JPS63184216A - 絶縁体膜およびその形成方法 - Google Patents
絶縁体膜およびその形成方法Info
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- JPS63184216A JPS63184216A JP1415387A JP1415387A JPS63184216A JP S63184216 A JPS63184216 A JP S63184216A JP 1415387 A JP1415387 A JP 1415387A JP 1415387 A JP1415387 A JP 1415387A JP S63184216 A JPS63184216 A JP S63184216A
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Landscapes
- Insulating Bodies (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、薄膜技術を応用した製品例えば半導体、セ
ンサー、および薄膜磁気ヘッド等の絶縁体膜、特に、水
分吸収による膨張を防止した絶縁体膜およびその形成方
法に関するものである。
ンサー、および薄膜磁気ヘッド等の絶縁体膜、特に、水
分吸収による膨張を防止した絶縁体膜およびその形成方
法に関するものである。
「従来の技術」
第５図は、例えば［日経エレクトロニクスＪ１９８０
７−７（Ｎｏ、２４２）に示された、従来の薄膜技術を
応用した製品である薄膜磁気ヘッドにおける絶縁体膜を
示す断面図であり、図において（１）は基板、（２）は
この基板（１）上にパターン形成され、下部磁極として
機能する導電体膜、（３）はこの導電体膜（２）上にパ
ターン形成され、ギャップ層として機能し、例えば八１
゜０３からなる第１絶縁体膜、（４）はこの第１絶縁体
膜（３）上に形成され、絶縁層として機能し、例えば熱
硬化性有機物からなる第２絶縁体膜である。
７−７（Ｎｏ、２４２）に示された、従来の薄膜技術を
応用した製品である薄膜磁気ヘッドにおける絶縁体膜を
示す断面図であり、図において（１）は基板、（２）は
この基板（１）上にパターン形成され、下部磁極として
機能する導電体膜、（３）はこの導電体膜（２）上にパ
ターン形成され、ギャップ層として機能し、例えば八１
゜０３からなる第１絶縁体膜、（４）はこの第１絶縁体
膜（３）上に形成され、絶縁層として機能し、例えば熱
硬化性有機物からなる第２絶縁体膜である。
従来の絶縁体膜は上述したように構成され、その形成方
法は、まず、基板（１）上に導電体膜（２）を例えばフ
レームメッキ法によりパターン形成する６次に、ギャッ
プ層である第１絶縁体＋１ｉ（３）を導電体膜（２）上
にスパッタ萎着し、湿式エツチングによりパターン形成
する。次いで、この第１絶縁体ｐＡ（３）上にレジスト
を塗布し、レジスト製版による処理を行い、さらに、熱
硬化処理ひ行って、第６図に示すように、第１絶縁体膜
（３）上に第２絶縁体膜（４）を形成する。
法は、まず、基板（１）上に導電体膜（２）を例えばフ
レームメッキ法によりパターン形成する６次に、ギャッ
プ層である第１絶縁体＋１ｉ（３）を導電体膜（２）上
にスパッタ萎着し、湿式エツチングによりパターン形成
する。次いで、この第１絶縁体ｐＡ（３）上にレジスト
を塗布し、レジスト製版による処理を行い、さらに、熱
硬化処理ひ行って、第６図に示すように、第１絶縁体膜
（３）上に第２絶縁体膜（４）を形成する。
［発明が解決しようとする問題点］
上述したような絶縁体膜は、高温高湿な環境下で使用さ
れると、第２絶縁体膜（４）が有機物で作られているの
で、これが水分の取り込み口となり、薄膜技術を応用し
た製品にクラック（ひび割れ）が発生することがある。
れると、第２絶縁体膜（４）が有機物で作られているの
で、これが水分の取り込み口となり、薄膜技術を応用し
た製品にクラック（ひび割れ）が発生することがある。
従って、薄膜技術を応用した製品は空調設備の整った環
境で使用されることが必要であり、使用環境条件が厳し
い民生用機器への搭載に際して、信頼性が不十分である
という問題点があった。
境で使用されることが必要であり、使用環境条件が厳し
い民生用機器への搭載に際して、信頼性が不十分である
という問題点があった。
