JP2006030072A - 容量式湿度センサの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板10上の同一平面に、一対の電極31,32を離間して対向するように形成する電極形成工程と、電極31,32及び電極31,32間を覆うように感湿膜50を形成する感湿膜形成工程とを備える容量式湿度センサ100の製造方法であって、感湿膜50は、その構成材料である高分子材料を基板10上にスクリーン印刷し、熱処理することにより形成され、電極形成工程と感湿膜形成工程との間に、高分子材料が塗布される基板10上において、少なくとも高分子材料の塗布領域を表面改質する表面改質工程を設けた。これにより、塗布領域の汚染成分を除去でき、基板10と感湿膜50との間の密着力を向上できる。
【選択図】 図2
Description
(第1の実施の形態)
図1は、本実施形態における容量式湿度センサ100の概略構成を示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A断面における断面図である。尚、図1(a)においては、便宜上、感湿膜及び第2の絶縁膜下にある一対の電極を透過させて図示している。また、図1(a),(b)においては、便宜上、周囲の湿度変化に応じて容量が変化する検出部の周囲のみを図示している。
次に、本発明の第2の実施形態を、図4(a)〜(c)に基づいて説明する。図4は、本実施形態における容量式湿度センサ100の製造方法の概略を説明するための工程別断面図であり、(a)は電極形成工程、(b)は表面改質工程、(c)は感湿膜形成工程を示している。
次に、本発明の第3の実施形態を、図5(a)〜(d)に基づいて説明する。図5は、本実施形形態における容量式湿度センサ100の製造方法の概略を説明するための工程別断面図であり、(a)は電極形成工程、(b)は第1の表面改質工程、(c)は第2の表面改質工程、(d)は感湿膜形成工程を示している。
20・・・酸化シリコン膜(第1の絶縁膜)
31,32・・・電極
40・・・窒化シリコン膜(第2の絶縁膜)
41・・・保護膜
50・・・感湿膜
100・・・容量式湿度センサ
110・・・紫外線
120・・・混合プラズマ(プラズマ)
Claims (10)
- 基板上の同一平面に、一対の電極を離間して対向するように形成する電極形成工程と、
前記一対の電極及び前記一対の電極間を覆うように、前記基板上に感湿膜を形成する感湿膜形成工程とを備える容量式湿度センサの製造方法であって、
前記感湿膜形成工程において、前記感湿膜は、その構成材料である高分子材料を前記基板上にスクリーン印刷し、熱処理することにより形成され、
前記電極形成工程と前記感湿膜形成工程との間に、前記高分子材料が塗布される前記基板上において、少なくとも前記高分子材料の塗布領域を表面改質する表面改質工程をさらに備えることを特徴とする容量式湿度センサの製造方法。 - 前記表面改質工程において、前記高分子材料が塗布される塗布領域の周囲領域も表面改質することを特徴とする請求項1に記載の容量式湿度センサの製造方法。
- 前記表面改質工程後、速やかに前記スクリーン印刷を実施することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の容量式湿度センサの製造方法。
- 前記表面改質工程において、紫外線照射することを特徴とする請求項1〜3いずれか1項に記載の容量式湿度センサの製造方法。
- 前記表面改質工程において、プラズマ照射することを特徴とする請求項1〜3いずれか1項に記載の容量式湿度センサの製造方法。
- 前記表面改質工程において、プラズマ照射し、その後紫外線照射を実施することを特徴とする請求項1〜3いずれか1項に記載の容量式湿度センサの製造方法。
- 前記プラズマ照射は酸素混合プラズマ照射であり、当該プラズマ照射の前に、酸化物からなる保護膜を、前記電極表面に形成することを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の容量式湿度センサの製造方法。
- 前記電極形成工程において、前記一対の電極を、互いの櫛歯が噛み合って対向するように形成することを特徴とする請求項1〜7いずれか1項に記載の容量式湿度センサの製造方法。
- 前記基板は半導体基板であり、当該半導体基板上に第1の絶縁膜を形成後、前記電極形成工程を実施することを特徴とする請求項1〜8いずれか1項に記載の容量式湿度センサの製造方法。
- 前記一対の電極及び前記一対の電極間を覆うように第2の絶縁膜を形成し、当該第2の絶縁膜上に前記感湿膜を形成する場合、前記第2の絶縁膜形成後、前記表面改質工程を実施することを特徴とする請求項1〜9いずれか1項に記載の容量式湿度センサの製造方法。
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