JP3795652B2 - 光ディスク駆動装置のレーザパワー制御装置 - Google Patents
光ディスク駆動装置のレーザパワー制御装置 Download PDFInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、光源から出射される光量を記録コード周波数より高い周波数のパルス列として光ディスク上に照射して情報の記録、消去、初期化を行う光ディスク駆動装置に係り、特に、光源の半導体レーザ（レーザダイオード）等の発光パワーを制御するレーザパワー制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＣＤ−ＲＷ（コンパクトディスク・リライタブル）などの相変化型光ディスクは、高密度記録が可能なディスクであり、情報の記録、消去、初期化が行われている。
また、この相変化型光ディスクの情報の記録方法については、各種の方式が提案されている。
例えば、オーバライトを行うのに適する情報の記録方法として、ディスク上に非晶質化マークを形成するために、レーザビームを短い単一または複数のパルスで照射したり（特開昭６３−２６６６３２号公報）、同様に、ディスク上に非晶質化マークを形成するため、あるいは結晶化するために、高い周波数のパルス列でレーザビームを照射する（特開平１−１１９９２１号公報）などの記録方法が知られている。
ここで、相変化型光ディスクにおける記録方法について、簡単に説明する。
【０００３】
図９は、相変化型光ディスクにおける記録方法の原理を説明する図で、(1) は記録情報とレーザパワーとの関係、(2) は記録情報に対応するトラック上の記録状態を示す。図において、Ｐｐは非晶質化レベル、Ｐｅは結晶化レベル、Ｐｒは読み出しレベルを示す。
【０００４】
相変化型光ディスクの場合、情報の記録に際しては、ディスクのトラック上にレーザスポットを照射し、レーザパワーを記録情報に応じて変化させることにより、ディスクの記録膜上に結晶化領域と非晶質化したマークを形成することによって行われる。
この状態を、図９(1) に示しており、記録コード（情報コード）の「０」のレベルに対応して、レーザパワーを結晶化レベルＰｅとすることにより、記録膜が結晶化されて、結晶化領域が形成される。
【０００５】
これに対して、記録コードの「１」のレベルに対応して、レーザパワーを非晶質化レベルＰｐと読み出しレベルＰｒとの間で、パルス状に変化させることにより、記録膜が非晶質化されて、非晶質化マークが形成される。
このような記録動作によって、図９(2) に示したように、トラック上に記録コードの「１」のレベルに対応する非晶質化マークが形成される。
ここで、３つのレベルの関係は、Ｐｐ（非晶質化レベル）＞Ｐｅ（結晶化レベル）＞Ｐｒ（読み出しレベル）である。
【０００６】
このようにして、相変化型光ディスクには、記録コードの「０」のレベルに対応する結晶化領域と、記録コードの「１」のレベルに対応する非晶質化マークとが形成される。
そのため、レーザパワーとしては、記録コードの「０」のレベルに対応する（中間の）結晶化レベルＰｅと、記録コードの「１」のレベルを形成するための（最高の）非晶質化レベルＰｐと、（最低の）読み出しレベルＰｒ、の計３つのレベルで制御する必要がある。
【０００７】
ところで、ＣＤ−ＲＷなどの相変化型光ディスクのように、レーザスポットを高い周波数のパルス列として光ディスク上に照射して情報の記録あるいは消去、初期化を行う光ディスク駆動装置においては、レーザパワーの変化も高周波であり、高速になる。
そのため、検出帯域の限られた出射光量検出器を使用すると、正確な出射光量を検出することが困難になる。
そして、このような不正確に検出された出射光量に基いて出射光量を調整しても、光量の正確な調整は難かしいので、安定化させることも困難である。
その結果、情報の記録、消去、初期化等の処理が不完全なものになる、というケースが生じる。
また、正確な出射光量を検出するために、広帯域の出射光量検出器を使用すると、高価な受光素子やアンプ等を必要とするのでコストアップになる。
【０００８】
このような不都合を解決する方法として、この出願の発明者は、安価で簡単な構成によって、レーザダイオードの出射光量を安定化させることにより、情報の信頼性の高い光ディスク駆動装置について提案した（特開平９−１７１６３１号公報）。
この光ディスク駆動装置のレーザパワー制御装置では、光源を非パルス状に駆動する期間を設け、この期間中にレーザの発光パワーを検出して、発光パワーを制御するようにしている。
このように発光パワーを制御すれば、検出帯域の限られた出射光量検出器を使用しても、正確な出射光量の検出が可能である。
【０００９】
しかし、レーザダイオードの発光パワーの検出において、非パルス状の期間のレーザダイオードは記録パワー（前記の非晶質化レベル：Ｐｐ）であり、このように高い発光パワーを光ディスクに照射して発光パワーの制御を行うと、光ディスクが劣化する、という問題があり、相変化型光ディスクにおいては、非パルス状の光の記録パワーによる照射は、光ディスクの特性を著しく劣化させるので、情報の信頼性の高いデータの記録、再生あるいは消去が行えない、という問題を生じる。
そこで、中間レベルの結晶化レベルＰｅのパワー制御（設定）は、記録情報が「０」の非パルス状の期間に行って、最適な結晶化レベルＰｅの重畳電流Ｉｅを検出し、最適な非晶質化レベルＰｐの重畳電流Ｉｐは、非パルス状の期間に検出された結晶化レベルＰｅの重畳電流Ｉｅに比例した値の電流に調整することにより設定し、読み出しレベルＰｒの駆動電流Ｉｒは、ローパスフィルタによって平滑化された検出出力を使用して、非晶質化レベルＰｐと最も低い読み出しレベルＰｒとの平均パワーレベルを検知することによって設定する光ディスク駆動装置のレーザパワー制御装置について、すでに提案した（特開平９−２８８８４０号公報）。
このように、パルス状オン／オフ期間におけるローパスフィルタの出力を検出して発光パワーを制御することによって、検出帯域が比較的狭くて安価な出射光量検出器を使用しても、正確なパワー制御が可能になる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
先の従来の技術で説明したように、検出帯域が比較的狭くて安価な出射光量検出器を使用しても、正確なパワー制御が可能な光ディスク駆動装置のレーザパワー制御装置は、すでに知られている。
しかし、光源を非パルス状に駆動する期間を設け、この期間中にレーザの発光パワーを検出して、発光パワーを制御する光ディスク駆動装置（前出の特開平９−１７１６３１号公報）や、パルス状オン／オフ期間におけるローパスフィルタの出力を検出して発光パワーを制御する光ディスク駆動装置（前出の特開平９−２８８８４０号公報）では、出射光量検出と、正確な出射光量の制御のための回路がやや複雑であり、改良の余地がある。
この発明では、レーザスポットを記録周波数より高い周波数のパルス列として光ディスク上に照射して情報の記録、再生、消去あるいは初期化を行う光ディスク装置において、検出帯域が比較的狭く、安価な出射光量検出器を使用する簡単な構成によって、レーザダイオードの出射光量を安定化させると共に、信頼性の高い情報の記録を可能にすることを課題としている（請求項１から請求項５の発明）。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１の光ディスク駆動装置は、レーザパワー制御装置として、前記光源に第１レベルの電流を印加する電流印加手段と、前記第１レベルの電流に第２レベルの電流を重畳する第１電流重畳手段と、前記第１レベルの電流と前記第２レベルの電流に第３レベルの電流を重畳する第２電流重畳手段と、前記第２レベルの電流をオン／オフ制御する第１スイッチ手段と、前記第３レベルの電流をオン／オフ制御する第２スイッチ手段と、記録コードに応じて、前記第１スイッチ手段にパルス状の第１のオン／オフ制御信号を与える第１のパルス発生手段と、記録コードに応じて、前記第２スイッチ手段に前記第１のオン／オフ制御信号と同じタイミングで、かつ同相でパルス状の第２のオン／オフ制御信号を与える第２のパルス発生手段と、前記第１のオン／オフ制御信号と前記第２のオン／オフ制御信号の出力を所定期間オフ状態とするタイミング信号を発生するタイミング手段と、前記タイミング信号の発生期間中の前記光量検出手段の出力を保持する第１のサンプルホールド手段と、前記第１のオン／オフ制御信号がオン状態で、前記第２のオン／オフ制御信号がオフ状態の期間中の前記光量検出手段の出力を保持する第２のサンプルホールド手段と、前記第１のサンプルホールド手段の出力に応じて、前記第１レベルの電流を調整する第１調整手段と、前記第２のサンプルホールド手段の出力に応じて前記第２レベルの電流を調整する第２調整手段と、前記第２のサンプルホールド手段の出力に応じて前記第３レベルの電流を調整する第３調整手段とを有している。