この発明は、このような問題点を解決するためになされ
たもので、高温高湿な環境下においても正常に動作し、
例えば民生用機器にも搭載できる、薄膜技術を応用した
製品の絶縁体膜およびその形成方法を得ることを目的と
する。
たもので、高温高湿な環境下においても正常に動作し、
例えば民生用機器にも搭載できる、薄膜技術を応用した
製品の絶縁体膜およびその形成方法を得ることを目的と
する。
［問題点を解決するための手段］
この発明に係る絶縁体膜は、基板上に異なる無機物から
なる第１絶縁体膜および第２絶縁体膜を設けたものであ
る。
なる第１絶縁体膜および第２絶縁体膜を設けたものであ
る。
また、この発明の別の発明に係る絶縁体膜の形成方法は
、無機物からなる第１絶縁体膜を基板上に形成し、この
第１絶縁体膜の上に第１絶縁体膜の無機物とは異なる無
機物からなる第２絶縁体膜を反応性ドライエツチングに
より選択的にパターン形成するものである。
、無機物からなる第１絶縁体膜を基板上に形成し、この
第１絶縁体膜の上に第１絶縁体膜の無機物とは異なる無
機物からなる第２絶縁体膜を反応性ドライエツチングに
より選択的にパターン形成するものである。
し作 用］
この発明においては、第２絶縁体膜が無機物からなるの
で、絶縁体膜の外部から水分が侵入せず、高温高湿な環
境下でも正常に動作する、薄膜技術を応用した製品が得
られる。
で、絶縁体膜の外部から水分が侵入せず、高温高湿な環
境下でも正常に動作する、薄膜技術を応用した製品が得
られる。
また、この発明の別の発明においては、第２絶縁体膜を
反応性ドライエツチングにより加工しているので、再現
性が高く、機能の安定した絶縁体膜を形成できる。
反応性ドライエツチングにより加工しているので、再現
性が高く、機能の安定した絶縁体膜を形成できる。
［実施例コ
第１図ないし第４図はこの発明の絶縁体膜を形成する一
連の工程を示す断面図であり、（１）〜（３）は上述し
た従来の絶縁体膜におけるものと全く同一である。（４
Ａ）は第１絶縁体膜（３）上にスパッタ蒸着等の方法に
より成膜され、反応性ドライエツチングにより選択的に
加工された、Ｓ ｉ ＯｘまたはＴ ｉ Ｏ２からなる
第２絶縁体膜である。
連の工程を示す断面図であり、（１）〜（３）は上述し
た従来の絶縁体膜におけるものと全く同一である。（４
Ａ）は第１絶縁体膜（３）上にスパッタ蒸着等の方法に
より成膜され、反応性ドライエツチングにより選択的に
加工された、Ｓ ｉ ＯｘまたはＴ ｉ Ｏ２からなる
第２絶縁体膜である。
上述したように構成された絶縁体膜においては、上述し
た従来の絶縁体膜の形成方法と同様に、基板（１）上に
形成された導電体膜（２）の上に、第１絶縁体膜（３）
が形成される（第２図）。次に、例えばスパッタ蒸着法
により、第１絶縁体膜（３）上に第２絶縁体膜（４Ａ）
を成膜する。続いて、レジスト製版により、反応性ドラ
イエツチングのマスクとしてレジスト（５）を形成する
（第３図）、なお、レジスト（５）でマスクされた部分
はエツチングされない。次に、レジスト（５）でマスク
されていない部分を選択的に反応性ドライエツチングす
る。
た従来の絶縁体膜の形成方法と同様に、基板（１）上に
形成された導電体膜（２）の上に、第１絶縁体膜（３）
が形成される（第２図）。次に、例えばスパッタ蒸着法
により、第１絶縁体膜（３）上に第２絶縁体膜（４Ａ）
を成膜する。続いて、レジスト製版により、反応性ドラ
イエツチングのマスクとしてレジスト（５）を形成する
（第３図）、なお、レジスト（５）でマスクされた部分
はエツチングされない。次に、レジスト（５）でマスク
されていない部分を選択的に反応性ドライエツチングす
る。
この時、第１絶縁体膜（３）としてＡ Ｉ ２０ ＊を
用い、第２絶縁体膜（４Ａ）と゛してＴ ｉ Ｏ２を用
いた場合、反応性ガスとしてＣＦ、を用いる。このガス
のガス圧を高くし、ガス分子の回り込みを大きくする（
等方性エツチング）ことで、サイドエツチングを起こさ
せ、第２絶縁体膜（４Ａ）を第４図に示すようにテーパ
形状に加工する。このテーバ形状は、薄膜磁気ヘッドの
場合にはアペックス（Ａｐｅｘ）形状と呼ばれ、薄膜磁
気ヘッドの機能を決定する大きな因子の一つである。次
いで、レジスト（５〉を剥離して、薄膜磁気ヘッドを得
る〈第１図）。
用い、第２絶縁体膜（４Ａ）と゛してＴ ｉ Ｏ２を用
いた場合、反応性ガスとしてＣＦ、を用いる。このガス
