JPH0442554A - 半導体チップ及びその信頼性評価方法 - Google Patents
半導体チップ及びその信頼性評価方法Info
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- JPH0442554A JPH0442554A JP15029190A JP15029190A JPH0442554A JP H0442554 A JPH0442554 A JP H0442554A JP 15029190 A JP15029190 A JP 15029190A JP 15029190 A JP15029190 A JP 15029190A JP H0442554 A JPH0442554 A JP H0442554A
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- Japan
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- semiconductor chip
- wiring layer
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 16
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
個々の半導体チップの信頼性を評価することが可能な半
導体チップ及びその信顛性評価方法に関し、 半導体装置の配線層の信頼性の評価を、簡単且つ容易に
個々の半導体チップについて行うことが可能となる半導
体チップ及びその信転性評価方法の提供を目的とし、 〔１］半導体基板上に形成された半導体チップであって
、該半導体チップのすべてに、両端部に定電流印加用パ
ッドと電圧測定用パッドとが電気的に接続され、エレク
トロマイグレーション評価に用いることが可能な評価用
配線層を具備するよう構成し、 〔２〕請求項１記載の該半導体チップの前記定電流印加
用バッドに定電流を印加し、前記電圧測定用パッドを用
いて電圧を測定することにより、前記評価用配線層のエ
レクトロマイグレーション評価をするよう構成する。
導体チップ及びその信顛性評価方法に関し、 半導体装置の配線層の信頼性の評価を、簡単且つ容易に
個々の半導体チップについて行うことが可能となる半導
体チップ及びその信転性評価方法の提供を目的とし、 〔１］半導体基板上に形成された半導体チップであって
、該半導体チップのすべてに、両端部に定電流印加用パ
ッドと電圧測定用パッドとが電気的に接続され、エレク
トロマイグレーション評価に用いることが可能な評価用
配線層を具備するよう構成し、 〔２〕請求項１記載の該半導体チップの前記定電流印加
用バッドに定電流を印加し、前記電圧測定用パッドを用
いて電圧を測定することにより、前記評価用配線層のエ
レクトロマイグレーション評価をするよう構成する。
本発明は、個々の半導体チップの信頼性を評価すること
が可能な半導体チップ及びその信頼性評価方法に関する
ものである。
が可能な半導体チップ及びその信頼性評価方法に関する
ものである。
近年の集積回路装置の品質としては、高信頼性と長寿命
が要求されており、特に品質に重大な影響を及ぼす配線
層の信頼性を向上させることが重要である。
が要求されており、特に品質に重大な影響を及ぼす配線
層の信頼性を向上させることが重要である。
以上のような状況から、配線層の信頼性を評価すること
が可能な半導体チップ及びその信頼性評価方法が要望さ
れている。
が可能な半導体チップ及びその信頼性評価方法が要望さ
れている。
体チップを用いてその信頼性の評価を行っている。
しかしながら、この配線層の評価方法を実施するには長
時間が必要であり、またこの評価用の半導体基板の数量
と生産ルートに流れている半導体基板の数量とを比較す
ると、著しく少ないものであり、且つこの評価を頻繁に
行うことも困難である。
時間が必要であり、またこの評価用の半導体基板の数量
と生産ルートに流れている半導体基板の数量とを比較す
ると、著しく少ないものであり、且つこの評価を頻繁に
行うことも困難である。
したがって、障害が特定の品種の特定のロフトの半導体
チップに発生した場合には、障害が波及している範囲を
特定することが非常に困難となり、障害対策を立てるの
が困難であった。
チップに発生した場合には、障害が波及している範囲を
特定することが非常に困難となり、障害対策を立てるの
が困難であった。
従来の半導体チップにおいては、第３図に示すように半
導体装ツブ２１の端部に配線層２２が形成されており、
個々の半導体チップの配線層の信頼性を評価することは
できない。
導体装ツブ２１の端部に配線層２２が形成されており、
個々の半導体チップの配線層の信頼性を評価することは
できない。
半導体チップの配線層の信頼性を評価するには、配線層
を形成する装置毎に信頼性評価用の半導体基板を製造し
、この半導体基板上に形成した半導〔発明が解決しよう
とする課題〕 以上説明した従来の半導体装置の配線層の信頼性評価方
法においては、出荷済の製品において障害が特定の品種
の特定のロフトの半導体チップに発生した場合には、障
害が波及している範囲を特定することが非常に困難とな
り、障害対策を立てるのが困難であるという問題点があ
った。
を形成する装置毎に信頼性評価用の半導体基板を製造し
、この半導体基板上に形成した半導〔発明が解決しよう
とする課題〕 以上説明した従来の半導体装置の配線層の信頼性評価方
法においては、出荷済の製品において障害が特定の品種
の特定のロフトの半導体チップに発生した場合には、障
害が波及している範囲を特定することが非常に困難とな
り、障害対策を立てるのが困難であるという問題点があ
った。
