JPH0424188B2 - - Google Patents
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- JPH0424188B2 JPH0424188B2 JP57228591A JP22859182A JPH0424188B2 JP H0424188 B2 JPH0424188 B2 JP H0424188B2 JP 57228591 A JP57228591 A JP 57228591A JP 22859182 A JP22859182 A JP 22859182A JP H0424188 B2 JPH0424188 B2 JP H0424188B2
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- Japan
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- wafer
- wax
- surface plate
- tensioner
- ceramic body
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- Expired - Lifetime
Links
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はシリコンウエーハ、サフアイア基板の
如き薄板等を研摩する際に用いるワツクス張り具
とそれを用いたワツクス付け方法に関するもので
ある。
如き薄板等を研摩する際に用いるワツクス張り具
とそれを用いたワツクス付け方法に関するもので
ある。
従来から、殊に電子工業に用いるシリコンウエ
ーハ、フエライト、サフアイア基板等は表面粗度
(Rmax)が数μm以下と極めて精緻な鏡面状態
に研摩されたものが使用されるが、こような鏡面
状態に研摩するには、研摩されるシリコンウエー
ハ、サフアイア基板等(以下、これらを単にウエ
ーハと称す)を、平坦度が数μm以下と極めて良
好な表面をもつた被研摩物体固定用の定盤に対し
ワツクス材でもつて固定した後、ポリツシング加
工されるが、このように定盤にウエーハをワツク
ス付けにより固定する工程で用いるワツクスの張
り具にウエーハを載置し、該ウエーハの上面にワ
ツクスをスプレイした後、スプレイしたワツクス
の溶融温度に適した80℃〜160℃程度の雰囲気中
にて加熱することによりウエーハ上面にて一様に
ワツクスを溶かし、該ウエーハ上に前記定盤を載
置した後、冷却し、ウエーハを定盤にワツクス固
定された状態のもとで前記ワツクス張り具から引
き離した後、ワツクス張り具に接触していたウエ
ーハ面を他のポリツシング装置においてポリツシ
ング加工を施す工程をとる。
ーハ、フエライト、サフアイア基板等は表面粗度
(Rmax)が数μm以下と極めて精緻な鏡面状態
に研摩されたものが使用されるが、こような鏡面
状態に研摩するには、研摩されるシリコンウエー
ハ、サフアイア基板等(以下、これらを単にウエ
ーハと称す)を、平坦度が数μm以下と極めて良
好な表面をもつた被研摩物体固定用の定盤に対し
ワツクス材でもつて固定した後、ポリツシング加
工されるが、このように定盤にウエーハをワツク
ス付けにより固定する工程で用いるワツクスの張
り具にウエーハを載置し、該ウエーハの上面にワ
ツクスをスプレイした後、スプレイしたワツクス
の溶融温度に適した80℃〜160℃程度の雰囲気中
にて加熱することによりウエーハ上面にて一様に
ワツクスを溶かし、該ウエーハ上に前記定盤を載
置した後、冷却し、ウエーハを定盤にワツクス固
定された状態のもとで前記ワツクス張り具から引
き離した後、ワツクス張り具に接触していたウエ
ーハ面を他のポリツシング装置においてポリツシ
ング加工を施す工程をとる。
そこで、上述の如く定盤にウエーハをワツクス
付けする工程において用いられるワツクス張り具
には従来から熱膨張率が小さく、発錆の少ないニ
ツケル−コバルト合金もしくは鉄系金属製のもの
が多用されていた。
付けする工程において用いられるワツクス張り具
には従来から熱膨張率が小さく、発錆の少ないニ
ツケル−コバルト合金もしくは鉄系金属製のもの
が多用されていた。
ところが、このような金属製のワツクス張り具
では熱膨張率が比較的大きいことから、ウエーハ
上のワツクスを加熱して溶す温度と定盤に固定す
べく冷却した場合の温度差でもつてワツクス付け
により定盤に貼着固定する際にウエーハに不等圧
縮応力が作用したり、定盤自体の変形が起こり、
研摩された後のウエーハ表面の平面度が悪いなど
の不都合があつた。またワツクス張り具が金属製
のものでは、ウエーハを載置する表面に傷が付き
