JPH04218912A - Ｌｓｉ電極用の高純度モリブデンターゲットの製造方法 - Google Patents

Ｌｓｉ電極用の高純度モリブデンターゲットの製造方法

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JPH04218912A
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004183040A (ja) * 2002-12-03 2004-07-02 Toshiba Corp Ｎｂスパッタリングターゲットおよびその製造方法、並びにそれを用いた光学薄膜、光学部品
WO2004079039A1 (ja) 2003-03-07 2004-09-16 Nikko Materials Co., Ltd. ハフニウム合金ターゲット及びその製造方法
JP2011132563A (ja) * 2009-12-22 2011-07-07 Toshiba Corp Ｍｏスパッタリングターゲットおよびその製造方法
WO2019176962A1 (ja) * 2018-03-13 2019-09-19 Ｊｘ金属株式会社 スパッタリングターゲット及び、スパッタリングターゲットの製造方法
TWI798387B (zh) * 2019-03-18 2023-04-11 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 濺鍍靶以及濺鍍靶的製造方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004183040A (ja) * 2002-12-03 2004-07-02 Toshiba Corp Ｎｂスパッタリングターゲットおよびその製造方法、並びにそれを用いた光学薄膜、光学部品
WO2004079039A1 (ja) 2003-03-07 2004-09-16 Nikko Materials Co., Ltd. ハフニウム合金ターゲット及びその製造方法
JP2011132563A (ja) * 2009-12-22 2011-07-07 Toshiba Corp Ｍｏスパッタリングターゲットおよびその製造方法
WO2019176962A1 (ja) * 2018-03-13 2019-09-19 Ｊｘ金属株式会社 スパッタリングターゲット及び、スパッタリングターゲットの製造方法
CN111836914A (zh) * 2018-03-13 2020-10-27 Ｊｘ金属株式会社 溅射靶和溅射靶的制造方法
KR20200129143A (ko) 2018-03-13 2020-11-17 제이엑스금속주식회사 스퍼터링 타깃 및 스퍼터링 타깃의 제조 방법
JPWO2019176962A1 (ja) * 2018-03-13 2021-02-12 Ｊｘ金属株式会社 スパッタリングターゲット及び、スパッタリングターゲットの製造方法
JP2022125041A (ja) * 2018-03-13 2022-08-26 Ｊｘ金属株式会社 スパッタリングターゲット及び、スパッタリングターゲットの製造方法
JP2023165778A (ja) * 2018-03-13 2023-11-17 Ｊｘ金属株式会社 スパッタリングターゲット及び、スパッタリングターゲットの製造方法
KR20230170144A (ko) 2018-03-13 2023-12-18 제이엑스금속주식회사 스퍼터링 타깃 및 스퍼터링 타깃의 제조 방법
TWI798387B (zh) * 2019-03-18 2023-04-11 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 濺鍍靶以及濺鍍靶的製造方法

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