JP2002329776A

JP2002329776A - 静電チャック

Info

Publication number: JP2002329776A
Application number: JP2001132725A
Authority: JP
Inventors: Kazuichi Kuchimachi; 和一口町
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-04-27
Filing date: 2001-04-27
Publication date: 2002-11-15
Anticipated expiration: 2021-04-27
Also published as: JP3784274B2

Abstract

(57)【要約】【課題】シリコンウエハ等の被加工物の温度分布が均一
になるように吸着保持することができるとともに、被加
工物の離脱性に優れ、かつ吸着時や離脱時におけるパー
ティクルの発生の少ない静電チャックを提供する。【解決手段】板状セラミック体２の内部又は一方の主面
に静電吸着用電極を有する静電チャックにおいて、上記
板状セラミック体２の他方の主面に、ガス溝を設け、板
状セラミック体２を切断した時の吸着面６の形状を、中
央に平坦部１０を有する略円弧状凸部８とし、この略円
弧状凸部８とガス溝側面９との交点Ｓから略円弧状凸部
８の平坦部１０までの高さ（Ｈ１）を０．５〜１０μｍ
とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＰＶＤ装置、ＣＶ
Ｄ装置、イオンプレーティング装置、蒸着装置等の成膜
装置やエッチング装置において、例えば半導体ウエハ等
の被加工物を保持するのに用いる静電チャックに関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＰＶＤ装置、ＣＶＤ装置、イオン
プレーティング装置、蒸着装置等の成膜装置やエッチン
グ装置では、被加工物を精度良く固定するため、平坦か
つ平滑に仕上げられた板状体の表面に強制的に吸着させ
ることが行われており、この吸着手段として、静電吸着
力を利用した静電チャックが用いられている。

【０００３】これら成膜装置やエッチング装置に用いら
れる従来の静電チャックは、板状セラミック体の内部や
その一方の主面（一方の最も広い面）に静電吸着用電極
を備えるとともに、上記板状セラミック体の他方の主面
（他方の最も広い面）を吸着面としたもので、静電吸着
用電極に電圧を印加して被加工物との間に誘電分極によ
るクーロン力や微少な漏れ電流によるジョンソン・ラー
ベック力等の静電吸着力を発現させることにより、被加
工物を吸着面に強制的に吸着固定させることができるよ
うになっており、この時、被加工物の保持精度は、吸着
面の面精度に倣うことから、吸着面全体を平滑かつ平坦
に仕上げたものが用いられていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、これら成膜
装置やエッチング装置では、その多くが真空中での処理
のため、被加工物の温度を如何に均一に保つか、また各
種処理時に発生する熱を如何に外部へ逃がすかが重要な
要件となっており、また、被加工物の処理時間を短くす
るためには、成膜やエッチングに要する本来の時間以外
の時間、即ち被加工物を吸着面に載せてから静電吸着力
により吸着保持するまでの時間及び吸着面から被加工物
を離脱させるまでの時間を短縮する必要があり、特に被
加工物の離脱時間の短縮が重要な要件となっている。

【０００５】しかしながら、従来の静電チャックの吸着
面は、前述したように平滑かつ平坦に仕上げられている
ため、静電吸着用電極への通電を止めても直ちに被加工
物を離脱させることができないといった課題があった。

【０００６】即ち、静電チャックによる吸着原理は、板
状セラミック体の吸着面近傍と、被加工物の当接面近傍
にそれぞれ極性の異なる電荷を帯電させることにより静
電吸着力を発現させ、被加工物を吸着面に吸着させるの
であるが、被加工物を離脱させるため、静電吸着用電極
への通電を止めても板状セラミック体の吸着面近傍の電
荷が直ちになくならず、残留吸着力として残るため、被
加工物を吸着面より直ちに離脱させることができなかっ
た。

