JPS5837907A - 陽極酸化アルミ感湿膜の製法 - Google Patents
陽極酸化アルミ感湿膜の製法Info
- Publication number
- JPS5837907A JPS5837907A JP56136340A JP13634081A JPS5837907A JP S5837907 A JPS5837907 A JP S5837907A JP 56136340 A JP56136340 A JP 56136340A JP 13634081 A JP13634081 A JP 13634081A JP S5837907 A JPS5837907 A JP S5837907A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- semiconductor substrate
- sensitive
- moisture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electrochemical Coating By Surface Reaction (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、小形の機卯化センサ婢に用いられる高感度
の感湿膜を陽極酸化ＡＺ２Ｏ，（略称：陽極酸化アルミ
）で半導体基板上に形成し、し７かもそれを再現性よく
大量に容易に得られるようにし、た、陽極酸化ｈｔ、ｏ
、感湿膜、の製法に関する。
の感湿膜を陽極酸化ＡＺ２Ｏ，（略称：陽極酸化アルミ
）で半導体基板上に形成し、し７かもそれを再現性よく
大量に容易に得られるようにし、た、陽極酸化ｈｔ、ｏ
、感湿膜、の製法に関する。
Ａｔを酸性電解液中で陽極酸化する事により形成される
多孔質のｋＡ、Ｏ８膜は、雰囲気中の湿度便化に応じて
その静電容量と電気抵抗が蜜化するので、従来より様々
な湿度センサに用いられて来た。これらのＡｔ、Ｏ，−
の製法には次のようなものがあった。すなわち、ＡｔＯ
板や棒等（焼結体を含む）の表面を陽極酸化して多孔質
Ａｔ、Ｏ８膜を形成し、Ａｔはそのまま支持本１兼片側
の電極として使用する方法（Ｉ￥１公昭４７−３９９１
６号）：Ａｔ箔の表面に多孔質Ａｔ２０３を形成し、残
りのＡｔはＢｒ２やＩ２を混和し７たメタノール等で溶
解除去した後Ａｔ２０３膜の両面に改めて電極を取り付
ける方法（特公昭５４−８１１９号）：絶縁性基板上に
設けたＡｔ薄膜の上層部分のみを多孔質Ａｔ２０．と成
し、下層に残ったＡｔを下部１１極として用い、後で上
部電極を取り付ける方法：Ａｔ薄膜の下に設けた異種金
層の下部電極を陽極とし、Ｍはすべて陽極酸化してＡｔ
２０．と成す方法などがそれである。
多孔質のｋＡ、Ｏ８膜は、雰囲気中の湿度便化に応じて
その静電容量と電気抵抗が蜜化するので、従来より様々
な湿度センサに用いられて来た。これらのＡｔ、Ｏ，−
の製法には次のようなものがあった。すなわち、ＡｔＯ
板や棒等（焼結体を含む）の表面を陽極酸化して多孔質
Ａｔ、Ｏ８膜を形成し、Ａｔはそのまま支持本１兼片側
の電極として使用する方法（Ｉ￥１公昭４７−３９９１
６号）：Ａｔ箔の表面に多孔質Ａｔ２０３を形成し、残
りのＡｔはＢｒ２やＩ２を混和し７たメタノール等で溶
解除去した後Ａｔ２０３膜の両面に改めて電極を取り付
ける方法（特公昭５４−８１１９号）：絶縁性基板上に
設けたＡｔ薄膜の上層部分のみを多孔質Ａｔ２０．と成
し、下層に残ったＡｔを下部１１極として用い、後で上
部電極を取り付ける方法：Ａｔ薄膜の下に設けた異種金
層の下部電極を陽極とし、Ｍはすべて陽極酸化してＡｔ
２０．と成す方法などがそれである。
しかし、Ａｔの板や棒を陽極酸化する方法では、構造上
小形化に限界があり、数ｍ以下のサイズは実現困難であ
り、また上部電極を取りつける際に下部電極を兼ねたＡ
ｔ本体と短絡を起こしやすい欠点があった。Ａｔ箔の表
面にＡｔ２０．膜を形成し、残ったＡｔを除去する方法
は、比較的小形の湿度センサに用いられるが、この方法
で得られるＡｔ、０３膜の機機的強度が弱く扱いに熟練
を要するし、膜厚を数十μｍ より薄くする事は困難で
あるため面積をなるべく大きくして十分大きな静電容量
を得るよう設計せねばならず、小形化の’１ｌｉｌｆと
矛盾する。
小形化に限界があり、数ｍ以下のサイズは実現困難であ
り、また上部電極を取りつける際に下部電極を兼ねたＡ
ｔ本体と短絡を起こしやすい欠点があった。Ａｔ箔の表
面にＡｔ２０．膜を形成し、残ったＡｔを除去する方法
は、比較的小形の湿度センサに用いられるが、この方法
で得られるＡｔ、０３膜の機機的強度が弱く扱いに熟練
を要するし、膜厚を数十μｍ より薄くする事は困難で
あるため面積をなるべく大きくして十分大きな静電容量
