JPH04236293A - 蛍光体の製造方法 - Google Patents

蛍光体の製造方法

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Publication number
JPH04236293A
JPH04236293A JP3005086A JP508691A JPH04236293A JP H04236293 A JPH04236293 A JP H04236293A JP 3005086 A JP3005086 A JP 3005086A JP 508691 A JP508691 A JP 508691A JP H04236293 A JPH04236293 A JP H04236293A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
zns
raw material
hexagonal
phosphor
atmosphere
Prior art date
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Pending
Application number
JP3005086A
Other languages
English (en)
Inventor
Masato Hayashi
正人 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】分散型ELパネルの発光層に使用
される蛍光体の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の蛍光体の製造方法は、銅
化合物とフラックスを硫化亜鉛(以後ZnSと記す)と
混合し、900〜1000℃の温度で3〜6時間保持し
て焼成を行う。
【0003】その後、シアンアルカリの水溶液で洗浄し
、さらに水で洗浄する。
【0004】120℃のオーブンで12時間乾燥後、ふ
るい分けして作成していた(例えば特公昭61−449
12)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の従来
の蛍光体は、出発原料としてのZnSの結晶構造は、立
方晶あるいはアモルファス状態(結晶化度が低い状態の
ものをいう)となっているが、輝度が低いという問題が
あった。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明の蛍光体の製造
方法は、出発原料であるZnSの結晶構造が六方晶であ
るものを使用することを特徴とする。
【0007】
【作用】六方晶のZnSを出発原料にすることにより、
900〜1000℃の焼成で、結晶母体であるZnSが
立方晶に変換される。
【0008】この結晶母体が、結晶転移を起こすときに
、結晶母体内に歪みを生じ、格子欠陥ができる。格子欠
陥に銅が偏析され、結晶母体内に導電性のパスを生起さ
せると考えられる。したがって、蛍光体粒子に電力が入
るようになり、蛍光体粒子内に高電界を生じる部分が多
くなる。その結果、蛍光体粒子内の発光中心を多く励起
できることにより、ELパネルで評価した輝度が高くな
ったと考えられる。
【0009】すなわち、蛍光体がより多くの電力を消費
し、その内の一部が先となる量も増加して、ELパネル
の輝度が増加する。
【0010】
【実施例】本発明の実施例の製造方法を説明する。通常
入手できるZnSは、前述したように一般的には結晶性
の低い立方晶である場合が多いので、まず1100℃,
1hr硫化水素雰囲気中でZnSを焼成することにより
、六方晶のZnS原料を作成する。
【0011】この六方晶ZnS原料1mol に対して
、酢酸銅1mol%,臭化アンモニウム7mol %を
秤量して、湿式混合にて混合し、120℃,12hrオ
ーブンにて乾燥する。
【0012】この混合物を1000℃,3hr大気雰囲
気中で焼成する。
【0013】その後、蛍光体量に対して10wt%KC
N,5wt%NaOH水溶液で1hr攪拌後、水で置換
洗浄してPH7を確認する。
【0014】エタノール中で超音波洗浄し、100℃,
2hrオーブンで乾燥する。
【0015】上記により作成した蛍光体を利用して作成
した分散型ELパネルの電圧−電力,電圧−輝度特性を
それぞれ図1,図2に示す。波線で描かれた線は、比較
例として従来使用していた結晶性の低い立方晶のZnS
を出発原料に用いて、上記実施例と同様の方法で蛍光体
を作成し、さらに同様な方法で分散型ELパネルを作成
した場合である。
【0016】この実施例によれば、六方晶→立方晶への
結晶変換が起こるために、導電層が蛍光体粒子内に形成
されるために、比較例に対して同じ駆動電圧において、
電力が2倍入るようになり、高輝度化できるという利点
がある。
【0017】
【実施例2】六方晶ZnSを作成する場合において、フ
ラックスを混合することにより、出発原料のZnS粒子
の粒径を制御することができるという利点がある。
【0018】さらに、第1の実施例では、1100℃,
1hr硫化水素雰囲気中で行ったが、温度は1100℃
以上でもよく、雰囲気も不活性ガス(N2orAr)雰
囲気中でもよい。また、表層部(ZnO生成部)を除去
すれば、大気雰囲気中でも可能である。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように、この発明は出発原
料であるZnSの結晶構造を六方晶にしたことにより、
六方晶→立方晶の結晶変換されるときに、銅が偏析して
導電層が形成され、蛍光体を高輝度化することができる
という効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】  本発明の方法により製造された蛍光体およ
び従来方法で製造された蛍光体で作ったELの電圧−電
力特性の比較をしたグラフ
【図2】  本発明の方法により製造された蛍光体およ
び従来方法で製造された蛍光体で作ったELの電圧−輝
度特性を比較するグラフ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】分散型EL用蛍光体の製造方法において、
    出発原料であるZnSの結晶構造が、六方晶であること
    を特徴とする蛍光体の製造方法。
JP3005086A 1991-01-21 1991-01-21 蛍光体の製造方法 Pending JPH04236293A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107089683A (zh) * 2017-04-25 2017-08-25 中国计量大学 一种二硫化钼/硫化铜/氧化亚铜纳米复合材料的制备方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107089683A (zh) * 2017-04-25 2017-08-25 中国计量大学 一种二硫化钼/硫化铜/氧化亚铜纳米复合材料的制备方法
CN107089683B (zh) * 2017-04-25 2019-02-15 中国计量大学 一种二硫化钼/硫化铜/氧化亚铜纳米复合材料的制备方法

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