JPH042584B2 - - Google Patents
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/02—Phosphorus compounds
- C07F9/547—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom
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- C07F9/657181—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom having phosphorus atoms, with or without nitrogen, oxygen, sulfur, selenium or tellurium atoms, as ring hetero atoms having phosphorus and oxygen atoms as the only ring hetero atoms the ring phosphorus atom being bound to at least one carbon atom the ring phosphorus atom and, at least, one ring oxygen atom being part of a (thio)phosphonic acid derivative
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Description
本発明は、シクロプロパンカルボン酸誘導体の
新製造法及び新規な中間体に関する。 しかして、本発明の主題は、次式() [ここで、Rは、水素原子、1〜18個の炭素原子
を含有するアルキル基、18個までの炭素原子を含
有するアルコキシアルキル基、又は次式: (式中、R14は水素原子又はメチル若しくはシア
ノ基を表わす) の基を表わし、 Wは、水素原子を表わし且つYはCO2R′又は
COSR′基を表わし、或いは Wは、ハロゲン原子Halを表わし且つYは
CO2R′基を表わし、 R′は飽和又は不飽和の線状又は分岐状のアル
キル基を表わし、 二重結合の立体配置は、Wが水素原子を表わす
場合にはZであり、又はWがハロゲン原子を表わ
す場合にはEである] に相当する、シクロプロパン環に関して全ての可
能な異性体形態にある化合物を製造するにあた
り、次式() (ここで、Rは先に述べた意味を有する) の化合物に次式(1): 又は次式(2): (これら式中、Y及びWは前記の意味を有し、置
換基C、D、E、F、G及びG1は水素原子又は
1〜3個の炭素原子を含有するアルキル基を表わ
す) の化合物を作用させて、二重結合の立体配置がW
が水素原子を表わす場合にはZであり又はWがハ
ロゲン原子を表わす場合にはEであり、且つ、シ
クロプロパンと基Yのカルボキシルが二つの場合
とも二重結合に関してcis位置にある式()の
化合物を得ることを特徴とする前記式()の化
合物の製造法にある。 R′が飽和の線状又は分岐状アルキル基を表わ
すときは、それはメチル、エチル、n−プロピ
ル、イソプロピル、n−ブチル、sec−ブチル、
イソブチル、n−ペンチル、n−ヘキシル、t−
ブチル、t−ペンチル又はネオペンチル基である
のが好ましい。 R′が不飽和アルキル基を表わすときは、これ
は、例えばビニル若しくは1,1−ジメチルアリ
ルのようなエチレン基、又は例えばエチニル若し
くはプロピニル基のようなアセチレン基である。 Wがハロゲン原子を表わすときは、それは、例
えば塩素又は臭素原子であつてよいが、弗素原子
が好ましい。 Rがアルキル基を表わすときは、それはメチ
ル、エチル又はt−ブチル基であるのが好まし
い。 Rが18個までの炭素原子を含有するアルコキシ
アルキル基を表わすときは、それは、−
CH2OCH3基であるのが好ましい。 本発明の方法によれば、シクロプロパン環に関
する式()の化合物の構造は、得ようと望む式
()の化合物の構造であつて、その方法中に構
造の変化はない。 式()の化合物は、多くの立体異性体形態で
存在できる。事実、それらはシクロプロパンの1
及び3位置に2個の不斉炭素原子を持つている。
さらに、それらは、部分Rはもちろん部分Yにも
1個以上の不斉中心を与えることができる。しか
して、当然であるが、本発明は、可能な異性体の
それぞれの製造並びにそれらの混合物の製造にも
及ぶ。しかしながら、本発明は、特に、シクロプ
ロパン部分が1R、cis又は1R、trans構造である
ことを特徴とする前記の製造法、そして特にシク
ロプロパン部分が1R、cis構造であることを特徴
とする前記の製造法を主題とする。 さらに詳しくは、本発明は、Rが (a) 1〜18個の炭素原子を含有する線状又は分岐
状のアルキル基か、或いは (b) 次式: (式中、R14は水素原子又はメチル若しくはシ
アノ基を表わす) の基 を表わすことを特徴とする製造法を主題とする。 特に、本発明の主題は、Rがα−シアノ−3−
フエノキシベンジル又はα−メチル−3−フエノ
キシベンジルを表わすことを特徴とする製造法に
ある。 また、本発明は、特に、Rが水素原子又は18個
までの炭素原子を含有するアルコキシアルキル
基、特に基−CH2OCH3を表わすことを特徴とす
る式()の化合物の製造法を主題とする。 また、本発明は、特に、前記式(1)におい
て置換基C及びEが水素原子を表わし、置換基D
及びFがメチル基を表わす化合物を用いることを
特徴とする製造法を主題とする。 また、本発明は、特に、式()の化合物と式
(1)又は(2)の化合物との反応が強塩基の
存在下に行われることを特徴とする式()の化
合物の製造法を主題とする。強塩基としては、例
えば水素化ナトリウム、アルカリ若しくはアルカ
リ土類金属アルコラート、アルカリアミド又は有
機リチウム誘導体を用いることができる。 また、本発明は、特に、操作が−70℃〜+25℃
の間の温度で行われることを特徴とする製造法を
主題とする。また特に、本発明は、操作がテトラ
ヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド、ヘキサメチルホスホトリアミド及
びジメトキシエタンよりなる群から選ばれる溶媒
(脂肪族又は芳香族炭化水素を混合してもよい)
中で行なわれることを特徴とする製造法を主題と
する。 そして特に、本発明は、先に記載した式()
の化合物に次式(A): {ここでAは次式:
新製造法及び新規な中間体に関する。 しかして、本発明の主題は、次式() [ここで、Rは、水素原子、1〜18個の炭素原子
を含有するアルキル基、18個までの炭素原子を含
有するアルコキシアルキル基、又は次式: (式中、R14は水素原子又はメチル若しくはシア
ノ基を表わす) の基を表わし、 Wは、水素原子を表わし且つYはCO2R′又は
COSR′基を表わし、或いは Wは、ハロゲン原子Halを表わし且つYは
CO2R′基を表わし、 R′は飽和又は不飽和の線状又は分岐状のアル
キル基を表わし、 二重結合の立体配置は、Wが水素原子を表わす
場合にはZであり、又はWがハロゲン原子を表わ
す場合にはEである] に相当する、シクロプロパン環に関して全ての可
能な異性体形態にある化合物を製造するにあた
り、次式() (ここで、Rは先に述べた意味を有する) の化合物に次式(1): 又は次式(2): (これら式中、Y及びWは前記の意味を有し、置
換基C、D、E、F、G及びG1は水素原子又は
1〜3個の炭素原子を含有するアルキル基を表わ
す) の化合物を作用させて、二重結合の立体配置がW
が水素原子を表わす場合にはZであり又はWがハ
ロゲン原子を表わす場合にはEであり、且つ、シ
クロプロパンと基Yのカルボキシルが二つの場合
とも二重結合に関してcis位置にある式()の
化合物を得ることを特徴とする前記式()の化
合物の製造法にある。 R′が飽和の線状又は分岐状アルキル基を表わ
すときは、それはメチル、エチル、n−プロピ
ル、イソプロピル、n−ブチル、sec−ブチル、
イソブチル、n−ペンチル、n−ヘキシル、t−
ブチル、t−ペンチル又はネオペンチル基である
のが好ましい。 R′が不飽和アルキル基を表わすときは、これ
は、例えばビニル若しくは1,1−ジメチルアリ
ルのようなエチレン基、又は例えばエチニル若し
くはプロピニル基のようなアセチレン基である。 Wがハロゲン原子を表わすときは、それは、例
えば塩素又は臭素原子であつてよいが、弗素原子
が好ましい。 Rがアルキル基を表わすときは、それはメチ
ル、エチル又はt−ブチル基であるのが好まし
い。 Rが18個までの炭素原子を含有するアルコキシ
アルキル基を表わすときは、それは、−
CH2OCH3基であるのが好ましい。 本発明の方法によれば、シクロプロパン環に関
する式()の化合物の構造は、得ようと望む式
()の化合物の構造であつて、その方法中に構
造の変化はない。 式()の化合物は、多くの立体異性体形態で
存在できる。事実、それらはシクロプロパンの1
及び3位置に2個の不斉炭素原子を持つている。