を得るよう設計せねばならず、小形化の’１ｌｉｌｆと
矛盾する。
またハロゲンや重金属を含む廃液が出る、絶縁性基板上
のＡｔ薄膜の上層のみを陽極酸化する方法は敷部サイズ
のセンサに用いられるが、得られるＡｌ、０３層の厚さ
の制御が困難で、厚さの再現性や面内の厚さ均一性が悪
い＾また、この方法で感湿膜の両面に電極を設けるサン
ドイッチ形構造は実現できるが感湿膜の片面に２つの櫛
形電極を相対して設ける構造は実現できない。Ａｔ薄膜
の下に異種金属の下部電極を設け、これを陽極としてＡ
ｔを全層にわたって陽極酸化する方法では、Ａｒ１．薄
膜の厚さによって得られるＡｔ、Ｏ８膜の厚さが決まる
ので膜厚制御が容易であり、サンドイッチ形構造も櫛形
電極構造も実現できるが、下部電極の材質によっては陽
極酸化中ＫＡｔが剥離しやすい。また陽極酸化電流のわ
ずかな面内不均一によって、Ａｔ薄膜の一部が他の部分
より先に陽極酸化され、その部分に電流が集中して他の
部分の陽極酸化が停滞する現象がある。このため、いわ
ゆるバルブ作用のある金楓材料で下Ｓ電、極を形成する
必要があり、Ｔｉなどの高価な金属が必要である。とい
うように、小形の湿度センサを効率よく生産するために
は、それぞれ欠点があり、問題解決が必要とさねていた
。
のＡｔ薄膜の上層のみを陽極酸化する方法は敷部サイズ
のセンサに用いられるが、得られるＡｌ、０３層の厚さ
の制御が困難で、厚さの再現性や面内の厚さ均一性が悪
い＾また、この方法で感湿膜の両面に電極を設けるサン
ドイッチ形構造は実現できるが感湿膜の片面に２つの櫛
形電極を相対して設ける構造は実現できない。Ａｔ薄膜
の下に異種金属の下部電極を設け、これを陽極としてＡ
ｔを全層にわたって陽極酸化する方法では、Ａｒ１．薄
膜の厚さによって得られるＡｔ、Ｏ８膜の厚さが決まる
ので膜厚制御が容易であり、サンドイッチ形構造も櫛形
電極構造も実現できるが、下部電極の材質によっては陽
極酸化中ＫＡｔが剥離しやすい。また陽極酸化電流のわ
ずかな面内不均一によって、Ａｔ薄膜の一部が他の部分
より先に陽極酸化され、その部分に電流が集中して他の
部分の陽極酸化が停滞する現象がある。このため、いわ
ゆるバルブ作用のある金楓材料で下Ｓ電、極を形成する
必要があり、Ｔｉなどの高価な金属が必要である。とい
うように、小形の湿度センサを効率よく生産するために
は、それぞれ欠点があり、問題解決が必要とさねていた
。
本発明の目的は、ＳｔやＡｔ等の安価な材料で製造でき
、バッチ処理により基板上に多数の小形で均一な膜厚の
Ａｔ２０．膜を容易に形成でき、機能化センサの製造に
適する、感湿膜製法を提供する事にある□ 本発明においては、半導体基板はセンサの支持材として
用いられると同時に、陽ｆｌｉｔ化時には半導体自身が
陽極、すなわち、陽極側の電流供給路、として使用され
るので、その表面は適宜絶縁膜で覆われ、Ａｔに電流を
伝える部分のみ絶縁膜に窓や二設けられていて、そこで
Ａｔと電気的導通を持って接触１７ている。この構造に
より、陽極酸イヒのイヒ成電流は基板上のＡｔ全体にわ
たって均一に供給され、基板全面に高品質の多孔質Ａｔ
、０３＃（形成される、このＡｔ２０．膜を、陽極酸化
伊の工程で不要な部分を除去し５、所望の形状を得る一
部の工程で連続していたＡｔ２０３膜を、この工程で多
数に分割する事もでき、小形のセンサを大量に生産する
のに有牙０である。
、バッチ処理により基板上に多数の小形で均一な膜厚の
Ａｔ２０．膜を容易に形成でき、機能化センサの製造に
適する、感湿膜製法を提供する事にある□ 本発明においては、半導体基板はセンサの支持材として
用いられると同時に、陽ｆｌｉｔ化時には半導体自身が
陽極、すなわち、陽極側の電流供給路、として使用され
るので、その表面は適宜絶縁膜で覆われ、Ａｔに電流を
伝える部分のみ絶縁膜に窓や二設けられていて、そこで
Ａｔと電気的導通を持って接触１７ている。この構造に
より、陽極酸イヒのイヒ成電流は基板上のＡｔ全体にわ
たって均一に供給され、基板全面に高品質の多孔質Ａｔ
、０３＃（形成される、このＡｔ２０．膜を、陽極酸化
伊の工程で不要な部分を除去し５、所望の形状を得る一
部の工程で連続していたＡｔ２０３膜を、この工程で多
数に分割する事もでき、小形のセンサを大量に生産する
のに有牙０である。
次に図直によって本発明の実施例について具体的に説明
する。１１１図は本発明の実施例についてその各製造工
程を示した断面図である。各図１の左右を切って同じ形
状が平面的に）数繰り返した構造である事を示している
。
する。１１１図は本発明の実施例についてその各製造工
程を示した断面図である。各図１の左右を切って同じ形
状が平面的に）数繰り返した構造である事を示している
。
