JPS61296085A - 螢光体の製造方法 - Google Patents
螢光体の製造方法Info
- Publication number
- JPS61296085A JPS61296085A JP13698085A JP13698085A JPS61296085A JP S61296085 A JPS61296085 A JP S61296085A JP 13698085 A JP13698085 A JP 13698085A JP 13698085 A JP13698085 A JP 13698085A JP S61296085 A JPS61296085 A JP S61296085A
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- Japan
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- phosphor
- fluorescent substance
- give
- substance
- zinc sulfide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、蛍光体の製造方法に関し、特に電場発光蛍
光体の製造方法に関する。
光体の製造方法に関する。
電場発光蛍光体は、これを誘電物質中に分散してその両
側に電極を配置し、少なくとも一方の電極を透明電極で
構成して、これら電極に交流電圧を印加すると、その電
極間に形成される電場により発光する。したがって表示
素子などに用いることができる。
側に電極を配置し、少なくとも一方の電極を透明電極で
構成して、これら電極に交流電圧を印加すると、その電
極間に形成される電場により発光する。したがって表示
素子などに用いることができる。
かかる電場発光蛍光体としては、硫化亜鉛を母体とした
ものがよく知られている。しかし従来この蛍光体を用い
て製作された表示素子は、他の表示素子に比べて明るさ
や寿命がかなり悪いため、種々の改良がなされている。
ものがよく知られている。しかし従来この蛍光体を用い
て製作された表示素子は、他の表示素子に比べて明るさ
や寿命がかなり悪いため、種々の改良がなされている。
これらのうちで寿命を長くするためには、蛍光体の粒径
を約２０〜３０μｍに大きくするとよいことが知られて
いる。
を約２０〜３０μｍに大きくするとよいことが知られて
いる。
通常この蛍光体は、硫化亜鉛を母体としてこれに賦活剤
と融剤を加えて混合し、この混合物を焼成することによ
り得られる。この製造方法により粒径の大きい蛍光体を
作るには、混合物中の融剤の割合を多くし、焼成温度を
高くするとよい。しかしＺｎＳの結晶型には、六方晶型
（高温安定型）と立方晶型（低温安定型）の２種類があ
り、上記条件で粒径の大きい蛍光体を製造すると、六方
晶型の割合が増加する。
と融剤を加えて混合し、この混合物を焼成することによ
り得られる。この製造方法により粒径の大きい蛍光体を
作るには、混合物中の融剤の割合を多くし、焼成温度を
高くするとよい。しかしＺｎＳの結晶型には、六方晶型
（高温安定型）と立方晶型（低温安定型）の２種類があ
り、上記条件で粒径の大きい蛍光体を製造すると、六方
晶型の割合が増加する。
このような六方晶型の多い蛍光体を用いて表示素子を製
作しても、必らずしも長寿命にはならない。寿命の長い
電場発光表示素子を得るためには、立方晶型でかつ粒径
の大きい蛍光体を得ることが必要である。
作しても、必らずしも長寿命にはならない。寿命の長い
電場発光表示素子を得るためには、立方晶型でかつ粒径
の大きい蛍光体を得ることが必要である。
この発明は、粒径が大きい立方晶型からなる電場発光蛍
光体を容易に製造する方法を得ることにある。
光体を容易に製造する方法を得ることにある。
硫化亜鉛、銅化合物およびハロゲン化物を含む混合物を
作り、これを焼成して中間蛍光体を製造したのち、この
中間蛍光体を、２００〜２０００ｋｇ／ｃｍ２で加圧し
たのち７００〜９００℃でアニールするか、または７０
０〜９５０℃、２００〜２０００ｋｇ／αにで加熱加圧
することにより、立方晶型にして粒径が大きく、高輝度
にして長寿命の蛍光体を容易に製造できるようにした。
作り、これを焼成して中間蛍光体を製造したのち、この
中間蛍光体を、２００〜２０００ｋｇ／ｃｍ２で加圧し
たのち７００〜９００℃でアニールするか、または７０
０〜９５０℃、２００〜２０００ｋｇ／αにで加熱加圧
することにより、立方晶型にして粒径が大きく、高輝度
にして長寿命の蛍光体を容易に製造できるようにした。
以下、この発明を実施例に基づいて詳述する。
硫化亜鉛に銅化合物例えば硫酸銅（Ｃ１１１度０．０２
〜０，１ｗｔ％）をスラリー状にして混合し乾燥したの
ち、この混合物に融剤として、アルカリ金属、アンモニ
ア、およびアルカリ土類金属のハロゲン化物の少くとも
１種を５〜１０νｔ％混合する。しかるのちこの混合物
を石英るつぼに入れてふたをし、１１００〜１２００℃
の範囲の温度で３〜ＩＯ時間空気中で焼成し、焼成後説
イオン水で数回洗滌し、乾燥して中間蛍光体を作る。