【００１２】
請求項２の光ディスク駆動装置は、請求項１の光ディスク駆動装置において、第１調整手段が、第１の所定レベル信号と第１のサンプルホールド手段の出力レベルとを比較し、比較結果に応じて第１レベルの電流を増減させ、第２調整手段が、第２の所定レベル信号と第２のサンプルホールド手段の出力レベルとを比較し、比較結果に応じて第２レベルの電流を増減させるようにしている。
【００１３】
請求項３の光ディスク駆動装置は、請求項２の光ディスク駆動装置において、第３調整手段は、第３レベルの電流が、第２調整手段によって調整された第２レベルの電流に比例した値となるように調整する。
【００１４】
請求項４の光ディスク駆動装置は、請求項１の光ディスク駆動装置において、第２のサンプルホールド手段が、第１のオン／オフ制御信号がオン状態で、第２のオン／オフ制御信号がオフ状態の期間が所定期間以上となる期間中の光量検出手段の出力を保持するようにしている。
【００１５】
請求項５の光ディスク駆動装置は、請求項１の光ディスク駆動装置において、前記第２のサンプルホールド手段は、前記第１のオン／オフ制御信号がオン状態で、前記第２のオン／オフ制御信号がオフ状態の内、記録コードの最長反転期間に相当する期間の前記光量検出手段の出力を保持するようにしている。
請求項６のレーザパワー制御装置は、半導体レーザ等の光源と、前記光源の出射光量を検出する光量検出手段とを備え、前記光源から出射される光量を記録コード周波数より高い周波数のパルス列として光ディスク上に照射して情報の記録、消去、初期化を行う光ディスク駆動装置に使用されるレーザパワー制御装置であって、前記光源に第１レベルの電流を印加する電流印加手段と、前記第１レベルの電流に第２レベルの電流を重畳する第１電流重畳手段と、前記第１レベルの電流と前記第２レベルの電流に第３レベルの電流を重畳する第２電流重畳手段と、前記第２レベルの電流をオン／オフ制御する第１スイッチ手段と、前記第３レベルの電流をオン／オフ制御する第２スイッチ手段と、記録コードに応じて、前記第１スイッチ手段にパルス状の第１のオン／オフ制御信号を与える第１のパルス発生手段と、記録コードに応じて、前記第２スイッチ手段に前記第１のオン／オフ制御信号と同じタイミングで、かつ同相でパルス状の第２のオン／オフ制御信号を与える第２のパルス発生手段と、前記第１のオン／オフ制御信号と前記第２のオン／オフ制御信号の出力を所定期間オフ状態とするタイミング信号を発生するタイミング手段と、前記タイミング信号の発生期間中の前記光量検出手段の出力を保持する第１のサンプルホールド手段と、前記第１のオン／オフ制御信号がオン状態で、前記第２のオン／オフ制御信号がオフ状態の期間中の前記光量検出手段の出力を保持する第２のサンプルホールド手段と、前記第１のサンプルホールド手段の出力に応じて、前記第１レベルの電流を調整する第１調整手段と、前記第２のサンプルホールド手段の出力に応じて前記第２レベルの電流を調整する第２調整手段と、前記第２のサンプルホールド手段の出力に応じて前記第３レベルの電流を調整する第３調整手段とを備えている。
【００１６】
【発明の実施の形態】
第１の実施の形態
この第１の実施の形態は、請求項１の発明に対応しているが、請求項２から請求項５の発明にも関連しており、請求項１の発明が基本発明である。
この第１の実施の形態では、検出帯域が比較的狭くて安価な出射光量検出器を使用した簡単な構成によって、レーザダイオードの出射光量を安定化させることにより、３つのパワーレベルの設定、すなわち、最も低い読み出しレベルＰｒだけでなく、中間の結晶化レベルＰｅや、最も高い非晶質化レベルＰｐの正確な制御を可能にしており、特に、結晶化レベルＰｅの駆動時には、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒに結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅを重畳し、非晶質化レベルＰｐの駆動時には、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒと結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅに、非晶質化レベルＰｐの電流Ｉｐを重畳する点に特徴を有している。
【００１７】
具体的にいえば、第１の実施の形態では、情報コードＣが「１」レベルの期間のパルス状の発光部分でも、正確な光量検出を可能にするために、結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅのオン／オフ制御信号（後出の図１のＳＷｅ）と非晶質化レベルＰｐの電流Ｉｐのオン／オフ制御信号（ＳＷｐ）の出力を所定期間オフ状態とするタイミング信号（ＳＨｒ）を発生させ、このタイミング信号（ＳＨｒ）の発生期間中に、出射光量検出電圧（Ｖｄ）を第１の回路で保持し、また、電流Ｉｅのオン／オフ制御信号（ＳＷｅ）がオン状態で、電流Ｉｐのオン／オフ制御信号（ＳＷｐ）がオフ状態の期間中の出射光量検出電圧（Ｖｄ）を第２の回路で保持する。
そして、先の第１の回路に保持された値に応じて、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒを調整し、第２の回路に保持された値に応じて、結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅと非晶質化レベルＰｐの電流Ｉｐを調整する。
最初に、全体の構成を説明する。
【００１８】
図１は、この発明の光ディスク駆動装置について、そのレーザパワー制御装置の要部構成の実施の形態の一例を示す機能ブロック図である。図において、１はレーザダイオード、２はフォトディテクタ、３はアンプ、４はＩｐスイッチ、５はＩｐ電流源、６はＩｅスイッチ、７はＩｅ電流源、８はＩｒ電流源、９〜１１は第１から第３のＤ／Ａコンバータ、１２はマイクロコントローラ、１３と１４は第１と第２のコンパレータ、１５と１６は第４と第５のＤ／Ａコンバータ、１７と１８は第１と第２のサンプルホールド回路、１９と２０は第１と第２のアンドゲート回路、２１はインバータ、２２と２３は第１と第２のパルスジェネレータ、２４と２５は第１と第２のタイミング回路、２６はエンコーダを示し、Ｉは実際にレーザダイオード１に印加される電流、Ｉｒは読み出しレベルＰｒの駆動電流、Ｉｅは結晶化レベルＰｅとするために電流Ｉｒに重畳する電流で、Ｉｅ′は電流Ｉｅがスイッチングされた電流、Ｉｐは非晶質化レベルＰｐとするために電流Ｉｒと電流Ｉｅに重畳する電流で、Ｉｐ′は電流Ｉｐがスイッチングされた電流、Ｃは情報コード（記録コード）、ＳＷｅはＩｅスイッチ６のオン／オフ制御信号、ＳＷｐはＩｐスイッチ４のオン／オフ制御信号、ＳＨｒは第１のタイミング回路２４から出力される第１のサンプルホールド回路１７のサンプルタイミング信号、ＳＨｅは第２のサンプルホールド回路１８のサンプルタイミング信号、Ｔｒは第５のＤ／Ａコンバータ１６から出力される所定電圧、Ｔｅは第４のＤ／Ａコンバータ１５から出力される所定電圧、Ｖｄはアンプ３の出射光量検出電圧を示す。
【００１９】
レーザダイオード１の出射光は、図示しないレンズにより集光されてディスク上に照射されるが、この出射光の一部は、フォトディテクタ２にも照射されて、その出力がアンプ３により増幅され、出射光量の検出に用いられる。
このレーザダイオード１には、３つの電流源（Ｉｐ電流源５，Ｉｅ電流源７，Ｉｒ電流源８）からの電流が印加されるが、その内の２つの電流源（Ｉｐ電流源５，Ｉｅ電流源７）からの電流は、Ｉｐスイッチ４とＩｅスイッチ６によってそれぞれオン／オフされる。
まず、Ｉｒ電流源８は、レーザダイオード１に対して、レーザパワーを読み出しレベルＰｒにするために必要な電流Ｉｒを印加する（最低のレベル）。
次に、結晶化レベルＰｅの駆動時には、Ｉｐスイッチ４とＩｅスイッチ６の２つのスイッチの内、Ｉｅスイッチ６のみが動作され、Ｉｅスイッチ６がオン時には、Ｉｒ電流源８からの電流ＩｒとＩｅ電流源７からの電流Ｉｅが、レーザダイオード１に印加される。
【００２０】
この場合には、このＩｅ電流源７からの電流Ｉｅは、Ｉｅスイッチ６によってオン／オフ制御された電流Ｉｅ′として、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒに重畳される形でレーザダイオード１に印加される。
したがって、この結晶化レベルＰｅの駆動時には、レーザパワーを結晶化レベルＰｅとするために必要な電流Ｉｒ＋Ｉｅ′が、レーザダイオード１に印加される（中間のレベル）。
また、非晶質化レベルＰｐの駆動時には、先の結晶化レベルＰｅの電流Ｉｒ＋Ｉｅに、Ｉｐ電流源５からの電流Ｉｐが重畳される形でレーザダイオード１に印加される。
