JPH04214231A - 記録担体形成方法及び装置 - Google Patents

記録担体形成方法及び装置

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JPH04214231A
JPH04214231A JP3020303A JP2030391A JPH04214231A JP H04214231 A JPH04214231 A JP H04214231A JP 3020303 A JP3020303 A JP 3020303A JP 2030391 A JP2030391 A JP 2030391A JP H04214231 A JPH04214231 A JP H04214231A
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forming
radiation
signal
energy
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Johannes Leopoldus Bakx
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、記録層の光学特性に変
化をもたらすのに適した書込みエネルギーの放射パルス
により記録層を局部的に加熱することにより、光学特性
が変化した領域を有する記録層を具える記録担体を形成
する記録担体形成方法に関するものである。
【0002】本発明は更に、光学特性を変化させた領域
を有する記録層を具える記録担体を形成する記録担体形
成装置であって、書込みビームにより記録層を走査する
手段と、放射ビームのエネルギーを変調し、光学特性の
変化をもたらすのに適した書込みエネルギーを有する放
射パルスを得る手段と、書込みエネルギーを調整する手
段と、変化した光学特性を表わす特性が、走査されてい
る記録担体の部分から生じる放射中に生じる割合を検出
するように配置した検出手段とを具える記録担体形成装
置に関するものである。
【0003】
【従来の技術】このような方法及び装置は特に米国特許
第4,225,873号明細書から既知である。この米
国特許明細書には、光学記録担体の放射感応層中の光学
特性を変化された領域のパターンの形態で情報を記録す
る光学情報記録装置が記載されている。このようにして
形成されたパターンを確認する為に、このパターンは領
域が形成されている間に追加の確認ビームにより読出さ
れる。読出されたパターンに基づいて書込みエネルギー
が予め定めた基準に従って常に適合され、記録された領
域が記録担体表面のよごれ或いは書込みビームにより放
射感応層上に形成された走査スポットの形状の変化のよ
うな記録条件の変化に殆ど依存しないようにしている。 放射感応層を追加の確認ビームにより走査するとある問
題が生じる。その理由は、これを達成するのは技術的に
困難であり、装置が高価となる為である。この問題は特
に消費者市場に当てはまるものである。その理由は、こ
の場合価格問題が追加の重要点となる為である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、書込
みエネルギーを常に簡単に適合せしめうる前述した記録
担体形成方法及び装置を提供せんとするにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明記録担体形成方法
は、記録層の光学特性に変化をもたらすのに適した書込
みエネルギーの放射パルスにより記録層を局部的に加熱
することにより、光学特性が変化した領域を有する記録
層を具える記録担体を形成するに当り、前記の領域を形
成する速度の目安を決定し、この決定した目安に応じて
書込みエネルギーを決定することを特徴とする。
【0006】又、本発明記録担体形成装置は、光学特性
を変化させた領域を有する記録層を具える記録担体を形
成する記録担体形成装置であって、書込みビームにより
記録層を走査する手段と、放射ビームのエネルギーを変
調し、光学特性の変化をもたらすのに適した書込みエネ
ルギーを有する放射パルスを得る手段と、書込みエネル
ギーを調整する手段と、変化した光学特性を表わす特性
が、走査されている記録担体の部分から生じる放射中に
生じる割合を検出するように配置した検出手段とを具え
る記録担体形成装置において、領域を形成する速度を表
わす形成速度信号を測定信号から取出す測定手段と、形
成速度信号に応じて書込みエネルギーを決定する手段と
を具えたことを特徴とする。
【0007】本発明は特に、形成した記録領域の寸法は
これら領域を形成する速度に関連しているという認識を
基に成したものである。領域を形成する速度に応じて書
込みエネルギーを適合させることにより領域の寸法に及
ぼす記録条件の変化による影響を減少せしめることがで
きる。
【0008】領域を形成する速度の目安を極めて簡単に
得る本発明方法の例では、前記の領域の形成中、放射ビ