さらに、それらは、部分Rはもちろん部分Yにも
1個以上の不斉中心を与えることができる。しか
して、当然であるが、本発明は、可能な異性体の
それぞれの製造並びにそれらの混合物の製造にも
及ぶ。しかしながら、本発明は、特に、シクロプ
ロパン部分が1R、cis又は1R、trans構造である
ことを特徴とする前記の製造法、そして特にシク
ロプロパン部分が1R、cis構造であることを特徴
とする前記の製造法を主題とする。 さらに詳しくは、本発明は、Rが (a) 1〜18個の炭素原子を含有する線状又は分岐
状のアルキル基か、或いは (b) 次式: (式中、R14は水素原子又はメチル若しくはシ
アノ基を表わす) の基 を表わすことを特徴とする製造法を主題とする。 特に、本発明の主題は、Rがα−シアノ−3−
フエノキシベンジル又はα−メチル−3−フエノ
キシベンジルを表わすことを特徴とする製造法に
ある。 また、本発明は、特に、Rが水素原子又は18個
までの炭素原子を含有するアルコキシアルキル
基、特に基−CH2OCH3を表わすことを特徴とす
る式()の化合物の製造法を主題とする。 また、本発明は、特に、前記式(1)におい
て置換基C及びEが水素原子を表わし、置換基D
及びFがメチル基を表わす化合物を用いることを
特徴とする製造法を主題とする。 また、本発明は、特に、式()の化合物と式
(1)又は(2)の化合物との反応が強塩基の
存在下に行われることを特徴とする式()の化
合物の製造法を主題とする。強塩基としては、例
えば水素化ナトリウム、アルカリ若しくはアルカ
リ土類金属アルコラート、アルカリアミド又は有
機リチウム誘導体を用いることができる。 また、本発明は、特に、操作が−70℃〜+25℃
の間の温度で行われることを特徴とする製造法を
主題とする。また特に、本発明は、操作がテトラ
ヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド、ヘキサメチルホスホトリアミド及
びジメトキシエタンよりなる群から選ばれる溶媒
(脂肪族又は芳香族炭化水素を混合してもよい)
中で行なわれることを特徴とする製造法を主題と
する。 そして特に、本発明は、先に記載した式()
の化合物に次式(A): {ここでAは次式:
【式】又は
【式】
(式中、置換基C、D、E、F、G及びG1は水
素原子又は1〜3個の炭素原子を含有するアルキ
ル基を表わす) の二価の炭化水素基を表わし、 R′は先に定義した通りである} の化合物を作用させて次式(A): (ここで二重結合の立体配置はZである) の化合物を得ることを特徴とする製造法、同様
に、先に記載した式()の化合物に次式 (B): (ここでA、R′及びHalは先に定義した通りであ
る) の化合物を作用させて次式(B): (ここで二重結合の立体配置はEである) の化合物を得ることを特徴とする製造法を主題と
する。 さらに、本発明は、先に記載した式()の化
合物に次式(C): (ここでA及びR′は先に定義した通りである) の化合物を反応させて対応する次式(C): (ここで二重結合の立体位置はZである) の化合物を得ることを特徴とする製造法を主題と
する。 本発明の方法の開始時に用いられる式()の
化合物は、その異性体形、cis、trans、ラセミ又
は光学活性形のうちの任意の一つであつてよい。
式()の化合物がcis形であり且つRが水素原
子を表わすときは、それ自体は対応するラクト
ン、即ち、cis−2,2−ジメチル−3−ジヒド
ロキシメチルシクロプロパン−1−カルボン酸の
ラクトンの形にある。 式()の化合物は一般に既知の化学物質であ
る。これらは非常に有用なペスチサイド性を付与
されているか又は有用なペスチサイド性化合物の
合成に中間体として用いることができる。それら
は、特にヨーロツパ特許出願第0038271号、
0041021号、0048186号及び0050534号に記載され
ている。Yが−COSR基気を表わす式()の化
合物は、フランス国特許出願第81−19481(1918年
10月16日出願)に記載されている。これらは、次
式 (ここでRは先に定義した通りである) の化合物に次式 HS−R′ のメルカプタンを作用させて所期の式()の化
合物を得ることにより製造することができる。 これらの化合物は、式()の全ての化合物と
同様に、非常に有用なペスチサイド性、特に殺虫
及び殺だに性を示し、又は活性な物質の合成にお
ける中間体をなす。以下では、フランス国特許出
願第81−19481号に記載されたようなこれら化合
物のいくつかの製造例を示す。 本発明の主題をなす方法は、これが所望の二重
結合立体配置を持つ式()の所期化合物を、容
易に入手できる原料、即ちシクロプロパンとY基
のカルボキシルが二重結合に関してcis位置にあ
る化合物から出発して、簡単で且つ迅速な態様で
取得することを可能にさせるために、特に有益で
ある。 今日までに知られた式()の化合物の製造方
法は非常に長い合成過程により式()の化合物
を得るのを可能にしているにすぎないか、又は同
じ立体特異性を導かないのである。しかして、例
えばヨーロツパ特許出願第0048186号は、次式 (ここでR〓は線状、分岐状又は環状のアルキル
基であり、Aはピレスリノイド合成に用いられる
アルコールの残基である) のエステル並びにその酸及び対応アルキルエステ
ルを製造するにあたり、次式() (ここでHalはハロゲン原子を表わし、alkは1
〜20個の炭素原子を含有するアルキル基を表わ
す) の化合物にハロゲン原子を解裂できるアルカリ剤
を反応させ、その後(a)カルボキシル基を導入でき
る反応剤を反応させて次式() の化合物を得、この化合物に式R〓−OH(R〓は前
記の意味を有する)のエステル化剤を作用させて
次式() の化合物を得るか、又は(b)次式 Hal−CO2R〓 (ここでHalはハロゲン原子を表わし、R〓は前記
の意味を有する) の誘導体を反応させて次式() の化合物を直接得、次いで式()の化合物に水
素化剤を注意深く作用させて次式() (ここで二重結合はZ配置を有する) の化合物を得、この化合物にシクロプロパンの1
位置の炭素に結合したエステル官能基を選択的に
解裂できる酸加水分解剤を作用させて対応する次
式 の化合物を得、この化合物にアルコールA−OH
を作用させて対応する次式 (ここで配置は本質上Zである) のエステルを得ることを特徴とする方法を記載し
ている。 また、式()の化合物が、有機溶媒中でウイ
ツチヒ反応に従い次式 の化合物に次式
素原子又は1〜3個の炭素原子を含有するアルキ
ル基を表わす) の二価の炭化水素基を表わし、 R′は先に定義した通りである} の化合物を作用させて次式(A): (ここで二重結合の立体配置はZである) の化合物を得ることを特徴とする製造法、同様
に、先に記載した式()の化合物に次式 (B): (ここでA、R′及びHalは先に定義した通りであ
る) の化合物を作用させて次式(B): (ここで二重結合の立体配置はEである) の化合物を得ることを特徴とする製造法を主題と
する。 さらに、本発明は、先に記載した式()の化
合物に次式(C): (ここでA及びR′は先に定義した通りである) の化合物を反応させて対応する次式(C): (ここで二重結合の立体位置はZである) の化合物を得ることを特徴とする製造法を主題と
する。 本発明の方法の開始時に用いられる式()の
化合物は、その異性体形、cis、trans、ラセミ又
は光学活性形のうちの任意の一つであつてよい。
式()の化合物がcis形であり且つRが水素原
子を表わすときは、それ自体は対応するラクト
ン、即ち、cis−2,2−ジメチル−3−ジヒド
ロキシメチルシクロプロパン−1−カルボン酸の
ラクトンの形にある。 式()の化合物は一般に既知の化学物質であ
る。これらは非常に有用なペスチサイド性を付与
されているか又は有用なペスチサイド性化合物の
合成に中間体として用いることができる。それら
は、特にヨーロツパ特許出願第0038271号、
0041021号、0048186号及び0050534号に記載され
ている。Yが−COSR基気を表わす式()の化
合物は、フランス国特許出願第81−19481(1918年
10月16日出願)に記載されている。これらは、次
式 (ここでRは先に定義した通りである) の化合物に次式 HS−R′ のメルカプタンを作用させて所期の式()の化
合物を得ることにより製造することができる。 これらの化合物は、式()の全ての化合物と
同様に、非常に有用なペスチサイド性、特に殺虫
及び殺だに性を示し、又は活性な物質の合成にお
ける中間体をなす。以下では、フランス国特許出
願第81−19481号に記載されたようなこれら化合
物のいくつかの製造例を示す。 本発明の主題をなす方法は、これが所望の二重
結合立体配置を持つ式()の所期化合物を、容
易に入手できる原料、即ちシクロプロパンとY基
のカルボキシルが二重結合に関してcis位置にあ
る化合物から出発して、簡単で且つ迅速な態様で
取得することを可能にさせるために、特に有益で
ある。 今日までに知られた式()の化合物の製造方
法は非常に長い合成過程により式()の化合物
を得るのを可能にしているにすぎないか、又は同
