-02-23 1992-09-08 Seiko Epson Corporation Method of anisotropic dry etching of thin film semiconductors
US5133830A (en) * 1989-04-07 1992-07-28 Seiko Epson Corporation Method of pretreatment and anisotropic dry etching of thin film semiconductors
US5236537A (en) * 1989-04-07 1993-08-17 Seiko Epson Corporation Plasma etching apparatus
DE69017744T2 (de) * 1989-04-27 1995-09-14 Fujitsu Ltd Gerät und Verfahren zur Bearbeitung einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung eines durch Mikrowellen erzeugten Plasmas.
EP0396919A3 (en) * 1989-05-08 1991-07-10 Applied Materials, Inc. Plasma reactor and method for semiconductor processing
US5225024A (en) * 1989-05-08 1993-07-06 Applied Materials, Inc. Magnetically enhanced plasma reactor system for semiconductor processing
US5194119A (en) * 1989-05-15 1993-03-16 Seiko Epson Corporation Method of anisotropic dry etching of thin film semiconductors
US5061838A (en) * 1989-06-23 1991-10-29 Massachusetts Institute Of Technology Toroidal electron cyclotron resonance reactor
JPH0775226B2 (ja) * 1990-04-10 1995-08-09 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン プラズマ処理方法及び装置
US5045166A (en) * 1990-05-21 1991-09-03 Mcnc Magnetron method and apparatus for producing high density ionic gas discharge
GB2256084A (en) * 1991-05-13 1992-11-25 Integrated Plasma Ltd Plasma deposition and etching of substrates.
DE4119362A1 (de) * 1991-06-12 1992-12-17 Leybold Ag Teilchenquelle, insbesondere fuer reaktive ionenaetz- und plasmaunterstuetzte cvd-verfahren
US5279669A (en) * 1991-12-13 1994-01-18 International Business Machines Corporation Plasma reactor for processing substrates comprising means for inducing electron cyclotron resonance (ECR) and ion cyclotron resonance (ICR) conditions
US5282899A (en) * 1992-06-10 1994-02-01 Ruxam, Inc. Apparatus for the production of a dissociated atomic particle flow
FR2705584B1 (fr) * 1993-05-26 1995-06-30 Commissariat Energie Atomique Dispositif de séparation isotopique par résonance cyclotronique ionique.
US5783100A (en) * 1994-03-16 1998-07-21 Micron Display Technology, Inc. Method of high density plasma etching for semiconductor manufacture
US6258287B1 (en) * 1996-08-28 2001-07-10 Georgia Tech Research Corporation Method and apparatus for low energy electron enhanced etching of substrates in an AC or DC plasma environment
US6704107B1 (en) 1997-11-04 2004-03-09 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for automated, in situ material detection using filtered fluoresced, reflected, or absorbed light
US5969805A (en) 1997-11-04 1999-10-19 Micron Technology, Inc. Method and apparatus employing external light source for endpoint detection
US7102737B2 (en) * 1997-11-04 2006-09-05 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for automated, in situ material detection using filtered fluoresced, reflected, or absorbed light
JPH11330262A (ja) * 1998-05-15 1999-11-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
US6780305B2 (en) 2001-02-20 2004-08-24 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method for producing support for planographic printing plate, support for planographic printing plate, and planographic printing plate precursor
US6794272B2 (en) * 2001-10-26 2004-09-21 Ifire Technologies, Inc. Wafer thinning using magnetic mirror plasma
GB0209291D0 (en) * 2002-04-24 2002-06-05 Trikon Technologies Ltd Plasma processing apparatus
US6876154B2 (en) * 2002-04-24 2005-04-05 Trikon Holdings Limited Plasma processing apparatus
US20040110388A1 (en) * 2002-12-06 2004-06-10 International Business Machines Corporation Apparatus and method for shielding a wafer from charged particles during plasma etching
US7695590B2 (en) 2004-03-26 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition plasma reactor having plural ion shower grids
US7244474B2 (en) * 2004-03-26 2007-07-17 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition plasma process using an ion shower grid
US8017198B2 (en) * 2009-04-24 2011-09-13 Ovshinsky Innovation Llc Thin film deposition via charged particle-depleted plasma achieved by magnetic confinement
WO2013170052A1 (en) 2012-05-09 2013-11-14 Sio2 Medical Products, Inc. Saccharide protective coating for pharmaceutical package
ES2513866T3 (es) 2009-05-13 2014-10-27 Sio2 Medical Products, Inc. Revestimiento e inspección de recipientes
WO2010132068A1 (en) 2009-05-15 2010-11-18 Alpha Source Llc Ecr particle beam source apparatus, system and method
US9458536B2 (en) 2009-07-02 2016-10-04 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles
US9024273B2 (en) * 2010-04-20 2015-05-05 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Method to generate molecular ions from ions with a smaller atomic mass
US11624115B2 (en) 2010-05-12 2023-04-11 Sio2 Medical Products, Inc. Syringe with PECVD lubrication
JP5730521B2 (ja) * 2010-09-08 2015-06-10 株式会社日立ハイテクノロジーズ 熱処理装置
US9878101B2 (en) 2010-11-12 2018-01-30 Sio2 Medical Products, Inc. Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods
US9272095B2 (en) 2011-04-01 2016-03-01 Sio2 Medical Products, Inc. Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods
CN103086607B (zh) * 2011-10-28 2015-08-26 清华大学 光栅的制备方法
US11116695B2 (en) 2011-11-11 2021-09-14 Sio2 Medical Products, Inc. Blood sample collection tube
CN103930595A (zh) 2011-11-11 2014-07-16 Sio2医药产品公司 用于药物包装的钝化、pH保护性或润滑性涂层、涂布方法以及设备
WO2014071061A1 (en) 2012-11-01 2014-05-08 Sio2 Medical Products, Inc. Coating inspection method
US9903782B2 (en) 2012-11-16 2018-02-27 Sio2 Medical Products, Inc. Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics
AU2013352436B2 (en) 2012-11-30 2018-10-25 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition on medical syringes, cartridges, and the like
US9764093B2 (en) 2012-11-30 2017-09-19 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition
EP2961858B1 (en) 2013-03-01 2022-09-07 Si02 Medical Products, Inc. Coated syringe.
US9937099B2 (en) 2013-03-11 2018-04-10 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate
CN110074968B (zh) 2013-03-11 2021-12-21 Sio2医药产品公司 涂布包装材料
WO2014144926A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Sio2 Medical Products, Inc. Coating method
EP3693493A1 (en) 2014-03-28 2020-08-12 SiO2 Medical Products, Inc. Antistatic coatings for plastic vessels
TWI546858B (zh) * 2014-04-17 2016-08-21 紫焰科技股份有限公司 非接觸式物理蝕刻系統及方法
EP3337915B1 (en) 2015-08-18 2021-11-03 SiO2 Medical Products, Inc. Pharmaceutical and other packaging with low oxygen transmission rate
US11802053B2 (en) * 2021-06-10 2023-10-31 Daniel Hodes Method and apparatus for the fabrication of diamond by shockwaves

