JPH04216619A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH04216619A JPH04216619A JP40298690A JP40298690A JPH04216619A JP H04216619 A JPH04216619 A JP H04216619A JP 40298690 A JP40298690 A JP 40298690A JP 40298690 A JP40298690 A JP 40298690A JP H04216619 A JPH04216619 A JP H04216619A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置に関する
。詳しくは、半導体基板などに高エネルギー化されたイ
オンを高電流で注入するイオン注入装置であって、真空
容器内のターゲット保持具へのターゲット搬送やターゲ
ット保持具からのターゲット搬出に際して、ターゲット
の温度を制御して、いわゆる，ビームアニール効果によ
るイオン注入領域の品質劣化や大気中への搬出時の表面
汚染などを防止するための半導体製造装置の改良に関す
る。
。詳しくは、半導体基板などに高エネルギー化されたイ
オンを高電流で注入するイオン注入装置であって、真空
容器内のターゲット保持具へのターゲット搬送やターゲ
ット保持具からのターゲット搬出に際して、ターゲット
の温度を制御して、いわゆる，ビームアニール効果によ
るイオン注入領域の品質劣化や大気中への搬出時の表面
汚染などを防止するための半導体製造装置の改良に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置などを製造するイオン
注入装置は、高スループット化の要求に対応して２０ｍ
Ａ クラスを越える装置が実用化されるようになってい
る。 同時に３ＭｅＶ といった高エネルギー化された装置も
使用されるようになっている。
注入装置は、高スループット化の要求に対応して２０ｍ
Ａ クラスを越える装置が実用化されるようになってい
る。 同時に３ＭｅＶ といった高エネルギー化された装置も
使用されるようになっている。
【０００３】このような高エネルギー高電流型の装置で
は、単位時間・単位面積当たりの注入エネルギーを下げ
てターゲットの温度上昇を防ぐために、通常バッチ処理
方式を採用し， かつ、ターゲットの冷却機構を備えて
いる。
は、単位時間・単位面積当たりの注入エネルギーを下げ
てターゲットの温度上昇を防ぐために、通常バッチ処理
方式を採用し， かつ、ターゲットの冷却機構を備えて
いる。
【０００４】図３および図４は従来の半導体製造装置の
ターゲット冷却・搬送機構の例を示す図（その１）およ
び（その２）で、同図（イ）はイオン注入時の側面図，
同図（ロ）はターゲット搬出時の側面図（ターゲット搬
送時もほゞ同様），同図（ハ）はイオン注入時の上面図
である。
ターゲット冷却・搬送機構の例を示す図（その１）およ
び（その２）で、同図（イ）はイオン注入時の側面図，
同図（ロ）はターゲット搬出時の側面図（ターゲット搬
送時もほゞ同様），同図（ハ）はイオン注入時の上面図
である。
【０００５】イオン注入の準備に当たって、真空容器１
を図示してない真空ポンプで排気し金属製のターゲット
保持具２を水平に倒し、冷却材が真空容器１の壁を通過
してターゲット保持具２の中を還流するように引き回さ
れた冷却材導入管１２を通して冷却材， たとえば、冷
却純水， フロンあるいは液体窒素を送入し、ターゲッ
ト保持具２の表面を低温に保持する。
を図示してない真空ポンプで排気し金属製のターゲット
保持具２を水平に倒し、冷却材が真空容器１の壁を通過
してターゲット保持具２の中を還流するように引き回さ
れた冷却材導入管１２を通して冷却材， たとえば、冷
却純水， フロンあるいは液体窒素を送入し、ターゲッ
ト保持具２の表面を低温に保持する。
【０００６】そして、真空容器１と図示してないゲート
バルブ室でつながるロードロック室５にゲートバルブ室
７を通して、ターゲット４，たとえば、複数の半導体ウ
エーハを収容したターゲットカセット６を収納する。ロ
ードロック室５を図示してない真空ポンプで真空に排気
したら真空容器１に通じる図示してないゲートバルブ室
を開けて、ターゲット搬送用マジックハンド１３でター
ゲットカセット６からターゲット４をターゲット保持具
２の所定個所の上に搬送，載置する。
バルブ室でつながるロードロック室５にゲートバルブ室
７を通して、ターゲット４，たとえば、複数の半導体ウ