すなわち、この場合には、Ｉｅスイッチ６とＩｐスイッチ４が動作され、Ｉｅスイッチ６とＩｐスイッチ４とが共にオンのときには、Ｉｒ電流源８からの電流Ｉｒに、Ｉｅ電流源７からの電流ＩｅとＩｐ電流源５からの電流Ｉｐとが重畳されて、電流Ｉｒ＋Ｉｅ＋Ｉｐがレーザダイオード１に印加される。
【００２１】
他方、Ｉｅスイッチ６とＩｐスイッチ４とが共にオフのときは、Ｉｒ電流源８からの電流Ｉｒのみが、レーザダイオード１に印加される。
このＩｐ電流源５からの電流は、Ｉｐスイッチ４によってオン／オフ制御されたスイッチング電流Ｉｐ′として、結晶化レベルＰｅの電流Ｉｒ＋Ｉｅに重畳される形でレーザダイオード１に印加される。
したがって、この非晶質化レベルＰｐの駆動時には、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒに、（結晶化レベルＰｅの駆動時の）Ｉｅスイッチ６のオン／オフにより生成されたスイッチング電流Ｉｅ′と、Ｉｐスイッチ４のオン／オフにより生成されたスイッチング電流Ｉｐ′とが重畳された電流Ｉｒ＋Ｉｅ′＋Ｉｐ′が、レーザダイオード１に印加される（最高のレベル）。
【００２２】
すでに述べたように、この第１の実施の形態では、結晶化レベルＰｅの駆動時には、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒに結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅを重畳し、非晶質化レベルＰｐの駆動時には、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒと結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅに、非晶質化レベルＰｐの電流Ｉｐを重畳することによって、フォトディテクタ、検出アンプの帯域が限られている場合でも、読み出しレベルＰｒ、結晶化レベルＰｅ、非晶質化レベルＰｐの各出射レーザパワーが正確に検出できるようにしている。
次に、第１の実施の形態による動作を、タイミングチャートによって詳しく説明する。
【００２３】
図２は、図１に示した光ディスク駆動装置について、その動作を説明するタイミングチャートである。図の各波形に付けられた符号は図１の符号位置に対応しており、Ｐは電流Ｉによるレーザパワー、期間ａは情報コードＣが「０」レベルの期間、期間ｂは情報コードＣが「１」レベルの期間、期間ｃはサンプルタイミング信号ＳＨｒが「Ｈ」となる期間を示す。
【００２４】
最初に、情報コードの「０」レベルに対応するレーザパワー（図２のＰ）の結晶化レベルＰｅの制御と、情報コードの「１」レベルに対応する非晶質化レベルＰｐの制御（非晶質化レベルＰｐと読み出しレベルＰｒとの間でパルス状に変化させるパワー制御）について述べる。
先の図１の光ディスク駆動装置において、記録データは、エンコーダ２６によって所定のデータ変調が行われ、情報コード（記録コード）Ｃに変換される。
データ変調の方式として、ＣＤ−ＲＷなどの相変化型光ディスクでは、一般にＥＦＭ変調が使用される。
【００２５】
第１のパルスジェネレータ２２と第２のパルスジェネレータ２３は、情報コードＣのレベルに応じてオン／オフ動作を行う。
この第１と第２のパルスジェネレータ２２，２３のオン／オフ動作により、Ｉｅスイッチ６のオン／オフ制御信号ＳＷｅとＩｐスイッチ４のオン／オフ制御信号ＳＷｐとが生成されるが、そのために、第１のパルスジェネレータ２２と第２のパルスジェネレータ２３の出力側には、第１のアンドゲート回路１９と第２のアンドゲート回路２０がそれぞれ接続されている。
【００２６】
第１のパルスジェネレータ２２の出力は、第１のアンドゲート回路１９の一方に入力され、また、第２のパルスジェネレータ２３の出力は、第２のアンドゲート回路２０の一方に入力される。
また、第１のアンドゲート回路１９と、第２のアンドゲート回路２０の他方の入力には、インバータ２１を介して、通常「Ｈ」の信号が与えられている。
したがって、通常、第１のパルスジェネレータ２２と第２のパルスジェネレータ２３の出力が、そのまま２つのオン／オフ制御信号、すなわち、Ｉｅスイッチ６のオン／オフ制御信号ＳＷｅと、Ｉｐスイッチ４のオン／オフ制御信号ＳＷｐとして出力される。
【００２７】
まず、情報コードＣが「０」レベルの期間（図２の期間ａ）では、一方の第１のパルスジェネレータ２２から出力される制御信号ＳＷｅは「Ｈ」レベル、他方の第２のパルスジェネレータ２３から出力される制御信号ＳＷｐは「Ｌ」レベルとなる。
そのため、Ｉｅスイッチ６だけがオン状態となり、レーザダイオード１に印加される電流Ｉとして、Ｉｒ電流源８からの電流ＩｒとＩｅ電流源７からの電流Ｉｅの、Ｉｒ＋Ｉｅが供給される。
したがって、レーザダイオード１のレーザパワー（出射パワー）Ｐは、結晶化レベルＰｅとなる。
【００２８】
次に、情報コードＣが「１」レベルの期間（図２の期間ｂ）では、第１のパルスジェネレータ２２と第２のパルスジェネレータ２３からの出力は、同じタイミングでパルス状に変化する。
そのため、この場合には、２つのオン／オフ制御信号ＳＷｅ，ＳＷｐも、同じタイミングでパルス状に変化され、Ｉｅスイッチ６およびＩｐスイッチ４は、同時にパルス状にオン／オフ動作を行う。
すなわち、この図２の期間ｂは、レーザダイオード１には、両スイッチ６，４がオフのときには電流Ｉｒが、両スイッチがオンのときには電流Ｉｒ＋Ｉｅ＋Ｉｐが印加されることになる。
したがって、レーザダイオード１のレーザパワー（出射パワー）Ｐは、読み出しレベルＰｒと非晶質化レベルＰｐとの間でパルス状に変化される。
以上の動作により、図１の光ディスク駆動装置によれば、情報コードの「０」レベルに対応して、レーザパワー（図２のＰ）を結晶化レベルＰｅに制御し、情報コードの「１」レベルに対応して、レーザパワーを非晶質化レベルＰｐと読み出しレベルＰｒとの間でパルス状に変化させるパワー制御（非晶質化レベルＰｐの制御）が実現される。
【００２９】
ところで、アンプ３の光量検出電圧Ｖｄは、レーザパワーＰに比例した値となるが、フォトディテクタ２、アンプ３の応答帯域が限られているため、情報コードＣが「１」レベルの期間（期間ｂ）のパルス状の発光部分では、正確な光量検出ができない。
なお、情報コードＣが「０」レベルの期間（期間ａ）では、レーザパワーＰは結晶化レベルＰｅであり、非パルス状となるため、光量検出電圧Ｖｄは、図２のＶｄに示すように、結晶化レベルＰｅに比例した値となる。
そこで、この第１の実施の形態では、情報コードＣが「１」レベルの期間（期間ｂ）のパルス状の発光部分でも、正確な光量検出を可能にするために、Ｉｅスイッチ６のオン／オフ制御信号ＳＷｅと、Ｉｐスイッチ４のオン／オフ制御信号ＳＷｐの出力を所定期間オフ状態とするタイミング信号ＳＨｒを発生させて、このタイミング信号ＳＨｒの発生期間中に、アンプ３の出射光量検出電圧Ｖｄを第１のサンプルホールド回路１７によって保持する。
また、Ｉｅスイッチ６のオン／オフ制御信号ＳＷｅがオン状態で、Ｉｐスイッチ４のオン／オフ制御信号ＳＷｐがオフ状態の期間中のアンプ３の出射光量検出電圧Ｖｄを、第２のサンプルホールド回路１８によって保持する。
【００３０】
そして、第１のコンパレータ１３とマイクロコントローラ１２と第１のＤ／Ａコンバータ９により、第１のサンプルホールド回路１７の出力に応じて、Ｉｒ電流源８からの電流Ｉｒを調整する。
また、第２のコンパレータ１４とマイクロコントローラ１２と第２のＤ／Ａコンバータ１０により、第２のサンプルホールド回路１８の出力に応じて、Ｉｅ電流源７からの電流Ｉｅを調整すると共に、第２のコンパレータ１４とマイクロコントローラ１２と第３のＤ／Ａコンバータ１１により、第２のサンプルホールド回路１８の出力に応じてＩｐ電流源５からの電流Ｉｐを調整するように構成している。
この場合の各電流Ｉｒ，Ｉｅ，Ｉｐの調整動作については、第２から第５の実施の形態で具体的に説明する。
この第１の実施の形態では、以上のように構成することによって、検出帯域が比較的狭くて安価な出射光量検出器を使用しても、レーザダイオードの出射光量を安定化させることが可能になるので、情報の信頼性の高い光ディスク駆動装置が実現される。
【００３１】
ここで、この第１の実施の形態（請求項１の発明）の光ディスク駆動装置を、図１の装置の構成と対照すると、次のようになる。
半導体レーザ等の光源（図１のレーザダイオード１）と、前記光源（レーザダイオード１）の出射光量を検出する光量検出手段（フォトディテクタ２，アンプ３）とを備え、前記光源（レーザダイオード１）から出射される光量を記録コード周波数より高い周波数のパルス列として光ディスク上に照射して情報の記録、消去、初期化を行う光ディスク駆動装置において、
レーザパワー制御装置として、
前記光源（レーザダイオード１）に第１レベルの電流（Ｉｒ）を印加する電流印加手段（Ｉｒ電流源８）と、
