JPS63163265A - 感湿素子及びその製造方法 - Google Patents
感湿素子及びその製造方法Info
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- JPS63163265A JPS63163265A JP30826786A JP30826786A JPS63163265A JP S63163265 A JPS63163265 A JP S63163265A JP 30826786 A JP30826786 A JP 30826786A JP 30826786 A JP30826786 A JP 30826786A JP S63163265 A JPS63163265 A JP S63163265A
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用外n)
この発明は感湿素子及びその製造方法に関し待に感湿素
子の亀甑形成に関する。
子の亀甑形成に関する。
(従来の技術)
従来、感湿素子としては湿度変化に芯じて各1イオン、
プロトン、電子等の電気伝導(が変化することを利用す
る抵仇変化型のものが広く用いられている。−万・感湿
材料中の含水吐の変化に応じてその誘導率が変化しその
結果静亀容曖が変化することを利用する静゛成容l3L
−変化型の感湿素子は砥抗変化梨のものに比較して相対
湿度に対する感湿特注が直線的でまた温度依存曲が小さ
いなどの長所をMしているため最近使われなじめている
。この静鑞容靴型の感湿素子は#1容量を犬きくするた
めに −上部4極と下部磁極でv!4湿膜の上下
両面を1甑で挟持した三1層構造が採られている。上部
電極には透湿性と耐腐蝕!!:を要するためAu、Pt
等の貴金属薄膜が用いられるが、資金・t4薄嘆は一般
に密着性が弱くこの4礪につながるリード取り出しが問
題となる。そのためこのような下部磁極を形成するのに
H)金4板又は金属リングで圧接するイ4造、(2)2
つに分離された下部1甑O上に累湿嘆を杉成すた後、役
上部に透湿性の薄摸鑞色を2つの下部磁極よりそれぞれ
行なう構造あるいは、(3)特開昭60−239657
号に示されているような上部4隠を感湿膜パターン外部
のり−ド接続端子まで延長する構造(第各図[a)に示
す)停が採られている。
プロトン、電子等の電気伝導(が変化することを利用す
る抵仇変化型のものが広く用いられている。−万・感湿
材料中の含水吐の変化に応じてその誘導率が変化しその
結果静亀容曖が変化することを利用する静゛成容l3L
−変化型の感湿素子は砥抗変化梨のものに比較して相対
湿度に対する感湿特注が直線的でまた温度依存曲が小さ
いなどの長所をMしているため最近使われなじめている
。この静鑞容靴型の感湿素子は#1容量を犬きくするた
めに −上部4極と下部磁極でv!4湿膜の上下
両面を1甑で挟持した三1層構造が採られている。上部
電極には透湿性と耐腐蝕!!:を要するためAu、Pt
等の貴金属薄膜が用いられるが、資金・t4薄嘆は一般
に密着性が弱くこの4礪につながるリード取り出しが問
題となる。そのためこのような下部磁極を形成するのに
H)金4板又は金属リングで圧接するイ4造、(2)2
つに分離された下部1甑O上に累湿嘆を杉成すた後、役
上部に透湿性の薄摸鑞色を2つの下部磁極よりそれぞれ
行なう構造あるいは、(3)特開昭60−239657
号に示されているような上部4隠を感湿膜パターン外部
のり−ド接続端子まで延長する構造(第各図[a)に示
す)停が採られている。
(発明が解決しようとする間頂点)
しかしながら、このような従来技術+c 23いて(1
)の金属・孜又は金;嘱リングで圧接する場合では構造
が複雑なため組み立て時に煮甑が傷つき易いなどの製造
上の問題がある。(2)の場合には約1/2の靜1容歇
が2個直匈に妻続された形であるため静電容縫が4分の
1に減少し感湿素子としての感度乙 が小さい13)の場合は第8図fblに示すように感湿
寝バクーンの段差部で断;礫が発生しやすいため、これ
を防止するのに下部電極の延設片が配設された段差部の
みを適当な厚さのAu j’ を等からなる貴金属膜で
被覆することで上部電極の延設片を補強する方法がある
がこの貴会14膜が構造を複雑Iこしているという問題
がある。
)の金属・孜又は金;嘱リングで圧接する場合では構造
が複雑なため組み立て時に煮甑が傷つき易いなどの製造
上の問題がある。(2)の場合には約1/2の靜1容歇
が2個直匈に妻続された形であるため静電容縫が4分の
1に減少し感湿素子としての感度乙 が小さい13)の場合は第8図fblに示すように感湿