ームから生じ前記の記録担体から反射された或いはこの
記録担体を透過した放射の放射特性であって、変化した
光学特性を表わす放射特性を検出し、放射特性が生じて
いる割合に基づいて形成速度の目安を取出すようにする
【0009】本発明の方法の他の例では、放射パルスの
開始瞬時から予め決定した期間後に位置する瞬時に前記
の放射特性が放射中に生じる割合を決定することにより
速度の目安を得、これにより決定した割合と前記の放射
特性が瞬時的な放射中に生じる割合との間の差を放射パ
ルスの開始瞬時から予め定めた期間後に位置する一定長
の測定期間中積分する。
【0010】本発明の方法の更に他の例では、光学特性
がまだ生じていない層の一部を照射する場合に放射特性
が生じる割合で除算することにより速度の目安を正規化
する。
【0011】本例の場合、まだ書込みを行っていない層
の光学特性のいかなる変化も形成速度信号を決定する処
理に悪影響を及ぼさないという利点が得られる。書込み
エネルギーの設定を極めて正確に適合させる本発明の方
法の更に他の例では、校正処理中異なる書込みエネルギ
ーの放射パルスにより領域を形成し、予め定めた基準に
応じて形成した最適形状の領域を選択し、最適形状の領
域の形成中に得た形成速度の前記の目安を基準値として
用い、他の領域の形成中の書込みエネルギーを前記の基
準値と前記の他の領域の形成中に取出した形成速度の目
安との差に依存して決定する。この方法では、書込みエ
ネルギーが、用いる層に対し最適な基準信号値に基づい
て適合される。
【0012】更に、領域の信頼的な形成がもはや保証さ
れ得ない程度に記録条件が変化する場合には、本発明に
よる方法ではこのことを書込みエネルギーの設定に基づ
いて検出しうるようにする。この特性を有利に利用する
本発明方法の実施例では、決定した書込みエネルギーが
予め定めた期間よりも長い期間の間特定の限界値よりも
大きいか、この限界値に等しい場合に、領域の形成を中
止する。
【0013】以下図面につき説明する。変調した光学特
性を有する領域を層中に形成する通常の方法では、この
層をパルス状のエネルギーの放射ビームによって走査し
ている。適切な書込みエネルギーの各放射パルスにより
前記の層の1つの領域を、これにより光学的に検出しう
る変化、例えば反射率の変化、構造の変化又は磁化極性
の変化を生ぜしめるような高温度に加熱する。以後、変
調した光学特性を有する領域を簡単に“結果”と称する
。結果を形成するのに適した記録担体は、例えば加熱さ
れると構造が永久的に変化する染料の層を有する基板を
具えるようにすることができる。或いは又、結果を形成
するのに適した層は、加熱されると結晶から非晶質構造
に又はその逆に変化する材料、或いは層の加熱部分で磁
化方向が変化する磁気‐光学材料を有するようにするこ
とができる。結果形成処理は特に、放射ビームにより層
上に形成された走査スポット中の放射エネルギーの分布
に依存するということが確かめられている。図1は一例
として単位面積当りの放射エネルギーIを走査スポット
の中心X0 からの距離Xの関数として示す。走査スポ
ット中のエネルギー分布は、例えば放射ビームが層に入
射される角度のような記録状態に著しく依存する。放射
ビームを層に照射する光学系における変化によっても走
査スポット内のエネルギー分布に影響を及ぼすおそれが
ある。結果を形成するのに不可避なこのようなエネルギ
ー分布の変化はこのようにして形成される結果の寸法に
著しい影響を及ぼす。放射ビームを透明基板を介して層
に向ける場合には、例えば指跡のような基板表面のよご
れによっても走査スポット内のエネルギー分布に、従っ
て結果の寸法に著しい影響を及ぼす。
【0014】エネルギー分布の変化による不所望な影響
は、結果を形成する速度をほぼ一定に維持するように放
射パルスの書込みエネルギーを適合させることにより可
成り減少せしめることができるということが確かめられ
ている。結果の形成中は、結果が層から反射される放射
に及ぼす影響から前記の速度を決定する手段を得ること
ができる。例えば、放射ビームによる加熱による影響の
下で構造が変化する材料を以て層を形成する場合には、
領域を形成する速度を、層から反射される放射の量の変
化から取出すことができる。磁気‐光学材料を用いる場
合には、反射された放射ビームにおける偏光方向の変化
を検出することによって前記の速度を取出すことができ
る。放射ビームを照射すると構造が変化する材料の層の
場合で、この層にパルス幅Tの定エネルギー放射パルス
を照射する場合に、層から反射される放射エネルギーP
1を時間tの関数として図2に示す。放射パルスの開始
時(t=0)では、反射率を減少させた結果の形成はま
だ行われておらず、反射された放射のエネルギーは高く
なる。放射により加熱が生ぜしめられる為、結果が広が
り、反射されたエネルギーPは結果が形成される速度に
関連する割合で減少する。結果を形成する速度の目安は
例えば、放射パルスの開始時における反射放射エネルギ
ーPiO と、放射パルスの開始時に対し予め定めた時