前記第１レベルの電流（Ｉｒ）に第２レベルの電流（Ｉｅ）を重畳する第１電流重畳手段（Ｉｅ電流源７）と、
前記第１レベルの電流（Ｉｒ）と第２レベルの電流（Ｉｅ）に第３レベルの電流（Ｉｐ）を重畳する第２電流重畳手段（Ｉｐ電流源５）と、
前記第２レベルの電流（Ｉｅ）をオン／オフ制御する第１スイッチ手段（Ｉｅスイッチ６）と、
前記第３レベルの電流（Ｉｐ）をオン／オフ制御する第２スイッチ手段（Ｉｐスイッチ４）と、
記録コードに応じて、前記第１スイッチ手段（Ｉｅスイッチ６）にパルス状の第１のオン／オフ制御信号（ＳＷｅ）を与える第１のパルス発生手段（第１のパルスジェネレータ２２）と、
記録コードに応じて、前記第２スイッチ手段（Ｉｐスイッチ４）にパルス状の第２のオン／オフ制御信号（ＳＷｐ）を与える第２のパルス発生手段（第２のパルスジェネレータ２３）と、
前記第１と第２のオン／オフ制御信号（ＳＷｅ，ＳＷｐ）の出力を所定期間オフ状態とするタイミング信号（ＳＨｒ）を発生するタイミング手段（第１のタイミング回路２４，第１のアンドゲート回路１９，第２のアンドゲート回路２０）と、
前記タイミング信号（ＳＨｒ）の発生期間中の前記光量検出手段（フォトディテクタ２，アンプ３）の出力（Ｖｄ）を保持する第１のサンプルホールド手段（第１のサンプルホールド回路１７）と、
前記第１のオン／オフ制御信号（ＳＷｅ）がオン状態で、前記第２のオン／オフ制御信号（ＳＷｐ）がオフ状態の期間中の前記光量検出手段（フォトディテクタ２，アンプ３）の出力（Ｖｄ）を保持する第２のサンプルホールド手段（第２のサンプルホールド回路１８）と、
前記第１のサンプルホールド手段（第１のサンプルホールド回路１７）の出力に応じて、前記第１レベルの電流（Ｉｒ）を調整する第１調整手段（第１のコンパレータ１３，マイクロコントローラ１２，第１のＤ／Ａコンバータ９）と、
前記第２のサンプルホールド手段（第２のサンプルホールド回路１８）の出力に応じて前記第２レベルの電流（Ｉｅ）を調整する第２調整手段（第２のコンパレータ１４，マイクロコントローラ１２，第２のＤ／Ａコンバータ１０）と、
前記第２のサンプルホールド手段（第２のサンプルホールド回路１８）の出力に応じて前記第３レベルの電流（Ｉｐ）を調整する第３調整手段（第２のコンパレータ１４，マイクロコントローラ１２，第３のＤ／Ａコンバータ１１）、
とから構成されている光ディスク駆動装置である。
【００３２】
第２の実施の形態
この第２の実施の形態は、請求項２の発明に対応しているが、請求項１と請求項３の発明にも関連している。
先の第１の実施の形態では、結晶化レベルＰｅの駆動時には、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒに結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅを重畳し、非晶質化レベルＰｐの駆動時には、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒと結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅに、非晶質化レベルＰｐの電流Ｉｐを重畳することによって、フォトディテクタ、検出アンプの検出帯域が比較的狭くて安価な出射光量検出器を使用した簡単な構成で、読み出しレベルＰｒ、結晶化レベルＰｅ、非晶質化レベルＰｐの各出射レーザパワーの正確な検出を可能にし、レーザダイオードの出射光量を安定化させる場合について説明した。
この第２の実施の形態では、第１の実施の形態で説明した光ディスク駆動装置において、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒと、結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅの調整が具体的に行えるように構成した点に特徴を有している。
【００３３】
ハード構成は、先の図１と同様であり、また、タイミングチャートも、先の図２と基本的に同様である。
簡単にいえば、先の図１の光ディスク駆動装置において、第１のコンパレータ１３とマイクロコントローラ１２と第１のＤ／Ａコンバータ９（第１調整手段）が、第５のＤ／Ａコンバータ１６から出力される所定電圧Ｔｒと第１のサンプルホールド回路１７の出力レベルとを比較し、比較結果に応じて読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒを増減させ、第２のコンパレータ１４とマイクロコントローラ１２と第２のＤ／Ａコンバータ１０（第２調整手段）が、第４のＤ／Ａコンバータ１５から出力される所定電圧Ｔｅと第２のサンプルホールド回路１８の出力レベルとを比較し、比較結果に応じて結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅを増減させる構成である。
【００３４】
図２に示したＳＨｅは、情報コードＣが「０」レベルの期間（図２の期間ｃ）に出力されるサンプルタイミング信号ＳＨｅである。
第２のタイミング回路２５は、情報コードＣが「０」レベルの期間（図２の期間ａ）に、サンプルタイミング信号ＳＨｅを出力する。
第２のサンプルホールド回路１８は、サンプルタイミング信号ＳＨｅに対応して光量検出電圧Ｖｄをサンプリングする。
その結果、第２のサンプルホールド回路１８の出力には、常に結晶化レベルＰｅに比例した検出電圧が得られる。
【００３５】
マイクロコントローラ１２は、予め、第４のＤ／Ａコンバータ１５を介して、レーザパワーが所望の結晶化レベルとなった場合に検出される検出電圧に等しい所定電圧Ｔｅを、第２のコンパレータ１４の一方の入力端子に入力しておく。
第２のコンパレータ１４は、第２のサンプルホールド回路１８の出力を、先の所定電圧Ｔｅと比較し、結晶化レベルＰｅが所望のレベルより低いときは「Ｈ」レベルの出力、高いときには「Ｌ」レベルの出力を発生する。
マイクロコントローラ１２は、第２のコンパレータ１４の出力レベルを読み取り、「Ｈ」レベルのときは、第２のＤ／Ａコンバータ１０の設定値を増加させ、Ｉｅ電流源７がレーザダイオード１に印加する電流Ｉを増加させる。
逆に、「Ｌ」レベルのときは、第２のＤ／Ａコンバータ１０の設定値を減少させて、Ｉｅ電流源７がレーザダイオード１に印加する電流Ｉを減少させる。
【００３６】
このようなマイクロコントローラ１２の制御によって、第２のコンパレータ１４の出力の読み取りと、読み取り結果に応じた第２のＤ／Ａコンバータ１０の設定値とを、所定時間ごと（例えば１０ｍｓｅｃごと）に繰り返し行う。
したがって、レーザダイオード１に印加される電流Ｉが制御され、レーザパワーの結晶化レベルＰｅが所望のレベルに調整される。
しかしながら、すでに述べたように、フォトディテクタ２、アンプ３の応答帯域は限られているため、情報コードＣが「１」レベルの期間（図２の期間ｂ）のパルス状の発光部分では正確な光量検出ができない。
そのため、図２の期間ｂの「１」レベルの間に、光量検出電圧Ｖｄには、読み出しレベルＰｒや、非晶質化レベルＰｐに比例した検出レベルは現われない。
【００３７】
そこで、第２の実施の形態では、マイクロコントローラ１２が、所定時間ごと（例えば１ｓｅｃごと）に、第１のタイミング回路２４に対してサンプリング発生要求信号を出力する。
第１のタイミング回路２４は、このサンプリング発生要求信号を受信すると、所定の時間幅を有するサンプルタイミング信号ＳＨｒを出力する。
図２のＳＨｒは、期間ｃに、サンプルタイミング信号ＳＨｒが出力された状態を示している。
第１のタイミング回路２４から出力されたサンプルタイミング信号ＳＨｒは、インバータ２１を通過した後、２つのアンドゲート回路、すなわち、第１のアンドゲート回路１９と第２のアンドゲート回路２０の他方の入力へ与えられる。
したがって、サンプルタイミング信号ＳＨｒが、期間ｃで「Ｈ」レベルとなると、情報コードＣの状態に関係なく、オン／オフ制御信号ＳＷｅ，ＳＷｐは共に「Ｌ」レベルとなる。
そのため、Ｉｅスイッチ６とＩｐスイッチ４は共にオフ状態となり、レーザダイオード１には電流Ｉｒのみが印加されるので、レーザダイオード１のレーザパワー（出射レベル）Ｐは、読み出しレベルＰｒとなる。
【００３８】
また、この第１のタイミング回路２４から出力されるサンプルタイミング信号ＳＨｒは、第１のサンプルホールド回路１７にも入力される。
第１のサンプルホールド回路１７は、サンプルタイミング信号ＳＨｒに対応して、光量検出電圧Ｖｄをサンプリングする。
この場合には、第１のサンプルホールド回路１７の出力は、読み出しレベルＰｒに比例した検出電圧として検知される。
このように、所定時間ごとに、レーザダイオード１の出射レベルを非パルス状に読み出しレベルＰｒとし、この期間ｃに、光量検出電圧Ｖｄをサンプリングすることによって、読み出しレベルＰｒを検出することが可能となる。