この実施例では、半導体基板としてＳｉを用いているが
、他の半導体でもさ【７つかえない。
、他の半導体でもさ【７つかえない。
第１工程は２つの系統に大別される、左９Ａ１１０Ａ系
統に示す第１工程では工程前段でＳｉの半導体基板（１
）の表面の必要な部分に５ｉｎ２の絶縁膜（２）を形成
する。この実施例では絶縁膜として熱酸イヒによるＳｔ
Ｏ，を用い、不要な部分をホト１ｊソグラフイ技術によ
って選択的に除去して工程の前段を完了したが、Ｓｉｎ
、膜の形成法としてＣＶＤ法、スノくツタ法を用いても
良く、また必要な５１０２形状を得るために、基板の一
部を金属板でマスクしてスノ（ツタする手法により、必
要な部分のみｓｉｏ、 ｓを形成しても良い。第１工程
の後段では、絶縁膜上に所望の形状の導電１１（３）を
形成してセンサの電極と成す。
統に示す第１工程では工程前段でＳｉの半導体基板（１
）の表面の必要な部分に５ｉｎ２の絶縁膜（２）を形成
する。この実施例では絶縁膜として熱酸イヒによるＳｔ
Ｏ，を用い、不要な部分をホト１ｊソグラフイ技術によ
って選択的に除去して工程の前段を完了したが、Ｓｉｎ
、膜の形成法としてＣＶＤ法、スノくツタ法を用いても
良く、また必要な５１０２形状を得るために、基板の一
部を金属板でマスクしてスノ（ツタする手法により、必
要な部分のみｓｉｏ、 ｓを形成しても良い。第１工程
の後段では、絶縁膜上に所望の形状の導電１１（３）を
形成してセンサの電極と成す。
この実施例ではＣｒを用いたが、Ｎｉ、Ａｕ等、Ａｔ以
外の適当な金属であれば良い。この工稈本、蒸着法、ス
パッタ法等により実施される。必要に応じて、エツチン
グ法、リフトオフ法で形状加工を行っても良い、いずれ
の場合でも特別が熟練を要せずこの工程を完了できる。
外の適当な金属であれば良い。この工稈本、蒸着法、ス
パッタ法等により実施される。必要に応じて、エツチン
グ法、リフトオフ法で形状加工を行っても良い、いずれ
の場合でも特別が熟練を要せずこの工程を完了できる。
また、製造するセンサの種類によってはこの工程の後段
を省略してＳｉｎ。
を省略してＳｉｎ。
上に直接Ａｔ２０３を形成して本さしつかえない。
第１図のＢ系統では右側に示すようＫ、工程の前段で絶
縁膜と導電膜を形成し、後段で絶縁膜の不要な部分のみ
を選択的に除去する。この場合も絶縁膜と導電膜の形成
法と形状加工法けＡ系統と全く同様である。Ｂ系統でけ
５ｉｎ２を除去してただちに次の工程に進むので、Ｓ１
露出部が汚染されて素子の電気的特性が低下する危険が
少ない。いずれの方法を敗っても、所望の形状の５ｔＯ
２膜を形成でき、しかも１枚の基板上に容易に多数の繰
り返し構造を実現でき、大量生産に適合する事は明らか
である。
縁膜と導電膜を形成し、後段で絶縁膜の不要な部分のみ
を選択的に除去する。この場合も絶縁膜と導電膜の形成
法と形状加工法けＡ系統と全く同様である。Ｂ系統でけ
５ｉｎ２を除去してただちに次の工程に進むので、Ｓ１
露出部が汚染されて素子の電気的特性が低下する危険が
少ない。いずれの方法を敗っても、所望の形状の５ｔＯ
２膜を形成でき、しかも１枚の基板上に容易に多数の繰
り返し構造を実現でき、大量生産に適合する事は明らか
である。
第２工程では、Ａｔ膜（４）を蒸着法、スパッタ法等を
用いて基板上に形成し、Ｓｉ基板と良好か電気的導通を
得るため適宜熱処理を行う。本実施例でけＡｔ膜の厚さ
は２．０（１０Ｘ〜１ｏ、ｏｏｏＸでＮ２ガス中にて３
００〜４５０℃で３０〜１２０分間熱処理を行った。
用いて基板上に形成し、Ｓｉ基板と良好か電気的導通を
得るため適宜熱処理を行う。本実施例でけＡｔ膜の厚さ
は２．０（１０Ｘ〜１ｏ、ｏｏｏＸでＮ２ガス中にて３
００〜４５０℃で３０〜１２０分間熱処理を行った。
第３の工程では、硫酸、蓚酸、燐酸等の水溶液中に基板
を保持［７、液面上にｒＩｘ串ｌた部分よりＳ１基板に
電流を供給［７、Ａｔ膜を陽極酸化【７て多孔質の陽極
酸化Ａｔ２０３（５）と成す。電流はＳｉ基板を介して
Ａｔ膜全全体均一に供給させる。この時、Ａｔ膜の基板
に直接接している部分からＡｔ膜中を通って、絶縁膜上
のＡｔへも電流が供給されるので、ＳＩＯ！膜の窓が基
板全体にわたって適宜配置さねていわばＡｔ膜全全面一
様に陽極酸化されて、一部分がＡｔの甘ま残るような事
はない。また陽極酸化が基板上の一部分で他より早く完
了してもＳｔと多孔＠Ａｔ、Ｏ１の界面に絶縁性の層が
形成されるので、そこに電流が集中するような事はない
。このように本発明によれば薄いＡｔ膜でも支障なく陽
極酸化さねて均一なＡｔ２０．感湿膜が再現性よく得ら
れる。
を保持［７、液面上にｒＩｘ串ｌた部分よりＳ１基板に
電流を供給［７、Ａｔ膜を陽極酸化【７て多孔質の陽極
酸化Ａｔ２０３（５）と成す。電流はＳｉ基板を介して