間間隔ΔTだけシフトした瞬時t1における反射放射エ
ネルギーPi1 との差ΔPとすることができる。記録
領域を形成する速度に対する他の極めて適した目安α′
は次の数1
【数1】 で与えられる。ここにt2は放射パルスの開始から一定
期間後の瞬時であり、ΔT2は放射パルスが発生してい
る期間内に完全に入っている一定長の期間である。
【0015】図2において、斜線を付した領域1は、t
2が放射パルスの開始と一致し、期間ΔT2がパルス持
続時間Tに等しくなった場合の目安α′の大きさを表わ
す。
【0016】結果がまだ形成されていない層(以後非刻
層と称する)の反射率によって放射の反射に変化を与え
るおそれがあることに注意すべきである。これらの変化
は結果形成速度の目安α′を決定する際に誤り(エラー
)を導入する。これらの誤りの影響は、非刻層の反射率
の目安を決定し、この目安により、決定された目安α′
を割ることにより目安α′を正規化する。非刻層の反射
率の目安は、放射ビームのエネルギーをこの層からの放
射の反射変化が放射パルスの直前に生じない特定の低レ
ベルに設定し且つ反射した放射エネルギーを非刻層の反
射率の目安として選択することにより決定しうる。
【0017】
【実施例】図3は、結果を形成する速度を表わす形成速
度信号に応じて書込み速度を調整する本発明による装置
の一実施例を示す。符号2は、特定の書込み温度以上に
加熱した際に光学的に検出しうる変化を受ける層3が設
けられたディスク状記録担体を示す。このような記録担
体は、例えば透明基板4を有し、この基板上に層3を堆
積するようにしうる。記録担体は通常の駆動システム5
により軸線6を中心に回転せしめられる。回転している
記録担体2に対向して通常の種類の光学的な書込みヘッ
ド8が配置され、放射ビーム7を層3に照射する。この
目的の為に、このような書込みヘッド8には例えば放射
ビーム7を発生するレーザ9の形態の放射源と、放射ビ
ーム7を層3上に集束させる集束用対物レンズとを設け
る。制御回路13は、調整信号値Ikに比例する書込み
エネルギーPsと調整信号値Ilに比例する低エネルギ
ーPlとの間の2値情報信号(図4a参照) に応じて
レーザ9により生ぜしめるビーム7のエネルギーを制御
する。書込みエネルギーPsはビーム7によって局部的
に走査される層3の部分を書込み温度以上の温度に加熱
するのに充分に高い。エネルギーPlは層3を書込み温
度以上の温度に加熱するのに適していない。
【0018】図4aは放射ビーム7の放射エネルギーP
の変化の一例を示す。この図は、一定の書込みエネルギ
ーPsのパルスを、ビームの放射エネルギーが低エネル
ギーPlに設定された期間と交互に発生せしめるように
したパルス状期間として強度変化を与えた例を示す。
【0019】このようなエネルギーPの変化の為に、光
学特性が変化した結果41のパターンが層3に形成され
る(図4c参照) 。層3における変化は光学的特性に
関するものである為、層3から反射された放射ビームは
光学特性の変化を表わす特性を表わす。光学特性の変化
が反射率の変化或いは構造上の変化である層の場合には
、反射ビームのエネルギーが光学特性に得られる変化を
表わす。層3が、磁化方向を放射パルスにより局部的に
変化させる磁気‐光学層である場合には、この変化は反
射放射の偏光方向の変化として反射ビームに現れる。光
学特性の変化を表わす反射ビームの特性を検出する為に
、書込みヘッド8はビーム分割素子、例えばハーフミラ
ー10を有し、反射された放射ビームを適切な検出シス
テム11に向ける。この検出システム11は、検出され
る特性が反射ビーム中に生じる割合を表わす信号Vmを
生じる。信号Vmの変化の一例を時間tの関数として図
4bに示す。結果の形成速度の目安は調整回路12にお
いて信号Vmから取出され、結果形成速度の為に取出さ
れる目安がほぼ一定に維持されるような書込みエネルギ
ーPを適合させる。
【0020】図5は結果形成速度の目安αを以下の数2
【数2】 に応じて決定する適切な測定回路50を示す。ここにV
m(0) は放射パルスの1つの開始時における測定信
号Vmの値であり、Vm(t) は放射パルス中の測定
信号の瞬時値であり、Vml は放射パルス間の測定信
号の値を表し、Tは放射パルスの開始に続く積分期間を
表わす。
【0021】図4では、斜線を付した領域の大きさがα
の値を表わす。値Vm(0) 及びVml を決定する
為に、測定回路50は、測定信号Vmが供給される第1
サンプル・ホールド回路51及び第2サンプル・ホール
ド回路52を有する。通常、制御回路53は信号Vin
 からサンプル・ホールド回路51及び52に対する制
御信号を取出し、サンプル・ホールド回路51がその都
度放射パルスの開始時に測定信号をサンプリングし、そ
の値を次のサンプリング瞬時まで保持し、一方サンプル
・ホールド回路52は例えば放射パルスの終了後の固定
瞬時で各2つの放射パルス間のVmの値をサンプリング
し、この値を次のサンプリング処理まで保持する。