〜０，１ｗｔ％）をスラリー状にして混合し乾燥したの
ち、この混合物に融剤として、アルカリ金属、アンモニ
ア、およびアルカリ土類金属のハロゲン化物の少くとも
１種を５〜１０νｔ％混合する。しかるのちこの混合物
を石英るつぼに入れてふたをし、１１００〜１２００℃
の範囲の温度で３〜ＩＯ時間空気中で焼成し、焼成後説
イオン水で数回洗滌し、乾燥して中間蛍光体を作る。
この中間蛍光体の結晶型は、Ｘ線回折によると大部分六
方晶型であるが、これに高圧をかけると立方晶型に転移
し、さらに７００〜ｆ１５０℃でアニールすると、発光
輝度が高くかつ長寿命の電場発光蛍光体とすることがで
きることが判明した。
方晶型であるが、これに高圧をかけると立方晶型に転移
し、さらに７００〜ｆ１５０℃でアニールすると、発光
輝度が高くかつ長寿命の電場発光蛍光体とすることがで
きることが判明した。
第２図に上記中間蛍光体を常温で加圧したときの加圧力
と結晶型変化との関係を示す。下記表にＸ線回折におけ
る銅対陰極の回折角度２０を示したように、六方晶型の
ｒ００２Ｊ面と立方晶型のｒｌｌｌＪ面の格子定数はほ
とんど同じで区別がつきにくいが、そのピークと２６．
９２°のピークの比をとると、六方晶型では約０．８で
あり、立方晶型には２６．９２″に相当するピークがな
いので、その比は非常に大きくなる。したがってこの２
６．９２°のピーク高と２８．５°のピーク高の比が、
結晶変化の割合を示すパラメータとすることができ、第
２図は縦軸にこのピーク高の比をとって加圧力と結晶型
変化との関係を示したものである。
と結晶型変化との関係を示す。下記表にＸ線回折におけ
る銅対陰極の回折角度２０を示したように、六方晶型の
ｒ００２Ｊ面と立方晶型のｒｌｌｌＪ面の格子定数はほ
とんど同じで区別がつきにくいが、そのピークと２６．
９２°のピークの比をとると、六方晶型では約０．８で
あり、立方晶型には２６．９２″に相当するピークがな
いので、その比は非常に大きくなる。したがってこの２
６．９２°のピーク高と２８．５°のピーク高の比が、
結晶変化の割合を示すパラメータとすることができ、第
２図は縦軸にこのピーク高の比をとって加圧力と結晶型
変化との関係を示したものである。
Ｌ
曲線（Ａ）に示すように、この蛍光体の結晶型は、５０
ｋｇ／ａ＃未滴の圧力では圧力をかけないときとほとん
ど同じであるが、２００ｋｇ／ａｉｒ以」二になると、
大幅に２６．９２°のピークが低くなる一方２８．５°
のピークが高くなって立方晶型に移行していくことが示
されている。しかし２０００ｋｇ／ｃＪ以上ではあまり
変化しない。
ｋｇ／ａ＃未滴の圧力では圧力をかけないときとほとん
ど同じであるが、２００ｋｇ／ａｉｒ以」二になると、
大幅に２６．９２°のピークが低くなる一方２８．５°
のピークが高くなって立方晶型に移行していくことが示
されている。しかし２０００ｋｇ／ｃＪ以上ではあまり
変化しない。
第１図は上記圧力をかけた蛍光体を８００℃で５時間ア
ニールしたのち、ＥＬ表示素子を製作し、これを１５０
Ｖ、６ ｋ １１ ｚの交流で励起したときの相対初期
輝度および相対輝度半減期間（寿命）を示したものであ
る。曲線（Ｂ）で示したように、寿命は２００ｋｇ／ｄ
以上で長くなり、特に輝度は、曲線（Ｃ）で示すように
、２００〜２０００ｋｇ／ａ＋？、好ましくは５００〜
１５００ｋｇ／ｄの範囲で好結果が得られる。
ニールしたのち、ＥＬ表示素子を製作し、これを１５０
Ｖ、６ ｋ １１ ｚの交流で励起したときの相対初期
輝度および相対輝度半減期間（寿命）を示したものであ
る。曲線（Ｂ）で示したように、寿命は２００ｋｇ／ｄ
以上で長くなり、特に輝度は、曲線（Ｃ）で示すように
、２００〜２０００ｋｇ／ａ＋？、好ましくは５００〜
１５００ｋｇ／ｄの範囲で好結果が得られる。
このような常温における蛍光体の加圧は、ラバープレス
で容易におこなうことができる。また常温で加圧したの
ちアニールするかわりに、中間蛍光体を同一条件で約１
時間熱間プレスしても同様の蛍光体を得ることができる
。
で容易におこなうことができる。また常温で加圧したの
ちアニールするかわりに、中間蛍光体を同一条件で約１
時間熱間プレスしても同様の蛍光体を得ることができる
。
以下具体例について述べる。
硫化亜鉛沈澱１ｋｇと硫酸銅山ｌ５０４・５Ｈ２０２，
３６ｇに脱イオン水を加えてよくスラリー状にして混合
し、これを１５０℃で１２時間乾燥する。つぎにこの混
合物２００ｇに塩化ナトリウム６ｇ、塩化マグネシウム
ＭｇＣｌ２・６６Ｈ２Ｏ６、塩化ストロンチウムＳｒＣ
］４ ’ ６１１２０６ｇを混合して石英るつぼに充填
し、ふたをしてこれを１１５０℃、６時間空気中で焼成
した。焼成後、この焼成物を取出して脱イオン水で３回
洗滌し、ろ過したのち１５０℃で１０時間乾燥した。
３６ｇに脱イオン水を加えてよくスラリー状にして混合
し、これを１５０℃で１２時間乾燥する。つぎにこの混
合物２００ｇに塩化ナトリウム６ｇ、塩化マグネシウム
ＭｇＣｌ２・６６Ｈ２Ｏ６、塩化ストロンチウムＳｒＣ
］４ ’ ６１１２０６ｇを混合して石英るつぼに充填
し、ふたをしてこれを１１５０℃、６時間空気中で焼成
した。焼成後、この焼成物を取出して脱イオン水で３回
