JPH04256849A - 容量型湿分センサの製造法 - Google Patents
容量型湿分センサの製造法Info
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- JPH04256849A JPH04256849A JP3231390A JP23139091A JPH04256849A JP H04256849 A JPH04256849 A JP H04256849A JP 3231390 A JP3231390 A JP 3231390A JP 23139091 A JP23139091 A JP 23139091A JP H04256849 A JPH04256849 A JP H04256849A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/22—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance
- G01N27/223—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance for determining moisture content, e.g. humidity
- G01N27/225—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance for determining moisture content, e.g. humidity by using hygroscopic materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、以下の薄膜技術に適合
する工程により、容量型湿分センサを製造する方法にあ
る:構成された基本電極を絶縁体支持体の上で製造し、
感湿性重合体層を均一の厚さで接触領域から離しながら
、基本電極の上に塗布し、重合体層の表面結合を活性化
し、薄膜中の単一粒径のSiO2粒子またはAl2O3
粒子からなるコロイド状分散液を重合体層に塗布し、続
いて乾燥させ、被覆電極を、分散液の乾燥後に重合体層
上で、単独でなお均一に分散して存在する粒子の上に塗
布し、粒子を、その上に存在する被覆電極の部分と共に
剥離する。
する工程により、容量型湿分センサを製造する方法にあ
る:構成された基本電極を絶縁体支持体の上で製造し、
感湿性重合体層を均一の厚さで接触領域から離しながら
、基本電極の上に塗布し、重合体層の表面結合を活性化
し、薄膜中の単一粒径のSiO2粒子またはAl2O3
粒子からなるコロイド状分散液を重合体層に塗布し、続
いて乾燥させ、被覆電極を、分散液の乾燥後に重合体層
上で、単独でなお均一に分散して存在する粒子の上に塗
布し、粒子を、その上に存在する被覆電極の部分と共に
剥離する。
【0002】
【従来の技術】この種の容量型湿分センサの場合、被覆
電極が、水蒸気に対して十分に透過性であること、即ち
水分子の吸着および放出を妨げず、このことにより、で
きるだけ高い反応速度を生ずるということが保証される
べきである。更に、被覆電極の開口部の縁に水分子は、
付着してはならない。また、該被覆電極は、高い機械的
、電気的および化学的な長期安定性を有していなければ
ならず、このことは、アグレッシブな物質の存在する中
での湿分測定の場合、殊に露点を下廻った場合、および
/または高い温度の場合に重要である。
電極が、水蒸気に対して十分に透過性であること、即ち
水分子の吸着および放出を妨げず、このことにより、で
きるだけ高い反応速度を生ずるということが保証される
べきである。更に、被覆電極の開口部の縁に水分子は、
付着してはならない。また、該被覆電極は、高い機械的
、電気的および化学的な長期安定性を有していなければ
ならず、このことは、アグレッシブな物質の存在する中
での湿分測定の場合、殊に露点を下廻った場合、および
/または高い温度の場合に重要である。
【0003】更に、容量型湿分センサは、汚染に対して
、非感応的でなければならず、このことは、該容量型湿
分センサによって形成されたコンデンサの電場が、被覆
電極を通して捕捉してはならないことを意味する。更に
該被覆電極は、別のガス(水蒸気以外)に対しては選択
的感応性を有してはならず、従って、該被覆電極は、そ
のようなガスに対して、殊に接触的に作用してはならな
い。結局、被覆電極は、電気的に十分に伝導性でなけれ
ばならない。
、非感応的でなければならず、このことは、該容量型湿