【0022】サンプル・ホールド回路51の出力端子は
電流源54の制御入力端子に結合され、この電流源54
が電流をコンデンサ55に供給する。この電流源54は
その制御入力端子における信号値に比例する値の電流を
生じる種類のものとする。測定信号Vmは他の電流源5
6にも供給され、この電流源56が測定信号Vmに比例
する値の電流をコンデンサ55から引き出すようにする
。このコンデンサ55には第3サンプル・ホールド回路
57の入力端子が接続されている。このサンプル・ホー
ルド回路57は制御回路53により、放射パルスの開始
瞬時に対し期間T(T=0を含む)だけシフトした瞬時
にコンデンサ55の両端間の電圧がサンプリングされ次
のサンプリング期間まで保持されるように制御される。 サンプル・ホールド回路57によって行われるサンプリ
ング処理と次の放射パルスの開始時との間の期間中はコ
ンデンサ55が制御回路53によって制御されるスイッ
チ58により短絡される。このようにして、サンプル・
ホールド回路51の出力端子における測定信号Vm(0
) と測定信号Vmの瞬時値との間の差の積分値がサン
プル・ホールド回路57の出力端子に常に得られる。 この積分値が結果を形成する速度の目安である。サンプ
ル・ホールド回路57の出力端子における信号は結果形
成速度の目安として直接用いうる。しかし、結果形成速
度に関係しない層3の光学特性の変化によって生じる信
号Vmの変化を減少せしめる為に、サンプル・ホールド
回路57の出力端子に得られる積分値をサンプル・ホー
ルド回路52の出力信号で割ることによりこの積分値を
正規化するのが好ましい。この目的の為に、測定回路5
0が除算回路59を有する。この除算回路59の出力端
子における正規化信号を以後正規化形成速度信号α(t
) と称する。
【0023】正規化形成速度α(t) を決定する為に
は、積分期間を放射パルスの開始に連続させる必要がな
いことに注意すべきである。或いはまた、積分期間を放
射パルスの開始から一定の期間だけシフトさせることが
できる。しかし、信号Vmの変化は放射パルスの開始直
後に最大となる為、積分期間を放射パルスの開始に連続
させるので好ましい。
【0024】更に、結果形成速度を表わす信号を決定す
る為には、測定信号Vmを積分する必要はないことに注
意すべきである。原理的には、測定信号が変化する速度
、従って結果形成速度を異なる方法でも決定しうる。こ
の決定は例えば、放射パルスの開始後で予め決定した2
つの瞬時間での測定信号の差を決定することにより可能
となる。更に、放射パルスの幅は放射パルスの開始時に
おける結果形成速度に影響を及ぼさない為、通常情報信
号記録で生じるような異なる幅の放射パルスに対し結果
形成速度の目安を匹敵しうるものとする。
【0025】上述した実施例は、反射放射の量が結果の
成果として減少するいわゆる“ブラック記録”層に適用
される。しかし、本発明は、反射放射の量が結果の成果
として増大するいわゆる“ホワイト記録”層にも適用し
うる。
【0026】図6は正規化形成速度信号α(t) に依
存して放射ビーム7の書込みエネルギーを適合させる回
路60を示す。この図中では、これまでの図中の素子に
対応する素子に同じ符号を付してある。回路60では、
差分段61が正規化形成速度信号α(t) と基準信号
αo との間の差を決定する。これによって決定された
差は通常の制御回路、例えば積分段62を有する制御回
路に供給される。この積分段62は、これに供給される
信号の時間積分である信号値の出力信号を生じる型のも
のとする。この積分段の出力信号Δiは、必要に応じ信
号リミッタ段63を介して、加算段64に供給される。 この加算段64は放射ビーム7の書込みエネルギーPs
の公称設定値を表わす信号値Iho の信号をも受ける
。この加算段64は、書込みエネルギーPsを所望のも
のにする積分値を有する出力信号を生じる。回路60は
以下のように動作する。調整信号値Iho により表さ
れる書込みエネルギーRの公称値は、得られる結果の大
きさが最適な書込み条件で最適となるように選択する。 この場合基準信号αo は対応する結果形成速度を表わ
す。書込み条件が変化する場合には、結果は公称書込み
エネルギーで最適な寸法を有さなくなる。従って、基準
信号αo と正規化形成速度信号α(t) との間に偏
差が生じる。これが為、積分段62の出力信号ΔI 、
従って書込みエネルギーPsの適応が変化する。この様
にして正規化形成速度信号α(t) と基準信号αo 
との間の差が最小となるように書込みエネルギーが常に
適合される。書込み領域の寸法は結果形成速度に厳密に
相関している為、書込み条件が変化する場合に書込み領
域の寸法がほぼ最適となるように適合が行われる。
【0027】前述したように、積分段62の出力信号は
リミッタ段63を経て加算段に供給しうる。信号リミッ
タ段63は、供給された信号が特定のリミット(限界)
値を越える場合にこの信号リミッタ段を通過する信号を
この特定のリミット値に制限する通常の種類のものとす