エーハを収容したターゲットカセット６を収納する。ロ
ードロック室５を図示してない真空ポンプで真空に排気
したら真空容器１に通じる図示してないゲートバルブ室
を開けて、ターゲット搬送用マジックハンド１３でター
ゲットカセット６からターゲット４をターゲット保持具
２の所定個所の上に搬送，載置する。
【０００７】次に、真空容器１に通じる図示してないゲ
ートバルブ室を閉じ、ターゲット保持具２をモータ３に
より回転させるとともにターゲット保持具２を垂直にセ
ットし、さらに，所定の真空度にしてからイオン源１０
よりイオンビームライン１１を通して所定のエネルギー
と電流値に制御したイオンビーム， たとえば、 Ｂ＋
，Ｐ＋ ， Ａｓ＋ ， Ｓｉ＋ ， Ｇｅ＋などを
ターゲット４の表面に注入する〔同図（イ），（ハ）参
照〕。
ートバルブ室を閉じ、ターゲット保持具２をモータ３に
より回転させるとともにターゲット保持具２を垂直にセ
ットし、さらに，所定の真空度にしてからイオン源１０
よりイオンビームライン１１を通して所定のエネルギー
と電流値に制御したイオンビーム， たとえば、 Ｂ＋
，Ｐ＋ ， Ａｓ＋ ， Ｓｉ＋ ， Ｇｅ＋などを
ターゲット４の表面に注入する〔同図（イ），（ハ）参
照〕。
【０００８】一方、イオン注入が終了したら、イオン源
１０をオフにしターゲット保持具２ を水平に倒して回
転を止め、ターゲット４ の搬入の時と逆にターゲット
搬送用マジックハンド１３を用いてロードロック室５の
中のターゲットカセット６にイオン注入が終わったター
ゲット４を搬出・収容しゲートバルブ室７を開けて大気
中に取り出すようにしている〔同図（ロ），（ハ）参照
〕。
１０をオフにしターゲット保持具２ を水平に倒して回
転を止め、ターゲット４ の搬入の時と逆にターゲット
搬送用マジックハンド１３を用いてロードロック室５の
中のターゲットカセット６にイオン注入が終わったター
ゲット４を搬出・収容しゲートバルブ室７を開けて大気
中に取り出すようにしている〔同図（ロ），（ハ）参照
〕。
【０００９】なお、ターゲット保持具２のターゲット４
の載置部分は内側の中央部に向かってやゝ傾斜しており
，かつ、表面に滑り止めのシリコーンゴムなどを張って
あるのでターゲット保持具２を回転させることにより遠
心力で安定に保持されるようになっている。
の載置部分は内側の中央部に向かってやゝ傾斜しており
，かつ、表面に滑り止めのシリコーンゴムなどを張って
あるのでターゲット保持具２を回転させることにより遠
心力で安定に保持されるようになっている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の装
置では冷却材として純水を使用した場合は最低０ ℃ま
で、また， フロン冷却の場合でも−３０℃程度までし
か冷却できない。この程度の温度では、今後の高エネル
ギー高電流型の装置ではイオン注入に際して熱エネルギ
ーや衝撃エネルギーによるアモルファス結晶界面の彎曲
，アモルファス化遷移領域の拡張といった， いわゆる
、ビームアニール効果を防止することができない。した
がって、それ以下の温度に冷却するために液体窒素を冷
却材として使用する提案がなされている。
置では冷却材として純水を使用した場合は最低０ ℃ま
で、また， フロン冷却の場合でも−３０℃程度までし
か冷却できない。この程度の温度では、今後の高エネル
ギー高電流型の装置ではイオン注入に際して熱エネルギ
ーや衝撃エネルギーによるアモルファス結晶界面の彎曲
，アモルファス化遷移領域の拡張といった， いわゆる
、ビームアニール効果を防止することができない。した
がって、それ以下の温度に冷却するために液体窒素を冷
却材として使用する提案がなされている。
【００１１】一方、ターゲット保持具２に載置されたタ
ーゲット４の冷却は熱輻射と熱伝導により行われ、真空
容器内であるため周囲の気体の対流による冷却は行われ
ないので、ターゲットの冷却効果は大気中に比較して大
巾に低下する。
ーゲット４の冷却は熱輻射と熱伝導により行われ、真空
容器内であるため周囲の気体の対流による冷却は行われ
ないので、ターゲットの冷却効果は大気中に比較して大
巾に低下する。
【００１２】図５はターゲット保持具へのターゲットの
載置状態を示す断面図である。金属製のターゲット保持
具２の中には，たとえば、冷却材導入管１２が配設され
てターゲット保持具２ の表面が冷却されるようになっ
ている。一方、ターゲット４ が載置されるターゲット
保持具２ の表面は完全な平面ではなく、多少なりとも
凹凸が存在し、その結果図示したごとく両者の間には隙