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5751265A (en) * 1980-09-10 1982-03-26 Hitachi Ltd Microwave plasma etching device
JPS57177975A (en) * 1981-04-24 1982-11-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Ion shower device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1550853A (en) * 1975-10-06 1979-08-22 Hitachi Ltd Apparatus and process for plasma treatment
JPS5422778A (en) * 1977-07-22 1979-02-20 Hitachi Ltd Plasma current transfer device
FR2402301A1 (fr) * 1977-09-02 1979-03-30 Commissariat Energie Atomique Appareil de micro-usinage par erosion ionique utilisant une source de plasma
JPS5779621A (en) * 1980-11-05 1982-05-18 Mitsubishi Electric Corp Plasma processing device
JPS6016424A (ja) * 1983-07-08 1985-01-28 Fujitsu Ltd マイクロ波プラズマ処理方法及びその装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5751265A (en) * 1980-09-10 1982-03-26 Hitachi Ltd Microwave plasma etching device
JPS57177975A (en) * 1981-04-24 1982-11-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Ion shower device

Also Published As

Publication number Publication date
US4609428A (en) 1986-09-02
EP0171949A2 (en) 1986-02-19
KR900001685B1 (ko) 1990-03-19
DE3575047D1 (de) 1990-02-01
JPS6130036A (ja) 1986-02-12
EP0171949B1 (en) 1989-12-27
KR860001468A (ko) 1986-02-26
EP0171949A3 (en) 1987-05-13

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