Ａｔ膜全全体均一に供給させる。この時、Ａｔ膜の基板
に直接接している部分からＡｔ膜中を通って、絶縁膜上
のＡｔへも電流が供給されるので、ＳＩＯ！膜の窓が基
板全体にわたって適宜配置さねていわばＡｔ膜全全面一
様に陽極酸化されて、一部分がＡｔの甘ま残るような事
はない。また陽極酸化が基板上の一部分で他より早く完
了してもＳｔと多孔＠Ａｔ、Ｏ１の界面に絶縁性の層が
形成されるので、そこに電流が集中するような事はない
。このように本発明によれば薄いＡｔ膜でも支障なく陽
極酸化さねて均一なＡｔ２０．感湿膜が再現性よく得ら
れる。
第４の工程では、酸性水溶液を用いてＡｔ、０３膜を選
択的に除去する。従来多孔質Ａｔ２０３膜の薬品による
選択的除去は困難とされていたが、第４の工程で均質で
かつ非常に薄いＡｔ２０３Ｍが形成されていれは燐酬等
の酸性水溶液を用いて再現性よく加工できる。実施例で
は１０〜５０チの燐酸水溶液を２０〜６０℃で用いホト
リソグラフィ技術によりＡｔ２０゜膜の不要部分を除去
した。この手法によ妙、数μｍの精度で所望の形状に加
工できる。
択的に除去する。従来多孔質Ａｔ２０３膜の薬品による
選択的除去は困難とされていたが、第４の工程で均質で
かつ非常に薄いＡｔ２０３Ｍが形成されていれは燐酬等
の酸性水溶液を用いて再現性よく加工できる。実施例で
は１０〜５０チの燐酸水溶液を２０〜６０℃で用いホト
リソグラフィ技術によりＡｔ２０゜膜の不要部分を除去
した。この手法によ妙、数μｍの精度で所望の形状に加
工できる。
第１図の実施例で製造された感湿素子は感湿膜の片領に
金属電極を２つ設けて両電極間の電気抵抗または静電容
量を測定して湿度を知る構造であるが本発明の製法の適
用はこの構造に限定されず、いくつかの応用がある。第
２図のように本発明の製法で得られる感湿膜の上にさら
に上部電極（６）を設けて、いわゆるサンドイッチ形の
素子とし両電極間の静電容量を検出する構造に応用する
事もできる。また第３図は下部電極（３）を省略した形
の素子で半導体基板を下部電極として上部電極との間の
静電容量を測るものである。この場合は、８１０２膜の
静電容量を同時に測るので感度は若干低下するが、製造
工程は少なくなるという利点もある○工程の省略を優先
するか、性能記−とするかによって適宜費史して実施で
きる。
金属電極を２つ設けて両電極間の電気抵抗または静電容
量を測定して湿度を知る構造であるが本発明の製法の適
用はこの構造に限定されず、いくつかの応用がある。第
２図のように本発明の製法で得られる感湿膜の上にさら
に上部電極（６）を設けて、いわゆるサンドイッチ形の
素子とし両電極間の静電容量を検出する構造に応用する
事もできる。また第３図は下部電極（３）を省略した形
の素子で半導体基板を下部電極として上部電極との間の
静電容量を測るものである。この場合は、８１０２膜の
静電容量を同時に測るので感度は若干低下するが、製造
工程は少なくなるという利点もある○工程の省略を優先
するか、性能記−とするかによって適宜費史して実施で
きる。
第４図には、半導体基板と［７てソース拡散層（７）と
ドレイン拡散Ｎ（８）を設けたＳｔを用い＊素子を示す
。この素子は、湿度費化をンースとドレイン間に流ねる
１′流として検出する節動的センサである。
ドレイン拡散Ｎ（８）を設けたＳｔを用い＊素子を示す
。この素子は、湿度費化をンースとドレイン間に流ねる
１′流として検出する節動的センサである。
第３図の素子は下部電極（３）を省略した素子であるが
、その応答特性を第５図に示す、この素子は、Ｓｉ基板
を用い感湿膜の厚さは約２０００Ｘで平面形状は直径４
５０μｍの円形である。この特性は素子を温度２４膜湿
度３０チＲ，）（、（相対湿度）の大気中に放置ｌ１、
これに湿度５５チの湿ったＮ２ガスと浸度Ｏチの乾燥Ｎ
２ガスを交互に吹き付けた時の素子の静電容量変化であ
る。この素子は下部電極（３）のあるものに比して、湿
度に対する感度は２０〜３０チ程度低下したが、応答特
性についての差異は認められかめ・った。すなわち、第
５図に示した通り応答は１〜２秒と極めて速く、本発明
による薄くて高品質の感湿材の優れた特徴を示している
。
、その応答特性を第５図に示す、この素子は、Ｓｉ基板
を用い感湿膜の厚さは約２０００Ｘで平面形状は直径４
５０μｍの円形である。この特性は素子を温度２４膜湿
度３０チＲ，）（、（相対湿度）の大気中に放置ｌ１、
これに湿度５５チの湿ったＮ２ガスと浸度Ｏチの乾燥Ｎ
２ガスを交互に吹き付けた時の素子の静電容量変化であ
る。この素子は下部電極（３）のあるものに比して、湿
度に対する感度は２０〜３０チ程度低下したが、応答特
性についての差異は認められかめ・った。すなわち、第
５図に示した通り応答は１〜２秒と極めて速く、本発明
