JPH0425025A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0425025A JPH0425025A JP12615590A JP12615590A JPH0425025A JP H0425025 A JPH0425025 A JP H0425025A JP 12615590 A JP12615590 A JP 12615590A JP 12615590 A JP12615590 A JP 12615590A JP H0425025 A JPH0425025 A JP H0425025A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole
- wiring
- semiconductor device
- check
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に多層配線のスルーホー
ルのコンタクト性のチェック素子に関す７、 〔従来の技術〕 従来、この種の多層配線構造を有する半導体装置のスル
ーホールにおける上層配線と、下層配線とのコンタクト
性を確認するために、第３図にある様に、ＩＣ−テスタ
を用い、ポンディングパッド−１，７とポンディングパ
ッド−１１，８間にある一定の電圧を印加し、流れる電
流を回路電流として測定し、スルーホール１１．実素子
１２を流れた電流の変化でスルーホールにおける上層配
線と、下層配線のコンタクト性をチュックするとなって
いた。
ルのコンタクト性のチェック素子に関す７、 〔従来の技術〕 従来、この種の多層配線構造を有する半導体装置のスル
ーホールにおける上層配線と、下層配線とのコンタクト
性を確認するために、第３図にある様に、ＩＣ−テスタ
を用い、ポンディングパッド−１，７とポンディングパ
ッド−１１，８間にある一定の電圧を印加し、流れる電
流を回路電流として測定し、スルーホール１１．実素子
１２を流れた電流の変化でスルーホールにおける上層配
線と、下層配線のコンタクト性をチュックするとなって
いた。
この従来の半導体装置では直接本素子に電圧を印加し、
電流を測定するために、本素子、例えばトランジスタ、
ダイオード、抵抗率の不良により回路電流が規格より変
化したのか、実際にコンタクトホールでの上層配線と、
下層配線とのコンタクトに変化があって回路電流が変化
したのか判断できないという問題点があった。
電流を測定するために、本素子、例えばトランジスタ、
ダイオード、抵抗率の不良により回路電流が規格より変
化したのか、実際にコンタクトホールでの上層配線と、
下層配線とのコンタクトに変化があって回路電流が変化
したのか判断できないという問題点があった。
本発明の半導体装置は実素子を含まないスルホールのコ
ンタクト性のみ確認のできるチェック素子を有している
。
ンタクト性のみ確認のできるチェック素子を有している
。
次に本発明において図面を用いて説明する。
第１図は本発明の実施例１の縦断面図、及び平面図であ
る。酸化膜５．第一窒化膜４．上の第１配線３．と第２
窒化膜２．に形成したスルーホールを介して第２配線１
とが接続されている。よってボンデインクハラ１−−１
．７、ボンデインクハラ）−１１８間に電圧を印加する
ことによりスルーホールのコンタクト性を確認すること
ができる。
る。酸化膜５．第一窒化膜４．上の第１配線３．と第２
窒化膜２．に形成したスルーホールを介して第２配線１
とが接続されている。よってボンデインクハラ１−−１
．７、ボンデインクハラ）−１１８間に電圧を印加する
ことによりスルーホールのコンタクト性を確認すること
ができる。
第２図は本発明の実施例２の平面図である。スルーホー
ルチェック素子９の構造は実施例１と同じであるが実施
例２ではその他のチェック素子１０と、ボンディングパ
ラ）−ｒ、７．及びボンディングパラ）−ＩＩ ８を共
用しているので半導体装置のチップ面積を有効利用でき
るという利点がある。
ルチェック素子９の構造は実施例１と同じであるが実施
例２ではその他のチェック素子１０と、ボンディングパ
ラ）−ｒ、７．及びボンディングパラ）−ＩＩ ８を共
用しているので半導体装置のチップ面積を有効利用でき
るという利点がある。
以上説明したように本発明はスルーホールのコンタクト
性を単独で確認できるチェック素子を有することにより
、他実素子の影響を受けずにスルーホールのコンタクト
性を確認できるという効果を有する。
性を単独で確認できるチェック素子を有することにより
、他実素子の影響を受けずにスルーホールのコンタクト
性を確認できるという効果を有する。
第１図（ａ）〜（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例の平
面図及び縦断面図、第２図は本発明の実施例２の平面図
、第３図は従来実施例の平面図である。 １・・・・・・第２配線、２・・・・・・第２窒化膜、
３・・・・・・第１配線、４・・・・・第１窒化膜、訃
・・・・・酸化膜、６・・・８１基板、７・・・・・・
ボンディングパラ）−［８・・・・・ボンデインクハラ
）−ＩＩ、９・・・・・・スルーホールチェック素子、
１０・・・・・・その他のチェック素子、１１・・・・
・・スルホール、１２・・・・・・−実素子。 代理人 弁理士 内 原 晋
面図及び縦断面図、第２図は本発明の実施例２の平面図
、第３図は従来実施例の平面図である。 １・・・・・・第２配線、２・・・・・・第２窒化膜、
３・・・・・・第１配線、４・・・・・第１窒化膜、訃
・・・・・酸化膜、６・・・８１基板、７・・・・・・
ボンディングパラ）−［８・・・・・ボンデインクハラ
）−ＩＩ、９・・・・・・スルーホールチェック素子、