間４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ） が生じる。
載置状態を示す断面図である。金属製のターゲット保持
具２の中には，たとえば、冷却材導入管１２が配設され
てターゲット保持具２ の表面が冷却されるようになっ
ている。一方、ターゲット４ が載置されるターゲット
保持具２ の表面は完全な平面ではなく、多少なりとも
凹凸が存在し、その結果図示したごとく両者の間には隙
間４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ） が生じる。
【００１３】このような隙間４０があると、真空容器内
では接触面を介しての伝熱が大きく阻害される。とくに
、液体窒素温度（ー２００ ℃）のような低温の場合に
は影響が大きく、たとえば， ターゲット４ として直
径２００ ｍｍφのＳｉウエーハを１０−３Ｔｏｒｒの
真空中で室温から液体窒素温度まで冷却するには、およ
そ６ 分間といった待時間が必要になり生産性が大巾に
低下する。
では接触面を介しての伝熱が大きく阻害される。とくに
、液体窒素温度（ー２００ ℃）のような低温の場合に
は影響が大きく、たとえば， ターゲット４ として直
径２００ ｍｍφのＳｉウエーハを１０−３Ｔｏｒｒの
真空中で室温から液体窒素温度まで冷却するには、およ
そ６ 分間といった待時間が必要になり生産性が大巾に
低下する。
【００１４】また、このような低温に冷却されたターゲ
ット４ をロードロック室５を経由して大気中に取り出
すと、大気中の水分や，場合によっては窒素，酸素，二
酸化炭素などが液化してターゲット４の表面に付着し液
滴となり、そこに捕らえられた微粒子が液体の蒸発後に
除去しがたい汚染，いわゆる、ウォータ・マークを残し
て製品の品質・信頼性を低下させるなど多くの重大な問
題があり、その解決が求められている。
ット４ をロードロック室５を経由して大気中に取り出
すと、大気中の水分や，場合によっては窒素，酸素，二
酸化炭素などが液化してターゲット４の表面に付着し液
滴となり、そこに捕らえられた微粒子が液体の蒸発後に
除去しがたい汚染，いわゆる、ウォータ・マークを残し
て製品の品質・信頼性を低下させるなど多くの重大な問
題があり、その解決が求められている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、真空容器
１内の冷却したターゲット保持具２上にロードロック室
５ａからターゲット４を搬送， 載置しターゲット４表
面にイオン注入を行ったあと該ターゲット４をロードー
ック室５ｂへ搬送， 収容する半導体製造装置において
、前記ターゲット４を予め冷却してから前記ターゲット
保持具２上に搬送， 載置するようにした半導体製造装
置によって解決することができる。さらに、前記ターゲ
ット４へのイオン注入のあと、大気中に取り出す前に前
記ターゲット４を予め加熱して温度を上げておくように
することにより一層効果的に解決することができる。
１内の冷却したターゲット保持具２上にロードロック室
５ａからターゲット４を搬送， 載置しターゲット４表
面にイオン注入を行ったあと該ターゲット４をロードー
ック室５ｂへ搬送， 収容する半導体製造装置において
、前記ターゲット４を予め冷却してから前記ターゲット
保持具２上に搬送， 載置するようにした半導体製造装
置によって解決することができる。さらに、前記ターゲ
ット４へのイオン注入のあと、大気中に取り出す前に前
記ターゲット４を予め加熱して温度を上げておくように
することにより一層効果的に解決することができる。
【００１６】
【作用】本発明によれば、ターゲット４は予め冷却され
ているのでターゲット保持具２へ載置したあと、殆ど待
ち時間なく直ちにイオン注入を開始でき、したがって、
スループットが大巾に向上する。
ているのでターゲット保持具２へ載置したあと、殆ど待
ち時間なく直ちにイオン注入を開始でき、したがって、
スループットが大巾に向上する。
【００１７】また、極めて低温に冷却されたターゲット
４は予め室温近くに加熱されてから大気中に取り出され
るので、ターゲット４の表面に結露することはなく，し
たがって、汚染などが生じることがなく製品の品質・信
頼性が向上する。
４は予め室温近くに加熱されてから大気中に取り出され
るので、ターゲット４の表面に結露することはなく，し
たがって、汚染などが生じることがなく製品の品質・信
頼性が向上する。
【００１８】
【実施例】図１は本発明の一実施例を示す図である。図
中、８はガス室，９は冷却室，９０は冷却媒体である。