による薄くて高品質の感湿材の優れた特徴を示している
。
第４図の素子は能動的な素子なので第６図のように外部
に２２にΩの純抵抗を直列に接続しインバータの回路を
形成でき、ソースとドレインの間の電位差ｖ６．を通常
のペンレコーダに直接人力（、て湿度変化を記録する事
ができる。この時の特性を第７図に示す。ゲート電圧ｖ
ｇと１．て一定の電圧を印加１７た状態で湿度をＯチＲ
，Ｈ，から５５チＲ，Ｈ，まで変化させた時、前記Ｖ。
に２２にΩの純抵抗を直列に接続しインバータの回路を
形成でき、ソースとドレインの間の電位差ｖ６．を通常
のペンレコーダに直接人力（、て湿度変化を記録する事
ができる。この時の特性を第７図に示す。ゲート電圧ｖ
ｇと１．て一定の電圧を印加１７た状態で湿度をＯチＲ
，Ｈ，から５５チＲ，Ｈ，まで変化させた時、前記Ｖ。
け約４ボルト紫化している。
このように本発明の製法により、半導体基板上に非常に
小形の能動素子を実現でき、外部に特別な測定回路や増
巾回路を必要とせず直接表示器に接続【７て使用できる
。
小形の能動素子を実現でき、外部に特別な測定回路や増
巾回路を必要とせず直接表示器に接続【７て使用できる
。
以上のように本発明は半導体基板上に、非常に薄く小形
の高感度感湿膜を高精度で再現性よく形成できるので、
小形の受動的湿度センサの製造のみならず、半導体集積
回路と一体化【７た機能化センサ、集積化センサの製造
に大変有利である。
の高感度感湿膜を高精度で再現性よく形成できるので、
小形の受動的湿度センサの製造のみならず、半導体集積
回路と一体化【７た機能化センサ、集積化センサの製造
に大変有利である。
すなわち、本発明の製造方法は半導体基板上に形成する
陽極酸化Ａｔ、０３膜を半導体基板を陽極とし、半導体
基板に電気的に接続するＡｔを、（着た、そのＡｔに接
続するＡｔを）陽極酸化して得るようにしたから、次の
ような効果が得られる。
陽極酸化Ａｔ、０３膜を半導体基板を陽極とし、半導体
基板に電気的に接続するＡｔを、（着た、そのＡｔに接
続するＡｔを）陽極酸化して得るようにしたから、次の
ような効果が得られる。
イ）基板上に非常に薄いＡｔ２０３感湿膜が形成できる
。従って単位面積当りの静電容量の大きな感湿膜が得ら
れる。
。従って単位面積当りの静電容量の大きな感湿膜が得ら
れる。
口’） Ａｔ２０３膜が終始基板に密着し７た状態で
製造されるので破損させずに扱える、従って作業が悼単
になり、歩留り本高くなる。
製造されるので破損させずに扱える、従って作業が悼単
になり、歩留り本高くなる。
ハ）厚さの制御が容易であり再現性が良い。
二）製造時に下部電極の導電膜に通電しないので、電極
材料に制約がなく、安価な材料が使用できる。
材料に制約がなく、安価な材料が使用できる。
ホ）基板表面全体に一様な化成電流を供給する構造であ
るから、全面にわたって均一で高品質の感湿膜が形成さ
れる。
るから、全面にわたって均一で高品質の感湿膜が形成さ
れる。
へ）平面形状を非常に小さくして高精度に製造できるの
で小形のセンサに有利であり、大量生産ができる。
で小形のセンサに有利であり、大量生産ができる。
ト）絶縁膜上にも支障なく陽極酸化Ａｔ、０３Ｍを形成
できるのでＭＯＳＦＥＴのゲート絶縁膜上に感湿膜を設
けて能動的センサと成す事ができる。
できるのでＭＯＳＦＥＴのゲート絶縁膜上に感湿膜を設
けて能動的センサと成す事ができる。
チ） Ｓｔ基板上に小形に形成できるので電気回路と検
出部を同一チップ上に形成し、集積化センサと成す事が
できる。
出部を同一チップ上に形成し、集積化センサと成す事が
できる。
従って本発明の製法は、５ｉＩＣ技術を応用１．て同一
チップ上に検出部と信号処理部を一体化したいわゆる集
積化センサないし固体化センサの実現に必要−欠くべか
らざる技術である。
チップ上に検出部と信号処理部を一体化したいわゆる集
積化センサないし固体化センサの実現に必要−欠くべか
らざる技術である。
ｆＪＩｃ１図は本発明による感湿膜製法の各工程を示す
断面図。 第２図は本発明の製法による感湿素子（その２）の断面
図。 第３図は本発明の製法による感湿素子（その３）の断面
図。 第４図は本発明の製法による感湿素子（その４）の断面
図。 第５図は、第３図で示した素子の応答特性を示す図。 第６図は、第４図で示した素子の特性を測定する六めの
回路図。 第７図は、第４図で示した素子の特性を示す図である。 図中１は半導体基板、２け絶縁膜、３１１−ｔ４ｍ膜、
４はＡｔ薄膜、５は陽極酸化Ａｔ、Ｏ，ＩＩＩ、 ６は
上部電極、７はソース拡散層、８けドレイン拡散層、９
は感湿素子を示す、第５図中の（イ）は温度２４℃で５
５チＲ，Ｈ，の湿ったＮ、を吹き付は状態を示す、（ロ