【００３９】
詳しくいえば、マイクロコントローラ１２は、予め、第５のＤ／Ａコンバータ１６を介して、レーザパワーが所望の読み出しレベルＰｒとなった場合に検出される検出電圧に等しい所定電圧Ｔｒを、第１のコンパレータ１３の一方の入力端子に入力しておく。
第１のコンパレータ１３は、第１のサンプルホールド回路１７の出力を、この所定電圧Ｔｒと比較し、読み出しレベルＰｒが所望のレベルより低いときには「Ｈ」レベル、高いときには「Ｌ」レベルを出力する。
マイクロコントローラ１２は、サンプリング発生要求信号を出力し、第１のサンプルホールド回路１７によって光量検出電圧（アンプ３の出射光量検出電圧Ｖｄ）のサンプリングが行われた後、第１のコンパレータ１３の出力レベルを読み取り、「Ｈ」レベルのときは、第１のＤ／Ａコンバータ９の設定値を増加させて、Ｉｒ電流源８からレーザダイオード１に印加する電流Ｉを増加させる。
【００４０】
逆に、「Ｌ」レベルのときは、第１のＤ／Ａコンバータ９の設定値を減少させて、Ｉｒ電流源８からレーザダイオード１に印加する電流Ｉを減少させる。
このようなマイクロコントローラ１２の制御によって、サンプリング発生要求信号の出力、第１のコンパレータ１３の出力レベルの読み取り、読み取り結果に応じた第１のＤ／Ａコンバータ９の設定を、所定時間ごと（例えば１０ｍｓｅｃごと）に繰り返し行う。
したがって、レーザダイオード１に印加される電流Ｉが制御され、レーザパワーの結晶化レベルＰｅが所望のレベルに調整される。
【００４１】
ここで、この第２の実施の形態を、先の図１に示した光ディスク駆動装置と対比すれば、第１調整手段（第１のコンパレータ１３，マイクロコントローラ１２，第１のＤ／Ａコンバータ９）は、第１の所定レベル信号（第５のＤ／Ａコンバータ１６から出力される所定電圧Ｔｒ）と第１のサンプルホールド手段（第１のサンプルホールド回路１７）の出力レベルとを比較し、比較結果に応じて第１レベルの電流（読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒ）を増減させ、第２調整手段（第２のコンパレータ１４，マイクロコントローラ１２，第２のＤ／Ａコンバータ１０）は、第２の所定レベル信号（第４のＤ／Ａコンバータ１５から出力される所定電圧Ｔｅ）と第２のサンプルホールド手段（第２のサンプルホールド回路１８）の出力レベルとを比較し、比較結果に応じて第２レベルの電流（結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅ）を増減させる構成である。
【００４２】
第３の実施の形態
この第３の実施の形態は、請求項３の発明に対応しているが、請求項１と請求項２の発明にも関連している。
先の第２の実施の形態では、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒと、結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅとを調整するための具体的な構成について説明した。
この第３の実施の形態では、さらに、非晶質化レベルＰｐの電流Ｉｐを調整する点に特徴を有している。
【００４３】
ハード構成は、先の図１と同様であり、また、タイミングチャートも、先の図２と基本的に同様である。
図２に示したＳＨｒは、期間ｃに出力されるサンプルタイミング信号ＳＨｒである。
マイクロコントローラ１２は、先の第２の実施の形態で述べたように、結晶化レベルＰｅの調整動作に従って、第２のコンパレータ１４の出力レベルを読み取り、読み取り結果に応じた第２のＤ／Ａコンバータ１０の設定を、所定時間ごと（例えば１０ｍｓｅｃごと）に繰り返し行い、レーザパワーの結晶化レベルＰｅを所望のレベルに調整する。
また、マイクロコントローラ１２は、第２のＤ／Ａコンバータ１０に対する設定値に、所定比率を掛けた設定値を第３のＤ／Ａコンバータ１１に設定する。
その結果、非晶質化レベルＰｐの駆動時に、Ｉｐ電流源５がレーザダイオード１に印加する電流Ｉｐは、Ｉｅ電流源７が印加する電流Ｉｅに所定比率を掛けた値となる。
この関係を、次に図３によって説明する。
【００４４】
図３は、図１に示した光ディスク駆動装置について、第３の実施の形態によるレーザダイオード１の電流ＩとレーザパワーＰとの関係を示す特性図である。図の横軸はレーザダイオード１の電流Ｉ、縦軸はレーザパワーＰであり、▲１▼と▲２▼はそれぞれ異なる特性曲線、Ｉth１とＩth２は電流のしきい値を示す。
【００４５】
この図３に示すように、レーザダイオード１の電流ＩとパワーＰの特性は、周囲温度等の影響によって、特性曲線▲１▼や▲２▼のように変化する。
しかし、しきい値電流Ｉth１，Ｉth２以上では、ほぼ直線的な特性である。
そこで、特性曲線の傾きが変化しても、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒと、結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅは、それぞれ一定のレベルが得られるように調整しておく。
この場合に、非晶質化レベルＰｐの電流Ｉｐを、結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅに対して一定の比率に調整しておけば、レーザダイオード１に電流Ｉｒ＋Ｉｅ＋Ｉｐが印加された場合、一定の出射レベルＰｐが得られる。
【００４６】
以上のように、この第３の実施の形態では、非晶質化レベルＰｐの電流Ｉｐと結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅとの比率を、所望の非晶質化レベルＰｐが得られるような値に予め設定しておく。
したがって、所望の非晶質化レベルＰｐが得られるようにしている。
以上に説明した非晶質化レベルＰｐの電流Ｉｐの調整時の動作を、フローチャートで説明する。
【００４７】
図４は、この発明の光ディスク駆動装置について、レーザパワーの制御時における主要な処理の流れを示すフローチャートである。図において、＃１〜＃５はステップを示す。
【００４８】
このレーザパワーの制御は、図１のマイクロコントローラ１２によって実行される。
ステップ＃１で、所望のレーザパワーの結晶化レベルＰｅと読み出しレベルＰｒに対応する所定電圧を発生する第４のＤ／Ａコンバータ１５と、第５のＤ／Ａコンバータ１６の初期設定を行う。
この第４と第５のＤ／Ａコンバータ１５，１６には、先に述べたように、それぞれ出力電圧が所定電圧Ｔｅ、Ｔｒとなるようなデータが設定される。
ステップ＃２で、電流Ｉｒ，Ｉｅ，Ｉｐの各電流源８，７，５の電流値を調整する第１から第３のＤ／Ａコンバータ９〜１１の初期設定を行う。ここで、初期値は、例えば「０」などの値である。
【００４９】
ステップ＃３で、次の図５のフローに示すタイマ割り込み処理Ａの起動間隔を設定する。このタイマ割り込み処理Ａでは、電流Ｉｅ，Ｉｐの調整を行う。
この割り込み処理Ａの起動間隔は、例えば１０ｍｓｅｃに設定され、以降、１０ｍｓｅｃごとにタイマ割り込みが発生し、割り込みごとにタイマ割り込み処理Ａが起動される。
ステップ＃４で、後出の図６のフローに示すタイマ割り込み処理Ｂの起動間隔を設定する。
この割り込み処理Ｂの起動間隔は、例えば１ｓｅｃに設定され、以降、１ｓｅｃごとにタイマ割り込みが発生し、割り込みごとにタイマ割り込み処理Ｂが起動される。
【００５０】
ステップ＃５で、レーザパワー制御を継続するか否かチェックする。
このチェックは、図４のフロー終了まで、ステップ＃５をループするが、実際の処理においては、ループ中にタイマ割り込み処理Ａ，Ｂが設定時間ごとに起動される。
次に、電流Ｉｅ、電流Ｉｐの調整を行うタイマ割り込み処理Ａについて、フローチャートで説明する。
【００５１】
図５は、図４に示したタイマ割り込み処理Ａについて、詳細な処理の流れを示すフローチャートである。図において、＃１１〜＃１５はステップを示す。
【００５２】
タイマ割り込み処理Ａが起動されると、ステップ＃１１で、第２のコンパレータ１４の出力レベルが読み込まれる。
第２のコンパレータ１４の出力レベルは、先に述べたように、結晶化レベルＰｅが所望のレベルより低いときは「Ｈ」レベルであり、高いときは「Ｌ」レベルである。
ステップ＃１２で、第２のコンパレータ１４の出力レベルが判定され、「Ｈ」レベルのときは、ステップ＃１３に進み、Ｉｅ電流源７の電流値を調整する第２のＤ／Ａコンバータ１０の設定値を更新する。
ステップ＃１３で、すでに設定された第２のＤ／Ａコンバータ１０に対する設定値に「１」を加えた値が再設定される。この結果、電流値Ｉｅが増加されて、結晶化レベルＰｅは上昇する。
【００５３】
また、出力レベルを判定した結果、「Ｌ」レベルのときは、ステップ＃１４へ進む。