【０００７】また、吸着面を平滑かつ平坦に仕上げたと
しても、ミクロ的に見ると、静電チャックの吸着面と被
加工物との間には、吸着面の表面粗さや加工傷等の凹
凸、あるいは被加工物の反り等により実際に接触してい
る面積が小さく、さらに真空中では大気中にくらべて熱
伝導量が小さいこと、被加工物の中央部は周縁部に比較
して熱引けが悪いこと等の理由によって、成膜時やエッ
チング時に被加工物に発生した熱を均一に逃がすことが
できず、被加工物の温度分布を一様にすることができな
いため、成膜時の膜厚みが不均一となったり、エッチン
グ時の形状に悪影響を与えるといった課題があった。

【０００８】そこで、図５に示すように、吸着面２３に
様々なパターン形状を有する深さ数十〜数百μｍ程度の
ガス溝２４を形成するとともに、上記ガス溝２４に、Ｈ
ｅガス等の熱伝導性ガスを供給するためのガス導入孔２
５を備えた静電チャック２１が提案されている（特許２
６２６６１８号公報、特開平９−１３４９５１号公報、
特開平９−２３２４１５号公報、特開平７−８６３８５
号公報等参照）。

【０００９】このような静電チャック２１によれば、吸
着面２３にガス溝２４を設け、被加工物との接触面積を
少なくすることができるため、静電吸着用電極２６への
通電を止めた時、板状セラミック体２２の吸着面近傍に
存在する電荷が少なく残留吸着力を小さくできるため、
被加工物の離脱性を高めることができるといった利点が
あった。

【００１０】しかしながら、このような静電チャック２
１では、吸着面２３にガス溝２４を設けたことにより、
吸着面２３と直接接触している部分の被加工物表面の温
度と、ガス溝２４と接している部分の被加工物表面の温
度との間には温度差が発生し、この温度差を小さくする
ため、被加工物とガス溝２４とで構成される空間にガス
導入孔２５よりＨｅ等の熱伝導性ガスを供給すること
で、ガス溝２４と被加工物との間の熱伝達特性を高め、
吸着面２３と被加工物との間の熱伝達効率に近づけるこ
とにより、被加工物の温度分布が一様となるように制御
することが行われているが、このように被加工物とガス
溝２４とで構成される空間にＨｅ等の熱伝導性ガスを供
給したとしても、吸着面２３の占める割合が多く、吸着
面２３とガス溝２４とが交互に配置された構造となって
いること、被加工物の中央部は周縁部に比較して熱引け
が悪いこと等から十分に満足できるものではなく、被加
工物のさらなる温度均一性が要求されていた。

【００１１】また、吸着面２３に様々なパターン形状を
有するガス溝２４を形成したものでは、ガス溝２４によ
って区画される領域の吸着面２３の周縁にはシャープエ
ッジが形成されており、被加工物がシリコンウエハのよ
うに比較的硬度の低いものである場合、その吸着時や離
脱時の摺動によって傷付けられたり、エッジが欠けたり
してパーティクルが発生し、このパーティクルが被加工
物に付着すると、成膜精度やエッチング精度に悪影響を
与える恐れもあった。

【００１２】

【課題を解決するための手段】そこで、上記課題に鑑
み、請求項１に係る発明は、板状セラミック体の一方の
主面又は内部に静電吸着用電極を備えるとともに、上記
板状セラミック体の他方の主面にガス溝を備え、上記ガ
ス溝で囲まれる領域を吸着面とした静電チャックにおい
て、上記板状セラミック体を切断した時の吸着面の形状
を、中央に平坦部を有する略円弧状凸部とし、該略円弧
状凸部とガス溝側面との交点から略円弧状凸部の平坦部
までの高さを０．５〜１０μｍとしたことを特徴とす
る。

【００１３】また、請求項２に係る発明は、板状セラミ
ック体の一方の主面又は内部に静電吸着用電極を備える
とともに、上記板状セラミック体の他方の主面にガス溝
を備え、上記ガス溝で囲まれる領域を吸着面とした静電
チャックにおいて、上記板状セラミック体を切断した時
の吸着面の形状を、２つの円弧状凸部と、該２つの円弧
状凸部の略中央部内方に凹むように設けられた円弧状凹
部とから構成し、上記略円弧状凸部とガス溝側面との交
点から略円弧状凸部の頂部までの高さを０．５〜１０μ
ｍとしたことを特徴とする。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。