る。信号リミッタ段63を用いるのは特に、書込みエネ
ルギーPsの適応による補償が最早や不可能となる程度
に激しく記録(書込み)条件が変化するおそれがある場
合に有利である。この場合、信号リミッタ段63を用い
ることにより書込みエネルギーの設定値Psがレーザ9
又は記録担体2を損傷せしめる程度に大きくなるのを防
止する。入力信号が長期間リミット値を越えると、この
ことにより、記録領域への情報を最早や信頼的なものと
みなしえない程度に激しく記録条件が変化したというこ
とをも表している。従って、このような場合には記録領
域の形成を中止するのが好ましい。この中止は、例えば
、予め定めた期間よりも長い期間の間入力信号がリミッ
ト値を越えるということを表わす信号リミッタ段63か
らのモニタ信号によって行うことができ、このモニタ信
号は情報信号Viと一緒にゲート回路、例えばAND 
ゲート65に供給し、このAND ゲート65によりモ
ニタ信号に応じて情報信号Viの伝送を中止することが
できる。
【0028】図6における信号リミッタ段63の位置は
図示の位置に限定されず、加算段64と制御回路13と
の間にすることもできることに注意すべきである。所望
の書込みエネルギーの設定値が予め定めた期間よりも長
い期間の間特定のリミット値よりも大きいかこの値に等
しいか否かを表わすモニタ信号の発生に関しては、種々
の方法で実現しうること当業者にとって明らかである。 公称書込みエネルギーを表わす調整信号値Iho 及び
基準信号αo は一定値にすることができる。しかし、
書込みエネルギーの設定の精度に極めて厳しい条件が課
せられている場合には、結果パターンの実際の記録の前
に少なくとも基準値αo を別の校正処理で決定するの
が好ましい。このような校正処理中に書込みエネルギー
の種々の設定値に対し結果の検査パターンが形成され、
形成されたこれらの検査パターンに基づいて最適寸法の
パターンに属する形成速度信号αが基準信号αo とし
て選択される。最適寸法の結果のパターンを決定する装
置は、特にオランダ国特許出願第8,901,591 
号及び第8,901,345 号明細書に記載されてお
り、これら明細書に記載された装置はそれぞれ光学手段
及び磁気手段によって光学特性の変化した結果のパター
ンを形成するものである。これらの特許出願明細書に記
載された校正処理では、検査情報パターンが記録担体上
のトラック中のアドレス可能な位置に異なる書込みエネ
ルギーPsで記録されている。これらの検査情報パター
ンは後に読出され、読出された情報に基づいて最適な書
込み強度の検査情報パターンが選択され、基準信号αo
 が、選択された検査情報パターンに対応する形成速度
信号αに適合される。調整信号値Iho と基準信号α
o とを校正処理で決定する記録装置の一実施例を図7
に示す。この記録装置はモータ100 の形態の駆動手
段と、放射感応記録担体4′を軸線102 を中心とし
て回転させるターンテーブル101 とを有する。この
記録担体は、サーボトラックのトラック情報の形態でア
ドレス情報が記録された種類のものとする。このような
記録担体4′はオランダ国特許出願第8,800,15
1 号、第8,900,766 号及び第89,001
,145号に詳細に記載されている。これらの特許出願
明細書に記載された記録担体は、ウォブル(揺れ) の
周波数がアドレス符号ATIPを有する位置情報信号に
従って変調されるウォブリングサーボトラックを有して
いる。回転する記録担体4′に対向して通常の型の光学
的な読出し/書込みヘッド105 が配置されており、
この読出し/書込みヘッド105 は、例えばモータ1
03 及び軸104 を有する位置決め装置により記録
担体4′に対して径方向に移動しうる。読出し/書込み
ヘッド105 は所望に応じ情報パターンを形成するの
と情報パターンを読出すのと双方に用いることができる
。この目的の為に、読出し/書込みヘッド105 は駆
動回路107 により調整しうる放射エネルギーを有す
る放射ビーム107aを発生する半導体レーザを有する
ようにする。この放射ビーム107aは既知のように記
録担体4′のサーボトラックをねらっている。このビー
ム107aは次に記録担体4′から部分的に反射され、
反射されたビームはトラックウォブルに応じて且つ情報
パターンが存在する場合にはこの情報パターンに応じて
も変調される。反射したビームは放射感応検出器108
aに向けられ、この検出器がビーム変調に対応する読出
し信号Vl″を発生する。この信号Vl″はトラックウ
ォブルにより生ぜしめられ通常の走査速度で約22KH
z である周波数の成分を有している。モータ100 
の速度は、このモータを制御するモータ制御回路108
 により、読出し信号Vl″中のトラックウォブルによ
り生ぜしめられた成分の周波数がほぼ22KHz に等
しく保たれるように制御される。読出し信号Vl″は検
出回路109 にも供給され、この検出回路により読出
し信号Vl″中のトラックウォブル成分からアドレス符