のガス圧を高くし、ガス分子の回り込みを大きくする（
等方性エツチング）ことで、サイドエツチングを起こさ
せ、第２絶縁体膜（４Ａ）を第４図に示すようにテーパ
形状に加工する。このテーバ形状は、薄膜磁気ヘッドの
場合にはアペックス（Ａｐｅｘ）形状と呼ばれ、薄膜磁
気ヘッドの機能を決定する大きな因子の一つである。次
いで、レジスト（５〉を剥離して、薄膜磁気ヘッドを得
る〈第１図）。
従来のレジストによる絶縁体膜の形成では、工程が湿式
なのでアペックス形状の再現性に問題があったが、上述
した実施例ではドライ加工なので、再現性が高く、機能
の安定した薄膜磁気ヘッドが得られる。
なのでアペックス形状の再現性に問題があったが、上述
した実施例ではドライ加工なので、再現性が高く、機能
の安定した薄膜磁気ヘッドが得られる。
なお、上述した実施例では、基板（１）上に導電体膜（
２）をパターン形成したが、導電体膜（２）はパターン
形成以外の方法によって形成してもよい。
２）をパターン形成したが、導電体膜（２）はパターン
形成以外の方法によって形成してもよい。
また、導電体膜（２）が形成されていない基板（１）」
二に、直接第１絶縁体膜（３）を形成してもよい。
二に、直接第１絶縁体膜（３）を形成してもよい。
また、上述した実施例では、第１絶縁体膜（３）はパタ
ーン形成したものを示したが、パターン形成以外の方法
によって形成してもよい。また、第１絶縁体膜（３）の
パターンと第２絶縁体膜（４Ａ）のパターンとは異なっ
ていてもよい、また、第１絶縁体膜（３）の膜厚と第２
絶縁体膜（４Ａ）の膜厚とは異なっていてもよい。
ーン形成したものを示したが、パターン形成以外の方法
によって形成してもよい。また、第１絶縁体膜（３）の
パターンと第２絶縁体膜（４Ａ）のパターンとは異なっ
ていてもよい、また、第１絶縁体膜（３）の膜厚と第２
絶縁体膜（４Ａ）の膜厚とは異なっていてもよい。
さらに、上述した実施例では、薄膜磁気ヘッドの場合に
ついて説明したが、その他の薄膜技術を応用した製品例
えば半導体、センサー等にも利用できる。
ついて説明したが、その他の薄膜技術を応用した製品例
えば半導体、センサー等にも利用できる。
［発明の効果〕
この発明は、以上説明したとおり、基板上に異なる無機
物からなる第１絶縁体膜および第２絶縁体膜を形成した
ので、外部から水分の侵入がないため、信頼性の高い薄
膜技術を応用した製品の絶縁体膜が得られるという効果
を奏する。
物からなる第１絶縁体膜および第２絶縁体膜を形成した
ので、外部から水分の侵入がないため、信頼性の高い薄
膜技術を応用した製品の絶縁体膜が得られるという効果
を奏する。
また、この発明の別の発明は、基板上に無Ｗ物からなる
第１絶縁体膜を形成し、この第１絶縁体膜の上に第１絶
縁体膜の無機物とは異なる無機物からなる第２絶縁体膜
を反応性ドライエツチングにより選択的にパターン形成
したので、絶縁体膜を形成する再現性が高く、機能の安
定した絶縁体膜を形成できるという効果を奏する。
第１絶縁体膜を形成し、この第１絶縁体膜の上に第１絶
縁体膜の無機物とは異なる無機物からなる第２絶縁体膜
を反応性ドライエツチングにより選択的にパターン形成
したので、絶縁体膜を形成する再現性が高く、機能の安
定した絶縁体膜を形成できるという効果を奏する。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図、第２図ない
し第４図はこの発明の一実施例により絶縁体膜を形成す
る一連の工程を示す断面図、第５図は従来の絶縁体膜を
示す断面図、第６図は第５図に示した絶縁体膜を形成す
る前の工程を示す断面図である。 図において、（１）は基板、（２）は導電体膜、（３）
は第１絶縁体膜、（４Ａ）は第２絶縁体膜、（５）はレ
ジストである。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 ２ ・ 導！４梗 ３ ： ウ１］ｐセと−１に、イ参外ダ１４Ａ 才２
更味停侯 Ｗ−，３図 ！に−）４図 篤５図 手続補正書 昭和６２年７月６日
し第４図はこの発明の一実施例により絶縁体膜を形成す
る一連の工程を示す断面図、第５図は従来の絶縁体膜を
示す断面図、第６図は第５図に示した絶縁体膜を形成す
る前の工程を示す断面図である。 図において、（１）は基板、（２）は導電体膜、（３）
は第１絶縁体膜、（４Ａ）は第２絶縁体膜、（５）はレ