）は同じく３０チＲ，Ｈ，の大気中に放雷した状態を示
す、←うは同じくＯチＲ，）（、の乾燥Ｎ２ガス吹き付
は状態を示す。 代理人 小 池 龍太部 第１図 Ａ系靴 Ｂ系統。 會 率４工程 ＋５ ２ 第 ２ 団 ６ 第 ３ 圓 惠 ４ ｌ 検 翻 第 ６圓 ｈ解 あ５図 ■ 時間（秒） 第１頁の続き ０発 明 者 古田戸節夫 東京都港区南麻布五丁目１０番２７ 号安立電気株式会社内 ０発 明 者 宮城幸一部 東京都港区南麻布五丁目１０番２７ 号安立電気株式会社内
断面図。 第２図は本発明の製法による感湿素子（その２）の断面
図。 第３図は本発明の製法による感湿素子（その３）の断面
図。 第４図は本発明の製法による感湿素子（その４）の断面
図。 第５図は、第３図で示した素子の応答特性を示す図。 第６図は、第４図で示した素子の特性を測定する六めの
回路図。 第７図は、第４図で示した素子の特性を示す図である。 図中１は半導体基板、２け絶縁膜、３１１−ｔ４ｍ膜、
４はＡｔ薄膜、５は陽極酸化Ａｔ、Ｏ，ＩＩＩ、 ６は
上部電極、７はソース拡散層、８けドレイン拡散層、９
は感湿素子を示す、第５図中の（イ）は温度２４℃で５
５チＲ，Ｈ，の湿ったＮ、を吹き付は状態を示す、（ロ
）は同じく３０チＲ，Ｈ，の大気中に放雷した状態を示
す、←うは同じくＯチＲ，）（、の乾燥Ｎ２ガス吹き付
は状態を示す。 代理人 小 池 龍太部 第１図 Ａ系靴 Ｂ系統。 會 率４工程 ＋５ ２ 第 ２ 団 ６ 第 ３ 圓 惠 ４ ｌ 検 翻 第 ６圓 ｈ解 あ５図 ■ 時間（秒） 第１頁の続き ０発 明 者 古田戸節夫 東京都港区南麻布五丁目１０番２７ 号安立電気株式会社内 ０発 明 者 宮城幸一部 東京都港区南麻布五丁目１０番２７ 号安立電気株式会社内
Claims (3)
- （１）、半導体基板（１）表面の一部を覆う絶縁膜（２
）上の一部に導電性膜（３）を形成するｍｌの工程と；
該第１の工程を経た半導体基板表面を覆い、該絶縁膜が
形成されていない半導体表面において該半導体基板と電
気的導通が得られるように、Ａｔ薄膜（４）を形成する
第２の工程と； レキ導体基板を陽極とし、第２の工程によ秒形威された
Ａｔ薄膜を陽極酸化する第３の工程と；該第３の工程で
陽極酸化された陽極酸化Ａｔ、Ｏ，膜（５）を酸性水溶
液を用いて選択的に除去し、該導電性膜上に所望の形状
の陽極酸化Ａｔ２０．膜を形成する第４の工程からなる
陽極酸化アルミ感湿膜の製法。 - （２）、前記半導体基板がＳｔ基板であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の陽極酸化アルミ感湿膜
の製法。 - （３）、前記酸性水溶液が燐酸水溶液であることを特徴
とする特許請求の範囲蕗１項記載の陽極酸化アルミ感湿
膜の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56136340A JPH0233979B2 (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | Yokyokusankaarumikanshitsumakunoseiho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56136340A JPH0233979B2 (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | Yokyokusankaarumikanshitsumakunoseiho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5837907A true JPS5837907A (ja) | 1983-03-05 |
| JPH0233979B2 JPH0233979B2 (ja) | 1990-07-31 |
Family
ID=15172912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56136340A Expired - Lifetime JPH0233979B2 (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | Yokyokusankaarumikanshitsumakunoseiho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0233979B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6280043A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-13 | ダブリュー・アール・グレイス・アンド・カンパニー―コネチカツト | 熱可塑性多層包装フイルム |