号ATIPを生ぜしめ、これらアドレス符号を例えば、
マイクロコンピュータ110を有する制御ユニットに供
給する。読出し信号Vl″は更に高域通過特性を有する
増幅回路111 に供給され、トラックウォブルにより
読出し信号Vl″中に生ぜしめられる信号成分を除去す
る。これにより低周波成分が除去された読出し信号Vl
′が分析回路65に供給される。この分析回路は例えば
前記のオランダ国特許出願第8,901,591 号明
細書に詳細に説明されている種類のものとすることがで
きる。この分析回路65の出力端子における分析信号V
aはパターンが最適パターンからずれている程度を表し
、この信号もマイクロコンピュータ110 に供給され
る。記録装置はさらに通常のCIRC符号化回路112
 を有し、このCIRC符号化回路には、マイクロコン
ピュータ110 により制御されるスイッチ115 を
介して、記録すべき信号Viを供給しうる。このCIR
C符号化回路112 はEFM 変調器113 と直列
に配置されている。EFM 変調器113 の出力端子
は駆動回路107 に接続されている。この駆動回路1
07 は、制御信号を受ける為にマイクロコンピュータ
110 に結合された可制御型とする。駆動回路107
 はマイクロコンピュータ110 から受けた制御信号
に応じて、発生せしめられた放射ビーム107aを一定
の低エネルギーPlに設定するか、或いは駆動回路10
7 は放射ビームのエネルギーをEFM 変調器113
 から受けたEFM 被変調信号に応じて低エネルギー
Pl及び書込みエネルギーPs間に設定する。更に、書
込みエネルギーPsはマイクロコンピュータ110 に
より調整せしめることができる。検査情報パターンを発
生させる目的の為に、図9に示す記録装置は信号発生器
114 を有し、この信号発生器により例えばランダム
なデジタル信号を発生せしめるか或いはアナログ信号値
零に相当する信号(デジタルサイレンス信号)を発生せ
しめる。 検査情報パターンは記録担体4′のサーボトラック中の
アドレス可能位置に形成するのが好ましい。記録担体4
′のフォーマットが前述したオランダ国特許出願第8,
900,766 号明細書に記載されたようなものであ
り、サーボトラックが順次に、内容の一次テーブル(一
時TOC)を記録する領域(PMA) 、内容の限定テ
ーブル(TOC) を記録する領域(Lead In 
Area)及びプログラム領域(Program Ar
ea)に分割されている場合には、検査情報パターンは
内容の一時テーブルを記録する領域(PMA) に先行
する領域(PCA) に記録するのが好ましい。
【0029】マイクロコンピュータ110 には、公称
値Iho 及び基準信号αo を決定する処理を行わし
めるのに適した制御プログラムがローディングされてい
る。このようなプログラムの一例のフローチャートを図
8に示す。 ステップS1では、検査情報パターンを記録するのに用
いるべきトラック部分のアドレスが決定される。ステッ
プS2では、このアドレスを有するトラック部分がマイ
クロコンピュータ110 の制御の下に置かれる。この
トラック部分の領域に達すると、ステップS3において
書込みレベルPsが初期値Poに設定される。関連の記
録担体に対するPoの値は前記のオランダ国特許出願第
8,901,145 号明細書に記載されているように
して記録担体上に予め記録しておくのが適している。こ
の場合、この値は調整サイクルの前に読出すことができ
る。更に、マイクロコンピュータ110による制御の下
で、信号発生器114 が可制御スイッチ115 によ
りCIRC符号化回路112 に接続され、信号発生器
の出力信号により決定されたEFM 被変調検査信号が
EFM 変調器116 により生ぜしめられる。最後に
、ステップS4で、駆動回路107 は制御信号L/S
 により、放射ビーム107aのエネルギーがEFM変
調器113 の出力端子におけるEFM 被変調信号V
efmに応じて書込みエネルギーPsの選択値とエネル
ギーPlとの間で切換えられ、これによりEFM 信号
に対応する検査情報パターンが記録されるように設定さ
れる。ステップS4では更に、対応する正規化形成速度
信号α(t) が測定回路50によって決定され、これ
がエネルギー設定値Plに対応する読出し信号Ihと一
緒にマイクロコンピュータ110 に記憶される。ステ
ップS5では、検出回路109 により検出されたアド
レス符号ATIPがコンピュータ110 によって読出
される。ステップS6では、このアドレス符号が前に読
出されたものと比べて変わっているか否かが確認される
。変わっていない場合には、ステップS6が繰り返され
る。変わった場合には、ステップS7で、読出された絶
対時間符号が検査パターンを記録するためのトラック部
分の終了を表しているか否かが検査される。この終了を
表していない場合には、ステップS8が行われ、このス
テップS8で調整信号値ihを適合させることにより書
込みエネルギーPsを少量ΔS だけ増大させ、その後