【００１５】図１は本発明に係る静電チャックを示す図
で、（ａ）はその正面図、（ｂ）はその断面図である。

【００１６】この静電チャック１は、シリコンウエハ等
の被加工物と同程度の大きさを有する円盤状をした板状
セラミック体２中に、一対の静電吸着用電極３を埋設す
るとともに、上記板状セラミック体２の他方の主面（他
方の最も広い面）には、ガス溝５を設け、ガス溝５で囲
まれる領域の凸部頂面を吸着面６としてある。その為、
被加工物を吸着面６に載せ、静電吸着用電極３間に通電
して静電吸着用電極３と被加工物との間に静電吸着力を
発現させることにより、吸着面６に被加工物を吸着固定
するようになっている。なお、４は板状セラミック体２
の一方の主面側に接合され、静電吸着用電極３と電気的
に接続された給電端子である。

【００１７】また、板状セラミック体２の中央部には、
一方の主面からガス溝底面まで連通するガス導入孔７を
有し、上記吸着面６に被加工物を吸着した時、被加工物
とガス溝５とで構成される空間にＨｅガス等の熱伝導性
ガスを供給することにより、ガス溝５と被加工物との間
の熱伝達特性を高め、吸着面６と被加工物との間の熱伝
達効率に近づけることにより、被加工物の温度分布が一
様となるように制御するようになっている。

【００１８】なお、この静電チャック１では、板状セラ
ミック体２の他方の主面周縁部は閉じられた円環状の凸
部としてあり、被加工物とガス溝５とで構成される空間
に供給された熱伝導性ガスが外部に多量に漏れることを
防止するようにしてある。

【００１９】また、図１（ｂ）のＡ部を拡大した断面図
を図２に示すように、板状セラミック体２を切断した時
の吸着面６の形状は、中央に平坦部１０を有する略円弧
状凸部８としてあり、この略円弧状凸部８とガス溝側面
９との交点Ｓから略円弧状凸部８の平坦部１０までの高
さ（Ｈ１）を０．５〜１０μｍとしてある。

【００２０】その為、本発明によれば、被加工物の吸着
時及び離脱時に、被加工物が吸着面６と摺動したとして
も、略円弧状凸部８とガス溝側面９とで構成されるエッ
ジ部（交点Ｓ）が、略円弧状凸部８の平坦部１０より低
い位置にあるため、吸着面６のエッジ部で被加工物を引
っ掻いたり、エッジ部が欠けるようなことがないため、
パーティクルの発生を効果的に防止することができる。

【００２１】特に、吸着面６が幅広で、かつ吸着面全体
が平坦面であると、被加工物が吸着面６に吸着された
時、その間には隙間が殆どなく、ガス溝５に充填された
熱伝導性ガスが被加工物と吸着面６との間に流れ難くな
り、その結果、吸着面中央部上に位置する被加工物の表
面温度が、吸着面周縁部上に位置する被加工物の表面温
度より小さくなり、被加工物の全体では表面温度にバラ
ツキが発生するのであるが、本発明によれば、略円弧状
凸部８とガス溝側面９との交点Ｓが、略円弧状凸部８の
平坦部１０より低く位置にあることから、被加工物と吸
着面６との隙間にも熱伝導性ガスが流れ易くなり、特に
被加工物と吸着面中央との隙間にも熱伝導性ガスを供給
することができるため、被加工物の全体の表面温度を一
様にすることができる。

【００２２】さらに、被加工物を吸着面６に吸着する
と、吸着面６の表面形状に倣って固定されるのである
が、静電吸着用電極３への通電を止めると、若干変形し
ていた被加工物には元の状態に戻ろうとする力が働くた
め、被加工物の離脱性を高めることができる。

【００２３】ただし、略円弧状凸部８とガス溝側面９と
の交点Ｓから略円弧状凸部８の平坦部１０までの高さ
（Ｈ１）が０．５μｍ未満であると、吸着時や離脱時に
吸着面６のエッジ部が被加工物と当接し、被加工物を引
っ掻いて傷を付けたり、エッジ部に欠けが発生する恐れ
があるとともに、被加工物と吸着面６との隙間に熱伝導
性ガスを送り込む効果が小さくなり、さらには離脱時に
おいて、被加工物が吸着面６から離れようとする力が小
さいため、離脱時間を短くすることが難しい。