| JPS62298753A (ja) * | 1986-06-19 | 1987-12-25 | Fujitsu Ltd | 半導体化学センサ |
| JPH01195043A (ja) * | 1988-01-30 | 1989-08-04 | Okura Ind Co Ltd | 熱収縮性多層フイルム |
| US5256351A (en) * | 1985-06-17 | 1993-10-26 | Viskase Corporation | Process for making biaxially stretched, heat shrinkable VLDPE films |
| US5256428A (en) * | 1985-06-17 | 1993-10-26 | Viskase Corporation | Puncture resistant, heat-shrinkable films containing very low density polyethylene |
| USRE35285E (en) * | 1985-09-30 | 1996-06-25 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Thermoplastic multi-layer packaging film and bags made therefrom |
| US5629059A (en) * | 1992-12-18 | 1997-05-13 | W.R. Grace & Co.-Conn. | Multi-layer packaging film and receptacles made therefrom |
| US5834077A (en) * | 1994-10-04 | 1998-11-10 | W. R. Grace & Co.-Conn. | High shrink multilayer film which maintains optics upon shrinking |
| US6514583B1 (en) | 1992-11-13 | 2003-02-04 | Cryovac, Inc. | High impact strength film containing single site catalyzed copolymer |
| JP2012126978A (ja) * | 2010-12-16 | 2012-07-05 | Seiko Instruments Inc | 部品、時計、および部品の製造方法 |
-
1981
- 1981-08-31 JP JP56136340A patent/JPH0233979B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5256351A (en) * | 1985-06-17 | 1993-10-26 | Viskase Corporation | Process for making biaxially stretched, heat shrinkable VLDPE films |
| US5439717A (en) * | 1985-06-17 | 1995-08-08 | Viskase Corporation | Shrunken bag made from biaxially stretched, VLDPE film |
| US5256428A (en) * | 1985-06-17 | 1993-10-26 | Viskase Corporation | Puncture resistant, heat-shrinkable films containing very low density polyethylene |
| JPH0378065B2 (ja) * | 1985-09-30 | 1991-12-12 | Grace W R & Co | |
| JPS6280043A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-13 | ダブリュー・アール・グレイス・アンド・カンパニー―コネチカツト | 熱可塑性多層包装フイルム |
| USRE35285E (en) * | 1985-09-30 | 1996-06-25 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Thermoplastic multi-layer packaging film and bags made therefrom |