プログラムがステップS5に進む。ステップS7で、記
録するためのトラック部分の終了部に達したことが分か
ると、ステップS9が行われ、このステップで駆動回路
107 は制御信号L/S により放射ビーム107a
のエネルギーが低エネルギーレベルPlで一定に維持さ
れるように設定される。ステップS10 では、検査パ
ターンが設けられたトラック部分の開始点に位置し、こ
れが読出される。ステップS11 では、分析信号Va
がマイクロコンピュータ110 により読出される。ス
テップS12 では、分析信号Vaの値が最適な書込み
エネルギーPsに相当するか否かが検査される。信号V
aの値がPsに相当しない場合には、プログラムはステ
ップS11 に進む。信号Vaの値がPsに相当する場
合には、検出回路109により検出されたアドレス符号
がステップS13 で読出される。次にステップS14
 で、マイクロコンピュータに記憶された調整信号値i
h及び正規化形成速度信号α(t) が前記のアドレス
と一緒に再び読出され、これにより読出された情報に応
じて基準信号αo 及び調整信号値Iho が調整され
る。次に、信号Viに対応する領域のパターンの形成中
、この決定された基準信号αo と測定回路50の出力
端子における瞬時的な正規化形成速度信号α(t) と
の間の差に基づいて書込みエネルギーが再び適合される
。この目的の為に、調整信号値Ihの適合により、正規
化形成速度信号α(t) と基準信号αo との間の差
を最小にするように書込みエネルギーPsを常に適合さ
せる適切なプログラムをマイクロコンピュータにローデ
ィングする。
【0030】上述した校正処理の例で、最適な偏差を有
するパターンを決定する方法は可能な種々の方法の1つ
であるにすぎないことに注意すべきである。このパター
ンを決定する他の方法については前記のオランダ国特許
出願第8,905,191 号及び第8,901,34
5 号明細書を参照しうる。この場合、関連の形成速度
信号αを基準信号αo として用いることのみが重要な
ことである。
【図面の簡単な説明】
【図1】放射ビームにより層を走査した場合に得られる
走査スポット中の通常のエネルギー分布を示す説明図で
ある。
【図2】反射率を減少させた領域の形成中に層から反射
されたエネルギーの分布を示す説明図である。
【図3】本発明による装置の一実施例を示す構成図であ
る。
【図4】放射エネルギーと図3及び図7に示す装置で生
じるような反射放射から取出した測定信号とを示す線図
である。
【図5】図3及び図7に示す装置に用いる回路を示すブ
ロック線図である。
【図6】図3及び図7に示す装置に用いうる回路を示す
ブロック線図である。
【図7】本発明による装置の他の実施例を示す構成図で
ある。
【図8】図7に示す装置におけるマイクロコンピュータ
により実行されるプログラムのフローチャートを示す図
である。
【符号の説明】
2  記録担体 3  層 4  透明基板 4′  放射感応記録担体 5  駆動システム 6  軸線 7  放射ビーム 8  書込みヘッド 9  レーザ 10  ハーフミラー 11  検出システム 13  制御回路 41  結果 50  測定回路 51  第1サンプル・ホールド回路 52  第2サンプル・ホールド回路 53  制御回路 57  第3サンプル・ホールド回路 59  除算回路 61  差分段 62  積分段 63  信号リミッタ段 64  加算段 65  分析回路 100, 103  モータ 101   ターンテーブル 104   軸 105   読出し/書込みヘッド 107   駆動回路 107a  放射ビーム 108   モータ制御回路 108a  放射感応検出器 109   検出回路 110   マイクロコンピュータ 112   CIRC符号化回路 113   EFM 変調器 114   信号発生器 115   スイッチ

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  記録層の光学特性に変化をもたらすの
    に適した書込みエネルギーの放射パルスにより記録層を
    局部的に加熱することにより、光学特性が変化した領域
    を有する記録層を具える記録担体を形成するに当り、前
    記の領域を形成する速度の目安を決定し、この決定した
    目安に応じて書込みエネルギーを決定することを特徴と
    する記録担体形成方法。
  2. 【請求項2】  請求項1に記載の記録担体形成方法に
    おいて、前記の領域の形成中、放射ビームから生じ前記
    の記録担体から反射された或いはこの記録担体を透過し
    た放射の放射特性であって、変化した光学特性を表わす
    放射特性を検出し、放射特性が生じている割合に基づい
    て形成速度の目安を取出すことを特徴とする記録担体形
    成方法。
  3. 【請求項3】  請求項2に記載の記録担体形成方法に
    おいて、放射パルスの開始瞬時から予め決定した期間後