【００２４】一方、略円弧状凸部８とガス溝側面９との
交点Ｓから略円弧状凸部８の平坦部１０までの高さ（Ｈ
１）が１０μｍを超えると、被加工物と吸着面６との接
触面積が少なくなり、吸着力が低下する。

【００２５】その為、略円弧状凸部８とガス溝側面９と
の交点Ｓから略円弧状凸部８の平坦部１０までの高さ
（Ｈ１）は０．５〜１０μｍとすることが良い。

【００２６】また、吸着面６に形成する円弧状部１１
は、ガス溝側面９より０．１〜３ｍｍ、好ましくは０．
１〜１ｍｍの幅Ｋで形成することが好ましい。

【００２７】なぜなら、円弧状部１１の幅Ｋがガス溝側
面９より０．１ｍｍ未満であると、被加工物と吸着面６
との隙間に熱伝導性ガスを送り込む効果が小さくなり、
また離脱時において、被加工物が吸着面６から離れよう
とする力が小さいため、離脱時間を短くすることができ
ないからであり、逆に円弧状部１１の幅Ｋがガス溝側面
９より１０ｍｍを超えると、被加工物との接触面積が小
さくなり過ぎ、吸着力が大きく低下するといった不都合
があるからである。

【００２８】さらに、パーティクルの発生を防止するた
めには、吸着面６の面粗さは算術平均粗さ（Ｒａ）で
０．２μｍ以下、好ましくは０．１μｍ以下、更に好ま
しくは０．０５μｍ以下とするが良い。

【００２９】ところで、このような静電チャック１を製
造する方法としては、セラミックグリーンシートの積層
技術を用いるか、プレス成形技術を用いて板状セラミッ
ク体２を製作する。

【００３０】例えば、セラミックグリーンシートの積層
技術を用いて板状セラミック体２を製作する場合、複数
枚のセラミックグリーンシートを用意し、あるセラミッ
クグリーンシート上に静電吸着用電極３をなす導体ペー
ストを印刷するか、あるいは金属箔又は金網を載せ、残
りのセラミックグリーンシートを積み重ねて積層し、セ
ラミックグリーンシートを焼結させることができる温度
にて焼成することにより得ることができる。

【００３１】また、プレス成形技術を用いて板状セラミ
ック体２を製作する場合、セラミック原料粉末を金型中
に充填してプレス成形した後、成形体上に静電吸着用電
極３をなす導体ペーストを印刷するか、あるいは金属箔
又は金網を載せ、さらにセラミック原料粉末を充填した
後、ホットプレスで焼成することにより得ることができ
る。

【００３２】次いで、得られた板状セラミック体２の一
方の主面に給電端子４を挿入、固定するための穴を穿孔
し、この穴に給電端子４を挿入してロウ付け等の接合技
術を持ちいて接合する。

【００３３】次に、板状セラミック体２の他方の主面
に、ガス溝５を形成するのであるが、ガス溝５の形成に
あたっては、ブラスト加工やマシニング加工、あるいは
超音波加工等を用い、深さが数十μｍから数百μｍのガ
ス溝を所定のパターン形状に形成する。

【００３４】しかる後、ガス溝５で囲まれる領域の凸部
頂面が平坦でかつ同一平面上に位置するようにするた
め、ラッピング加工を施す。この時、ラップ板として鋳
鉄製のものを用い、１０μｍから３μｍの大きさを有す
るダイヤモンド砥粒を用いてラッピングする。なお、さ
らに銅盤や錫盤を用いて仕上げ研磨を施しても構わな
い。