| JPS62298753A (ja) * | 1986-06-19 | 1987-12-25 | Fujitsu Ltd | 半導体化学センサ |
| JPH01195043A (ja) * | 1988-01-30 | 1989-08-04 | Okura Ind Co Ltd | 熱収縮性多層フイルム |
| JP2551612B2 (ja) * | 1988-01-30 | 1996-11-06 | 大倉工業株式会社 | 熱収縮性多層フイルム |
| US6514583B1 (en) | 1992-11-13 | 2003-02-04 | Cryovac, Inc. | High impact strength film containing single site catalyzed copolymer |
| US5629059A (en) * | 1992-12-18 | 1997-05-13 | W.R. Grace & Co.-Conn. | Multi-layer packaging film and receptacles made therefrom |
| US5834077A (en) * | 1994-10-04 | 1998-11-10 | W. R. Grace & Co.-Conn. | High shrink multilayer film which maintains optics upon shrinking |
| JP2012126978A (ja) * | 2010-12-16 | 2012-07-05 | Seiko Instruments Inc | 部品、時計、および部品の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0233979B2 (ja) | 1990-07-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3987676A (en) | Relative humidity detector | |
| KR101093612B1 (ko) | 정전용량형 습도센서 및 그 제조방법 | |
| US6573734B2 (en) | Integrated thin film liquid conductivity sensor | |
| US4305112A (en) | Capacitance humidity sensing element | |
| FI72393B (fi) | Foerfarande foer framstaellning av en tunt isolerad kapacitiv hygrometer och enligt detta foerfarande framstaelld hygrometer | |
| US20040194546A1 (en) | Capacitive humidity-sensor and capacitive humidity-sensor manufacturing method | |
| JPH01109250A (ja) | ガスセンサ | |
| JPS5837907A (ja) | 陽極酸化アルミ感湿膜の製法 | |
| JPS60166854A (ja) | 容量型湿度センサ−及びその製造法 | |
| JP2886343B2 (ja) | 金属フィルムベースに部品を製造する方法 | |
| CN105021303A (zh) | 一种铝基敏感材料的温度传感器制造方法 | |
| JPS61181104A (ja) | 白金測温抵抗体 | |
| JP2001004579A (ja) | 容量式感湿素子 | |
| JPS5837908A (ja) | 陽極酸化アルミ感湿膜の製法 | |
| JP3047137B2 (ja) | 湿度センサの製造方法 | |
| JPS6358249A (ja) | 湿度検知素子 | |
| JPH06148122A (ja) | 湿度検知素子 | |
| JPH03167463A (ja) | 感湿素子 | |
| JP2501856B2 (ja) | 電気化学式センサ | |
| JPH10160698A (ja) | マイクロセンサ | |
| US3481843A (en) | Technique for anodization of thin film resistors | |
| JPS63139241A (ja) | ダイオ−ド型湿度センサ | |
| JP2810779B2 (ja) | 容量式薄膜湿度センサおよびその製造方法 | |
| JPS61281958A (ja) | 薄膜感湿素子 | |
| JPH06160202A (ja) | 温度センサおよびその製造方法 |