    に位置する瞬時に前記の放射特性が放射中に生じる割合
    を決定することにより速度の目安を得、これにより決定
    した割合と前記の放射特性が瞬時的な放射中に生じる割
    合との間の差を放射パルスの開始瞬時から予め定めた期
    間後に位置する一定長の測定期間中積分することを特徴
    とする記録担体形成方法。
  4. 【請求項4】  請求項2又は3に記載の記録担体形成
    方法において、光学特性がまだ生じていない層の一部を
    照射する場合に放射特性が生じる割合で除算することに
    より速度の目安を正規化することを特徴とする記録担体
    形成方法。
  5. 【請求項5】  請求項1〜4のいずれか一項に記載の
    記録担体形成方法において、校正処理中異なる書込みエ
    ネルギーの放射パルスにより領域を形成し、予め定めた
    基準に応じて形成した最適形状の領域を選択し、最適形
    状の領域の形成中に得た形成速度の前記の目安を基準値
    として用い、他の領域の形成中の書込みエネルギーを前
    記の基準値と前記の他の領域の形成中に取出した形成速
    度の目安との差に依存して決定することを特徴とする記
    録担体形成方法。
  6. 【請求項6】  請求項1〜5のいずれか一項に記載の
    記録担体形成方法において、決定した書込みエネルギー
    が予め定めた期間よりも長い期間の間特定の限界値より
    も大きいか、この限界値に等しい場合に、領域の形成を
    中止することを特徴とする記録担体形成方法。
  7. 【請求項7】  光学特性を変化させた領域を有する記
    録層を具える記録担体を形成する記録担体形成装置であ
    って、書込みビームにより記録層を走査する手段と、放
    射ビームのエネルギーを変調し、光学特性の変化をもた
    らすのに適した書込みエネルギーを有する放射パルスを
    得る手段と、書込みエネルギーを調整する手段と、変化
    した光学特性を表わす特性が、走査されている記録担体
    の部分から生じる放射中に生じる割合を検出するように
    配置した検出手段とを具える記録担体形成装置において
    、領域を形成する速度を表わす形成速度信号を測定信号
    から取出す測定手段と、形成速度信号に応じて書込みエ
    ネルギーを決定する手段とを具えたことを特徴とする記
    録担体形成装置。
  8. 【請求項8】  請求項7に記載の記録担体形成装置に
    おいて、形成速度信号を決定する為に、前記の測定手段
    が、放射パルスの開始瞬時に対して予め定めた瞬時にあ
    るサンプリング瞬時に測定信号をサンプリングするサン
    プル・ホールド手段と、放射パルスの開始瞬時に対して
    予め定めた位置にあり予め定めた長さの測定期間中測定
    信号の瞬時値及びサンプル値間の差を積分する積分手段
    とを具えていることを特徴とする記録担体形成装置。
  9. 【請求項9】  請求項8に記載の記録担体形成装置に
    おいて、正規化値を得る為に、前記の測定手段が、放射
    パルスが発生している期間の間に位置している第2サン
    プリング瞬時に測定信号をサンプリングする第2のサン
    プル・ホールド手段と、この第2のサンプル・ホールド
    手段によって決定されたサンプル値で除算することによ
    り形成速度信号を正規化する手段とを有していることを
    特徴とする記録担体形成装置。
  10. 【請求項10】  請求項7〜9のいずれか一項に記載
    の記録担体形成装置において、調整された書込みエネル
    ギーが予め定めた期間よりも長い期間の間特定の限界値
    に等しいかこの限界値よりも大きい場合にモニタリング
    信号を発生するモニタリング手段が設けられていること
    を特徴とする記録担体形成装置。
  11. 【請求項11】  請求項10に記載の記録担体形成装
    置において、前記のモニタリング信号に応答した領域の
    パターンの形成を中止する手段が設けられていることを
    特徴とする記録担体形成装置。
  12. 【請求項12】  請求項7〜11のいずれか一項に記
    載の記録担体形成装置において、校正期間中、異なる書
    込みエネルギーを有する放射パルスにより領域を形成す
    る制御手段と、特定の基準に応じて最適寸法の領域を選
    択する手段とが設けられ、前記の制御手段は、基準信号
    を決定する目的の為に、最適寸法の選択領域の形成中に
    形成速度信号を決定せしめるように適合されており、こ
    の適合手段は基準信号と瞬時の形成速度信号との間の差
    に応じて測定期間に続くある期間中書込みエネルギーを
    適合させるように校正されていることを特徴とする記録
    担体形成装置。
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