中、８はガス室，９は冷却室，９０は冷却媒体である。
【００１９】なお、前記の諸図面で説明したものと同等
の部分については同一符号を付し、かつ、同等部分につ
いての説明は省略する。イオン注入の準備に当たって、
真空容器１を図示してない真空ポンプで排気し、金属製
，たとえば、アルミニウム製などのターゲット保持具２
を図示してない真空容器１外から操作する回転機構によ
り水平に倒し、冷却材が真空容器１の壁を通過してター
ゲット保持具２の中を還流するように引き回された冷却
材導入管１２を通して冷却材， たとえば、液体窒素を
送入し、ターゲット保持具２の表面をほゞ液体窒素温度
程度の低温に保持する。
の部分については同一符号を付し、かつ、同等部分につ
いての説明は省略する。イオン注入の準備に当たって、
真空容器１を図示してない真空ポンプで排気し、金属製
，たとえば、アルミニウム製などのターゲット保持具２
を図示してない真空容器１外から操作する回転機構によ
り水平に倒し、冷却材が真空容器１の壁を通過してター
ゲット保持具２の中を還流するように引き回された冷却
材導入管１２を通して冷却材， たとえば、液体窒素を
送入し、ターゲット保持具２の表面をほゞ液体窒素温度
程度の低温に保持する。
【００２０】一方、イオン注入するターゲット４ はタ
ーゲットカセット６に収納して， たとえば、ゲートバ
ルブ室７ｃから乾燥した不活性ガス， たとえば、Ａｒ
ガスを満たしたガス室８，さらに、ゲートバルブ室７ｂ
を経由して、冷却媒体９０， たとえば、液体窒素を満
たした冷却室９に収容して予め冷却媒体温度，たとえば
、液体窒素温度に冷却したのち、再びゲートバルブ室７
ｂから不活性ガス， たとえば、Ａｒガスを満たしたガ
ス室８，さらに、ゲートバルブ室７ａを経由してロード
用のロードロック室５ａに収容する。
ーゲットカセット６に収納して， たとえば、ゲートバ
ルブ室７ｃから乾燥した不活性ガス， たとえば、Ａｒ
ガスを満たしたガス室８，さらに、ゲートバルブ室７ｂ
を経由して、冷却媒体９０， たとえば、液体窒素を満
たした冷却室９に収容して予め冷却媒体温度，たとえば
、液体窒素温度に冷却したのち、再びゲートバルブ室７
ｂから不活性ガス， たとえば、Ａｒガスを満たしたガ
ス室８，さらに、ゲートバルブ室７ａを経由してロード
用のロードロック室５ａに収容する。
【００２１】次に、ロードロック室５ａと真空容器１と
の間の図示してないゲートバルブ室を開けて、低温に冷
却されたターゲット４ を、真空容器１ の外から操作
できるターゲット搬送用マジックハンド１３でターゲッ
トカセット６からターゲット保持具２の所定個所の上に
搬送，載置する。
の間の図示してないゲートバルブ室を開けて、低温に冷
却されたターゲット４ を、真空容器１ の外から操作
できるターゲット搬送用マジックハンド１３でターゲッ
トカセット６からターゲット保持具２の所定個所の上に
搬送，載置する。
【００２２】次いで、真空容器１に通じる図示してない
ゲートバルブ室を閉じ、ターゲット保持具２をモータ３
により回転させるとともにターゲット保持具２を垂直に
セットし、さらに，所定の真空度にしてからイオン源１
０よりイオンビームライン１１を通して所定のエネルギ
ーと電流値に制御したイオンビーム， たとえば、 Ｂ
＋ ，Ｐ＋ ， Ａｓ＋ ， Ｓｉ＋ ， Ｇｅ＋など
をターゲット４の表面に注入する。
ゲートバルブ室を閉じ、ターゲット保持具２をモータ３
により回転させるとともにターゲット保持具２を垂直に
セットし、さらに，所定の真空度にしてからイオン源１
０よりイオンビームライン１１を通して所定のエネルギ
ーと電流値に制御したイオンビーム， たとえば、 Ｂ
＋ ，Ｐ＋ ， Ａｓ＋ ， Ｓｉ＋ ， Ｇｅ＋など
をターゲット４の表面に注入する。
【００２３】これにより、ターゲット４をターゲット保
持具２に載置したあと、殆ど待ち時間なくイオン注入が
開始できるので、従来装置に比較してスループットが約
２倍に向上し、しかも，ビームアニール効果による品質
劣化の発生を防止することができる。
持具２に載置したあと、殆ど待ち時間なくイオン注入が
開始できるので、従来装置に比較してスループットが約
２倍に向上し、しかも，ビームアニール効果による品質
劣化の発生を防止することができる。
【００２４】なお、本発明の場合にはターゲット保持具
２上のターゲット４の載置部分は液体窒素温度といった
極めて低温に長く曝されるので、表面に低温に弱い滑り
止めのシリコーンゴムなどを張ることはできない。した
がって、ターゲット４の滑り止め機構としては別にター
ゲット吸着機構，たとえば、静電チャックなどを使用す