易く、ワツクス付け工程の作業時には細心の注意
を払う必要があり、また薬品によつて腐蝕した
り、発錆する恐れがあるため、保管時の管理に万
全の注意を要した。
では熱膨張率が比較的大きいことから、ウエーハ
上のワツクスを加熱して溶す温度と定盤に固定す
べく冷却した場合の温度差でもつてワツクス付け
により定盤に貼着固定する際にウエーハに不等圧
縮応力が作用したり、定盤自体の変形が起こり、
研摩された後のウエーハ表面の平面度が悪いなど
の不都合があつた。またワツクス張り具が金属製
のものでは、ウエーハを載置する表面に傷が付き
易く、ワツクス付け工程の作業時には細心の注意
を払う必要があり、また薬品によつて腐蝕した
り、発錆する恐れがあるため、保管時の管理に万
全の注意を要した。
さらに、ワツクス張り具へのウエーハの載置、
ワツクスのスプレー、スプレーしたワツクス溶融
のため炉中に入れ加熱する工程、定盤への被研摩
体(ウエーハ)固定、及び定盤よりの剥離工程の
うち、とくに炉中を通し加熱する工程があるため
上記の工程を含んだウエーハの全研摩工程を自動
化することができず、名人芸的な作業にたよつて
いた。このため研摩されたウエーハの品質にばら
つきが生じ、最終製品としての、例えば、半導体
製品の歩留りや特性を左右する原因をなしてい
た。
ワツクスのスプレー、スプレーしたワツクス溶融
のため炉中に入れ加熱する工程、定盤への被研摩
体(ウエーハ)固定、及び定盤よりの剥離工程の
うち、とくに炉中を通し加熱する工程があるため
上記の工程を含んだウエーハの全研摩工程を自動
化することができず、名人芸的な作業にたよつて
いた。このため研摩されたウエーハの品質にばら
つきが生じ、最終製品としての、例えば、半導体
製品の歩留りや特性を左右する原因をなしてい
た。
本発明は上述した如き事情に鑑みて開発したも
ので、図により本発明実施例を詳述する。
ので、図により本発明実施例を詳述する。
第1図はワツクス張り具1の一部破断面図で、
このワツクス張り具1はセラミツク体10で構成
され、上面11を有し、この上面11は以下に述
べる被研摩材であるウエーハを載置すべく、平坦
度が約5μm以下の高度に研摩された平面を成し、
またセラミツク体10は主にアルミナセラミツク
を用いるため、熱膨張率が小さいうえ、熱変形が
ほとんどなく、経時変化の少ないものとなつてい
る。さらにセラミツク体10には、真空チヤツク
用の吸引孔12を有するが、この吸引孔12は下
面より上面11に貫通する如くあけられ、上面1
1近傍では小径を成し、かかる吸引孔12はワツ
クス張り具1において多数個が一様な分布状態の
もとに穿設してある。また、14はセラミツク体
10中の、特に上面11より5mm以内の極く浅い
位置に埋設された発熱抵抗パターンであり、その
形成方法としては、上記吸引孔12をあける部位
を回避した形状に抵抗体ペーストでもつて前記セ
ラミツク体10を成す生又は仮焼成体の上面にパ
ターン印刷し、印刷されたパターンの両端は端面
に露出されたメタライズ面、14a,14aと
し、通電リード線15,16がロウ付けされるよ
うになつている。しかして抵抗体ペーストが所定
形状に印刷されたセラミツク体10を成す生又は
仮焼成体の上面には生のセラミツクシートが貼り
合わされるか、あるいはセラミツク成分の溶解液
が塗布され、且つ複数の吸引孔12が穿設された
後、焼成されることによつてセラミツク体10中
に発熱抵抗パターン14を内蔵し、真空チヤツク
用の吸引孔12をもつたワツクス張り具1が製作
される。また被研摩材であるウエーハが載置され
る上面11は面精度(平坦度)が、約5μm以下
となるように鏡面状に研摩されている。
このワツクス張り具1はセラミツク体10で構成
され、上面11を有し、この上面11は以下に述
べる被研摩材であるウエーハを載置すべく、平坦
度が約5μm以下の高度に研摩された平面を成し、
またセラミツク体10は主にアルミナセラミツク
を用いるため、熱膨張率が小さいうえ、熱変形が
ほとんどなく、経時変化の少ないものとなつてい
る。さらにセラミツク体10には、真空チヤツク
用の吸引孔12を有するが、この吸引孔12は下
面より上面11に貫通する如くあけられ、上面1
1近傍では小径を成し、かかる吸引孔12はワツ
クス張り具1において多数個が一様な分布状態の
もとに穿設してある。また、14はセラミツク体
10中の、特に上面11より5mm以内の極く浅い
位置に埋設された発熱抵抗パターンであり、その
形成方法としては、上記吸引孔12をあける部位
を回避した形状に抵抗体ペーストでもつて前記セ
ラミツク体10を成す生又は仮焼成体の上面にパ
ターン印刷し、印刷されたパターンの両端は端面