分センサによって形成されたコンデンサの電場が、被覆
電極を通して捕捉してはならないことを意味する。更に
該被覆電極は、別のガス(水蒸気以外)に対しては選択
的感応性を有してはならず、従って、該被覆電極は、そ
のようなガスに対して、殊に接触的に作用してはならな
い。結局、被覆電極は、電気的に十分に伝導性でなけれ
ばならない。
【0004】前記の性質を、Au層の島構造の故に電気
的に不安定で、容量変化を招き、かつ機械的に実際に負
荷に耐えられない極薄のAu層(約5nm)を被覆電極
として使用したり、または、しかしながら同様に電気的
な不安性を示し、かつ高く並びに不安定な接触抵抗を生
じ、更にPt並びにPdの場合に接触的に作用する(例
えば、H2およびNH3に対して)Pt、CrまたはP
dからなる多孔性の層を使用したり、歯と歯の間が1μ
m以上の間隔の場合に、これによって可能な、電場の侵
入故に汚染に感応的であるくし形構造を被覆電極に備え
させたりして、実現化を計った。
的に不安定で、容量変化を招き、かつ機械的に実際に負
荷に耐えられない極薄のAu層(約5nm)を被覆電極
として使用したり、または、しかしながら同様に電気的
な不安性を示し、かつ高く並びに不安定な接触抵抗を生
じ、更にPt並びにPdの場合に接触的に作用する(例
えば、H2およびNH3に対して)Pt、CrまたはP
dからなる多孔性の層を使用したり、歯と歯の間が1μ
m以上の間隔の場合に、これによって可能な、電場の侵
入故に汚染に感応的であるくし形構造を被覆電極に備え
させたりして、実現化を計った。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従って、発明の課題は
、容量型湿分センサに対する冒頭で説明した要件を従来
よりも改善された新しい製造方法により充足することに
ある。
、容量型湿分センサに対する冒頭で説明した要件を従来
よりも改善された新しい製造方法により充足することに
ある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明による方法によっ
て、被覆電極が、安定的かつ関連的金属からなり、従っ
て記載の島構造が(もはや)現れないということが達成
される。被覆電極中には、少くとも0.1μm〜1μm
、しかしながら有利には250nmの平均粒径を有する
、ミクロ孔が、良好に均一分散して形成され、この分散
密度は、高く、被覆電極の塊が、一方で辛うじて島を形
成せず、他方では要求された電気的安定性を達成する値
にまで減少させ、即ち被覆電極が、ミクロ孔にもかかわ
らず破断しない。このことにより、記載した侵入も広範
に亘って避けられる。
て、被覆電極が、安定的かつ関連的金属からなり、従っ
て記載の島構造が(もはや)現れないということが達成
される。被覆電極中には、少くとも0.1μm〜1μm
、しかしながら有利には250nmの平均粒径を有する
、ミクロ孔が、良好に均一分散して形成され、この分散
密度は、高く、被覆電極の塊が、一方で辛うじて島を形
成せず、他方では要求された電気的安定性を達成する値
にまで減少させ、即ち被覆電極が、ミクロ孔にもかかわ
らず破断しない。このことにより、記載した侵入も広範
に亘って避けられる。
【0007】ミクロ孔の製造の場合、本発明の方法は、
薄膜技術の常法を用いて処理するけれども、マスクなし
で十分である。それというのも幾可学的に忠実な結像に
左右されないからである。むしろ、ミクロ孔の均一な平
面分布は、SiO2粒子またはAl2O3粒子によって
、コロイド状分散液として、薄く、均一な層の中でいわ
ば自ずと生ずる。それというのも、粒子は、その電荷に
基づいて相互に反撥するからである。この場合、粒子密
度は、簡単な方法で、コロイドの粒子含量によって調整
され得る。
薄膜技術の常法を用いて処理するけれども、マスクなし
で十分である。それというのも幾可学的に忠実な結像に
左右されないからである。むしろ、ミクロ孔の均一な平
面分布は、SiO2粒子またはAl2O3粒子によって
、コロイド状分散液として、薄く、均一な層の中でいわ
ば自ずと生ずる。それというのも、粒子は、その電荷に
基づいて相互に反撥するからである。この場合、粒子密
度は、簡単な方法で、コロイドの粒子含量によって調整
され得る。
【0008】重合体層として、有利に1つのポリイミド
からなる1つの層が使用され、これは好ましくは先ず、
ポリアミド酸として塗布され、引き続き重合される。こ
のポリイミドは、本発明の別の実施態様の場合に、コロ
イドの塗布の前にイオン衝撃によって活性できる。
