JPH04236293A - 蛍光体の製造方法 - Google Patents
蛍光体の製造方法Info
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- JPH04236293A JPH04236293A JP3005086A JP508691A JPH04236293A JP H04236293 A JPH04236293 A JP H04236293A JP 3005086 A JP3005086 A JP 3005086A JP 508691 A JP508691 A JP 508691A JP H04236293 A JPH04236293 A JP H04236293A
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- Japan
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- zns
- raw material
- hexagonal
- phosphor
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- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 title abstract 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 19
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 3
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- SWLVFNYSXGMGBS-UHFFFAOYSA-N ammonium bromide Chemical compound [NH4+].[Br-] SWLVFNYSXGMGBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011363 dried mixture Substances 0.000 abstract 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】分散型ELパネルの発光層に使用
される蛍光体の製造方法に関する。
される蛍光体の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の蛍光体の製造方法は、銅
化合物とフラックスを硫化亜鉛(以後ZnSと記す)と
混合し、900〜1000℃の温度で3〜6時間保持し
て焼成を行う。
化合物とフラックスを硫化亜鉛(以後ZnSと記す)と
混合し、900〜1000℃の温度で3〜6時間保持し
て焼成を行う。
【0003】その後、シアンアルカリの水溶液で洗浄し
、さらに水で洗浄する。
、さらに水で洗浄する。
【0004】120℃のオーブンで12時間乾燥後、ふ
るい分けして作成していた(例えば特公昭61−449
12)。
るい分けして作成していた(例えば特公昭61−449
12)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の従来
の蛍光体は、出発原料としてのZnSの結晶構造は、立
方晶あるいはアモルファス状態(結晶化度が低い状態の
ものをいう)となっているが、輝度が低いという問題が
あった。
の蛍光体は、出発原料としてのZnSの結晶構造は、立
方晶あるいはアモルファス状態(結晶化度が低い状態の
ものをいう)となっているが、輝度が低いという問題が
あった。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明の蛍光体の製造
方法は、出発原料であるZnSの結晶構造が六方晶であ
るものを使用することを特徴とする。
方法は、出発原料であるZnSの結晶構造が六方晶であ
るものを使用することを特徴とする。
【0007】
【作用】六方晶のZnSを出発原料にすることにより、
900〜1000℃の焼成で、結晶母体であるZnSが
立方晶に変換される。
900〜1000℃の焼成で、結晶母体であるZnSが
立方晶に変換される。
【0008】この結晶母体が、結晶転移を起こすときに
、結晶母体内に歪みを生じ、格子欠陥ができる。格子欠
陥に銅が偏析され、結晶母体内に導電性のパスを生起さ
せると考えられる。したがって、蛍光体粒子に電力が入
るようになり、蛍光体粒子内に高電界を生じる部分が多
くなる。その結果、蛍光体粒子内の発光中心を多く励起
できることにより、ELパネルで評価した輝度が高くな
ったと考えられる。
、結晶母体内に歪みを生じ、格子欠陥ができる。格子欠
陥に銅が偏析され、結晶母体内に導電性のパスを生起さ
せると考えられる。したがって、蛍光体粒子に電力が入
るようになり、蛍光体粒子内に高電界を生じる部分が多
くなる。その結果、蛍光体粒子内の発光中心を多く励起
できることにより、ELパネルで評価した輝度が高くな
ったと考えられる。
【0009】すなわち、蛍光体がより多くの電力を消費
し、その内の一部が先となる量も増加して、ELパネル
の輝度が増加する。
し、その内の一部が先となる量も増加して、ELパネル
の輝度が増加する。
【0010】
【実施例】本発明の実施例の製造方法を説明する。通常
入手できるZnSは、前述したように一般的には結晶性
の低い立方晶である場合が多いので、まず1100℃,
1hr硫化水素雰囲気中でZnSを焼成することにより
、六方晶のZnS原料を作成する。
入手できるZnSは、前述したように一般的には結晶性
の低い立方晶である場合が多いので、まず1100℃,
1hr硫化水素雰囲気中でZnSを焼成することにより
、六方晶のZnS原料を作成する。
【0011】この六方晶ZnS原料1mol に対して
、酢酸銅1mol%,臭化アンモニウム7mol %を
秤量して、湿式混合にて混合し、120℃,12hrオ
ーブンにて乾燥する。
、酢酸銅1mol%,臭化アンモニウム7mol %を