に露出されたメタライズ面、14a,14aと
し、通電リード線15,16がロウ付けされるよ
うになつている。しかして抵抗体ペーストが所定
形状に印刷されたセラミツク体10を成す生又は
仮焼成体の上面には生のセラミツクシートが貼り
合わされるか、あるいはセラミツク成分の溶解液
が塗布され、且つ複数の吸引孔12が穿設された
後、焼成されることによつてセラミツク体10中
に発熱抵抗パターン14を内蔵し、真空チヤツク
用の吸引孔12をもつたワツクス張り具1が製作
される。また被研摩材であるウエーハが載置され
る上面11は面精度(平坦度)が、約5μm以下
となるように鏡面状に研摩されている。
上記のごとく構成されたワツクス張り具1の作
動をワツクス付け方法に適用した実施例によつて
説明する。
動をワツクス付け方法に適用した実施例によつて
説明する。
第2図は本発明に係る新規なるワツクス付け方
法における工程を説明するための一部を縦断した
図面である。同図aは供給台2に載置されたウエ
ーハ3を真空吸着機能をもたせた搬送盤4により
ウエーハ3をその下面に固定し、同図bに示すよ
うに台座5上に設置されたワツクス張り具1上に
ウエーハ3を運び搬送盤4に作用させている真空
吸引を停止するとともに台座5を経てワツクス張
り具1に対して真空吸引作用をせしめることによ
つて該ワツクス張り具1には第1図にて示された
ように真空チヤツク用の吸引孔12が穿設してあ
り、この吸引孔12を通して載置されたウエーハ
3を吸引固定し、しかる後搬送盤4を移動し同図
cに示す次工程にてノズル6からワツクスをウエ
ーハ3の上面に溶射する。しかして同図dの工程
でもつてワツクス張り具1に埋設した発熱抵抗パ
ターン14(第1図参照)に通電して発熱させ、
ウエーハ3を加熱することによつて前工程で溶射
したワツクス(図示せず)を溶融し、ウエーハ3
上面に均等な厚さのワツクスの溶融膜を形成させ
ておき、その溶融膜上から定盤7を重ね合わせ、
かつ加圧プレート8でもつて該定盤7を押圧す
る。この場合、ウエーハ3の熱は圧接した定盤7
に対する熱伝導によつて冷却される。しかもワツ
クス張り具1は発熱抵抗パターン14がウエーハ
3を載置する上面11に極めて近い位置に埋設さ
れていることから、ワツクス張り具1自体は上面
11の部分のみが加熱されているだけであるた
め、定盤7を圧接した後、発熱抵抗パターン14
への通電を停止することによりワツクスの固化温
度にまで冷却される。このようにワツクスが固化
することによつてウエーハ3は強度に固盤7に定
着され、この後、ワツクス張り具1の吸引孔12
に作用させていた真空吸引を停止するとウエーハ
3はワツクス張り具1から容易に離脱することと
なり、この結果、定盤7に固定され、ウエーハ3
は図示しない研摩工程によつて用途に応じた平坦
度をもつた状態に研摩加工される。また研摩加工
の終了後、定盤7からのウエーハ3の取はずし作
業も前記ワツクス張り具1に再度、載置し該ワツ
クス張り具1に内蔵せしめた発熱抵抗パターン1
4に通電し、加熱することにより定盤7にワツク
ス付けされたウエーハ3は容易に取りはずすこと
が可能である。ところで、上述の如く、研摩加工
を行うべくウエーハ3を貼着固定する定盤7は金
属もしくはセラミツク体で構成されるが、好まし
くは熱膨張係数が小さく、大きな耐蝕性を有し、
高硬度で傷の付き難いセラミツク体で構成したも
のがよく、またウエーハ3の貼着面は、ワツクス
張り具1の上面11と同様高度の平坦度をもつた
状態に鏡面研摩加工が施されている。
法における工程を説明するための一部を縦断した
図面である。同図aは供給台2に載置されたウエ
ーハ3を真空吸着機能をもたせた搬送盤4により
ウエーハ3をその下面に固定し、同図bに示すよ
うに台座5上に設置されたワツクス張り具1上に
ウエーハ3を運び搬送盤4に作用させている真空
吸引を停止するとともに台座5を経てワツクス張
り具1に対して真空吸引作用をせしめることによ
つて該ワツクス張り具1には第1図にて示された
ように真空チヤツク用の吸引孔12が穿設してあ
り、この吸引孔12を通して載置されたウエーハ
3を吸引固定し、しかる後搬送盤4を移動し同図
cに示す次工程にてノズル6からワツクスをウエ
ーハ3の上面に溶射する。しかして同図dの工程
でもつてワツクス張り具1に埋設した発熱抵抗パ
ターン14(第1図参照)に通電して発熱させ、
ウエーハ3を加熱することによつて前工程で溶射
したワツクス(図示せず)を溶融し、ウエーハ3
上面に均等な厚さのワツクスの溶融膜を形成させ
ておき、その溶融膜上から定盤7を重ね合わせ、
かつ加圧プレート8でもつて該定盤7を押圧す
る。この場合、ウエーハ3の熱は圧接した定盤7