じ立体特異性を導かないのである。しかして、例
えばヨーロツパ特許出願第0048186号は、次式 (ここでR〓は線状、分岐状又は環状のアルキル
基であり、Aはピレスリノイド合成に用いられる
アルコールの残基である) のエステル並びにその酸及び対応アルキルエステ
ルを製造するにあたり、次式() (ここでHalはハロゲン原子を表わし、alkは1
〜20個の炭素原子を含有するアルキル基を表わ
す) の化合物にハロゲン原子を解裂できるアルカリ剤
を反応させ、その後(a)カルボキシル基を導入でき
る反応剤を反応させて次式() の化合物を得、この化合物に式R〓−OH(R〓は前
記の意味を有する)のエステル化剤を作用させて
次式() の化合物を得るか、又は(b)次式 Hal−CO2R〓 (ここでHalはハロゲン原子を表わし、R〓は前記
の意味を有する) の誘導体を反応させて次式() の化合物を直接得、次いで式()の化合物に水
素化剤を注意深く作用させて次式() (ここで二重結合はZ配置を有する) の化合物を得、この化合物にシクロプロパンの1
位置の炭素に結合したエステル官能基を選択的に
解裂できる酸加水分解剤を作用させて対応する次
式 の化合物を得、この化合物にアルコールA−OH
を作用させて対応する次式 (ここで配置は本質上Zである) のエステルを得ることを特徴とする方法を記載し
ている。 また、式()の化合物が、有機溶媒中でウイ
ツチヒ反応に従い次式 の化合物に次式
【式】又は
(ここでR〓及びR〓は炭化水素基である)
の化合物を作用させて次式
【式】又は
【式】
の化合物をE及びZ異性体の混合物の形で得、次
いでこれをその異性体のそれぞれに分離すること
により得ることができることも知られている。こ
の方法は工業的観点から利益がない。なぜなら
ば、この方法は実質的にE立体配置を持つ化合
物、即ちペスチサイドとして利益の少ない化合物
を含む混合物を導くからである。 これに対して、環状りん酸エステルを用いる本
発明の方法は、選定された立体配置を持つ化合
物、即ちシクロプロパンとカルボキシルが二重結
合に関してcis位置にある化合物を迅速且つ簡単
な方法で、しかも優れた収率で導くものである。 式(1)及び(2)のある種の化合物は既知
であり、例えば下記の式に従つて製造することが
できる。 (ここでXはハロゲン原子を表わし、alkは低級
アルキル基を表わす) 式(A)のある種の化合物、例えば次式 (ここでR′1はプロピル、イソプロピル又はt−
ブチル基を表わす)は新規である。式(A1)及
び(A2)のこれらの化合物は、それ自体、新規
な化合物として、特に本発明の方法を実施するの
に必要な中間体として本発明の主題をなす。ま
た、式(B)及び(C)の化合物も新規な物質
であり、それ自体、新規な化合物として、特に本
発明を実施するのに必要な中間体として本発明の
主題をなすものである。 式(B)及び(C)の化合物のうちでも、特
に次式
いでこれをその異性体のそれぞれに分離すること
により得ることができることも知られている。こ
の方法は工業的観点から利益がない。なぜなら
ば、この方法は実質的にE立体配置を持つ化合
物、即ちペスチサイドとして利益の少ない化合物
を含む混合物を導くからである。 これに対して、環状りん酸エステルを用いる本
発明の方法は、選定された立体配置を持つ化合
物、即ちシクロプロパンとカルボキシルが二重結
合に関してcis位置にある化合物を迅速且つ簡単
な方法で、しかも優れた収率で導くものである。 式(1)及び(2)のある種の化合物は既知
であり、例えば下記の式に従つて製造することが
できる。 (ここでXはハロゲン原子を表わし、alkは低級
アルキル基を表わす) 式(A)のある種の化合物、例えば次式 (ここでR′1はプロピル、イソプロピル又はt−
ブチル基を表わす)は新規である。式(A1)及
び(A2)のこれらの化合物は、それ自体、新規
な化合物として、特に本発明の方法を実施するの
に必要な中間体として本発明の主題をなす。ま
た、式(B)及び(C)の化合物も新規な物質
であり、それ自体、新規な化合物として、特に本
発明を実施するのに必要な中間体として本発明の
主題をなすものである。 式(B)及び(C)の化合物のうちでも、特
に次式
【式】及び
の化合物があげられる。
式(B)及び(C)の化合物の製造例は実験
の部でさらに示す。 下記の実施例は本発明を例示するもので、これ
を何ら制限しない。 例 1 (1R、cis−△Z)2,2−ジメチル−3−
〔3−オキソ−3−t−ブトキシ−1−プロペ
ニル〕シクロプロパンカルボン酸 65gの臭化リチウムを600c.c.の無水テトラヒド
ロフランに溶解する。次いで−40℃において18.3
c.c.のジイソプロピルアミン、50gの2−t−ブト
キシカルボニルメチル−4,5−ジメチル−2−
オキソ−1,3,2−ジオキサホスホラン 及び19gの(1R、cis)2,2−ジメチル−3−
ジヒドロキシメチルシクロプロパン−1−カルボ
ン酸のラクトンを導入する。温度を−40℃に保ち
ながら、45gのカリウムt−ブチラートを100c.c.
のテトラヒドロフランに溶解してなる溶液を1時
間半でゆつくりと加える。反応混合物を−40℃で
1時間かきまぜ続け、次いで混合物を1の1N
塩酸水溶液に注ぐ。イソプロピルエーテルで抽出
し、水洗し、乾燥し、減圧下に蒸発乾固させるこ
とによつて、93%の所記のZ異性体を含む32gの
生成物を得た。 類似の結果が2−t−ブトキシカルボニルメチ
ル−5,5−ジメチル−2−オキソ−1,3,2
−ジオキサホスホリナン を製造することによつて得ることができた。この
製造を以下に記載する。 製造1 出発物質として用いた2−t−ブトキシカルボ
ニルメチル−4,5−ジメチル−2−オキソ−
1,3,2−ジオキサホスホランは次のように製
造される。 工程A:2−メトキシ−4,5−ジメチル−1,
3,2−ジオキサホスホラン 300gの亜りん酸トリエチルと200c.c.の2,3−
ブタンジオールを含む混合物を100℃に加熱する。
生じたメタノールを蒸留し、170gの所期生成物
を得た。 BP=66℃/20mmHg。 工程B:最終生成物 62.5gのブロム酢酸t−ブチルを140mmHgの
減圧下に115℃に加熱する。次いで2時間にわた
り37gの2−メトキシ−4,5−ジメチル−1,
3,2−ジオキサホスホランを導入する。揮発性
生成物を減圧下に除去した後、59gの所期生成物
を回収した。これはゆつくりと結晶化する。 NMRスペクトル t−ブチル基のCH3 1.5ppm 環のCH3 1.31〜1.46ppm Pに隣接したCH2 2.98〜3.28ppm 環のCH 4.22〜5.11ppm 2−t−ブトキシカルボニルメチル−5,5−
ジメチル−2−オキソ−1,3,2−ジオキサ
ホスホリナンの製造 115℃に予め加熱した27c.c.のブロム酢酸t−ブ
チルに130mmHgの圧力下に2時間にわたり25.5
gの2−メトキシ−5,5−ジメチル−1,3,
2−ジオキサホスホリナンを加える。添加完了後
反応を15分間続け、次いで過剰の薬剤を減圧蒸留
により追出す。所期生成物をイソプロピルエーテ
ルより結晶化し、35gの純ホスホリナンを得た。
MP=98℃。 NMRスペクトル(CDCl3) tBuのCH3 1.49ppm 環の対のCH3 1.06及び1.1ppm Pのα位のCH2 2.8及び3.16ppm JH-P=22Hz 例 2 (1R、cis−△Z)2,2−ジメチル−3−
(3−メトキシ−3−オキソ−1−プロペニル)
シクロプロパンカルボン酸メトキシメチル 例1におけるように実施し、1.9gの(1R、
cis)2,2−ジメチル−3−ホルミルシクロプ
ロパン−1−カルボン酸メトキシメチルと2.7g
の2−メトキシカルボニルメチル−4,5−ジメ
チル−2−オキソ−1,3,2−ジオキサホスホ
ランより出発して、3gの粗生成物を得た。これ
は90%の所期の△Z異性体を含有する。 例2の製造において出発物質として用いた化合
物は次のように得られる。 製造2 2−メトキシカルボニルメチル−4,5−ジメ
チル−2−オキソ−1,3,2−ジオキサホスホ
ラン 45c.c.の1−ブロム酢酸メチルを120〜130℃に加
熱し、これに69.8gの製造1の工程Aで製造した
生成物を70分間で加える。温度を周囲温度に戻
し、過剰の1−ブロム酢酸メチルを留去する。得
られた粗生成物を再蒸留し、73gの所期生成物を
得た。BP=130〜132℃。 製造3 (1R、cis)2,2−ジメチル−3−ホルミル
シクロプロパンカルボン酸メトキシメチル 工程A:クロルメチルメチルエーテルの製造 90c.c.のメチラールと2.4c.c.のメタノールを含む
混合物にかきまぜながら70c.c.の塩化アセチルを導
入する。次いで反応混合物を数時間放置する。 工程B (1R、cis)2,2−ジメチル−3−ホルミル
シクロプロパンカルボン酸メトキシメチル 500c.c.のテトラヒドロフランに溶解した110gの
(1R、cis)2,2−ジメチル−3−(ジヒドロキ
シメチル)シクロプロパン−1−カルボン酸のラ
クトンに15±2℃において約半時間にわたり6.7
gの水素化リチウムを加える。この混合物を含む