洗滌し、ろ過したのち１５０℃で１０時間乾燥した。
つぎにこの乾燥物１００ｇを３１１袋に入れ、ラバープ
レス装置により］０００ｋｇ／ｃＪの静水圧で３分間加
圧した。このときゴム袋の中に水が入らないように注意
が必要である。つぎにゴム袋より蛍光体を取出して石英
るつぼに入れ、ふたをしないで６時間空気中でアニール
した。アニール後この蛍光体をるつぼより取り出して５
％酢酸水浴液に入れ、８０℃で１時間攪拌洗滌したのち
、脱イオン水で５回洗滌した。その後既知のろ過、乾燥
、篩別工程を経て所要の蛍光体とした。
レス装置により］０００ｋｇ／ｃＪの静水圧で３分間加
圧した。このときゴム袋の中に水が入らないように注意
が必要である。つぎにゴム袋より蛍光体を取出して石英
るつぼに入れ、ふたをしないで６時間空気中でアニール
した。アニール後この蛍光体をるつぼより取り出して５
％酢酸水浴液に入れ、８０℃で１時間攪拌洗滌したのち
、脱イオン水で５回洗滌した。その後既知のろ過、乾燥
、篩別工程を経て所要の蛍光体とした。
この蛍光体をシリコン樹脂に混練し１間隔１００〜２０
０μｍの透明電極間に配置して１５０ｖ、６ｋｌｌｚの
交流を印加した結果、加圧処理をおこなわない蛍光体に
くらべて、初期輝度９０％、輝度半減期間が約６０％向
上したものが得られた。
０μｍの透明電極間に配置して１５０ｖ、６ｋｌｌｚの
交流を印加した結果、加圧処理をおこなわない蛍光体に
くらべて、初期輝度９０％、輝度半減期間が約６０％向
上したものが得られた。
硫化亜鉛、銅化合物およびハロゲン化物を含む混合物を
焼成して粒径の大きい六方晶型の中間蛍光体を作り、こ
れを高圧で加圧して立方晶型の蛍光体にすることにより
、高輝度、長寿命の電場発光蛍光体を容易に製造するこ
とができる。
焼成して粒径の大きい六方晶型の中間蛍光体を作り、こ
れを高圧で加圧して立方晶型の蛍光体にすることにより
、高輝度、長寿命の電場発光蛍光体を容易に製造するこ
とができる。
第１図はこの発明の方法により製造された電場発光蛍光
体の初期輝度および輝度半減期間と製造時の圧力との関
係を示す図、第２図は製造時の圧力と結晶型変化の割合
を示す図である。
体の初期輝度および輝度半減期間と製造時の圧力との関
係を示す図、第２図は製造時の圧力と結晶型変化の割合
を示す図である。
Claims (2)
- （１）硫化亜鉛、銅化合物およびハロゲン化物を含む
混合物を焼成して中間蛍光体を製造し、この中間蛍光体
を２００〜２０００ｋｇ／ｃｍ＾２で加熱したのち７０
０〜９５０℃でアニールするかまたは７００〜９５０℃
、２００〜２０００ｋｇ／ｃｍ＾２で加熱加圧すること
を特徴とする蛍光体の製造方法。 - （２）中間蛍光体を５００〜１５００ｋｇ／ｃｍ＾２
で加圧することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の蛍光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13698085A JPS61296085A (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | 螢光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13698085A JPS61296085A (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | 螢光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61296085A true JPS61296085A (ja) | 1986-12-26 |
Family
ID=15187954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13698085A Pending JPS61296085A (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | 螢光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61296085A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5009808A (en) * | 1988-12-27 | 1991-04-23 | Gte Products Corporation | Process for producing electroluminescent yellow zinc sulfide phosphors |
| EP0477354A1 (en) * | 1990-04-17 | 1992-04-01 | Loctite Luminescent Systems, Inc. | Electroluminescent phosphors with long life and method for making the same |
