JPH04258898A - 混成集積回路とその製造方法 - Google Patents

混成集積回路とその製造方法

Info

Publication number
JPH04258898A
JPH04258898A JP3019599A JP1959991A JPH04258898A JP H04258898 A JPH04258898 A JP H04258898A JP 3019599 A JP3019599 A JP 3019599A JP 1959991 A JP1959991 A JP 1959991A JP H04258898 A JPH04258898 A JP H04258898A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data bus
data
rom
integrated circuit
hybrid integrated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3019599A
Other languages
English (en)
Inventor
Keiji Masui
増井 啓二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP3019599A priority Critical patent/JPH04258898A/ja
Publication of JPH04258898A publication Critical patent/JPH04258898A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)
  • Storage Device Security (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Microcomputers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は混成集積回路とその製造
方法に関し、特にROM中のプログラム情報等を保護す
る混成集積回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来のCPUとROM,RAM及びマイ
クロプロセッサの周辺回路を含む混成集積回路ではRO
Mの機能を検査するために、CPUと被テストROMを
接続するデータバスやアドレスバスを混成集積回路の入
出力端子として引き出すことが必要である。
【0003】図3は従来のCPUを含む混成集積回路の
一例のブロック図である。テストされるアドレスROM
データ5の内容を直接検査するために、混成集積回路1
bはROMデータ5のアドレスバス1,データバス6を
介して外部にデータを読出すデータバス端子7およびR
OM読出制御端子8を有している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】被テストROMの内容
が検査できるということは、容易にROMの内容が読み
出せるということを意味する。一方、ROMにはある機
能を実現するために必要なプログラムが書き込んであり
、機密保持のためには、外部から容易に内容が読み出せ
る構成は好ましくない。
【0005】通常、機密保持が必要な場合には被テスト
ROMを制御する信号線、例えばアドレスバス,データ
バス等を外部端子として出さないという方法が取られて
いる。この場合被テストROM単独での検査は不可能な
ので実使用条件にそってマイクロプロセッサを含んだ混
成集積回路全体を検査し、良否の判定を行なっている。
【0006】このような検査では当然充分な検査を行な
うことはできず、また不良が発生した場合に発生場所を
特定するのが困難であった。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の混成集積回路は
、内部にCPUと接続される被テストROMと、データ
バスを介して前記被テストROMのデータを外部に読出
すデータバス端子とを有する混成集積回路において、前
記データバスにデータ読出機能を遮断する温度ヒューズ
または温度ヒューズを有するバッファを挿入して構成さ
れている。
【0008】また、本発明の混成集積回路の製造方法は
、内部にCPUと接続される被テストROMと、データ
バスを介して前記被テストROMのデータを外部に読出
すデータバス端子とを有する混成集積回路において、前
記データバスにデータ読出機能を遮断する温度ヒューズ
または温度ヒューズを有するバッファを挿入し混成集積
回路の前記被テストROMのデータを前記データバス端
子から読出して良品を選別した後、前記混成集積回路を
加熱して前記温度ヒューズを溶断して構成されている。
【0009】
【実施例】次に本発明を図面を参照して説明する。
【0010】図1は本発明の第1の実施例のブロック図
であり、図3に示した従来の混成集積回路1bのアドレ
スROMデータ5とデータバス端子7の間を接続するデ
ータバス6にそれぞれ温度ヒューズ2が直列に挿入され
ている。温度ヒューズ2の切断温度は温度ヒューズ2を
搭載した後の工程での最大処理温度以上に選択されてい
る。
【0011】製造工程でROMのアドレス5内容をデー
タバス端子7で読み出し検査を行ない、良品を選別しそ
の後恒温槽等に入れ外気温を温度ヒューズ2の切断温度
まで上昇させると温度ヒューズ2が溶けてデータバス6
とデータバス端子7との回路は切断されるので、それ以
後はデータバス端子7から内容のROMのデータ5内容
を読み出すことができない。
【0012】図2は本発明の第2の実施例のブロック図
である。本実施例は、バスバッファ9を介してデータバ
ス端子が取り出されている場合に適用された例である。
【0013】バッファコントロール端子10をロウにし
てデータバス端子7からROMデータ5の内容を読み出
し検査する。その後、温度ヒューズを切断することによ
り、バスバッファ9のコントロール端子10は常に+5
Vにプルアップされるので、以後バスバッファ9からは
データが読めなくなる。本実施例では、温度ヒューズを
各バスライン毎に設置する必要はない。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように本発明による混成集
積回路とその製造方法では、製造工程で被テストROM
を直接検査できるので充分な不良検出が行なえる。その
後温度を上昇させ温度ヒューズを切断することにより、
データバスを入出力端子から切り離し外部からのROM
の内容の読み取りを防止できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例のブロック図である。
【図2】本発明の第2の実施例のブロック図である。
【図3】従来の混成集積回路の一例のブロック図である
【符号の説明】
1,1a    混成集積回路 2,2a    温度ヒューズ 3    CPU 4    アドレスRAMデータ 5    アドレスROMデータ 6    データバス 7    データバス端子 8    ROM読出制御端子 9    バスバッファ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  内部にCPUと接続される被テストR
    OMと、データバスを介して前記被テストROMのデー
    タを外部に読出すデータバス端子とを有する混成集積回
    路において、前記データバスにデータ読出機能を遮断す
    る温度ヒューズまたは温度ヒューズを有するバッファを
    挿入したことを特徴とする混成集積回路。
  2. 【請求項2】  内部にCPUと接続される被テストR
    OMと、データバスを介して前記被テストROMのデー
    タを外部に読出すデータバス端子とを有する混成集積回
    路において、前記データバスにデータ読出機能を遮断す
    る温度ヒューズまたは温度ヒューズを有するバッファを
    挿入し混成集積回路の前記被テストROMのデータを前
    記データバス端子から読出して良品を選別した後、前記
    混成集積回路を加熱して前記温度ヒューズを溶断するこ
    とを特徴とする混成集積回路の製造方法。
JP3019599A 1991-02-13 1991-02-13 混成集積回路とその製造方法 Pending JPH04258898A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3019599A JPH04258898A (ja) 1991-02-13 1991-02-13 混成集積回路とその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3019599A JPH04258898A (ja) 1991-02-13 1991-02-13 混成集積回路とその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04258898A true JPH04258898A (ja) 1992-09-14