本発明は以上のような状況から半導体装置の配線層の信
頼性の評価を、簡単且つ容易に個々の半導体チップにつ
いて行うことが可能となる半導体チップ及びその信頼性
評価方法の提供を目的としたものである。
頼性の評価を、簡単且つ容易に個々の半導体チップにつ
いて行うことが可能となる半導体チップ及びその信頼性
評価方法の提供を目的としたものである。
本発明の半導体チップは、半導体基板上に形成された半
導体チップであって、この半導体チップのすべてに、両
端部に定電流印加用パッドと電圧測定用パッドとが電気
的に接続され、エレクトロマイグレーション評価に用い
ることが可能な評価用配線層を具備するよう構成し、 本発明の半導体チップの信頼性評価方法は、請求項１記
載のこの半導体チップのこの定電流印加用バッドに定電
流を印加し、この電圧測定用パッドを用いて電圧を測定
することにより、この評価用配線層のエレクトロマイグ
レーション評価をするよう構成する。
導体チップであって、この半導体チップのすべてに、両
端部に定電流印加用パッドと電圧測定用パッドとが電気
的に接続され、エレクトロマイグレーション評価に用い
ることが可能な評価用配線層を具備するよう構成し、 本発明の半導体チップの信頼性評価方法は、請求項１記
載のこの半導体チップのこの定電流印加用バッドに定電
流を印加し、この電圧測定用パッドを用いて電圧を測定
することにより、この評価用配線層のエレクトロマイグ
レーション評価をするよう構成する。
即ち本発明においては半導体基板に形成し、たすべての
半導体チップに、第１図の原理図に示すように両端部に
定電流印加用バッド３及び定電流印加用パッド４と、電
圧測定用パッド５及び電圧測定用パッド６とを備えた評
価用配線層２を形成し、この定電流印加用バンド３と４
に定電流Ｉを印加し、この電圧測定用パッド５と６を用
いて電圧Ｖを測定することにより、この評価用配線層２
の抵抗値Ｒを次式により求めることが可能となり、この
抵抗値の変化量により評価用配線層２の信頼度を評価す
ることが可能となる。
半導体チップに、第１図の原理図に示すように両端部に
定電流印加用バッド３及び定電流印加用パッド４と、電
圧測定用パッド５及び電圧測定用パッド６とを備えた評
価用配線層２を形成し、この定電流印加用バンド３と４
に定電流Ｉを印加し、この電圧測定用パッド５と６を用
いて電圧Ｖを測定することにより、この評価用配線層２
の抵抗値Ｒを次式により求めることが可能となり、この
抵抗値の変化量により評価用配線層２の信頼度を評価す
ることが可能となる。
Ｒ＝
■
したがって、障害が発生した特定の品種の特定のロット
及びこのロットの前後のロフトについてこの評価を行う
ことにより、障害の波及範囲を特定することが可能とな
る。
及びこのロットの前後のロフトについてこの評価を行う
ことにより、障害の波及範囲を特定することが可能とな
る。
以下第２図により本発明の一実施例の既設の配線層の一
部を評価用配線層として用いる半導体チップ及びその信
頼性評価方法について詳細に説明する。
部を評価用配線層として用いる半導体チップ及びその信
頼性評価方法について詳細に説明する。
本発明による一実施例の半導体チップにおいては、第２
図に示すように半導体チップ１１の端部に定電流印加用
バッドエ３と定電流印加用バッド１４とを設け、その間
の配線層の一部を評価用配線層１２として形成し、この
評価用配線層１２の両端部のこの定電流印加用バッド１
３及び１４の内側に電圧測定用パッド１５と電圧測定用
パッド１６とを形成している。
図に示すように半導体チップ１１の端部に定電流印加用
バッドエ３と定電流印加用バッド１４とを設け、その間
の配線層の一部を評価用配線層１２として形成し、この
評価用配線層１２の両端部のこの定電流印加用バッド１
３及び１４の内側に電圧測定用パッド１５と電圧測定用
パッド１６とを形成している。
アルミニウム配線層のエレクトロマイグレーション評価
を行う場合には、この評価用配線層１２の幅としては、
１〜２μｌ、長さ！としては８００μｍ程度が実用的で
ある。
を行う場合には、この評価用配線層１２の幅としては、
１〜２μｌ、長さ！としては８００μｍ程度が実用的で
ある。
このような定電流印加用バッド、評価用配線層、電圧測
定用パッドを半導体基板上のすべての半導体チップ１１
に形成しておくと、障害が発生した場合に個々の半導体
チップ１１の評価用配線層１２を評価することにより、
個々の半導体チップ１１の配線層の信頼性を評価するこ
とが可能となる。
定用パッドを半導体基板上のすべての半導体チップ１１
に形成しておくと、障害が発生した場合に個々の半導体
チップ１１の評価用配線層１２を評価することにより、
個々の半導体チップ１１の配線層の信頼性を評価するこ
とが可能となる。
本実施例においては、評価用配線層１２として既設の配
線層の一部を用いたが、必要な場合には新規に設けなけ
ればならない。
線層の一部を用いたが、必要な場合には新規に設けなけ
ればならない。
なお、この半導体チップを搭載した半導体パッケージの
インナーリードと、これらの定電流印加用バッド及び電
圧測定用パッドとをワイヤによって配線しておくと、こ
れらのバッドとワイヤにより接続したインナーリードの
半導体パッケージの外部に設けたアウターリードにより
、封止した状態で上記の個々の半導体チップの評価用配
線層１２を評価することにより、個々の半導体チップの
信頼性を評価することが可能となる。
インナーリードと、これらの定電流印加用バッド及び電
圧測定用パッドとをワイヤによって配線しておくと、こ
れらのバッドとワイヤにより接続したインナーリードの
半導体パッケージの外部に設けたアウターリードにより
、封止した状態で上記の個々の半導体チップの評価用配
線層１２を評価することにより、個々の半導体チップの