【００３５】そして、本発明では、さらに図４に示すよ
うに、ポリウレタン等の樹脂パッド５２を貼り付けたラ
ップ板５１を用い、回転するラップ板５１の周縁部に板
状セラミック体２の他方の主面を押し当てながら自転さ
せた状態で、板状セラミック体２とラップ板５１との間
にコロイダルシリカを供給しながらラップ加工を行うこ
とにより、板状セラミック体２を切断した時の吸着面６
の形状を、中央に平坦部１０を有する略円弧状凸部８と
し、この略円弧状凸部８とガス溝側面９との交点Ｓから
略円弧状凸部８の平坦部１０までの高さ（Ｈ１）を０．
５〜１０μｍとする。なお、吸着面６の形状を上述した
形状とするには、ラップ板５１に貼りつける樹脂パッド
５２の厚みが重要で、その厚みを１〜３ｍｍとすること
が好ましい。

【００３６】次に、本発明の他の実施形態について説明
する。

【００３７】図３は図１（ｂ）のＡ部の他の形態を示す
断面図で、板状セラミック体２を切断した時の吸着面６
の形状は、２つの円弧状凸部１５と、これら２つの円弧
状凸部１５の略中央部内方に凹むように設けられた円弧
状凹部１６とからなり、略円弧状凸部１５とガス溝側面
９との交点Ｓから略円弧状凸部１５の頂部１７までの高
さ（Ｈ２）を０．５〜１０μｍとしてある。

【００３８】その為、図３に示すような吸着面６を有す
る静電チャック１によれば、被加工物の吸着時及び離脱
時に、被加工物が吸着面６と摺動したとしても、略円弧
状凸部１５とガス溝側面９とで構成されるエッジ部（交
点Ｓ）が、略円弧状凸部１５の頂部１７より低い位置に
あるため、吸着面６のエッジ部で被加工物を引っ掻いた
り、エッジ部が欠けるようなことがないため、パーティ
クルの発生を効果的に防止することができる。

【００３９】また、本発明によれば、略円弧状凸部１５
とガス溝側面９との交点Ｓが、略円弧状凸部１５の頂部
１７より低くい位置にあることから、被加工物と吸着面
６との隙間にも熱伝導性ガスが流れ易くなり、特に２つ
の円弧状凸部１５の略中央部内方に円弧状凹部１６を設
けたことから、被加工物と吸着面中央との隙間にも十分
な量の熱伝導性ガスを流すことができるため、被加工物
の全体の表面温度を一様にすることができる。

【００４０】さらに、被加工物を吸着面６に吸着する
と、吸着面６の表面形状に倣って固定されるのである
が、静電吸着用電極３への通電を止めると、若干変形し
ていた被加工物には元の状態に戻ろうとする力が働くの
であるが、特に２つの円弧状凸部１５の略中央部内方に
円弧状凹部１６を設けたことから、静電吸着用電極３へ
の通電を止めた時に被加工物に発生する元の状態に戻ろ
うとする力を大きくすることができるため、被加工物の
離脱性をさらに高めることができる。

【００４１】そして、このように効果を奏するために
は、上述したのと同様の理由により、略円弧状凸部１５
とガス溝側面９との交点Ｓから略円弧状凸部１５の頂部
１７までの高さ（Ｈ２）を０．５〜１０μｍとすること
が良く、さらに吸着面６に形成する円弧状部１８は、ガ
ス溝側面９より０．１〜３ｍｍ、好ましくは０．１〜１
ｍｍの幅Ｋで形成し、吸着面６の面粗さは算術平均粗さ
（Ｒａ）で０．２μｍ以下、好ましくは０．１μｍ以
下、更に好ましくは０．０５μｍ以下とするが良い。

【００４２】なお、板状セラミック体２を切断した時の
吸着面６の形状を図３に示すような形状とするには、ポ
リウレタン等の樹脂パッドを貼り付けたラップ板を用
い、砥粒としてコロイダルシリカを用いたラッピング加
工の加工時間を０．５時間〜１０時間程度とすることに
より達成することができる。

【００４３】

【実施例】ここで、図２に示すような形状を有する吸着
面６を備えた本発明の静電チャック１と、図５に示すよ
うな吸着面全体が平坦面である従来の静電チャック２１
を用意し、シリコンウエハを吸着固定した後にシリコン
ウエハに付着するパーティクル数を測定する実験を行っ
た。