Family

ID=12003690

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3019599A Pending JPH04258898A (ja) 1991-02-13 1991-02-13 混成集積回路とその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04258898A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014522180A (ja) * 2011-08-03 2014-08-28 アイシーティーケー カンパニー リミテッド 識別キー漏れを防止するicチップ及びこの認証方法
JP2014523223A (ja) * 2011-08-09 2014-09-08 クアルコム,インコーポレイテッド 取外し可能モジュールをアクセス端末に結び付ける装置および方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014522180A (ja) * 2011-08-03 2014-08-28 アイシーティーケー カンパニー リミテッド 識別キー漏れを防止するicチップ及びこの認証方法
CN104025122A (zh) * 2011-08-03 2014-09-03 Ictk有限公司 防止识别密钥泄露的ic芯片及其认证方法
JP2016048951A (ja) * 2011-08-03 2016-04-07 アイシーティーケー カンパニー リミテッド 識別キー漏れを防止するicチップ及びこの認証方法
US9996836B2 (en) 2011-08-03 2018-06-12 Ictk Co., Ltd. IC chip for preventing identification key leak and authorization method thereof
JP2014523223A (ja) * 2011-08-09 2014-09-08 クアルコム,インコーポレイテッド 取外し可能モジュールをアクセス端末に結び付ける装置および方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001135796A (ja) 半導体集積回路チップ
EP0089891A2 (en) Identification of repaired integrated circuits
US6275058B1 (en) Method and apparatus for properly disabling high current parts in a parallel test environment
JPH07122099A (ja) 半導体メモリ
KR19980018587A (ko) 반도체 장치 및 퓨즈 검사 방법
JPH04258898A (ja) 混成集積回路とその製造方法
US20070152732A1 (en) Method and apparatus to detect electrical overstress of a device
JP2001013224A (ja) 半導体装置及びそのテスト方法
JP2959542B2 (ja) 半導体装置
EP0481487A2 (en) Stand-by control circuit
JP3783865B2 (ja) 半導体装置及びそのバーンインテスト方法、製造方法並びにバーンインテスト制御回路
US6683467B1 (en) Method and apparatus for providing rotational burn-in stress testing
JPH0628291B2 (ja) 冗長回路付半導体装置
JPS60136999A (ja) メモリ集積回路装置
JP2000124280A (ja) ウエハバーンインに対応する半導体装置
JPS59198828A (ja) 再閉路装置
KR200223609Y1 (ko) 리페어/언-리페어 확인 장치
JPH0422887A (ja) 半導体メモリー回路の検査方法
JP4421058B2 (ja) 液晶表示装置、その検査装置、およびその検査方法
JPH08125024A (ja) オンチップram試験システム
JPH05241900A (ja) コンピュータのプログラム動作確認方式
JPS62289992A (ja) メモリ回路
JPS61122701A (ja) 断線保護方法
JPH0611533A (ja) 複数の電子回路接続のフェールセーフ回路
JPS598343A (ja) 半導体装置の試験方式