信頼性を評価することが可能となる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、極めて
簡単な構造の定電流印加用バッドと電圧測定用パッドと
を備えた評価用配線層を、すべての半導体チップの一部
分に形成することにより、個々の半導体チップの配線層
の評価を行うことが可能となり、個々の半導体チップの
信頼性を評価することが可能となる等の利点があり、著
しい信軽性向上の効果が期待できる半導体チップ及びそ
の信頼性評価方法の提供が可能である。
簡単な構造の定電流印加用バッドと電圧測定用パッドと
を備えた評価用配線層を、すべての半導体チップの一部
分に形成することにより、個々の半導体チップの配線層
の評価を行うことが可能となり、個々の半導体チップの
信頼性を評価することが可能となる等の利点があり、著
しい信軽性向上の効果が期待できる半導体チップ及びそ
の信頼性評価方法の提供が可能である。
第１図は本発明の原理図、
第２図は本発明による一実施例の半導体チップの端部を
示す図、 第３図は従来の半導体チップの端部を示す図、である。 図において、 １１は半導体チップ、２，１２は評価用配線層、３．１
３は定電流印加用バッド、 ４．１４は定電流印加用バッド、 ５．１５は電圧測定用パッド、 本発明の原理図 第１図 本発明による一実施例の半導体チップの端部を示す図第
２図
示す図、 第３図は従来の半導体チップの端部を示す図、である。 図において、 １１は半導体チップ、２，１２は評価用配線層、３．１
３は定電流印加用バッド、 ４．１４は定電流印加用バッド、 ５．１５は電圧測定用パッド、 本発明の原理図 第１図 本発明による一実施例の半導体チップの端部を示す図第
２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔１〕半導体基板上に形成された半導体チップであって
、 該半導体チップのすべてに、両端部に定電流印加用パッ
ド（３、４）と電圧測定用パッド（５、６）とが電気的
に接続され、エレクトロマイグレーション評価に用いる
ことが可能な評価用配線層（２）を具備することを特徴
とする半導体チップ。 〔２〕請求項１記載の該半導体チップの前記定電流印加
用パッド（３、４）に定電流を印加し、前記電圧測定用
パッド（５、６）を用いて電圧を測定することにより、
前記評価用配線層（２）のエレクトロマイグレーション
評価をすることを特徴とする半導体チップの信頼性評価
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15029190A JPH0442554A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 半導体チップ及びその信頼性評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15029190A JPH0442554A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 半導体チップ及びその信頼性評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0442554A true JPH0442554A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15493781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15029190A Pending JPH0442554A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 半導体チップ及びその信頼性評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0442554A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5801394A (en) * | 1993-11-11 | 1998-09-01 | Nec Corporation | Structure for wiring reliability evaluation test and semiconductor device having the same |
| US9400012B2 (en) | 2011-04-13 | 2016-07-26 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Bearing structure of turbocharger |
-
1990
- 1990-06-08 JP JP15029190A patent/JPH0442554A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5801394A (en) * | 1993-11-11 | 1998-09-01 | Nec Corporation | Structure for wiring reliability evaluation test and semiconductor device having the same |
| US9400012B2 (en) | 2011-04-13 | 2016-07-26 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Bearing structure of turbocharger |
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