装置を工程Aで得た生成物を含む装置と接続させ
てクロルエーテルをリチウム塩上にデカントし、
これを20℃で4時間かきまぜ続ける。反応媒体を
重炭酸ナトリウム水溶液上に注ぎ、イソプロピル
エーテルで抽出する。有機相を水洗し、乾燥し、
溶媒を蒸発させた後、117gの粗生成物が残つた
が、これを蒸留して精製する。BP/0.05mmHg
=65℃〜70℃。 例 3 (1R、cis−△Z)2,2−ジメチル−3−
(3−エトキシ−3−オキサ−1−プロペニル)
シクロプロパンカルボン酸メトキシメチル 例1におけるように実施し、1.9gの(1R、
cis)2,2−ジメチル−3−ホルミルシクロプ
ロパン−1−カルボン酸メトキシメチルと3gの
2−エトキシカルボニルメチル−4,5−ジメチ
ル−2−オキソ−1,3,2−ジオキサホスホラ
ン(E.Brever他によりTetrahedron34、997
(1973)に記載の方法に従つて製造)より出発し
て、99.5%の△Z異性体を含む1.6gの生成物を
得た。MP=100℃。 例 4 (1R、cis−△Z)2,2−ジメチル−3−
(3−オキソ−3−メチルチオプロペニル)シ
クロプロパンカルボン酸t−ブチル 工程A:リチウムジイソプロピルアミドの製造
9.73gのジイソプロピルアミンと100c.c.のテトラ
ヒドロフランを含む混合物に0℃±5℃でかきま
ぜながら45c.c.の2.3Mt−ブチルリチウムシクロヘ
キサン溶液を加える。 工程B:陰イオンの製造 19.6gの2−(メチルチオカルボニルメチル)−
4,5−ジメチル−2−オキソ−1,3,2−ジ
オキサホスホランを100c.c.のテトラヒドロフラン
に溶解してなる溶液を不活性雰囲気下に−50℃に
冷却し、工程Aで製造した生成物の全部を20分間
で加える。この反応生成物は−30℃以下の温度に
保つ。 工程C:所期生成物 14gの(1R、cis)3−ホルミル−2,2−ジ
メチルシクロプロパンカルボン酸t−ブチルを
200c.c.のテトラヒドロフランに溶解してなる溶液
に工程Bで製造した生成物の全部を−50℃でかき
まぜながら導入する。反応生成物を−30℃で1時
間30分かきまぜる。次いでこれをりん酸モノナト
リウム飽和水溶液に注ぎ、酢酸エチルで抽出す
る。抽出物を一緒にし、水洗し、乾燥し、過
し、減圧乾燥させる。30gの生成物を得、これを
シリカでクロマトグラフイーし、ヘキサンと酢酸
エチルとの混合物(9−1)で溶離する。これに
より6.9gの所期生成物を単離した。MP=57〜58
℃。 製造4 出発物質として用いた2−(メチルチオカルボ
ニルメチル)−4,5−ジメチル−2−オキソ−
1,3,2−ジオキサホスホランは次のように製
造した。 工程A:ブロムチオ酢酸メチル 10℃で14c.c.のピリジンと15c.c.のCH3SHを150℃
のベンゼンに加える。0℃に冷却した後、14c.c.の
塩化ブロムアセチルを50c.c.のベンゼンに溶解して
なる溶液を30分間で加える。温度を20℃に戻し、
4時間かきまぜる。反応混合物を冷1N塩酸溶液
に注ぎ、15分間かきまぜる。ベンゼン相をデカン
トし、乾燥し、乾固させる。これにより所期生成
物を得たが、再精留した後20gの生成物を単離し
た。BP/0.05mmHg=36℃。 工程B:2−(メチルチオカルボニルメチル)−
4,5−ジメチル−2−オキソ−1,3,2−
ジオキサホスホラン 18.7gの工程Aで製造した生成物を18.7gの2
−メトキシ−4,5−ジメチル−1,3,2−ジ
オキサホスホランに130℃で30分間にわたり滴下
し、これを140℃で1時間かきまぜ続ける。得ら
れた生成物を80℃で減圧下に乾固させ、25gの所
期生成物を得た。 例 5 (1R、cis−△E)2,2−ジメチル−3−
(3−エトキシ−3−オキソ−2−フルオル−
1−プロペニル)シクロプロパンカルボン酸 0.5gの臭化リチウムを10c.c.のテトラヒドロフ
ランに溶解し、次いで−40℃において0.2c.c.のジ
イソプロピルアミン、0.25gの(1R、cis)2,
2−ジメチル−3−ジヒドロキシメチルシクロプ
ロパンカルボン酸のラクトン及び0.5gの2−(エ
トキシカルボニルフルオルメチル)−5,5−ジ
メチル−2−オキソ−1,3,2−ジオキサホス
ホリナンを導入する。次いで3c.c.のテトラヒドロ
フランに溶解した0.5gのカリウムt−ブチラー
トをゆつくりと加える。これを−40℃で1時間保
つた後、希塩酸上に注ぎ、イソプロピルエーテル
で抽出し、濃縮乾固する。得られた酸は95%のE
異性体を含有した。 製造5 2−(エトキシカルボニルフルオルメチル)−
5,5−ジメチル−2−オキソ−1,3,2−ジ
オキサホスホリナン 10gのブロムフルオル酢酸エチルと6.4gの2
−メトキシ−5,5−ジメチル−1,3,2−ジ
オキサホスホリナンを500mmHgの圧力下に150℃
で3時間加熱する。冷却し、シリカでクロマトグ
ラフイー(溶離剤:CHCl31−アセトン1−ヘキ
サン1)した後、所期生成物を30%の収率で単離
した。 NMRスペクトル(CDCl3) 環のCH3 0.91及び1.3ppm エステルのCH2−CH3
1.21−1.33−1.45−4.18−4.3−4.41−4.53ppm 環のCH2O 3.66〜4.5ppm F及びPのα位の−CH−
4.91−5.1ppm、5.7−5.9ppm JH-P=12Hz JH-F=47Hz 例 6 (1R、cis−△Z)2,2−ジメチル−3−
(3−オキソ−3−メトキシ−1−プロペニル)
シクロプロパンカルボン酸 10gの臭化リチウムと40c.c.の無水テトラヒドロ
フランを混合し、−10℃に冷却し、2.54gの
(1R、cis)2,2−ジメチル−3−ジヒドロキ
シメチルシクロプロパンカルボン酸のラクトンを
加える。混合物を−30℃に冷却し、4c.c.のジイソ
プロピルアミン、次いで5.6gの2−メトキシカ
ルボニルメチル−4,5−ジメチル−2−オキソ
−1,3,2−ジオキサホスホラン、最後に20c.c.
のテトラヒドロフランに溶解した4.8gのカリウ
ムt−ブチラートを加える。これを−30℃で1時
間接触させ、次いで200c.c.の1N塩酸と氷との混合
物に注ぐ、結晶を分離し、99.5%のZ異性体を含
む2.34gの所期生成物を単離した。MP=100℃。 例 7 (1R、cis−△Z)2,2−ジメチル−3−
(3−オキソ−3−エトキシ−1−プロペニル)
シクロプロパンカルボン酸 5gの臭化リチウムと20c.c.のテトラヒドロフラ
ンを混合し、次いで1.420gの(1R、cis)2,2
−ジメチル−3−ジヒドロキシメチルシクロプロ
パンカルボン酸のラクトンと3gの2−エトキシ
カルボニルメチル−4,5−ジメチル−2−オキ
ソ−1,3,2−ジオキサホスホランを加える。
この後、2c.c.のジイソプロピルアミンを10c.c.のテ
トラヒドロフランに溶解したものを加え、次いで
2.5gのカリウムt−ブチラートを10c.c.のテトラ
ヒドロフランに溶解したものを加える。これを−
30℃で1時間保ち、次いで水−氷−濃塩酸混合物
に注ぎ、結晶を分離し、乾燥し、98.9%のZ異性
体を含む1.51gの所期生成物を得た。MP−100
℃。 例 8 (1R、cis−△Z)2,2−ジメチル−3−
(3−オキソ−3−プロポキシカルボニル−1
−プロペニル)シクロプロパンカルボン酸 例6に記載の方法と類似の方法で実施し、出発
物質として1.26gの(1R、cis)2,2−ジメチ
ル−3−ジヒドロキシメチルシクロプロパンカル
ボン酸ラクトンと3.13gの2−プロポキシカルボ
ニルメチル−4,5−ジメチル−2−オキソ−
1,3,2−ジオキサホスホランを用い、そして
ヘキサンで再結晶した後、0.89gの所期生成物を
得た。MP=59℃。 〔α〕D=+77°±1.5°(c=1%、CHCl3)。 製造6 2−プロポキシカルボニルメチル−4,5−ジ
メチル−2−オキソ−1,3,2−ジオキサホス
ホラン製造1の工程Bに記載の方法と類似の方法
で実施し、出発物質として3.8gのブロム酢酸n
−プロピルと2.42gの2−メトキシ−4,5−ジ
メチル−1,3,2−ジオキサホスホランを使用
して、3.62gの粗製の所期生成物を得、これをそ
のまま例8で用いた。 例 9 (1R、cis−△Z)2,2−ジメチル−3−
(3−オキソ−3−イソプロポキシ−1−プロ
ペニル)シクロプロパンカルボン酸 例6に記載の方法と類似の方法で実施し、出発
物質として0.76gの(1R、cis)2,2−ジメチ
ル3−ジヒドロキシメチルシクロプロパンカルボ
ン酸のラクトンと1.9g2−イソプロポキシカル
ボニルメチル−4,5−ジメチル−2−オキソ−
1,3,2−ジオキサホスホランを使用すること
によつて、1gの所期生成物、Z異性体を得た。
MP=100℃、〔α〕D=+71°±2°(c=1%
CHCl3)。 また0.09gのE異性体を得た。 製造7 2−イソプロポキシカルボニルメチル−4,5
−ジメチル−2−オキソ−1,3,2−ジオキサ
ホスホラン 製造1の工程Bに記載の方法と類似の方法で実
施し、出発物質として2.03gのブロム酢酸イソプ
ロピルと1.3gの2−メトキシ−4,5−ジメチ