ジストである。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 ２ ・ 導！４梗 ３ ： ウ１］ｐセと−１に、イ参外ダ１４Ａ 才２
更味停侯 Ｗ−，３図 ！に−）４図 篤５図 手続補正書 昭和６２年７月６日
Claims (13)
- （１）基板と、この基板上に形成されて無機物からなる
第１絶縁体膜と、この第１絶縁体膜上に形成されかつ第
１絶縁体膜の無機物とは異なる無機物からなる第２絶縁
体膜とを含むことを特徴とする絶縁体膜。 - （２）第１絶縁体膜は、基板上に形成された導電体膜上
に形成されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の絶縁体膜。 - （３）第１絶縁体膜のパターンと、第２絶縁体膜のパタ
ーンとは異なることを特徴とする特許請求の範囲第１項
または第２項記載の絶縁体膜。 - （４）第１絶縁体膜の膜厚と、第２絶縁体膜の膜厚とは
異なることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第
３項のいずれか記載の絶縁体膜。 - （５）第１絶縁体膜はＡｌ＿２Ｏ＿３であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれか記
載の絶縁体膜。 - （６）第２絶縁体膜はＳ＿ｉＯ＿２またはＴｉＯ＿２で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第５
項のいずれか記載の絶縁体膜。 - （７）基板上に無機物からなる第１絶縁体膜を形成する
工程と、形成された第１絶縁体膜の上に、第１絶縁体膜
と異なる無機物からなる第２絶縁体膜を反応性ドライエ
ッチングにより選択的にパターン形成する工程とからな
ることを特徴とする絶縁体膜の形成方法。 - （８）基板上に形成された導電膜上に第１絶縁体膜を形
成することを特徴とする特許請求の範囲第７項記載の絶
縁体膜の形成方法。 - （９）第１絶縁体膜は基板上にパターン形成されること
を特徴とする特許請求の範囲第７項または第８項記載の
絶縁体膜の形成方法。 - （１０）第１絶縁体膜のパターンと、第２絶縁体膜のパ
ターンとは異なることを特徴とする特許請求の範囲第７
項または第９項記載の絶縁体膜の形成方法。 - （１１）第１絶縁体膜の膜厚と、第２絶縁体膜の膜厚と
は異なることを特徴とする特許請求の範囲第７項または
第１０項記載の絶縁体膜の形成方法。 - （１２）第１絶縁体膜はＡｌ＿２Ｏ＿３であることを特
徴とする特許請求の範囲第７項ないし第１１項のいずれ
か記載の絶縁体膜の形成方法。 - （１３）第２絶縁体膜はＳｉＯ＿２またはＴｉＯ＿２で
あることを特徴とする特許請求の範囲第７項、第１０項
または第１１項のいずれか記載の絶縁体膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1415387A JPS63184216A (ja) | 1987-01-26 | 1987-01-26 | 絶縁体膜およびその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1415387A JPS63184216A (ja) | 1987-01-26 | 1987-01-26 | 絶縁体膜およびその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63184216A true JPS63184216A (ja) | 1988-07-29 |
Family
ID=11853204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1415387A Pending JPS63184216A (ja) | 1987-01-26 | 1987-01-26 | 絶縁体膜およびその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63184216A (ja) |
-
1987
- 1987-01-26 JP JP1415387A patent/JPS63184216A/ja active Pending
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