【００４４】本実験にあたっては、本発明の静電チャッ
ク１及び従来の静電チャック２１とも大きさ、材質等は
全て同一とし、吸着面６，２３に形状のみ異ならせるよ
うにした。

【００４５】具体的には、以下の通りである。

【００４６】板状セラミック体の材質：窒化アルミニウム質焼結体
（ＡｌＮ含有量９９％）板状セラミック体の寸法：外径２００ｍｍ、厚み９ｍｍ静電吸着用電極の材質：タングステン各吸着面における面積の総和：１８０００ｍｍ² ガス溝が占める面積：１３４００ｍｍ² ガス溝の深さ：０．１ｍｍ吸着面から静電吸着用電極までの深さ：０．５ｍｍまた、吸着面６が図２に示す形状を有するものにおいて
は、略円弧状凸部８とガス溝側面９との交点Ｓから略円
弧状凸部８の平坦部１０までの高さ（Ｈ１）を変化させ
るようにした。

【００４７】そして、実験にあたっては、製作した静電
チャック１，２１の吸着面６，２３に８インチのシリコ
ンウエハを載せた状態で静電吸着用電極３，２６に通電
して静電吸着力を発現させ、シリコンウエハを吸着面
６，２３に固定した後、ガス導入孔７，２５よりＨｅガ
スを供給し、シリコンウエハに７００Ｐａの背圧をかけ
た状態で静電チャックを２００℃まで加熱し、この時の
シリコンウエハ表面における温度分布をサーモビュアに
より測定した後、冷却して室温に戻し、静電吸着用電極
３，２６への通電を止めてシリコンウエハを離脱させた
時のシリコンウエハに付着する粒径０．１５μｍ以上の
パーティクル数をパーティクルカウンターにて測定し
た。

【００４８】また、静電吸着用電極３，２６への通電を
止めてから、シリコンウエハの背圧が１０Ｐａとなるま
での時間を離脱時間として測定した。

【００４９】結果はそれぞれ表１に示す通りである。

【００５０】なお、シリコンウエハの温度分布の評価に
あたっては、サーモビュアにより測定した。

【００５１】

【表１】

【００５２】この結果、表１より判るように、試料Ｎ
ｏ．１の従来の静電チャック２１のように、吸着面全体
が平坦面からなるものでは、シリコンウエハに付着して
いるパーティクル数が９７３８個と多かった。そこで、
パーティクルの付着位置を確認して見ると、吸着面２３
のエッジ部と当接した位置にパーティクルの付着が目立
っており、この現象から吸着面２３のエッジ部によりシ
リコンウエハが傷付けられたり、エッジ部に欠けや脱粒
が発生し、パーティクルが付着したものと思われる。

【００５３】また、シリコンウエハと吸着面２３との隙
間にＨｅガスが流れ難いため、シリコンウエハの温度バ
ラツキが１０．７℃と大きく、さらにはシリコンウエハ
の離脱時間も２５秒と長かった。

【００５４】これに対し、吸着面６の形状を中央に平坦
部１０を有する略円弧状凸部８としたものでは、シリコ
ンウエハに付着しているパーティクル数を大幅に低減す
ることができるとともに、シリコンウエハの離脱時間を
短縮することができ、さらにはシリコンウエハ表面にお
ける温度バラツキも低減することができた。

【００５５】この中でも試料Ｎｏ．３〜１０に示すよう
に、略円弧状凸部８とガス溝側面９との交点Ｓから略円
弧状凸部８の平坦部１０までの高さ（Ｈ１）を０．５〜
１０μｍとしたものは、シリコンウエハに付着している
パーティクル数を２０００個以下にまで低減できるとと
もに、シリコンウエハの離脱時間を１５秒以内に抑える
ことができ、さらにはシリコンウエハ表面における温度
バラツキを５℃以内とすることができ優れていた。

【００５６】この結果より、吸着面６の形状を中央に平
坦部１０を有する略円弧状凸部８とするとともに、略円
弧状凸部８とガス溝側面９との交点Ｓから略円弧状凸部
８の平坦部１０までの高さ（Ｈ１）を０．５〜１０μｍ
とすれば良いことが判る。