寝バクーンの段差部で断;礫が発生しやすいため、これ
を防止するのに下部電極の延設片が配設された段差部の
みを適当な厚さのAu j’ を等からなる貴金属膜で
被覆することで上部電極の延設片を補強する方法がある
がこの貴会14膜が構造を複雑Iこしているという問題
がある。
本発明は前述の問題点の解決しIN@注が1妬く生産8
:に漫れかつ小型の感湿素子及びその製造方法を提供す
ることにある。
:に漫れかつ小型の感湿素子及びその製造方法を提供す
ることにある。
(問題を解決するだめの手段)
本発明は以上の間頑点lζ対してなされたものであり絶
縁体よりなる基板上に設けられた多孔質の第1リード取
り出し部及び第2のリード取り出し部と、前記第1リー
ド取り出し部に導通して前記基板上に設けられた下部磁
極と、 前記下部電極を少くともSおいかつ前記第1リード取り
出し部及び第2リード取り出し部を沼田して設けられた
に湿模と 前記f&湿膜そはさんで前記下部RIM+こ対向しかつ
前記第2リード取り出し部と導通して設けられた上部シ
他とを雛えたことを特徴とする。
縁体よりなる基板上に設けられた多孔質の第1リード取
り出し部及び第2のリード取り出し部と、前記第1リー
ド取り出し部に導通して前記基板上に設けられた下部磁
極と、 前記下部電極を少くともSおいかつ前記第1リード取り
出し部及び第2リード取り出し部を沼田して設けられた
に湿模と 前記f&湿膜そはさんで前記下部RIM+こ対向しかつ
前記第2リード取り出し部と導通して設けられた上部シ
他とを雛えたことを特徴とする。
またその製造方法としては、絶縁体よりなる基、板上に
多孔質の第1リード取り出し部及び第2リード取り出し
部2設ける第1の工程と、前記X1リード取り出し部に
導通して一前記基板上に下部磁極を設ける第2の工程と
、 fL状感湿膜材料を塗布して前記下部磁極を少くとも2
εいかつ前記第1リード取り出し部及び第2リード取り
出しgを4出した感湿膜を設ける第3の工程と 前記感湿@をはさんで前記下部凰ムに対向しかつ前記、
第2リード取り出し部と導通して下部磁極を設けφ第4
の工程とを1えたことを特徴とする。
多孔質の第1リード取り出し部及び第2リード取り出し
部2設ける第1の工程と、前記X1リード取り出し部に
導通して一前記基板上に下部磁極を設ける第2の工程と
、 fL状感湿膜材料を塗布して前記下部磁極を少くとも2
εいかつ前記第1リード取り出し部及び第2リード取り
出しgを4出した感湿膜を設ける第3の工程と 前記感湿@をはさんで前記下部凰ムに対向しかつ前記、
第2リード取り出し部と導通して下部磁極を設けφ第4
の工程とを1えたことを特徴とする。
本拍明の&湿素子に3いては第1図に示すように基板上
の多孔質金属から成る第1リード取り出し部1と第2リ
ード取り出し部2とを有し下部電極6がリード取り出し
部1のみに下部磁極4がリード取り出し部2のみに疑し
感湿機能部が感湿膜5を下部電極と下部1甑で挟持した
三層構造であることを特徴とする。このA−A部の縦4
面図を第2図に示す。
の多孔質金属から成る第1リード取り出し部1と第2リ
ード取り出し部2とを有し下部電極6がリード取り出し
部1のみに下部磁極4がリード取り出し部2のみに疑し
感湿機能部が感湿膜5を下部電極と下部1甑で挟持した
三層構造であることを特徴とする。このA−A部の縦4
面図を第2図に示す。
また本発明の製造方法では、まずガラス、StO。
またはアルミナなどの基板3上2ケ所に多孔質金鴫嗅を
パターン化してリード取り出し部1と2とをそれぞれ形
成する。次醗こ基板上のリード取り出し部21c層する
ように貴会4薄模の下部電極4を形成する。この下部電
極には密着性と耐湿・耐腐ii!It曲をもたせるため
に多重化された金4膜を用いることが望ましい。例えば
下1−#こ、垂板とのfi着曲の良いA l 、Nie
rMn等の金鴫嘆を用いさらに上1偏に耐湿・耐腐蝕性
に優れたAu、Pt等の資金gを用いてなる2鳴換を真
空蒸考法スパッタリング等で1設して下部74甑とする
。この厚さは0,5μから2μの間が温ましい。次に下
部4極を上部1甑と妾するリード取り出し部1に接しな
いようEこパJ−ン化する。この方法としてはマスク蒸
着。
パターン化してリード取り出し部1と2とをそれぞれ形
成する。次醗こ基板上のリード取り出し部21c層する
ように貴会4薄模の下部電極4を形成する。この下部電
極には密着性と耐湿・耐腐ii!It曲をもたせるため
に多重化された金4膜を用いることが望ましい。例えば
下1−#こ、垂板とのfi着曲の良いA l 、Nie