| US6143201A (en) * | 1997-10-28 | 2000-11-07 | Nec Corporation | Method of manufacturing fluorescent material |
| US6248261B1 (en) | 1998-08-26 | 2001-06-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electroluminescent phosphor and electroluminescent element using the same |
| EP1215264A2 (en) * | 2000-12-18 | 2002-06-19 | Osram Sylvania Inc. | Preparation of encapsulated electroluminescent phosphor |
| KR100326442B1 (ko) * | 1994-12-09 | 2002-07-02 | 김순택 | 형광슬러리조성물 |
| JP2007217480A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 蛍光体、その製造方法及び該蛍光体を含んだ無機ｅｌ素子 |
| US8231942B2 (en) | 2008-05-16 | 2012-07-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composition, method for manufacturing thin film, and method for manufacturing light-emitting element |
| US8722904B2 (en) | 2008-04-02 | 2014-05-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Anthracene derivative, light-emitting device and electronic appliance |
-
1985
- 1985-06-25 JP JP13698085A patent/JPS61296085A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5009808A (en) * | 1988-12-27 | 1991-04-23 | Gte Products Corporation | Process for producing electroluminescent yellow zinc sulfide phosphors |
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| EP1215264A3 (en) * | 2000-12-18 | 2004-02-25 | Osram Sylvania Inc. | Preparation of encapsulated electroluminescent phosphor |
| JP2007217480A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 蛍光体、その製造方法及び該蛍光体を含んだ無機ｅｌ素子 |
| US8722904B2 (en) | 2008-04-02 | 2014-05-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Anthracene derivative, light-emitting device and electronic appliance |
| US8231942B2 (en) | 2008-05-16 | 2012-07-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composition, method for manufacturing thin film, and method for manufacturing light-emitting element |
| US8518492B2 (en) | 2008-05-16 | 2013-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composition, method for manufacturing thin film, and method for manufacturing light-emitting element |
| US8845926B2 (en) | 2008-05-16 | 2014-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composition, method for manufacturing thin film, and method for manufacturing light-emitting element |
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