ル−1,3,2−ジオキサホスホランを用いるこ
とによつて、1.94gの所期の粗生成物を得、これ
はそのまま例9で用いた。 例 10 (1R、cis−△Z)2,2−ジメチル−3−
(3−オキソ−3−t−ブトキシ−1−プロペ
ニル)シクロプロパンカルボン酸メトキシメチ
ル 例1に記載の方法と類似の方法で実施し、出発
物質として3.25gの2−t−ブトキシカルボニル
メチル−4,5−ジメチル−2−オキソ−1,
3,2−ジオキサホスホランと1.5gの(1R、
cis)2,2−ジメチル−3−ホルミルシクロプ
ロパン1−カルボン酸メトキシメチルを使用する
ことによつて、シリカでクロマトグラフイーし、
ヘキサンと酢酸エチルとの混合物(9−1)で溶
離した後、1.9g所期生成物(MP<50℃)と0.1
gのE異性体を得た。 例 11 (1R、cis−△Z)2,2−ジメチル−3−
(3−オキソ−3−メトキシ−1−プロペニル)
シクロプロパンカルボン酸t−ブチル 0.4c.c.のジイソプロピルアミンと4c.c.のテトラ
ヒドロフランを混合し、−10℃〜−20℃において
1.3c.c.の2Mブチルリチウムシクロヘキサン溶液を
加える。混合物を−10℃〜−20℃で15分間かきま
ぜ、次いで−50℃〜−60℃に冷却し、0.4gの
(1R、cis)2,2−ジメチル−3−ホルミルシ
クロプロパンカルボン酸t−ブチル、0.562gの
2−メトキシカルボニルメチル−4,5−ジメチ
ル−2−オキソ−1,3,2−ジオキサホスホラ
ン及び10c.c.のテトラヒドロフラン上に注ぎ、−50
℃〜−60℃に冷却し、−40℃で1時間接触させた
後、これを酸性りん酸ナトリウムの冷飽和水溶液
上に注ぎ、イソプロピルエーテルで抽出する。有
機相を乾燥し、溶媒を蒸発させる。88%のZ異性
体を含む0.5gの所期生成物を得た。 例 12 (1R、trans−△Z)2,2−ジメチル−3−
(3−オキソ−3−エトキシ−1−プロペニル)
シクロプロパンカルボン酸 例1に記載の方法と類似の方法で実施し、出発
物質として2gの(1R、trans)2,2−ジメチ
ル−3−ホルミルシクロプロパンカルボン酸と
4.1gの2−エトキシカルボニルメチル−4,5
−ジメチル−2−オキソ−1,3,2−ジオキサ
ホスホランを使用することにより、シリカでクロ
マトグラフイーし、1%の酢酸を含むシクロヘキ
サン−酢酸エチル混合物(6−4)で溶離した
後、75%のZ異性体を含む1.73gの所期生成物を
得た。 例 13 (1R、cis−△Z)2,2−ジメチル−3−
(3−オキソ−3−エトキシ−1−プロペニル)
シクロプロパンカルボン酸(RS)α−シアノ
−3−フエノキシベンジル 1gの2−エトキシカルボニルメチル−4,5
−ジメチル−2−オキソ−1,3,2−ジオキサ
ホスホランと10c.c.のテトラヒドロフランを混合
し、−60℃に冷却し、次いで0.495gのカリウムt
−ブチラートを6c.c.のテトラヒドロフランに溶解
したものをゆつくりと加える。−60℃に10分間放
置した後これを1.2gの(1R、cis)2,2−ジメ
チル−3−ホルミルシクロプロパンカルボン酸
(RS)α−シアノ−3−フエノキシベンジルと13
c.c.のテトラヒドロフランの混合物上にゆつくりと
注ぐ。これを再び−60℃で10分間放置し、次いで
1N塩酸溶液上に注ぎ、塩化メチレンで抽出し、
水洗し、乾燥し、溶媒を蒸発させる。その残留物
をシリカでクロマトグラフイーし、ヘキサンと酢
酸エチルとの混合物(8−2)で溶離し、0.96g
の所期生成物、Z異性体を得た。クロマトグラフ
イーを続けることによつて0.3gのE異性体を得
た。 下記の例は、フランス国特許出願第8119481号
に記載のある種の化合物の製造を記載する。 例 A (1R、cis)2,2−ジメチル−3−〔(△Z)
−3−オキソ−3−メチルチオプロペニル〕シ
クロプロパンカルボン酸(S)α−シアノ−3
−フエノキシベンジル 4.1gの(1R、cis)2,2−ジメチル−3−
〔(△Z)−カルボキシエテニル〕シクロプロパン
カルボン酸(S)α−シアノ−3−フエノキシベ
ンジルと50mgのジメチルアミノピリジンを20c.c.の
塩化メチレンに導入し、次いで0℃で2.16gのジ
シクロヘキシルカルボジイミドを加える。これを
5分間かきまぜ、次いで545mgのメチルメルカプ
タンを5c.c.のベンゼンに溶解してなる溶液を一度
に加え、0℃で5分間、次いで20℃で16時間かき
まぜる。生じた不溶性物を別し、液を1N塩
酸水溶液で洗い、次いで水洗し、減圧蒸留により
濃縮乾固する。その残留物をシリカゲルでクロマ
トグラフイーし、シクロヘキサンと酢酸エチルと
の混合物(9/1)で溶離し、1.2gの(1R、
cis)2,2−ジメチル−3−〔(△Z)3−オキ
ソ−3−メチルチオプロペニル〕シクロプロパン
カルボン酸(S)α−シアノ−3−フエノキシベ
ンジルを得た。MP=87℃。〔α〕D=+51°(c=1
%、ベンゼン)。 例 B (1R、cis)2,2−ジメチル−3−〔(△Z)
−3−オキソ−3−エチルチオプロペニル〕シ
クロプロパンカルボン酸(S)α−シアノ−3
−フエノキシベンジル 2gの(1R、cis)2,2−ジメチル−3−
〔(△Z)カルボキシエテニル〕シクロプロパンカ
ルボン酸(S)α−シアノ−3−フエノキシベン
ジルを10c.c.の塩化メチレンに導入し、1.5c.c.のエ
タンチオールを一度に加え、次いで+5℃で1g
のジシクロヘキシルカルボジイミドと40mgのジメ
チルアミノピリジンを5c.c.の塩化メチレンに溶解
してなる溶液を加える。+5℃で5分間、周囲温
度で3時間かきまぜた後、生じた不溶性物を別
する。液を減圧蒸留により濃縮乾固し、その残
留物をシリカゲルでクロマトグラフイーし、n−
ヘキサンと酢酸エチルとの混合物(8/2)で溶
離し、1.2gの(1R、cis)2,2−ジメチル−3
−〔(△Z)3−オキソ−3−エチルチオプロペニ
ル〕シクロプロパンカルボン酸(S)α−シアノ
−3−フエノキシベンジルを得た。MP=47℃、
〔α〕D=+59°(c=0.4%、クロロホルム)。 例 C (1R、cis)2,2−ジメチル−3−〔(△Z)
3−オキソ−3−イソプロピルチオプロペニ
ル〕シクロプロパンカルボン酸(S)α−シア
ノ−3−フエノキシベンジル 3.9gの(1R、cis)2,2−ジメチル−3−
〔(△Z)カルボキシエテニル〕シクロプロパンカ
ルボン酸(S)α−シアノ−3−フエノキシベン
ジルを25c.c.の塩化メチレンに溶解してなる溶液に
3c.c.の2−プロパンチオールを一度に加え、次い
で+5℃で2gのジシクロヘキシルカルボジイミ
ドと70mgのジメチルアミノピリジンを10c.c.の塩化
メチレンに溶解してなる溶液を加える。+5℃で
5分間、次いで周囲温度で3時間かきまぜた後、
生じた不溶性物を別する。路液を減圧蒸留によ
り濃縮乾固し、その残留物をシリカゲルでクロマ
トグラフイーし、n−ヘキサンと酢酸エチルとの
混合物(85/15)で溶離し、3.1gの(1R、cis)
2,2−ジメチル−3−〔(△Z)3−オキソ−3
−イソプロピルチオプロペニル〕シクロプロパン
カルボン酸(S)α−シアノ−3−フエノキシベ
ンジルを得た。MP=80℃、〔α〕D=+69°(c=
0.5%クロロホルム)。 例 D (1R、cis)2,2−ジメチル−3−〔(△Z)
3−オキソ−3−t−ブチルチオプロペニル〕
シクロプロパンカルボン酸(S)α−シアノ−
3−フエノキシベンジル 3.46gの1R、cis)2,2−ジメチル−3−
〔(△Z)カルボキシエテニル〕シクロプロパンカ
ルボン酸(S)α−シアノ−3−フエノキシベン
ジルを20c.c.の塩化メチレンに溶解してなる溶液に
150mgのジメチルアミノピリジンと1.9gのジシク
ロヘキシルカルボジイミドを5℃で加える。+5
℃で5分間かきまぜた後、5c.c.のt−ブチルメル
カプタンを加える。混合物を+5℃で5分間、次
いで20℃で3時間かきまぜ、生じた不溶性物を
別する。液を減圧蒸留により濃縮乾固し、その
残留物をシリカゲルでクロマトグラフイーし、シ
クロヘキサンと酢酸エチルとの混合物(9/1)
で溶離し、1.4gの(1R、cis)2,2−ジメチル
−3−〔(△Z)−3−オキソ−3−t−ブチルチ
オプロペニル〕シクロプロパンカルボン酸(S)
α−シアノ−3−フエノキシベンジルを得た。
MP=76℃、〔α〕D=+55°(c=0.5%、ベンゼ
ン)。
の部でさらに示す。 下記の実施例は本発明を例示するもので、これ
を何ら制限しない。 例 1 (1R、cis−△Z)2,2−ジメチル−3−
〔3−オキソ−3−t−ブトキシ−1−プロペ
ニル〕シクロプロパンカルボン酸 65gの臭化リチウムを600c.c.の無水テトラヒド
ロフランに溶解する。次いで−40℃において18.3
c.c.のジイソプロピルアミン、50gの2−t−ブト
キシカルボニルメチル−4,5−ジメチル−2−
オキソ−1,3,2−ジオキサホスホラン 及び19gの(1R、cis)2,2−ジメチル−3−
ジヒドロキシメチルシクロプロパン−1−カルボ
ン酸のラクトンを導入する。温度を−40℃に保ち
ながら、45gのカリウムt−ブチラートを100c.c.