rMn等の金鴫嘆を用いさらに上1偏に耐湿・耐腐蝕性
に優れたAu、Pt等の資金gを用いてなる2鳴換を真
空蒸考法スパッタリング等で1設して下部74甑とする
。この厚さは0,5μから2μの間が温ましい。次に下
部4極を上部1甑と妾するリード取り出し部1に接しな
いようEこパJ−ン化する。この方法としてはマスク蒸
着。
エツチング、リフトオフ等がある。
次にリード取り出し部1と2及び下部tiが形成された
基板上に感湿@5を形成する。感湿膜としてはアクリル
系モノマー、フォトレジスト等の高分子材料を弔い下部
電極を含む基板全面に堆積する。この感湿膜の形成は、
感湿材料の混合溶液をスピンナー塗布した後UV硬化ま
たは熱硬化することにより行なう。その上から下部電極
6として透湿性を有するごく4いAu、Pt等の資金嘴
薄膜を下部成極に対向してリード取り出し部1に接して
形成する。
基板上に感湿@5を形成する。感湿膜としてはアクリル
系モノマー、フォトレジスト等の高分子材料を弔い下部
電極を含む基板全面に堆積する。この感湿膜の形成は、
感湿材料の混合溶液をスピンナー塗布した後UV硬化ま
たは熱硬化することにより行なう。その上から下部電極
6として透湿性を有するごく4いAu、Pt等の資金嘴
薄膜を下部成極に対向してリード取り出し部1に接して
形成する。
(t’l:用〕
本発明に3いてはリード取り出し部1及び2が多孔瓜な
ため、スピンコードで高分子材料の混合浴液を基板上に
遣布してもリード取り出し部内に浸透f6゜そして蒸着
等lこよジ乍成した下部4甑上に2いては、こDリード
取り田し部上よりも容易Gこ高分子材料による感湿膜が
形成されるので、こうして下部電極上に感湿膜が形成さ
れた後もリード取り出し部上では導通している。したが
つてパターン形成等により新たにリード部を形成せずに
リードの喉り出しが容易に行なえる。これより本発明の
感湿素子は構造が単純で製造工惺が容易であるうえtこ
従来行なっていた感湿膜のパターン形成による影#を受
けることなく高感度を保持したままリードが取り出され
る。
ため、スピンコードで高分子材料の混合浴液を基板上に
遣布してもリード取り出し部内に浸透f6゜そして蒸着
等lこよジ乍成した下部4甑上に2いては、こDリード
取り田し部上よりも容易Gこ高分子材料による感湿膜が
形成されるので、こうして下部電極上に感湿膜が形成さ
れた後もリード取り出し部上では導通している。したが
つてパターン形成等により新たにリード部を形成せずに
リードの喉り出しが容易に行なえる。これより本発明の
感湿素子は構造が単純で製造工惺が容易であるうえtこ
従来行なっていた感湿膜のパターン形成による影#を受
けることなく高感度を保持したままリードが取り出され
る。
(実施例)
(a)〔し〕(り
第3図mに示した工程図に従って、窮1図及び第2図に
示した惑直角子を作成した。まず第3図周に示すようE
こS i O,の基板3の上にリード取!7田しglと
2を金ペーストを用いてこれを塗布後尭成して多孔質の
4fiとして形成した。欠に垂板3上に形成したリード
取り出し部2に、その4部を妾して下部電極4を形1戎
した。この下部電極ぼ下部にCrよVなる厚さ0.3μ
の金゛、4嗅上l薯にAuよ!lllなる厚さ0.5μ
の賞金4嘆からなる21−幌を真空蒸;!法で順次マス
ク蒸着して形成した。欠いで下部電極4及びリード取9
出し部1と2が形成された基板上Eこ第3図4fこ示す
如く惑匿嗅5を形成した。この感湿@5の材料としては
グリセロールトリグリシジルアクリレートを用いトルエ
ン。
示した惑直角子を作成した。まず第3図周に示すようE
こS i O,の基板3の上にリード取!7田しglと
2を金ペーストを用いてこれを塗布後尭成して多孔質の
4fiとして形成した。欠に垂板3上に形成したリード
取り出し部2に、その4部を妾して下部電極4を形1戎
した。この下部電極ぼ下部にCrよVなる厚さ0.3μ
の金゛、4嗅上l薯にAuよ!lllなる厚さ0.5μ
の賞金4嘆からなる21−幌を真空蒸;!法で順次マス
ク蒸着して形成した。欠いで下部電極4及びリード取9
出し部1と2が形成された基板上Eこ第3図4fこ示す
如く惑匿嗅5を形成した。この感湿@5の材料としては
グリセロールトリグリシジルアクリレートを用いトルエ
ン。
メチルエチルケトン、シクロヘキサノンの等量混合@液
を用いて濃度を15cps、50cps、100cps
及び120cpsの4種に調整した。混合溶液をスピン
ナー産布した(iUV照射を2KWのUVランプを用い
て照射時間20分の条件で硬化させた。その・ス湿嗅5