る必要がある。
２上のターゲット４の載置部分は液体窒素温度といった
極めて低温に長く曝されるので、表面に低温に弱い滑り
止めのシリコーンゴムなどを張ることはできない。した
がって、ターゲット４の滑り止め機構としては別にター
ゲット吸着機構，たとえば、静電チャックなどを使用す
る必要がある。
【００２５】図２は本発明の他の実施例を示す図である
。図中、５ｂはアンロード用のロードロック室、１４は
乾燥ガス導入管、１５はバルブ、１６は加熱装置、１７
は加熱用電源である。なお、前記の諸図面で説明したも
のと同等の部分については同一符号を付し、かつ、同等
部分についての説明は省略する。
。図中、５ｂはアンロード用のロードロック室、１４は
乾燥ガス導入管、１５はバルブ、１６は加熱装置、１７
は加熱用電源である。なお、前記の諸図面で説明したも
のと同等の部分については同一符号を付し、かつ、同等
部分についての説明は省略する。
【００２６】本実施例は前記図１で説明した本発明の一
実施例によりイオン注入を行ったあとターゲット４を大
気中に取り出すための装置構成の例を示したものである
。すなわち、イオン注入が終了したら、イオン源１０を
オフにしターゲット保持具２ を水平に倒して回転を止
め、ロードロック室５ｂと真空容器１との間の図示して
ないゲートバルブ室を開け、ターゲット４ の搬入の時
と逆にターゲット搬送用マジックハンド１３を用いてロ
ードロック室５ｂの中のターゲットカセット６にイオン
注入が終わったターゲット４を搬出・収容する。
実施例によりイオン注入を行ったあとターゲット４を大
気中に取り出すための装置構成の例を示したものである
。すなわち、イオン注入が終了したら、イオン源１０を
オフにしターゲット保持具２ を水平に倒して回転を止
め、ロードロック室５ｂと真空容器１との間の図示して
ないゲートバルブ室を開け、ターゲット４ の搬入の時
と逆にターゲット搬送用マジックハンド１３を用いてロ
ードロック室５ｂの中のターゲットカセット６にイオン
注入が終わったターゲット４を搬出・収容する。
【００２７】次に、バルブ１５を開けて加熱された乾燥
ガス， たとえば、１ 気圧のＨｅガスを乾燥ガス導入
管１４を通じてロードロック室５ｂの中に導入する。な
お、乾燥ガス導入管１４には加熱装置１６， たとえば
、電熱ヒータが設置されており、加熱用電源１７から通
電することにより所定の温度になるように温度制御され
る。
ガス， たとえば、１ 気圧のＨｅガスを乾燥ガス導入
管１４を通じてロードロック室５ｂの中に導入する。な
お、乾燥ガス導入管１４には加熱装置１６， たとえば
、電熱ヒータが設置されており、加熱用電源１７から通
電することにより所定の温度になるように温度制御され
る。
【００２８】そして、ロードロック室５ｂの中のターゲ
ット４ がほゞ室温になったらゲートバルブ室７ｃを開
けて、ターゲット４ が収納されたターゲットカセット
６ を大気中に取り出せばよい。このようにした結果、
イオン注入を液体窒素温度のような極めて低い温度で行
っても、大気中にターゲット４ を取り出した時にター
ゲット４の表面に結露することはなく，したがって、汚
染などが生じることがなく製品の品質・信頼性が向上す
る。
ット４ がほゞ室温になったらゲートバルブ室７ｃを開
けて、ターゲット４ が収納されたターゲットカセット
６ を大気中に取り出せばよい。このようにした結果、
イオン注入を液体窒素温度のような極めて低い温度で行
っても、大気中にターゲット４ を取り出した時にター
ゲット４の表面に結露することはなく，したがって、汚
染などが生じることがなく製品の品質・信頼性が向上す
る。
【００２９】なお、加熱装置としては電熱線によるもの
とは限らず、ランプによる赤外線加熱などを用いてもよ
く、また， 乾燥ガスも水素その他熱伝導率の高いガス
を使用してよいことは勿論である。
とは限らず、ランプによる赤外線加熱などを用いてもよ
く、また， 乾燥ガスも水素その他熱伝導率の高いガス
を使用してよいことは勿論である。
【００３０】上記実施例は例を示したもので本発明の趣
旨に反しない限り、各部に使用する素材や構成などは適
宜他のものを選択使用してよいことは言うまでもない。
旨に反しない限り、各部に使用する素材や構成などは適
宜他のものを選択使用してよいことは言うまでもない。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によればタ
ーゲット４は予め冷却されているのでターゲット保持具
２へ載置したあと、殆ど待ち時間なく直ちにイオン注入