からなる1つの層が使用され、これは好ましくは先ず、
ポリアミド酸として塗布され、引き続き重合される。こ
のポリイミドは、本発明の別の実施態様の場合に、コロ
イドの塗布の前にイオン衝撃によって活性できる。
【0009】重合体層上へのコロイドの塗布は、有利に
、絶縁支持体が、回転させられる間に行なわれる。前記
の代りに、コロイドは噴霧もしくは吹き付けされてもよ
く、または絶縁支持本体が、コロイドの中に浸漬される
。
、絶縁支持体が、回転させられる間に行なわれる。前記
の代りに、コロイドは噴霧もしくは吹き付けされてもよ
く、または絶縁支持本体が、コロイドの中に浸漬される
。
【0010】本発明の別の更なる形成によれば、粒子の
上で、第1の金属からなる接着層およびその上に初めて
第2の金属からなる被覆電極が塗布できる。粒子の上に
存在する被覆電極の部分と共に粒子を剥離することは、
有利に液体中で超音波を用いることによって行なわれる
。
上で、第1の金属からなる接着層およびその上に初めて
第2の金属からなる被覆電極が塗布できる。粒子の上に
存在する被覆電極の部分と共に粒子を剥離することは、
有利に液体中で超音波を用いることによって行なわれる
。
【0011】本発明は、図面の図に基づいて、より詳細
に説明される。
に説明される。
【0012】
【実施例】図1のA,Bは、例えば、ガラスまたは釉掛
けされたセラミックからなる絶縁支持体1を示す。その
上に、接触領域3aを有する基本電極2が100nm〜
300nm、有利に200nmの厚さで塗布され、これ
は、例えば、相応する金属のスパッターまたは、蒸着に
よって行なうことができる。このために適合するのは、
有利にはTaであるが、しかしAlまたはCrも適合す
る。更に図1のAは、別の接触領域3bを図示し、この
機能は更に詳説される。
けされたセラミックからなる絶縁支持体1を示す。その
上に、接触領域3aを有する基本電極2が100nm〜
300nm、有利に200nmの厚さで塗布され、これ
は、例えば、相応する金属のスパッターまたは、蒸着に
よって行なうことができる。このために適合するのは、
有利にはTaであるが、しかしAlまたはCrも適合す
る。更に図1のAは、別の接触領域3bを図示し、この
機能は更に詳説される。
【0013】Taが先ず大量生産の場合に、最後の作業
工程によって個々の容量型湿分センサに分割されるべき
、ガラスまたは釉掛けされたセラミックからなる絶縁体
部材に大面積的に塗布され、この後に基本電極が製造さ
れ、接触領域が、湿化学的腐食によってフォトリトグラ
フィック状に構成され、前記腐食の前にTa2O5腐食
停止層4の全面塗布が有利であり、これにより、絶縁体
の腐食が、阻止される。該Ta2O5腐食停止層は、ス
パッターによって塗布されるかまたはTaの酸化によっ
て製造されることができる。
工程によって個々の容量型湿分センサに分割されるべき
、ガラスまたは釉掛けされたセラミックからなる絶縁体
部材に大面積的に塗布され、この後に基本電極が製造さ
れ、接触領域が、湿化学的腐食によってフォトリトグラ
フィック状に構成され、前記腐食の前にTa2O5腐食
停止層4の全面塗布が有利であり、これにより、絶縁体
の腐食が、阻止される。該Ta2O5腐食停止層は、ス
パッターによって塗布されるかまたはTaの酸化によっ
て製造されることができる。
【0014】構成された基本電極および接触領域の形成
後に湿分感応重合体層5が塗布され、これは、図2のA
,Bに相応して、接触領域3a,3bが、少くとも部分
的に固定されずにいるようにフォトリトグラフィック状
に構成されている。
後に湿分感応重合体層5が塗布され、これは、図2のA
,Bに相応して、接触領域3a,3bが、少くとも部分
的に固定されずにいるようにフォトリトグラフィック状
に構成されている。
【0015】重合体層5として有利にポリイミドからな
る層が、設置されているならば、先ず、液状ポリイミド
前駆体としてのポリアミド酸を、例えば回転塗布(絶縁
支持体1の迅速な回転での塗布)によって塗布し、層を
構成する前に乾燥させ、その後重合することが有利であ
る。しかし、ポリイミド前駆体は、噴霧したり、ロール
塗布してもよい。ポリイミド層の有利な厚さは、約2.
5μmである。
る層が、設置されているならば、先ず、液状ポリイミド
前駆体としてのポリアミド酸を、例えば回転塗布(絶縁
支持体1の迅速な回転での塗布)によって塗布し、層を
構成する前に乾燥させ、その後重合することが有利であ
る。しかし、ポリイミド前駆体は、噴霧したり、ロール
塗布してもよい。ポリイミド層の有利な厚さは、約2.