の上に上部1嘱6として透湿性を有する厚さ0.5μの
ごく薄いAuからなる貸金@膜を第31補に示す如くリ
ード取り出し部11ζ条して形成した。こうして得られ
た本発明に係る感湿素子の粘性による違いを各湿度での
静電g昔を測定した結果として第4図(4度50cps
)と第5図(1度100CpS)の特注図に示す。
を用いて濃度を15cps、50cps、100cps
及び120cpsの4種に調整した。混合溶液をスピン
ナー産布した(iUV照射を2KWのUVランプを用い
て照射時間20分の条件で硬化させた。その・ス湿嗅5
の上に上部1嘱6として透湿性を有する厚さ0.5μの
ごく薄いAuからなる貸金@膜を第31補に示す如くリ
ード取り出し部11ζ条して形成した。こうして得られ
た本発明に係る感湿素子の粘性による違いを各湿度での
静電g昔を測定した結果として第4図(4度50cps
)と第5図(1度100CpS)の特注図に示す。
このQa度が15cpsOものは丁部鑞極上に感湿膜が
製膜されず、また120cpsのものは粘性が高すぎて
リードI&り出し部上まで、6縁されてしまり九。これ
ら第4図及び第5図かられかるように、粘性を5えても
静4与凌のンa対値は変わるが感度は変わらない。した
がって粘性の高い高分子材料Cζついては希釈して特定
の範囲に粘性を定めることtこより本発明の感湿素子が
作製される。
製膜されず、また120cpsのものは粘性が高すぎて
リードI&り出し部上まで、6縁されてしまり九。これ
ら第4図及び第5図かられかるように、粘性を5えても
静4与凌のンa対値は変わるが感度は変わらない。した
がって粘性の高い高分子材料Cζついては希釈して特定
の範囲に粘性を定めることtこより本発明の感湿素子が
作製される。
本実施例において基板3としてはSin、よりなる基板
を用いたがこの他にもFETを一体的に内設した基板を
利用してFgTのゲート絶縁膜上に上述したよりなt甑
及び感湿膜を設けてこれをFFJTで[動制御する感湿
素子としても良い。
を用いたがこの他にもFETを一体的に内設した基板を
利用してFgTのゲート絶縁膜上に上述したよりなt甑
及び感湿膜を設けてこれをFFJTで[動制御する感湿
素子としても良い。
本発明に二t)製造が容易で生産性に優れた小唄の感湿
素子を得ることができる。
素子を得ることができる。
第1図は本発明に係る感湿素子の一例を示した模擬図、
第2図はそのA−Afiの縦断面図、第3(動L4)
(C) 図塀叫湯は本発明に係る製造方法を示した工程図、成を
示した模式図である。 1・・・リード取り出し部、2・・・リード敗り出し部
、3・・・基板、4・・・下部を甑、5・・・感湿膜、
6・・・上部¥1!極、7・・・接続端子、8・・・貴
金属膜、9・・・リード線。 代理人 弁理士 則 近 憲 体 間 竹 花 喜久男第 2 図 (α) (C) 第3図 乙 1,0 1.OgD 100/jF
11文・↑IA (5≧′ン 第 4 図 嶺丼湿)f5 (X) 第 5 図 第 6 図
第2図はそのA−Afiの縦断面図、第3(動L4)
(C) 図塀叫湯は本発明に係る製造方法を示した工程図、成を
示した模式図である。 1・・・リード取り出し部、2・・・リード敗り出し部
、3・・・基板、4・・・下部を甑、5・・・感湿膜、
6・・・上部¥1!極、7・・・接続端子、8・・・貴
金属膜、9・・・リード線。 代理人 弁理士 則 近 憲 体 間 竹 花 喜久男第 2 図 (α) (C) 第3図 乙 1,0 1.OgD 100/jF
11文・↑IA (5≧′ン 第 4 図 嶺丼湿)f5 (X) 第 5 図 第 6 図
Claims (2)
- (1) 絶縁体よりなる基板上に設けられた多孔質の第
1リード取り出し部及び第2リード取り出し部と、前記
第1リード取り出し部に導通して前記基板上に設けられ
た下部電極と、 前記下部電極を少くともおおいかつ前記第1リード取り
出し部及び第2リード取り出し部を露出して設けられた
感湿膜と、 前記感湿膜をはさんで前記下部電極に対向しかつ前記第
2リード取り出し部と導通して設けられた上部電極とを
備えたことを特徴とする感湿素子。 - (2) 絶縁体よりなる基板上に多孔質の第1リード取
り出し部及び第2リード取り出し部を設ける第1の工程
と、 前記第1リード取り出し部に導通して前記基板上に下部
電極を設ける第2の工程と、 液状感湿膜材料を塗布して前記下部電極を少くともおお
いかつ前記第1リード取り出し部及び第2リード取り出
し部を露出した感湿膜を設ける第3の工程と、 前記感湿膜をはさんで前記下部電極に対向しかつ前記第