のテトラヒドロフランに溶解してなる溶液を1時
間半でゆつくりと加える。反応混合物を−40℃で
1時間かきまぜ続け、次いで混合物を1の1N
塩酸水溶液に注ぐ。イソプロピルエーテルで抽出
し、水洗し、乾燥し、減圧下に蒸発乾固させるこ
とによつて、93%の所記のZ異性体を含む32gの
生成物を得た。 類似の結果が2−t−ブトキシカルボニルメチ
ル−5,5−ジメチル−2−オキソ−1,3,2
−ジオキサホスホリナン を製造することによつて得ることができた。この
製造を以下に記載する。 製造1 出発物質として用いた2−t−ブトキシカルボ
ニルメチル−4,5−ジメチル−2−オキソ−
1,3,2−ジオキサホスホランは次のように製
造される。 工程A:2−メトキシ−4,5−ジメチル−1,
3,2−ジオキサホスホラン 300gの亜りん酸トリエチルと200c.c.の2,3−
ブタンジオールを含む混合物を100℃に加熱する。
生じたメタノールを蒸留し、170gの所期生成物
を得た。 BP=66℃/20mmHg。 工程B:最終生成物 62.5gのブロム酢酸t−ブチルを140mmHgの
減圧下に115℃に加熱する。次いで2時間にわた
り37gの2−メトキシ−4,5−ジメチル−1,
3,2−ジオキサホスホランを導入する。揮発性
生成物を減圧下に除去した後、59gの所期生成物
を回収した。これはゆつくりと結晶化する。 NMRスペクトル t−ブチル基のCH3 1.5ppm 環のCH3 1.31〜1.46ppm Pに隣接したCH2 2.98〜3.28ppm 環のCH 4.22〜5.11ppm 2−t−ブトキシカルボニルメチル−5,5−
ジメチル−2−オキソ−1,3,2−ジオキサ
ホスホリナンの製造 115℃に予め加熱した27c.c.のブロム酢酸t−ブ
チルに130mmHgの圧力下に2時間にわたり25.5
gの2−メトキシ−5,5−ジメチル−1,3,
2−ジオキサホスホリナンを加える。添加完了後
反応を15分間続け、次いで過剰の薬剤を減圧蒸留
により追出す。所期生成物をイソプロピルエーテ
ルより結晶化し、35gの純ホスホリナンを得た。
MP=98℃。 NMRスペクトル(CDCl3) tBuのCH3 1.49ppm 環の対のCH3 1.06及び1.1ppm Pのα位のCH2 2.8及び3.16ppm JH-P=22Hz 例 2 (1R、cis−△Z)2,2−ジメチル−3−
(3−メトキシ−3−オキソ−1−プロペニル)
シクロプロパンカルボン酸メトキシメチル 例1におけるように実施し、1.9gの(1R、
cis)2,2−ジメチル−3−ホルミルシクロプ
ロパン−1−カルボン酸メトキシメチルと2.7g
の2−メトキシカルボニルメチル−4,5−ジメ
チル−2−オキソ−1,3,2−ジオキサホスホ
ランより出発して、3gの粗生成物を得た。これ
は90%の所期の△Z異性体を含有する。 例2の製造において出発物質として用いた化合
物は次のように得られる。 製造2 2−メトキシカルボニルメチル−4,5−ジメ
チル−2−オキソ−1,3,2−ジオキサホスホ
ラン 45c.c.の1−ブロム酢酸メチルを120〜130℃に加
熱し、これに69.8gの製造1の工程Aで製造した
生成物を70分間で加える。温度を周囲温度に戻
し、過剰の1−ブロム酢酸メチルを留去する。得
られた粗生成物を再蒸留し、73gの所期生成物を
得た。BP=130〜132℃。 製造3 (1R、cis)2,2−ジメチル−3−ホルミル
シクロプロパンカルボン酸メトキシメチル 工程A:クロルメチルメチルエーテルの製造 90c.c.のメチラールと2.4c.c.のメタノールを含む
混合物にかきまぜながら70c.c.の塩化アセチルを導
入する。次いで反応混合物を数時間放置する。 工程B (1R、cis)2,2−ジメチル−3−ホルミル
シクロプロパンカルボン酸メトキシメチル 500c.c.のテトラヒドロフランに溶解した110gの
(1R、cis)2,2−ジメチル−3−(ジヒドロキ
シメチル)シクロプロパン−1−カルボン酸のラ
クトンに15±2℃において約半時間にわたり6.7
gの水素化リチウムを加える。この混合物を含む
装置を工程Aで得た生成物を含む装置と接続させ
てクロルエーテルをリチウム塩上にデカントし、
これを20℃で4時間かきまぜ続ける。反応媒体を
重炭酸ナトリウム水溶液上に注ぎ、イソプロピル
エーテルで抽出する。有機相を水洗し、乾燥し、
溶媒を蒸発させた後、117gの粗生成物が残つた
が、これを蒸留して精製する。BP/0.05mmHg
=65℃〜70℃。 例 3 (1R、cis−△Z)2,2−ジメチル−3−
(3−エトキシ−3−オキサ−1−プロペニル)
シクロプロパンカルボン酸メトキシメチル 例1におけるように実施し、1.9gの(1R、
cis)2,2−ジメチル−3−ホルミルシクロプ
ロパン−1−カルボン酸メトキシメチルと3gの
2−エトキシカルボニルメチル−4,5−ジメチ
ル−2−オキソ−1,3,2−ジオキサホスホラ
ン(E.Brever他によりTetrahedron34、997
(1973)に記載の方法に従つて製造)より出発し
て、99.5%の△Z異性体を含む1.6gの生成物を
得た。MP=100℃。 例 4 (1R、cis−△Z)2,2−ジメチル−3−
(3−オキソ−3−メチルチオプロペニル)シ
クロプロパンカルボン酸t−ブチル 工程A:リチウムジイソプロピルアミドの製造
9.73gのジイソプロピルアミンと100c.c.のテトラ
ヒドロフランを含む混合物に0℃±5℃でかきま
ぜながら45c.c.の2.3Mt−ブチルリチウムシクロヘ
キサン溶液を加える。 工程B:陰イオンの製造 19.6gの2−(メチルチオカルボニルメチル)−
4,5−ジメチル−2−オキソ−1,3,2−ジ
オキサホスホランを100c.c.のテトラヒドロフラン
に溶解してなる溶液を不活性雰囲気下に−50℃に
冷却し、工程Aで製造した生成物の全部を20分間
で加える。この反応生成物は−30℃以下の温度に
保つ。 工程C:所期生成物 14gの(1R、cis)3−ホルミル−2,2−ジ
メチルシクロプロパンカルボン酸t−ブチルを
200c.c.のテトラヒドロフランに溶解してなる溶液
に工程Bで製造した生成物の全部を−50℃でかき
まぜながら導入する。反応生成物を−30℃で1時
間30分かきまぜる。次いでこれをりん酸モノナト
リウム飽和水溶液に注ぎ、酢酸エチルで抽出す
る。抽出物を一緒にし、水洗し、乾燥し、過
し、減圧乾燥させる。30gの生成物を得、これを
シリカでクロマトグラフイーし、ヘキサンと酢酸
エチルとの混合物(9−1)で溶離する。これに
より6.9gの所期生成物を単離した。MP=57〜58
℃。 製造4 出発物質として用いた2−(メチルチオカルボ
ニルメチル)−4,5−ジメチル−2−オキソ−
1,3,2−ジオキサホスホランは次のように製
造した。 工程A:ブロムチオ酢酸メチル 10℃で14c.c.のピリジンと15c.c.のCH3SHを150℃
のベンゼンに加える。0℃に冷却した後、14c.c.の
塩化ブロムアセチルを50c.c.のベンゼンに溶解して
なる溶液を30分間で加える。温度を20℃に戻し、
4時間かきまぜる。反応混合物を冷1N塩酸溶液
に注ぎ、15分間かきまぜる。ベンゼン相をデカン
トし、乾燥し、乾固させる。これにより所期生成
物を得たが、再精留した後20gの生成物を単離し
た。BP/0.05mmHg=36℃。 工程B:2−(メチルチオカルボニルメチル)−
4,5−ジメチル−2−オキソ−1,3,2−
ジオキサホスホラン 18.7gの工程Aで製造した生成物を18.7gの2
−メトキシ−4,5−ジメチル−1,3,2−ジ
オキサホスホランに130℃で30分間にわたり滴下
し、これを140℃で1時間かきまぜ続ける。得ら
れた生成物を80℃で減圧下に乾固させ、25gの所
期生成物を得た。 例 5 (1R、cis−△E)2,2−ジメチル−3−
(3−エトキシ−3−オキソ−2−フルオル−
1−プロペニル)シクロプロパンカルボン酸 0.5gの臭化リチウムを10c.c.のテトラヒドロフ
ランに溶解し、次いで−40℃において0.2c.c.のジ
イソプロピルアミン、0.25gの(1R、cis)2,
2−ジメチル−3−ジヒドロキシメチルシクロプ
ロパンカルボン酸のラクトン及び0.5gの2−(エ
トキシカルボニルフルオルメチル)−5,5−ジ
メチル−2−オキソ−1,3,2−ジオキサホス
ホリナンを導入する。次いで3c.c.のテトラヒドロ
フランに溶解した0.5gのカリウムt−ブチラー
トをゆつくりと加える。これを−40℃で1時間保
つた後、希塩酸上に注ぎ、イソプロピルエーテル
で抽出し、濃縮乾固する。得られた酸は95%のE
異性体を含有した。 製造5 2−(エトキシカルボニルフルオルメチル)−
5,5−ジメチル−2−オキソ−1,3,2−ジ
オキサホスホリナン 10gのブロムフルオル酢酸エチルと6.4gの2
−メトキシ−5,5−ジメチル−1,3,2−ジ
オキサホスホリナンを500mmHgの圧力下に150℃
で3時間加熱する。冷却し、シリカでクロマトグ
ラフイー(溶離剤:CHCl31−アセトン1−ヘキ
サン1)した後、所期生成物を30%の収率で単離
した。 NMRスペクトル(CDCl3) 環のCH3 0.91及び1.3ppm エステルのCH2−CH3
1.21−1.33−1.45−4.18−4.3−4.41−4.53ppm 環のCH2O 3.66〜4.5ppm F及びPのα位の−CH−
4.91−5.1ppm、5.7−5.9ppm JH-P=12Hz JH-F=47Hz 例 6 (1R、cis−△Z)2,2−ジメチル−3−
(3−オキソ−3−メトキシ−1−プロペニル)
シクロプロパンカルボン酸 10gの臭化リチウムと40c.c.の無水テトラヒドロ
フランを混合し、−10℃に冷却し、2.54gの
(1R、cis)2,2−ジメチル−3−ジヒドロキ
シメチルシクロプロパンカルボン酸のラクトンを
加える。混合物を−30℃に冷却し、4c.c.のジイソ
プロピルアミン、次いで5.6gの2−メトキシカ
ルボニルメチル−4,5−ジメチル−2−オキソ
−1,3,2−ジオキサホスホラン、最後に20c.c.