を開始でき、したがって、スループットが大巾に向上す
る。また、極めて低温に冷却されたターゲット４は予め
室温近くに加熱されてから大気中に取り出されるので、
ターゲット４の表面に結露することはなく，したがって
、汚染などが生じることがなく、製品，たとえば、半導
体装置の生産性および品質・信頼性の向上に寄与すると
ころが極めて大きい。
ーゲット４は予め冷却されているのでターゲット保持具
２へ載置したあと、殆ど待ち時間なく直ちにイオン注入
を開始でき、したがって、スループットが大巾に向上す
る。また、極めて低温に冷却されたターゲット４は予め
室温近くに加熱されてから大気中に取り出されるので、
ターゲット４の表面に結露することはなく，したがって
、汚染などが生じることがなく、製品，たとえば、半導
体装置の生産性および品質・信頼性の向上に寄与すると
ころが極めて大きい。
【図１】本発明の一実施例を示す図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す図である。
【図３】従来の半導体製造装置のターゲット冷却・搬送
機構の例を示す図（その１）である。
機構の例を示す図（その１）である。
【図４】従来の半導体製造装置のターゲット冷却・搬送
機構の例を示す図（その２）である。
機構の例を示す図（その２）である。
【図５】ターゲット保持具へのターゲットの載置状態を
示す断面図である。
示す断面図である。
１は真空容器、２はターゲット保持具、３はモータ、４
はターゲット、５（５ａ，５ｂ）はロードロック室、６
はターゲットカセット、７（７ａ，７ｂ，７ｃ）はゲー
トバルブ室、８はガス室、９は冷却室、１２は冷却材導
入管、１４は乾燥ガス導入管、１６は加熱装置、１７は
加熱用電源、９０は冷却媒体
はターゲット、５（５ａ，５ｂ）はロードロック室、６
はターゲットカセット、７（７ａ，７ｂ，７ｃ）はゲー
トバルブ室、８はガス室、９は冷却室、１２は冷却材導
入管、１４は乾燥ガス導入管、１６は加熱装置、１７は
加熱用電源、９０は冷却媒体
Claims (2)
- 【請求項１】 真空容器（１） 内の冷却したターゲ
ット保持具（２） 上にロードロック室（５ａ）からタ
ーゲット（４） を搬送， 載置し、ターゲット（４）
表面にイオン注入を行ったあと、該ターゲット（４）
をロードロック室（５ｂ）へ搬送， 収容するように
構成されてなる半導体製造装置において、前記ターゲッ
ト（４） を前記ターゲット保持具（２） 上に搬送，
載置するに先立って、予め冷却する機構を有すること
を特徴とした半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記ターゲット（４） へのイオン注
入のあと、大気中に取り出す前に前記ターゲット（４）
を予め加熱して温度を上げる機構を具備することを特
徴とした請求項１記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40298690A JPH04216619A (ja) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40298690A JPH04216619A (ja) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04216619A true JPH04216619A (ja) | 1992-08-06 |
Family
ID=18512741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40298690A Withdrawn JPH04216619A (ja) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04216619A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008021974A (ja) | 2006-05-26 | 2008-01-31 | Cree Inc | 高温イオン注入装置、および高温イオン注入を用いて半導体デバイスを製造する方法 |
| WO2008042647A2 (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for improved damage control in a plasma doping (plad) ion implantation |