ステップ＃１４では、すでに設定された第２のＤ／Ａコンバータ１０に対する設定値から「１」を引いた値が再設定される。この結果、電流値Ｉｅが減少されて、結晶化レベルＰｅは低下する。
【００５４】
ステップ＃１５では、Ｉｐ電流源５の電流値を調整する第３のＤ／Ａコンバータ１１の設定値を更新する。
第３のＤ／Ａコンバータ１１には、先のステップ＃１３やステップ＃１４で第２のＤ／Ａコンバータ１０に対して設定された値に、所定係数Ｋを掛けた値を設定する。
この係数Ｋを、所望の非晶質化レベルＰｐが得られるような値に予め決めておくことによって、所望の非晶質化レベルＰｐが得られる。
以上のステップ＃１１〜＃１５の処理によって、結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅと、非晶質化レベルＰｐの電流Ｉｐが、所望の値に調整され、所望の非晶質化レベルＰｐのパワーが得られる。
最後に、電流Ｉｒの調整を行うタイマ割り込み処理Ｂについて、フローチャートで説明する。
【００５５】
図６は、図４に示したタイマ割り込み処理について、詳細な処理の流れを示すフローチャートである。図において、＃２１〜＃２６はステップを示す。
【００５６】
先の図４のタイマ割り込み処理Ｂが起動されると、ステップ＃２１で、マイクロコントローラ１２は、第１のタイミング回路２４に対してサンプリング発生要求信号を出力する。
ステップ＃２２では、第１のタイミング回路２４がサンプルタイミング信号ＳＨｒを出力し、第１のサンプルホールド回路１７が検出電圧Ｖｄのサンプリングを行うまで、時間待ち（待機状態）となる。
ステップ＃２３で、第１のコンパレータ１３の出力レベルが読み込まれる。
この第１のコンパレータ１３の出力レベルは、先に述べたように、読み出しレベルＰｒが所望のレベルより低いときは「Ｈ」レベルであり、高いときは「Ｌ」レベルである。
ステップ＃２４で、第１のコンパレータ１３の出力レベルが判定され、「Ｈ」のときは、ステップ＃２５へ進み、Ｉｒ電流源８の電流値を調整する第１のＤ／Ａコンバータ９の設定値を更新する。
【００５７】
ステップ＃２５では、すでに設定された第１のＤ／Ａコンバータ９に対する設定値に「１」を加えた値を再設定する。この結果、電流値Ｉｒが増加されて、読み出しレベルＰｒは上昇する。
また、出力レベルを判定した結果、「Ｌ」レベルのときは、ステップ＃２６へ進む。
ステップ＃２６では、すでに設定された第１のＤ／Ａコンバータ９に対する設定値から「１」を引いた値を再設定する。この結果、電流値Ｉｒが減少されて、読み出しレベルＰｒは低下する。
【００５８】
ここで、この第３の実施の形態を、先の図１に示した光ディスク駆動装置と対比すれば、第２の実施の形態で説明した光ディスク駆動装置において、第３調整手段（第２のコンパレータ１４，マイクロコントローラ１２，第３のＤ／Ａコンバータ１１）は、第３レベルの電流（非晶質化レベルＰｐの電流Ｉｐ）が、第２調整手段（第２のコンパレータ１４，マイクロコントローラ１２，第２のＤ／Ａコンバータ１０）によって調整された第２レベルの電流（結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅ）に比例した値となるように調整するように構成している。
したがって、非晶質化レベルＰｐのレーザパワーについては直接検出を行わないが、調整された電流Ｉｅに、所定比率（例えば係数Ｋ）を掛けた電流Ｉｐを印加するように制御するので、非晶質化レベルＰｐを所望レベルに正確に調整することが可能になり、記録される情報の信頼性を向上させることができる。
【００５９】
第４の実施の形態
この第４の実施の形態は、請求項４の発明に対応しているが、請求項１の発明にも関連している。
この第４の実施の形態では、先の第１の実施の形態で説明した光ディスク駆動装置において、第２のサンプルホールド回路１８が、Ｉｅスイッチ６のオン／オフ制御信号ＳＷｅがオン状態で、Ｉｐスイッチ４のオン／オフ制御信号ＳＷｐがオフ状態の期間が所定期間以上となる期間中のアンプ３の出射光量検出電圧Ｖｄを保持する点に特徴を有している。
ハード構成は、先の図１と同様であり、また、タイミングチャートも、先の図２と基本的に同様である。
先の図１に示した第２のタイミング回路２５は、情報コードＣが「０」レベルの期間（図２の期間ａ）が所定期間以上となる場合だけ、サンプルタイミング信号ＳＨｅを出力する。
【００６０】
図７は、図１に示した光ディスク駆動装置について、第４の実施の形態による第２のタイミング回路２５の動作を説明するタイミングチャートである。図の各波形に付けられた符号は図２と同様であり、ａ１〜ａ５は情報コードＣが「０」レベルの期間を示す。
【００６１】
この図７には、情報コードＣが「０」レベルの期間が５Ｔ以上のとき、第２のタイミング回路２５がサンプルタイミング信号ＳＨｅを出力する場合を示している。
図７の場合には、情報コードＣが「０」レベルの期間は、ａ１からａ５までの５つの期間であるが、これらの期間ａ１〜ａ５の内、「０」レベルの期間が５Ｔ以上は、期間ａ３（５Ｔ）と期間ａ５（６Ｔ）の部分だけである。
したがって、サンプルタイミング信号ＳＨｅは、図７のＳＨｅに示すように、期間ａ３と期間ａ５に出力されることになる。
この図７には、Ｖｄとして、光量検出電圧Ｖｄの波形も示している。
従来の装置では、フォトディテクタ２やアンプ３の検出帯域が比較的低い場合には、情報コードＣが「０」レベルの期間、すなわち、レーザパワーが結晶化レベルＰｅで非パルス状となっている状態でも、その期間が短いときは、光量検出電圧Ｖｄの整定が十分に行われず、結晶化レベルＰｅに比例した電圧が検出できない場合がある。
しかし、その期間が十分に長いときは、光量検出電圧Ｖｄの整定が十分に行われ、結晶化レベルＰｅに比例した電圧が検出可能である。
【００６２】
この第４の実施の形態では、光量検出電圧Ｖｄが十分に整定するように、情報コードＣの「０」レベルの期間が所定期間以上となる場合だけ、サンプルタイミング信号ＳＨｅが出力されるので、第２のサンプルホールド回路１８には、結晶化レベルＰｅに比例した検出電圧がサンプリングされる。
その結果、第４の実施の形態によれば、レーザパワーが非パルス状となる部分で、しかも、所定期間以上の情報コードＣの「０」レベルの期間に、光量検出電圧をサンプリングしているので、光量検出電圧が充分に整定する期間だけサンプルタイミング信号が出力されることになり、先の第１の実施の形態に比べて、一層正確な結晶化レベルＰｅの検出が可能になる。
ここで、この第４の実施の形態を、図１に示した光ディスク駆動装置と対比すれば、第２のサンプルホールド手段（第２のサンプルホールド回路１８）は、第１のオン／オフ制御信号（Ｉｅスイッチ６のオン／オフ制御信号ＳＷｅ）がオン状態で、第２のオン／オフ制御信号（Ｉｐスイッチ４のオン／オフ制御信号ＳＷｐ）がオフ状態の期間が所定期間以上となる期間中の光量検出手段（フォトディテクタ２，アンプ３）の出力（Ｖｄ）を保持する構成である。
【００６３】
第５の実施の形態
この第５の実施の形態は、請求項５の発明に対応しているが、請求項１の発明にも関連している。
この第５の実施の形態では、先の第１の実施の形態で説明した光ディスク駆動装置において、第２のサンプルホールド回路１８が、Ｉｅスイッチ６のオン／オフ制御信号ＳＷｅがオン状態で、Ｉｐスイッチ４のオン／オフ制御信号ＳＷｐがオフ状態の内、記録コードの最長反転期間に相当する期間だけ、アンプ３の出射光量検出電圧Ｖｄを保持する点に特徴を有している。
ハード構成は、先の図１と同様であり、また、タイミングチャートも、先の図２と基本的に同様である。
先の図１に示した第２のタイミング回路２５は、情報コードＣが「０」レベルの期間（図２の期間ａ）の内、情報コードの最大反転間隔に相当する期間だけ、サンプルタイミング信号ＳＨｅを出力する。
【００６４】
図８は、図１に示した光ディスク駆動装置について、第５の実施の形態による第２のタイミング回路２５の動作を説明するタイミングチャートである。図の各波形に付けられた符号は図２と同様である。
【００６５】
この図８には、ＣＤのＥＦＭフレームフォーマットを示している。
情報コード（記録コード）にＥＦＭ変調されたコードを使用する場合、１ＥＦＭフレームは、５８８チャネルビットから構成されている。
そして、最初に、２４チャネルビットの同期パタンが記録されている。
このようなＣＤのフォーマットでは、最大反転間隔である１１Ｔの情報コードＣが「０」の期間は、各ＥＦＭフレームに挿入されている同期パタン部において必ず出現する。
この同期パタン部において、情報コードＣは、下方に示すように、１１Ｔで反転される。
【００６６】
第２のタイミング回路２５は、その反転間隔が、最小３Ｔから最大１１Ｔまでに設定されている。
そのため、第２のタイミング回路２５は、この情報コードＣが「０」レベルの期間の内、最大反転間隔に相当する期間だけ、サンプルタイミング信号ＳＨｅを出力する。