【００５７】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、板状セ
ラミック体の一方の主面又は内部に静電吸着用電極を備
えるとともに、上記板状セラミック体の他方の主面にガ
ス溝を備え、上記ガス溝で囲まれる領域を吸着面とした
静電チャックにおいて、板状セラミック体を切断した時
の吸着面の形状を、中央に平坦部を有する略円弧状凸部
とし、該略円弧状凸部の始点から略円弧状凸部の平坦部
までの高さを０．５〜１０μｍとするか、あるいは板状
セラミック体を切断した時の吸着面の形状を、２つの円
弧状凸部と、該２つの円弧状凸部の略中央部内方に凹む
ように設けられた円弧状凹部とから構成し、上記略円弧
状凸部の始点から略円弧状凸部の頂部までの高さを０．
５〜１０μｍとしたことによって、被加工物の温度分布
が均一になるように吸着保持することができるため、本
発明の静電チャックを用いて成膜処理を施せば、均一な
膜厚みを持った膜を被着することができ、また、エッチ
ング処理を施せば、所定形状の加工を行うことができ
る。

【００５８】また、本発明の静電チャックは、吸着時や
離脱時に被加工物を引っ掻くシャープエッジが少ないた
め、被加工物を傷付けることがなく、パーティクルの発
生を従来の静電チャックと比較してさらに低減すること
ができるとともに、被加工物の離脱性にも優れることか
ら、成膜やエッチングのトータル時間を短縮し、生産効
率を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る静電チャックを示す図で、（ａ）
はその正面図、（ｂ）はその断面図である。

【図２】図１のＡ部を拡大した断面図である。

【図３】図１のＡ部を拡大した他の実施形態を示す断面
図である。

【図４】本発明の静電チャックにおける吸着面の形成方
法を示す概略図である。

【図５】従来の静電チャックを示す図で、（ａ）はその
正面図、（ｂ）はその断面図である。

【符号の説明】

１：静電チャック２：板状セラミック体３：静電吸着用電極４：給電端子５：ガス溝６：吸着面７：ガス導入孔８：略円弧状凸部９：ガス溝側面１０：略円弧状凸部中央の平坦部１１：円弧状部１５：円弧状凸部１６：円弧状凹部１７：円弧状凸部中央の平坦部１８：円弧状部Ｓ：略円弧状凸部とガス溝側面との交点Ｈ1：略円弧状凸部とガス溝側面との交点から略円弧状
凸部の平坦部までの高さＨ2：略円弧状凸部とガス溝側面との交点から略円弧状
凸部の平坦部までの高さ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考） // Ｂ２３Ｑ 3/15 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ５Ｆ０４５Ｆターム(参考） 3C016 GA10 4K029 AA06 CA01 CA03 CA05 JA01 4K030 CA04 GA02 KA45 LA15 5F004 AA14 BB22 BB29 DA22 5F031 CA02 HA05 HA08 HA16 HA34 HA35 HA39 MA28 MA29 MA32 NA05 PA26 5F045 BB02 BB15 EM05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】板状セラミック体の一方の主面又は内部に
静電吸着用電極を備えるとともに、上記板状セラミック
体の他方の主面にガス溝を備え、上記ガス溝で囲まれる
領域を吸着面とした静電チャックにおいて、上記板状セ
ラミック体を切断した時の吸着面の形状が、中央に平坦
部を有する略円弧状凸部をなし、該略円弧状凸部とガス
溝側面との交点から略円弧状凸部の平坦部までの高さが
０．５〜１０μｍであることを特徴とする静電チャッ
ク。
【請求項２】板状セラミック体の一方の主面又は内部に
静電吸着用電極を備えるとともに、上記板状セラミック
体の他方の主面にガス溝を備え、上記ガス溝で囲まれる
領域を吸着面とした静電チャックにおいて、上記板状セ
ラミック体を切断した時の吸着面の形状が、２つの円弧
状凸部と、該２つの円弧状凸部の略中央部内方に凹むよ
うに設けられた円弧状凹部とからなり、上記略円弧状凸
部とガス溝側面との交点から略円弧状凸部の頂部までの
高さが０．５〜１０μｍであることを特徴とする静電チ
ャック。