に対する熱伝導によつて冷却される。しかもワツ
クス張り具1は発熱抵抗パターン14がウエーハ
3を載置する上面11に極めて近い位置に埋設さ
れていることから、ワツクス張り具1自体は上面
11の部分のみが加熱されているだけであるた
め、定盤7を圧接した後、発熱抵抗パターン14
への通電を停止することによりワツクスの固化温
度にまで冷却される。このようにワツクスが固化
することによつてウエーハ3は強度に固盤7に定
着され、この後、ワツクス張り具1の吸引孔12
に作用させていた真空吸引を停止するとウエーハ
3はワツクス張り具1から容易に離脱することと
なり、この結果、定盤7に固定され、ウエーハ3
は図示しない研摩工程によつて用途に応じた平坦
度をもつた状態に研摩加工される。また研摩加工
の終了後、定盤7からのウエーハ3の取はずし作
業も前記ワツクス張り具1に再度、載置し該ワツ
クス張り具1に内蔵せしめた発熱抵抗パターン1
4に通電し、加熱することにより定盤7にワツク
ス付けされたウエーハ3は容易に取りはずすこと
が可能である。ところで、上述の如く、研摩加工
を行うべくウエーハ3を貼着固定する定盤7は金
属もしくはセラミツク体で構成されるが、好まし
くは熱膨張係数が小さく、大きな耐蝕性を有し、
高硬度で傷の付き難いセラミツク体で構成したも
のがよく、またウエーハ3の貼着面は、ワツクス
張り具1の上面11と同様高度の平坦度をもつた
状態に鏡面研摩加工が施されている。
以上のような本発明に係るワツクス張り具とそ
れを用いたワツクス付け方法によれば、(1)ワツク
ス張り具にヒーターを内蔵しているため被研摩体
であるウエーハを貼着固定する定盤自体を炉中で
加熱する必要がないので、定盤の熱変形がほとん
どなく、均一なワツクス付けが可能となる。(2)セ
ラミツク体より成るワツクス張り具に発熱抵抗パ
ターン(ヒーター)をウエーハ載置上面近傍に内
蔵されていることから、高度に研摩されたウエー
ハ載置上面の熱変形がほとんどなく、かつ経時変
化をおこさず、常に一定条件下でのワツクス付け
ができる。(3)ウエーハの貼着固定に際して定盤を
暖めたり冷却するのに必要だつたエネルギーやそ
のための時間が不要となり、かつワツクス付け工
程が大巾に簡略化できる。(4)ワツクス張り具がセ
ラミツク体より成るため、薬品に侵されることが
なく、ワツクスが上面に付着しても簡単に拭き取
ることができ、またその場合でも上面に傷をつけ
る恐れもない。(5)ワツクス張り具に真空吸引用の
孔を設け被研摩物体に対する真空チヤツク機構を
設けることにより、ワツクス付け、研摩工程等の
すべての工程を完全自動化することができ、その
結果、高精度に研摩されたウエーハを得ることが
できるため、それを用いた半導体製品などは高寿
命、高信頼性のものを得ることができる。
れを用いたワツクス付け方法によれば、(1)ワツク
ス張り具にヒーターを内蔵しているため被研摩体
であるウエーハを貼着固定する定盤自体を炉中で
加熱する必要がないので、定盤の熱変形がほとん
どなく、均一なワツクス付けが可能となる。(2)セ
ラミツク体より成るワツクス張り具に発熱抵抗パ
ターン(ヒーター)をウエーハ載置上面近傍に内
蔵されていることから、高度に研摩されたウエー
ハ載置上面の熱変形がほとんどなく、かつ経時変
化をおこさず、常に一定条件下でのワツクス付け
ができる。(3)ウエーハの貼着固定に際して定盤を
暖めたり冷却するのに必要だつたエネルギーやそ
のための時間が不要となり、かつワツクス付け工
程が大巾に簡略化できる。(4)ワツクス張り具がセ
ラミツク体より成るため、薬品に侵されることが
なく、ワツクスが上面に付着しても簡単に拭き取
ることができ、またその場合でも上面に傷をつけ
る恐れもない。(5)ワツクス張り具に真空吸引用の
孔を設け被研摩物体に対する真空チヤツク機構を
設けることにより、ワツクス付け、研摩工程等の
すべての工程を完全自動化することができ、その
結果、高精度に研摩されたウエーハを得ることが
できるため、それを用いた半導体製品などは高寿
命、高信頼性のものを得ることができる。
第1図は本発明によるワツクス張り具の例を示
す一部破断面図、第2図a〜fは本発明によるワ
ツクス張り具を用いたワツクス付け方法を説明す
るための工程を示した断面図である。 1:ワツクス張り具、7:定盤、10:セラミ
ツク体、12:吸引孔、14:発熱抵抗パター
ン。
す一部破断面図、第2図a〜fは本発明によるワ
ツクス張り具を用いたワツクス付け方法を説明す
るための工程を示した断面図である。 1:ワツクス張り具、7:定盤、10:セラミ
ツク体、12:吸引孔、14:発熱抵抗パター