5μmである。
【0016】重合体層5の上に、図3に相応する次の作
業工程中で、単一粒径のSiO2粒子またはAl2O3
粒子からなる薄いコロイド性分散液を塗布し、有利に回
転塗布(上記参照のこと)によって、例えば約20秒間
、5000U/分〜7000U/分の回転数で塗布する
。
業工程中で、単一粒径のSiO2粒子またはAl2O3
粒子からなる薄いコロイド性分散液を塗布し、有利に回
転塗布(上記参照のこと)によって、例えば約20秒間
、5000U/分〜7000U/分の回転数で塗布する
。
【0017】SiO2粒子またはAl2O3粒子6の特
に良好な均一分散が生ずるのは、本発明の別の実施態様
中で、前記の塗布以前にポリイミドの表面に、イオン、
例えばArイオンを、約3分間、0.2W/cm2の実
施密度で照射した場合であり、これにより、前記の表面
結合が活性化する。
に良好な均一分散が生ずるのは、本発明の別の実施態様
中で、前記の塗布以前にポリイミドの表面に、イオン、
例えばArイオンを、約3分間、0.2W/cm2の実
施密度で照射した場合であり、これにより、前記の表面
結合が活性化する。
【0018】ことによると水蒸気と反応するかまたは湿
分センサの感度に影響を及ぼすかもしれないような残余
物を乾燥後に残さない溶剤が、コロイドのために選ばれ
るべきである。
分センサの感度に影響を及ぼすかもしれないような残余
物を乾燥後に残さない溶剤が、コロイドのために選ばれ
るべきである。
【0019】コロイドの乾燥後に重合体層5の上で単独
でなお均一に分布して存在する粒子6の上に、図4のA
,Bによる作業工程中で、金属からなる被覆電極7は、
有利に別の金属からなる接着層(図には描かれていない
)の中間の位置に塗布される。被覆電極に特に適した金
属は、Au,Au/Pd,CrまたはAu/Crである
。有利な層の厚さは、約40nmである。接着層に特に
適した金属は、同様に40nmの有利な層の厚さにおけ
るCrまたはTiである。これらの金属は、蒸着または
スパッター吸着できる。
でなお均一に分布して存在する粒子6の上に、図4のA
,Bによる作業工程中で、金属からなる被覆電極7は、
有利に別の金属からなる接着層(図には描かれていない
)の中間の位置に塗布される。被覆電極に特に適した金
属は、Au,Au/Pd,CrまたはAu/Crである
。有利な層の厚さは、約40nmである。接着層に特に
適した金属は、同様に40nmの有利な層の厚さにおけ
るCrまたはTiである。これらの金属は、蒸着または
スパッター吸着できる。
【0020】被覆電極7の金属のフォトリトグラフィッ
ク状構成の後に、粒子6はその上に存在する被覆電極7
の部分と共に剥離され、これは、有利に超音波を用いて
液体中で行なわれる。
ク状構成の後に、粒子6はその上に存在する被覆電極7
の部分と共に剥離され、これは、有利に超音波を用いて
液体中で行なわれる。
【0021】湿分センサの完璧を期するために、図5の
A,Bより更に接触領域3a,3bは、適した接触化金
属9、例えばAuを備える。このために先ず、完成した
被覆電極7の上に、適した厚さのリフト−オフ−フォト
ラッカ層(Lift−off−Photolacksc
hicht)10を塗布し、この層が接触領域3a,3
bの接点だけをむき出しにするように構成する。この後
接触化金属9を塗布する。引き続きリフト−オフ−フォ
トラッカ層(Lift−off−Photolacks
chicht)10を、その上に存在する接触化金属9
の部分と共に超音波を用いて液体中で剥離する。接触領
域3bを、被覆電極7の接続のために使用する。
A,Bより更に接触領域3a,3bは、適した接触化金
属9、例えばAuを備える。このために先ず、完成した
被覆電極7の上に、適した厚さのリフト−オフ−フォト
ラッカ層(Lift−off−Photolacksc
hicht)10を塗布し、この層が接触領域3a,3
bの接点だけをむき出しにするように構成する。この後
接触化金属9を塗布する。引き続きリフト−オフ−フォ
トラッカ層(Lift−off−Photolacks
chicht)10を、その上に存在する接触化金属9
の部分と共に超音波を用いて液体中で剥離する。接触領