すなわち、サンプルタイミング信号ＳＨｅは、図８のＳＨｅに示すように、反転間隔が１１Ｔの期間に出力されることになる。
したがって、第２のサンプルホールド回路１８には、結晶化レベルＰｅに比例した検出電圧がサンプリングされることになり、フォトディテクタ、検出アンプの帯域が限られている場合でも、結晶化レベルＰｅの出射レーザパワーを正確に検出することができる。
【００６７】
以上のように、この第５の実施の形態は、先の第４の実施の形態の光ディスク駆動装置と同様に、アンプ３の出射光量検出電圧Ｖｄが十分に整定するように、情報コードＣの「０」レベルの期間が最大反転間隔に相当する期間だけ、サンプルタイミング信号ＳＨｅが出力される。
その結果、第５の実施の形態によれば、レーザパワーが非パルス状となる部分で、しかも、最大反転間隔に相当する期間に、光量検出電圧をサンプリングしているので、光量検出電圧が充分に整定する期間だけサンプルタイミング信号が出力されることになり、先の第１の実施の形態に比べて、より正確に結晶化レベルＰｅを検出することが可能になる。
ここで、この第５の実施の形態を、図１に示した光ディスク駆動装置と対比すれば、第２のサンプルホールド手段（第２のサンプルホールド回路１８）は、第１のオン／オフ制御信号（Ｉｅスイッチ６のオン／オフ制御信号ＳＷｅ）がオン状態で、第２のオン／オフ制御信号（Ｉｐスイッチ４のオン／オフ制御信号ＳＷｐ）がオフ状態の内、記録コードの最長反転期間に相当する期間の光量検出手段（フォトディテクタ２，アンプ３）の出力（Ｖｄ）を保持する構成である。
【００６８】
【発明の効果】
請求項１の光ディスク駆動装置では、結晶化レベルＰｅの駆動時には、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒに結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅを重畳し、非晶質化レベルＰｐの駆動時には、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒと結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅに、非晶質化レベルＰｐの電流Ｉｐを重畳するようにしている。
具体的にいえば、読み出しレベルＰｒは、所定時間ごとに、レーザダイオードの出射レベルを非パルス状に読み出しレベルＰｒとし、この期間で光量検出電圧をサンプリングすることにより、正確な読み出しレベルＰｒを検出する。
そして、正確に検出された各レベルに基づいてレーザダイオードへの印加電流Ｉｒ、Ｉｅの調整を行う。
したがって、フォトディテクタ、検出アンプの検出帯域が比較的狭く、安価な出射光量検出器を使用する場合でも、結晶化レベルＰｅ、読み出しレベルＰｒの各出射レーザパワーの正確な検出が可能になる。
その結果、レーザダイオードを結晶化レベルＰｅ、読み出しレベルＰｒのそれぞれ所望のレベルに正確に調整することができ、出射光量の安定化が可能になるので、記録される情報の信頼性を向上させることができる。
【００６９】
請求項２の光ディスク駆動装置では、請求項１の駆動装置において、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒと、結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅを調整するための手段を具体的に構成している。
具体的には、結晶化レベルＰｅは、情報コードＣが「０」レベルの期間において、レーザパワーが非パルス状となる部分で、光量検出電圧をサンプリングすることにより、正確な結晶化レベルＰｅが検出される。
したがって、請求項１の駆動装置による効果に加えて、レーザダイオードに印加される電流Ｉが制御され、レーザパワーの結晶化レベルＰｅを所望のレベルに調整することができる。
【００７０】
請求項３の光ディスク駆動装置では、請求項２の駆動装置において、非晶質化レベルＰｐの電流Ｉｐを調整するようにしている。
具体的にいえば、非晶質化レベルＰｐの電流Ｉｐと結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅとの比率を、所望の非晶質化レベルＰｐが得られるような値に予め設定しておく。
この場合には、非晶質化レベルＰｐの出射レーザパワーは直接検出しないが、調整された電流Ｉｅに所定比率を掛けた電流Ｉｐが印加される。
したがって、請求項２の駆動装置による効果に加えて、非晶質化レベルＰｐを所望のレベルに正確に調整することができる。
【００７１】
請求項４の光ディスク駆動装置では、請求項１の駆動装置において、光量検出電圧Ｖｄが十分に整定するように、情報コードＣの「０」レベルの期間が所定期間以上となる場合だけ、サンプルタイミング信号（ＳＨｅ）が出力されるので、結晶化レベルＰｅに比例した検出電圧をサンプリングすることができる。
具体的には、レーザパワーが非パルス状となる部分で、しかも、所定期間以上の情報コードＣの「０」レベルの期間に、光量検出電圧をサンプリングしているので、光量検出電圧が充分に整定する期間だけサンプルタイミング信号が出力される。
したがって、請求項１の駆動装置による効果に加えて、一層正確な結晶化レベルＰｅの検出が可能になる。
【００７２】
請求項５の光ディスク駆動装置では、請求項１の駆動装置において、光量検出電圧Ｖｄが十分に整定するように、情報コードＣの「０」レベルの期間が最大反転間隔に相当する期間だけ、サンプルタイミング信号（ＳＨｅ）が出力されるので、結晶化レベルＰｅに比例した検出電圧をサンプリングすることができる。
具体的には、レーザパワーが非パルス状となる部分で、しかも、最大反転間隔に相当する期間に、光量検出電圧をサンプリングしているので、光量検出電圧が充分に整定する期間だけサンプルタイミング信号が出力される。
したがって、請求項１の駆動装置による効果に加えて、より正確に結晶化レベルＰｅを検出することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の光ディスク駆動装置について、そのレーザパワー制御装置の要部構成の実施の形態の一例を示す機能ブロック図である。
【図２】図１に示した光ディスク駆動装置について、その動作を説明するタイミングチャートである。
【図３】図１に示した光ディスク駆動装置について、第３の実施の形態によるレーザダイオード１の電流ＩとレーザパワーＰとの関係を示す特性図である。
【図４】この発明の光ディスク駆動装置について、レーザパワーの制御時における主要な処理の流れを示すフローチャートである。
【図５】図４に示したタイマ割り込み処理Ａについて、詳細な処理の流れを示すフローチャートである。
【図６】図４に示したタイマ割り込み処理について、詳細な処理の流れを示すフローチャートである。
【図７】図１に示した光ディスク駆動装置について、第４の実施の形態による第２のタイミング回路２５の動作を説明するタイミングチャートである。
【図８】図１に示した光ディスク駆動装置について、第５の実施の形態による第２のタイミング回路２５の動作を説明するタイミングチャートである。
【図９】相変化型光ディスクにおける記録方法の原理を説明する図である。
【符号の説明】
１……レーザダイオード、２……フォトディテクタ、３……アンプ、４……Ｉｐスイッチ、５……Ｉｐ電流源、６……Ｉｅスイッチ、７……Ｉｅ電流源、８……Ｉｒ電流源、９……第１のＤ／Ａコンバータ、１０……第２のＤ／Ａコンバータ、１１……第３のＤ／Ａコンバータ、１２……マイクロコントローラ、１３……第１のコンパレータ、１４……第２のコンパレータ、１５……第４のＤ／Ａコンバータ、１６……第５のＤ／Ａコンバータ、１７……第１のサンプルホールド回路、１８……第２のサンプルホールド回路、１９……第１のアンドゲート回路、２０……第２のアンドゲート回路、２１……インバータ、２２……第１のパルスジェネレータ、２３……第２のパルスジェネレータ、２４……第１のタイミング回路、２５……第２のタイミング回路、２６……エンコーダ
【発明の属する技術分野】
この発明は、光源から出射される光量を記録コード周波数より高い周波数のパルス列として光ディスク上に照射して情報の記録、消去、初期化を行う光ディスク駆動装置に係り、特に、光源の半導体レーザ（レーザダイオード）等の発光パワーを制御するレーザパワー制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＣＤ−ＲＷ（コンパクトディスク・リライタブル）などの相変化型光ディスクは、高密度記録が可能なディスクであり、情報の記録、消去、初期化が行われている。
また、この相変化型光ディスクの情報の記録方法については、各種の方式が提案されている。