のテトラヒドロフランに溶解した4.8gのカリウ
ムt−ブチラートを加える。これを−30℃で1時
間接触させ、次いで200c.c.の1N塩酸と氷との混合
物に注ぐ、結晶を分離し、99.5%のZ異性体を含
む2.34gの所期生成物を単離した。MP=100℃。 例 7 (1R、cis−△Z)2,2−ジメチル−3−
(3−オキソ−3−エトキシ−1−プロペニル)
シクロプロパンカルボン酸 5gの臭化リチウムと20c.c.のテトラヒドロフラ
ンを混合し、次いで1.420gの(1R、cis)2,2
−ジメチル−3−ジヒドロキシメチルシクロプロ
パンカルボン酸のラクトンと3gの2−エトキシ
カルボニルメチル−4,5−ジメチル−2−オキ
ソ−1,3,2−ジオキサホスホランを加える。
この後、2c.c.のジイソプロピルアミンを10c.c.のテ
トラヒドロフランに溶解したものを加え、次いで
2.5gのカリウムt−ブチラートを10c.c.のテトラ
ヒドロフランに溶解したものを加える。これを−
30℃で1時間保ち、次いで水−氷−濃塩酸混合物
に注ぎ、結晶を分離し、乾燥し、98.9%のZ異性
体を含む1.51gの所期生成物を得た。MP−100
℃。 例 8 (1R、cis−△Z)2,2−ジメチル−3−
(3−オキソ−3−プロポキシカルボニル−1
−プロペニル)シクロプロパンカルボン酸 例6に記載の方法と類似の方法で実施し、出発
物質として1.26gの(1R、cis)2,2−ジメチ
ル−3−ジヒドロキシメチルシクロプロパンカル
ボン酸ラクトンと3.13gの2−プロポキシカルボ
ニルメチル−4,5−ジメチル−2−オキソ−
1,3,2−ジオキサホスホランを用い、そして
ヘキサンで再結晶した後、0.89gの所期生成物を
得た。MP=59℃。 〔α〕D=+77°±1.5°(c=1%、CHCl3)。 製造6 2−プロポキシカルボニルメチル−4,5−ジ
メチル−2−オキソ−1,3,2−ジオキサホス
ホラン製造1の工程Bに記載の方法と類似の方法
で実施し、出発物質として3.8gのブロム酢酸n
−プロピルと2.42gの2−メトキシ−4,5−ジ
メチル−1,3,2−ジオキサホスホランを使用
して、3.62gの粗製の所期生成物を得、これをそ
のまま例8で用いた。 例 9 (1R、cis−△Z)2,2−ジメチル−3−
(3−オキソ−3−イソプロポキシ−1−プロ
ペニル)シクロプロパンカルボン酸 例6に記載の方法と類似の方法で実施し、出発
物質として0.76gの(1R、cis)2,2−ジメチ
ル3−ジヒドロキシメチルシクロプロパンカルボ
ン酸のラクトンと1.9g2−イソプロポキシカル
ボニルメチル−4,5−ジメチル−2−オキソ−
1,3,2−ジオキサホスホランを使用すること
によつて、1gの所期生成物、Z異性体を得た。
MP=100℃、〔α〕D=+71°±2°(c=1%
CHCl3)。 また0.09gのE異性体を得た。 製造7 2−イソプロポキシカルボニルメチル−4,5
−ジメチル−2−オキソ−1,3,2−ジオキサ
ホスホラン 製造1の工程Bに記載の方法と類似の方法で実
施し、出発物質として2.03gのブロム酢酸イソプ
ロピルと1.3gの2−メトキシ−4,5−ジメチ
ル−1,3,2−ジオキサホスホランを用いるこ
とによつて、1.94gの所期の粗生成物を得、これ
はそのまま例9で用いた。 例 10 (1R、cis−△Z)2,2−ジメチル−3−
(3−オキソ−3−t−ブトキシ−1−プロペ
ニル)シクロプロパンカルボン酸メトキシメチ
ル 例1に記載の方法と類似の方法で実施し、出発
物質として3.25gの2−t−ブトキシカルボニル
メチル−4,5−ジメチル−2−オキソ−1,
3,2−ジオキサホスホランと1.5gの(1R、
cis)2,2−ジメチル−3−ホルミルシクロプ
ロパン1−カルボン酸メトキシメチルを使用する
ことによつて、シリカでクロマトグラフイーし、
ヘキサンと酢酸エチルとの混合物(9−1)で溶
離した後、1.9g所期生成物(MP<50℃)と0.1
gのE異性体を得た。 例 11 (1R、cis−△Z)2,2−ジメチル−3−
(3−オキソ−3−メトキシ−1−プロペニル)
シクロプロパンカルボン酸t−ブチル 0.4c.c.のジイソプロピルアミンと4c.c.のテトラ
ヒドロフランを混合し、−10℃〜−20℃において
1.3c.c.の2Mブチルリチウムシクロヘキサン溶液を
加える。混合物を−10℃〜−20℃で15分間かきま
ぜ、次いで−50℃〜−60℃に冷却し、0.4gの
(1R、cis)2,2−ジメチル−3−ホルミルシ
クロプロパンカルボン酸t−ブチル、0.562gの
2−メトキシカルボニルメチル−4,5−ジメチ
ル−2−オキソ−1,3,2−ジオキサホスホラ
ン及び10c.c.のテトラヒドロフラン上に注ぎ、−50
℃〜−60℃に冷却し、−40℃で1時間接触させた
後、これを酸性りん酸ナトリウムの冷飽和水溶液
上に注ぎ、イソプロピルエーテルで抽出する。有
機相を乾燥し、溶媒を蒸発させる。88%のZ異性
体を含む0.5gの所期生成物を得た。 例 12 (1R、trans−△Z)2,2−ジメチル−3−
(3−オキソ−3−エトキシ−1−プロペニル)
シクロプロパンカルボン酸 例1に記載の方法と類似の方法で実施し、出発
物質として2gの(1R、trans)2,2−ジメチ
ル−3−ホルミルシクロプロパンカルボン酸と
4.1gの2−エトキシカルボニルメチル−4,5
−ジメチル−2−オキソ−1,3,2−ジオキサ
ホスホランを使用することにより、シリカでクロ
マトグラフイーし、1%の酢酸を含むシクロヘキ
サン−酢酸エチル混合物(6−4)で溶離した
後、75%のZ異性体を含む1.73gの所期生成物を
得た。 例 13 (1R、cis−△Z)2,2−ジメチル−3−
(3−オキソ−3−エトキシ−1−プロペニル)
シクロプロパンカルボン酸(RS)α−シアノ
−3−フエノキシベンジル 1gの2−エトキシカルボニルメチル−4,5
−ジメチル−2−オキソ−1,3,2−ジオキサ
ホスホランと10c.c.のテトラヒドロフランを混合
し、−60℃に冷却し、次いで0.495gのカリウムt
−ブチラートを6c.c.のテトラヒドロフランに溶解
したものをゆつくりと加える。−60℃に10分間放
置した後これを1.2gの(1R、cis)2,2−ジメ
チル−3−ホルミルシクロプロパンカルボン酸
(RS)α−シアノ−3−フエノキシベンジルと13
c.c.のテトラヒドロフランの混合物上にゆつくりと
注ぐ。これを再び−60℃で10分間放置し、次いで
1N塩酸溶液上に注ぎ、塩化メチレンで抽出し、
水洗し、乾燥し、溶媒を蒸発させる。その残留物
をシリカでクロマトグラフイーし、ヘキサンと酢
酸エチルとの混合物(8−2)で溶離し、0.96g
の所期生成物、Z異性体を得た。クロマトグラフ
イーを続けることによつて0.3gのE異性体を得
た。 下記の例は、フランス国特許出願第8119481号
に記載のある種の化合物の製造を記載する。 例 A (1R、cis)2,2−ジメチル−3−〔(△Z)
−3−オキソ−3−メチルチオプロペニル〕シ
クロプロパンカルボン酸(S)α−シアノ−3
−フエノキシベンジル 4.1gの(1R、cis)2,2−ジメチル−3−
〔(△Z)−カルボキシエテニル〕シクロプロパン
カルボン酸(S)α−シアノ−3−フエノキシベ
ンジルと50mgのジメチルアミノピリジンを20c.c.の
塩化メチレンに導入し、次いで0℃で2.16gのジ
シクロヘキシルカルボジイミドを加える。これを
5分間かきまぜ、次いで545mgのメチルメルカプ
タンを5c.c.のベンゼンに溶解してなる溶液を一度
に加え、0℃で5分間、次いで20℃で16時間かき
まぜる。生じた不溶性物を別し、液を1N塩
酸水溶液で洗い、次いで水洗し、減圧蒸留により
濃縮乾固する。その残留物をシリカゲルでクロマ
トグラフイーし、シクロヘキサンと酢酸エチルと
の混合物(9/1)で溶離し、1.2gの(1R、
cis)2,2−ジメチル−3−〔(△Z)3−オキ
ソ−3−メチルチオプロペニル〕シクロプロパン
カルボン酸(S)α−シアノ−3−フエノキシベ
ンジルを得た。MP=87℃。〔α〕D=+51°(c=1
%、ベンゼン)。 例 B (1R、cis)2,2−ジメチル−3−〔(△Z)
−3−オキソ−3−エチルチオプロペニル〕シ
クロプロパンカルボン酸(S)α−シアノ−3
−フエノキシベンジル 2gの(1R、cis)2,2−ジメチル−3−
〔(△Z)カルボキシエテニル〕シクロプロパンカ
ルボン酸(S)α−シアノ−3−フエノキシベン
ジルを10c.c.の塩化メチレンに導入し、1.5c.c.のエ
タンチオールを一度に加え、次いで+5℃で1g