秤量して、湿式混合にて混合し、120℃,12hrオ
ーブンにて乾燥する。
【0012】この混合物を1000℃,3hr大気雰囲
気中で焼成する。
気中で焼成する。
【0013】その後、蛍光体量に対して10wt%KC
N,5wt%NaOH水溶液で1hr攪拌後、水で置換
洗浄してPH7を確認する。
N,5wt%NaOH水溶液で1hr攪拌後、水で置換
洗浄してPH7を確認する。
【0014】エタノール中で超音波洗浄し、100℃,
2hrオーブンで乾燥する。
2hrオーブンで乾燥する。
【0015】上記により作成した蛍光体を利用して作成
した分散型ELパネルの電圧−電力,電圧−輝度特性を
それぞれ図1,図2に示す。波線で描かれた線は、比較
例として従来使用していた結晶性の低い立方晶のZnS
を出発原料に用いて、上記実施例と同様の方法で蛍光体
を作成し、さらに同様な方法で分散型ELパネルを作成
した場合である。
した分散型ELパネルの電圧−電力,電圧−輝度特性を
それぞれ図1,図2に示す。波線で描かれた線は、比較
例として従来使用していた結晶性の低い立方晶のZnS
を出発原料に用いて、上記実施例と同様の方法で蛍光体
を作成し、さらに同様な方法で分散型ELパネルを作成
した場合である。
【0016】この実施例によれば、六方晶→立方晶への
結晶変換が起こるために、導電層が蛍光体粒子内に形成
されるために、比較例に対して同じ駆動電圧において、
電力が2倍入るようになり、高輝度化できるという利点
がある。
結晶変換が起こるために、導電層が蛍光体粒子内に形成
されるために、比較例に対して同じ駆動電圧において、
電力が2倍入るようになり、高輝度化できるという利点
がある。
【0017】
【実施例2】六方晶ZnSを作成する場合において、フ
ラックスを混合することにより、出発原料のZnS粒子
の粒径を制御することができるという利点がある。
ラックスを混合することにより、出発原料のZnS粒子
の粒径を制御することができるという利点がある。
【0018】さらに、第1の実施例では、1100℃,
1hr硫化水素雰囲気中で行ったが、温度は1100℃
以上でもよく、雰囲気も不活性ガス(N2orAr)雰
囲気中でもよい。また、表層部(ZnO生成部)を除去
すれば、大気雰囲気中でも可能である。
1hr硫化水素雰囲気中で行ったが、温度は1100℃
以上でもよく、雰囲気も不活性ガス(N2orAr)雰
囲気中でもよい。また、表層部(ZnO生成部)を除去
すれば、大気雰囲気中でも可能である。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように、この発明は出発原
料であるZnSの結晶構造を六方晶にしたことにより、
六方晶→立方晶の結晶変換されるときに、銅が偏析して
導電層が形成され、蛍光体を高輝度化することができる
という効果がある。
料であるZnSの結晶構造を六方晶にしたことにより、
六方晶→立方晶の結晶変換されるときに、銅が偏析して
導電層が形成され、蛍光体を高輝度化することができる
という効果がある。
【図1】 本発明の方法により製造された蛍光体およ
び従来方法で製造された蛍光体で作ったELの電圧−電
力特性の比較をしたグラフ
び従来方法で製造された蛍光体で作ったELの電圧−電
力特性の比較をしたグラフ
【図2】 本発明の方法により製造された蛍光体およ
び従来方法で製造された蛍光体で作ったELの電圧−輝
度特性を比較するグラフ
び従来方法で製造された蛍光体で作ったELの電圧−輝
度特性を比較するグラフ
Claims (1)
- 【請求項1】分散型EL用蛍光体の製造方法において、
出発原料であるZnSの結晶構造が、六方晶であること
を特徴とする蛍光体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3005086A JPH04236293A (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | 蛍光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3005086A JPH04236293A (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | 蛍光体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04236293A true JPH04236293A (ja) | 1992-08-25 |
Family
ID=11601584
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3005086A Pending JPH04236293A (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | 蛍光体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04236293A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107089683A (zh) * | 2017-04-25 | 2017-08-25 | 中国计量大学 | 一种二硫化钼/硫化铜/氧化亚铜纳米复合材料的制备方法 |
-
1991
- 1991-01-21 JP JP3005086A patent/JPH04236293A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107089683A (zh) * | 2017-04-25 | 2017-08-25 | 中国计量大学 | 一种二硫化钼/硫化铜/氧化亚铜纳米复合材料的制备方法 |
CN107089683B (zh) * | 2017-04-25 | 2019-02-15 | 中国计量大学 | 一种二硫化钼/硫化铜/氧化亚铜纳米复合材料的制备方法 |
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