2リード取り出し部と導通して上部電極を設ける第4の
工程とを備えたことを特徴とする感湿素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30826786A JPS63163265A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 感湿素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30826786A JPS63163265A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 感湿素子及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63163265A true JPS63163265A (ja) | 1988-07-06 |
Family
ID=17978960
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30826786A Pending JPS63163265A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 感湿素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63163265A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0380364A (ja) * | 1989-08-24 | 1991-04-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 注文登録装置 |
JPH03163345A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-15 | Yamatake Honeywell Co Ltd | 感湿素子 |
EP1197748A1 (en) * | 2000-10-10 | 2002-04-17 | NGK Spark Plug Company Limited | Humidity sensor |
JP2008171994A (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-24 | Nihon Dennetsu Keiki Co Ltd | フローディップはんだ付け装置 |
CN107003262A (zh) * | 2014-12-11 | 2017-08-01 | 北陆电气工业株式会社 | 电容式湿度传感器 |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP30826786A patent/JPS63163265A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0380364A (ja) * | 1989-08-24 | 1991-04-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 注文登録装置 |
JPH03163345A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-15 | Yamatake Honeywell Co Ltd | 感湿素子 |
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US6883371B2 (en) | 2000-10-10 | 2005-04-26 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Humidity sensor |
JP2008171994A (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-24 | Nihon Dennetsu Keiki Co Ltd | フローディップはんだ付け装置 |
CN107003262A (zh) * | 2014-12-11 | 2017-08-01 | 北陆电气工业株式会社 | 电容式湿度传感器 |
CN107003262B (zh) * | 2014-12-11 | 2019-10-11 | 北陆电气工业株式会社 | 电容式湿度传感器 |
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