のジシクロヘキシルカルボジイミドと40mgのジメ
チルアミノピリジンを5c.c.の塩化メチレンに溶解
してなる溶液を加える。+5℃で5分間、周囲温
度で3時間かきまぜた後、生じた不溶性物を別
する。液を減圧蒸留により濃縮乾固し、その残
留物をシリカゲルでクロマトグラフイーし、n−
ヘキサンと酢酸エチルとの混合物(8/2)で溶
離し、1.2gの(1R、cis)2,2−ジメチル−3
−〔(△Z)3−オキソ−3−エチルチオプロペニ
ル〕シクロプロパンカルボン酸(S)α−シアノ
−3−フエノキシベンジルを得た。MP=47℃、
〔α〕D=+59°(c=0.4%、クロロホルム)。 例 C (1R、cis)2,2−ジメチル−3−〔(△Z)
3−オキソ−3−イソプロピルチオプロペニ
ル〕シクロプロパンカルボン酸(S)α−シア
ノ−3−フエノキシベンジル 3.9gの(1R、cis)2,2−ジメチル−3−
〔(△Z)カルボキシエテニル〕シクロプロパンカ
ルボン酸(S)α−シアノ−3−フエノキシベン
ジルを25c.c.の塩化メチレンに溶解してなる溶液に
3c.c.の2−プロパンチオールを一度に加え、次い
で+5℃で2gのジシクロヘキシルカルボジイミ
ドと70mgのジメチルアミノピリジンを10c.c.の塩化
メチレンに溶解してなる溶液を加える。+5℃で
5分間、次いで周囲温度で3時間かきまぜた後、
生じた不溶性物を別する。路液を減圧蒸留によ
り濃縮乾固し、その残留物をシリカゲルでクロマ
トグラフイーし、n−ヘキサンと酢酸エチルとの
混合物(85/15)で溶離し、3.1gの(1R、cis)
2,2−ジメチル−3−〔(△Z)3−オキソ−3
−イソプロピルチオプロペニル〕シクロプロパン
カルボン酸(S)α−シアノ−3−フエノキシベ
ンジルを得た。MP=80℃、〔α〕D=+69°(c=
0.5%クロロホルム)。 例 D (1R、cis)2,2−ジメチル−3−〔(△Z)
3−オキソ−3−t−ブチルチオプロペニル〕
シクロプロパンカルボン酸(S)α−シアノ−
3−フエノキシベンジル 3.46gの1R、cis)2,2−ジメチル−3−
〔(△Z)カルボキシエテニル〕シクロプロパンカ
ルボン酸(S)α−シアノ−3−フエノキシベン
ジルを20c.c.の塩化メチレンに溶解してなる溶液に
150mgのジメチルアミノピリジンと1.9gのジシク
ロヘキシルカルボジイミドを5℃で加える。+5
℃で5分間かきまぜた後、5c.c.のt−ブチルメル
カプタンを加える。混合物を+5℃で5分間、次
いで20℃で3時間かきまぜ、生じた不溶性物を
別する。液を減圧蒸留により濃縮乾固し、その
残留物をシリカゲルでクロマトグラフイーし、シ
クロヘキサンと酢酸エチルとの混合物(9/1)
で溶離し、1.4gの(1R、cis)2,2−ジメチル
−3−〔(△Z)−3−オキソ−3−t−ブチルチ
オプロペニル〕シクロプロパンカルボン酸(S)
α−シアノ−3−フエノキシベンジルを得た。
MP=76℃、〔α〕D=+55°(c=0.5%、ベンゼ
ン)。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 次式() [ここで、Rは、水素原子、1〜18個の炭素原子
を含有するアルキル基、18個までの炭素原子を含
有するアルコキシアルキル基、又は次式: (式中、R14は水素原子又はメチル若しくはシア
ノ基を表わす) の基を表わし、 Wは、水素原子を表わし且つYはCO2R′又は
COSR′基を表わし、或いは Wは、ハロゲン原子Halを表わし且つYは
CO2R′基を表わし、 R′は飽和又は不飽和の線状又は分岐状のアル
キル基を表わし、 二重結合の立体配置は、Wが水素原子を表わす
場合にはZであり、又はWがハロゲン原子を表わ
す場合にはEである] に相当する、シクロプロパン環に関して全ての可
能な異性体形態にある化合物を製造するにあた
り、次式() (ここで、Rは先に述べた意味を有する) の化合物に次式(1): 又は次式(2): (これら式中、Y及びWは前記の意味を有し、置
換基C、D、E、F、G及びG1は水素原子又は
1〜3個の炭素原子を含有するアルキル基を表わ
す) の化合物を作用させて、二重結合の立体配置がW
が水素原子を表わす場合にはZであり又はWがハ
ロゲン原子を表わす場合にはEであり、且つ、シ
クロプロパンと基Yのカルボキシルが二つの場合
とも二重結合に関してcis位置にある式()の
化合物を得ることを特徴とする前記式()の化
合物の製造法。 2 シクロプロパン部分が1R、cis又は1R、
trans構造であることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の製造法。 3 シクロプロパン部分が1R、cis構造であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の方
法。 4 Rが (a) 1〜18個の炭素原子を含有する線状又は分岐
状のアルキル基か、或いは (b) 次式: (式中、R14は水素原子又はメチル若しくはシ
アノ基を表わす) の基 を表わすことを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の方法。 5 Rがα−シアノ−3−フエノキシベンジル又
はα−メチル−3−フエノキシベンジルを表わす
ことを特徴とする特許請求の範囲第4項記載の製
造法。 6 Rが水素原子又は18個までの炭素原子を含有
するアルコキシアルキル基を表わすことを特徴と
する特許請求の範囲第1〜3項のいずれかに記載
の製造法。 7 Rが基−CH2OCH3を表わすことを特徴とす
る特許請求の範囲第6項記載の製造法。 8 置換基C及びEが水素原子を表わし、置換基
D及びFがメチル基を表わす式(1)の化合物
を用いることを特徴とする特許請求の範囲第1〜
7項のいずれかに記載の製造法。 9 式()の化合物と式(1)又は(2)の
化合物との反応が強塩基の存在下に行われること
を特徴とする特許請求の範囲第1〜8項のいずれ
かに記載の製造法。 10 操作が−70℃〜+25℃の間の温度で行われ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1〜9項の
いずれかに記載の製造法。 11 操作がテトラヒドロフラン、ジメチルホル
ムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチル
ホスホトリアミド及びジメトキシエタンよりなる
群から選ばれ、そして脂肪族又は芳香族炭化水素
を加えた又は加えない溶媒中で行なわれることを
特徴とする特許請求の範囲第1〜10項のいずれ
かに記載の製造法。 12 前記した式()の化合物に次式(A): {ここでAは次式: 【式】又は【式】 (式中、置換基C、D、E、F、G及びG1は水
素原子又は1〜3個の炭素原子を含有するアルキ
ル基を表わす) の二価の炭化水素基を表わし、 R′は先に定義した通りである} の化合物を作用させて次式(A): (ここで二重結合の立体配置はZである) の化合物を得ることを特徴とする特許請求の範囲
第1〜11項のいずれかに記載の製造法。 13 前記した式()の化合物に次式(B): {ここで、Aは次式: 【式】又は【式】 (式中、置換基C、D、E、F、G及びG1は水
素原子又は1〜3個の炭素原子を含有するアルキ
ル基を表わす) の二価の炭化水素基を表わし、 R′及びHalは先に定義した通りである} の化合物を作用させて次式(B): (ここで二重結合の立体配置はEである) の化合物を得ることを特徴とする特許請求の範囲
第1〜11項のいずれかに記載の製造法。 14 前記した式()の化合物に次式(C): {ここで、Aは次式: 【式】又は【式】 (式中、置換基C、D、E、F、G及びG1は水
素原子又は1〜3個の炭素原子を含有するアルキ
ル基を表わす) の二価の炭化水素基を表わし、 R′は先に定義した通りである} の化合物を反応させて対応する次式(C): (ここで二重結合の立体配置はZである) の化合物を得ることを特徴とする特許請求の範囲
第1〜11項のいずれかに記載の製造法。
Applications Claiming Priority (2)
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FR8207870 | 1982-05-06 |
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Patent Citations (1)
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