１０・・・・・・その他のチェック素子、１１・・・・
・・スルホール、１２・・・・・・−実素子。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (2)
- （１）多層配線構造を有する半導体装置において、上層
配線と、下層配線を接続するスルーホールが正確に接続
されているか確認するための実素子を含まないチェック
素子を有することを特徴とする半導体装置。 - （２）前記チェック素子はボンディングパット間に形成
されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12615590A JPH0425025A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12615590A JPH0425025A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0425025A true JPH0425025A (ja) | 1992-01-28 |
Family
ID=14928038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12615590A Pending JPH0425025A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0425025A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008196619A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-08-28 | Jtekt Corp | 転がり軸受装置 |
| US8720639B2 (en) | 2010-03-17 | 2014-05-13 | Zf Lenksysteme Gmbh | Noise reduction rolling bearing for power steering |
-
1990
- 1990-05-16 JP JP12615590A patent/JPH0425025A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008196619A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-08-28 | Jtekt Corp | 転がり軸受装置 |
| US8720639B2 (en) | 2010-03-17 | 2014-05-13 | Zf Lenksysteme Gmbh | Noise reduction rolling bearing for power steering |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4246835B2 (ja) | 半導体集積装置 | |
| US5739546A (en) | Semiconductor wafer | |
| JPS6347259B2 (ja) | ||
| JPH0425025A (ja) | 半導体装置 | |
| US5436197A (en) | Method of manufacturing a bonding pad structure | |
| JPH11243120A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP4828270B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3093216B2 (ja) | 半導体装置及びその検査方法 | |
| JPH04365347A (ja) | 半導体チップにおけるモニタ装置用素子構造 | |
| JPH0496343A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62183134A (ja) | 半導体装置 | |
| KR100548582B1 (ko) | 반도체소자의 패드부 | |
| JPH06181375A (ja) | 実装補助部品及びこれを用いた半導体装置 | |
| JPH0714022B2 (ja) | 半導体集積回路用パッケ−ジ | |
| JP3223961B2 (ja) | 層間膜平坦性測定機能素子および層間膜平坦性評価方法 | |
| JPH07111282A (ja) | 半導体チップおよびそれを用いた半導体集積回路装置 | |
| JPH0758727B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP2002093868A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0442554A (ja) | 半導体チップ及びその信頼性評価方法 | |
| JPH05333111A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP2972473B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0429320A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0388343A (ja) | 半導体素子 | |
| JPH04129240A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01160031A (ja) | 半導体集積回路 |