ン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 その上面にウエーハを吸着し、該ウエーハの
上面にワツクスを付着させて研摩用定盤に固定す
るためのウエーハ固定用ワツクス張り具におい
て、該ワツクス張り具をセラミツク体で形成する
とともに、ウエーハを吸着するための上面より下
面に貫通する複数の吸引孔を備え、かつ上記セラ
ミツク体中に発熱抵抗パターンを埋設したことを
特徴とするウエーハ固定用ワツクス張り具。 2 セラミツク体の上面より下面に貫通する複数
の吸収孔を備え、かつ発熱抵抗パターンを埋設し
てなるウエーハ固定用ワツクス張り具の上面にウ
エーハを吸着し、該ウエーハ上にワツクスを付着
させる工程と、ワツクス張り具中に埋設した発熱
抵抗パターンに通電して付着したワツクスを溶か
した後、研摩用定盤を重ね合わせ押圧してウエー
ハを固定する工程からなるウエーハのワツクス付
け方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57228591A JPS59124564A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | ウェーハ固定用ワックス張り具およびこれを用いたウェーハのワックス付け方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57228591A JPS59124564A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | ウェーハ固定用ワックス張り具およびこれを用いたウェーハのワックス付け方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59124564A JPS59124564A (ja) | 1984-07-18 |
JPH0424188B2 true JPH0424188B2 (ja) | 1992-04-24 |
Family
ID=16878756
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57228591A Granted JPS59124564A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | ウェーハ固定用ワックス張り具およびこれを用いたウェーハのワックス付け方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPS59124564A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN106625205B (zh) * | 2015-10-30 | 2019-05-17 | 北京实验工厂 | 伺服机构滚轴传动活塞杆方孔的研磨工装和研磨方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51111993A (en) * | 1975-03-27 | 1976-10-02 | Supiide Fuamu Kk | Apparatus for fabricating thin work as semiconductor or the like |
JPS5311432A (en) * | 1976-07-19 | 1978-02-01 | Hitachi Ltd | Automotive fuel consumption rate indicator |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP57228591A patent/JPS59124564A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51111993A (en) * | 1975-03-27 | 1976-10-02 | Supiide Fuamu Kk | Apparatus for fabricating thin work as semiconductor or the like |
JPS5311432A (en) * | 1976-07-19 | 1978-02-01 | Hitachi Ltd | Automotive fuel consumption rate indicator |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPS59124564A (ja) | 1984-07-18 |
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