域3bを、被覆電極7の接続のために使用する。
【0022】図6のA,Bは、完成した湿分センサを図
示する。
示する。
【図1】図1のAは、絶縁支持体上に接触領域を有する
基本電極を示す平面図であり、図1のBは、図1のA中
のA−A線に沿った断面を示す図である。
基本電極を示す平面図であり、図1のBは、図1のA中
のA−A線に沿った断面を示す図である。
【図2】図2のAは、絶縁支持体上に接触領域および感
湿性重合体層を有する基本電極を示す平面図であり、図
2のBは、図2のA中のA−A線に沿った断面を示す図
である。
湿性重合体層を有する基本電極を示す平面図であり、図
2のBは、図2のA中のA−A線に沿った断面を示す図
である。
【図3】図3のAは、絶縁支持体上に接触領域、感湿性
重合体層およびコロイド状分散液を有する基本電極を示
す平面図であり、図3のBは、図3のA中のA−A線に
沿った断面を示す図である。
重合体層およびコロイド状分散液を有する基本電極を示
す平面図であり、図3のBは、図3のA中のA−A線に
沿った断面を示す図である。
【図4】図4のAは、被覆電極を有する基本電極を示す
平面図であり、図4のBは、図4A中のA−A線に沿っ
た断面を示す図である。
平面図であり、図4のBは、図4A中のA−A線に沿っ
た断面を示す図である。
【図5】図5のAは、被覆電極上にリフト−オフ−フォ
トラッカ層を有する基本電極を示す平面図であり、図5
のBは、図5のA中のA−A線に沿った断面を示す図で
ある。
トラッカ層を有する基本電極を示す平面図であり、図5
のBは、図5のA中のA−A線に沿った断面を示す図で
ある。
【図6】図6のAは、完成した湿分センサを示す平面図
であり、図6のBは、図6のA中のA−A線に沿った断
面を示す図である。
であり、図6のBは、図6のA中のA−A線に沿った断
面を示す図である。
1 絶縁支持体
2 基本電極
3a,3b 接触領域
5 重合体層
6 粒子
7 被覆電極
Claims (8)
- 【請求項1】 容量型湿分センサを製造する方法にお
いて、次の薄膜技術に適合する行程により、構成された
基本電極(2)を絶縁支持体(1)の上に製造し、感湿
性重合体層(5)を、均一な厚さで、接触範囲(3a,
3b)から離しながら、基本電極(2)の上に塗布し、
重合体層(5)の表面結合を活性化し、薄膜中で単一粒
径のSiO2粒子またはAl2O3粒子(6)からなる
コロイド状分散液を重合体層(5)の上に塗布し、続け
て乾燥し、被覆電極(7)を重合体層(5)の上の分散
液の乾燥後に単独でなお等しく分布して存在する粒子(
6)の上に塗布し、粒子(6)を、被覆電極(7)の、
粒子の上に存在する部分と共に剥離させることを特徴と
する、容量型湿分センサの製造法。 - 【請求項2】 重合体層として1つのポリイミドを用
いる、請求項1記載の方法。 - 【請求項3】 ポリイミド前駆体としてポリアミド酸
を使用する、請求項2記載の方法。 - 【請求項4】 イオン衝撃によるポリイミドの活性化
を用いる、請求項1から3までのいずれか1項記載の方
法。 - 【請求項5】 250nmの範囲内の粒子(6)の粒
径を用いる、請求項1記載の方法。 - 【請求項6】 重合体層(5)および/または粒子(
6)の分散液を重合体層(5)の上に噴霧し、吹き付け
、ロール塗布し、または絶縁支持体(1)を回転させる
ことにより塗布する、請求項1から3までのいずれか1
項記載の方法。 - 【請求項7】 粒子(6)の上で、第1の金属からな
る接着層およびその上にまず第2の金属からなる被覆電
極を塗布する、請求項1記載の方法。 - 【請求項8】 粒子(6)を、被覆電極の、粒子の上
に存在する部分と共に超音波を用いて液体中で剥離させ
る、請求項1記載の方法。
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- 1991-07-19 ES ES91112098T patent/ES2069784T3/es not_active Expired - Lifetime
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