| JP2010500734A (ja) * | 2006-08-15 | 2010-01-07 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 低温イオン注入技術 |
| JP2012513092A (ja) * | 2008-12-19 | 2012-06-07 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | 凝縮性ガス冷却システム |
| JP2013527578A (ja) * | 2010-05-28 | 2013-06-27 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | ワークピース上の結露を防ぐためのアクティブ露点検出およびロードロック通気 |
| WO2015016039A1 (ja) * | 2013-07-29 | 2015-02-05 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | イオンミリング装置、及びイオンミリング装置を用いた加工方法 |
| JP2016094638A (ja) * | 2014-11-13 | 2016-05-26 | 株式会社島津製作所 | 成膜装置 |
-
1990
- 1990-12-18 JP JP40298690A patent/JPH04216619A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008021974A (ja) | 2006-05-26 | 2008-01-31 | Cree Inc | 高温イオン注入装置、および高温イオン注入を用いて半導体デバイスを製造する方法 |
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| US8319196B2 (en) | 2006-08-15 | 2012-11-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for low-temperature ion implantation |
| WO2008042647A2 (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for improved damage control in a plasma doping (plad) ion implantation |
| WO2008042647A3 (en) * | 2006-09-29 | 2008-06-05 | Varian Semiconductor Equipment | Technique for improved damage control in a plasma doping (plad) ion implantation |
| JP2012513092A (ja) * | 2008-12-19 | 2012-06-07 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | 凝縮性ガス冷却システム |
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| WO2015016039A1 (ja) * | 2013-07-29 | 2015-02-05 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | イオンミリング装置、及びイオンミリング装置を用いた加工方法 |
| JP6078646B2 (ja) * | 2013-07-29 | 2017-02-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンミリング装置、及びイオンミリング装置を用いた加工方法 |
| US10515777B2 (en) | 2013-07-29 | 2019-12-24 | Hitachi High-Technologies Corporation | Ion milling device and processing method using the ion milling device |
| JP2016094638A (ja) * | 2014-11-13 | 2016-05-26 | 株式会社島津製作所 | 成膜装置 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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