例えば、オーバライトを行うのに適する情報の記録方法として、ディスク上に非晶質化マークを形成するために、レーザビームを短い単一または複数のパルスで照射したり（特開昭６３−２６６６３２号公報）、同様に、ディスク上に非晶質化マークを形成するため、あるいは結晶化するために、高い周波数のパルス列でレーザビームを照射する（特開平１−１１９９２１号公報）などの記録方法が知られている。
ここで、相変化型光ディスクにおける記録方法について、簡単に説明する。
【０００３】
図９は、相変化型光ディスクにおける記録方法の原理を説明する図で、(1) は記録情報とレーザパワーとの関係、(2) は記録情報に対応するトラック上の記録状態を示す。図において、Ｐｐは非晶質化レベル、Ｐｅは結晶化レベル、Ｐｒは読み出しレベルを示す。
【０００４】
相変化型光ディスクの場合、情報の記録に際しては、ディスクのトラック上にレーザスポットを照射し、レーザパワーを記録情報に応じて変化させることにより、ディスクの記録膜上に結晶化領域と非晶質化したマークを形成することによって行われる。
この状態を、図９(1) に示しており、記録コード（情報コード）の「０」のレベルに対応して、レーザパワーを結晶化レベルＰｅとすることにより、記録膜が結晶化されて、結晶化領域が形成される。
【０００５】
これに対して、記録コードの「１」のレベルに対応して、レーザパワーを非晶質化レベルＰｐと読み出しレベルＰｒとの間で、パルス状に変化させることにより、記録膜が非晶質化されて、非晶質化マークが形成される。
このような記録動作によって、図９(2) に示したように、トラック上に記録コードの「１」のレベルに対応する非晶質化マークが形成される。
ここで、３つのレベルの関係は、Ｐｐ（非晶質化レベル）＞Ｐｅ（結晶化レベル）＞Ｐｒ（読み出しレベル）である。
【０００６】
このようにして、相変化型光ディスクには、記録コードの「０」のレベルに対応する結晶化領域と、記録コードの「１」のレベルに対応する非晶質化マークとが形成される。
そのため、レーザパワーとしては、記録コードの「０」のレベルに対応する（中間の）結晶化レベルＰｅと、記録コードの「１」のレベルを形成するための（最高の）非晶質化レベルＰｐと、（最低の）読み出しレベルＰｒ、の計３つのレベルで制御する必要がある。
【０００７】
ところで、ＣＤ−ＲＷなどの相変化型光ディスクのように、レーザスポットを高い周波数のパルス列として光ディスク上に照射して情報の記録あるいは消去、初期化を行う光ディスク駆動装置においては、レーザパワーの変化も高周波であり、高速になる。
そのため、検出帯域の限られた出射光量検出器を使用すると、正確な出射光量を検出することが困難になる。
そして、このような不正確に検出された出射光量に基いて出射光量を調整しても、光量の正確な調整は難かしいので、安定化させることも困難である。
その結果、情報の記録、消去、初期化等の処理が不完全なものになる、というケースが生じる。
また、正確な出射光量を検出するために、広帯域の出射光量検出器を使用すると、高価な受光素子やアンプ等を必要とするのでコストアップになる。
【０００８】
このような不都合を解決する方法として、この出願の発明者は、安価で簡単な構成によって、レーザダイオードの出射光量を安定化させることにより、情報の信頼性の高い光ディスク駆動装置について提案した（特開平９−１７１６３１号公報）。
この光ディスク駆動装置のレーザパワー制御装置では、光源を非パルス状に駆動する期間を設け、この期間中にレーザの発光パワーを検出して、発光パワーを制御するようにしている。
このように発光パワーを制御すれば、検出帯域の限られた出射光量検出器を使用しても、正確な出射光量の検出が可能である。
【０００９】
しかし、レーザダイオードの発光パワーの検出において、非パルス状の期間のレーザダイオードは記録パワー（前記の非晶質化レベル：Ｐｐ）であり、このように高い発光パワーを光ディスクに照射して発光パワーの制御を行うと、光ディスクが劣化する、という問題があり、相変化型光ディスクにおいては、非パルス状の光の記録パワーによる照射は、光ディスクの特性を著しく劣化させるので、情報の信頼性の高いデータの記録、再生あるいは消去が行えない、という問題を生じる。
そこで、中間レベルの結晶化レベルＰｅのパワー制御（設定）は、記録情報が「０」の非パルス状の期間に行って、最適な結晶化レベルＰｅの重畳電流Ｉｅを検出し、最適な非晶質化レベルＰｐの重畳電流Ｉｐは、非パルス状の期間に検出された結晶化レベルＰｅの重畳電流Ｉｅに比例した値の電流に調整することにより設定し、読み出しレベルＰｒの駆動電流Ｉｒは、ローパスフィルタによって平滑化された検出出力を使用して、非晶質化レベルＰｐと最も低い読み出しレベルＰｒとの平均パワーレベルを検知することによって設定する光ディスク駆動装置のレーザパワー制御装置について、すでに提案した（特開平９−２８８８４０号公報）。
このように、パルス状オン／オフ期間におけるローパスフィルタの出力を検出して発光パワーを制御することによって、検出帯域が比較的狭くて安価な出射光量検出器を使用しても、正確なパワー制御が可能になる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
先の従来の技術で説明したように、検出帯域が比較的狭くて安価な出射光量検出器を使用しても、正確なパワー制御が可能な光ディスク駆動装置のレーザパワー制御装置は、すでに知られている。
しかし、光源を非パルス状に駆動する期間を設け、この期間中にレーザの発光パワーを検出して、発光パワーを制御する光ディスク駆動装置（前出の特開平９−１７１６３１号公報）や、パルス状オン／オフ期間におけるローパスフィルタの出力を検出して発光パワーを制御する光ディスク駆動装置（前出の特開平９−２８８８４０号公報）では、出射光量検出と、正確な出射光量の制御のための回路がやや複雑であり、改良の余地がある。
この発明では、レーザスポットを記録周波数より高い周波数のパルス列として光ディスク上に照射して情報の記録、再生、消去あるいは初期化を行う光ディスク装置において、検出帯域が比較的狭く、安価な出射光量検出器を使用する簡単な構成によって、レーザダイオードの出射光量を安定化させると共に、信頼性の高い情報の記録を可能にすることを課題としている（請求項１から請求項５の発明）。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１の光ディスク駆動装置は、レーザパワー制御装置として、前記光源に第１レベルの電流を印加する電流印加手段と、前記第１レベルの電流に第２レベルの電流を重畳する第１電流重畳手段と、前記第１レベルの電流と前記第２レベルの電流に第３レベルの電流を重畳する第２電流重畳手段と、前記第２レベルの電流をオン／オフ制御する第１スイッチ手段と、前記第３レベルの電流をオン／オフ制御する第２スイッチ手段と、記録コードに応じて、前記第１スイッチ手段にパルス状の第１のオン／オフ制御信号を与える第１のパルス発生手段と、記録コードに応じて、前記第２スイッチ手段に前記第１のオン／オフ制御信号と同じタイミングで、かつ同相でパルス状の第２のオン／オフ制御信号を与える第２のパルス発生手段と、前記第１のオン／オフ制御信号と前記第２のオン／オフ制御信号の出力を所定期間オフ状態とするタイミング信号を発生するタイミング手段と、前記タイミング信号の発生期間中の前記光量検出手段の出力を保持する第１のサンプルホールド手段と、前記第１のオン／オフ制御信号がオン状態で、前記第２のオン／オフ制御信号がオフ状態の期間中の前記光量検出手段の出力を保持する第２のサンプルホールド手段と、前記第１のサンプルホールド手段の出力に応じて、前記第１レベルの電流を調整する第１調整手段と、前記第２のサンプルホールド手段の出力に応じて前記第２レベルの電流を調整する第２調整手段と、前記第２のサンプルホールド手段の出力に応じて前記第３レベルの電流を調整する第３調整手段とを有している。
【００１２】
請求項２の光ディスク駆動装置は、請求項１の光ディスク駆動装置において、第１調整手段が、第１の所定レベル信号と第１のサンプルホールド手段の出力レベルとを比較し、比較結果に応じて第１レベルの電流を増減させ、第２調整手段が、第２の所定レベル信号と第２のサンプルホールド手段の出力レベルとを比較し、比較結果に応じて第２レベルの電流を増減させるようにしている。
【００１３】
請求項３の光ディスク駆動装置は、請求項２の光ディスク駆動装置において、第３調整手段は、第３レベルの電流が、第２調整手段によって調整された第２レベルの電流に比例した値となるように調整する。
【００１４】
請求項４の光ディスク駆動装置は、請求項１の光ディスク駆動装置において、第２のサンプルホールド手段が、第１のオン／オフ制御信号がオン状態で、第２のオン／オフ制御信号がオフ状態の期間が所定期間以上となる期間中の光量検出手段の出力を保持するようにしている。
【００１５】
請求項５の光ディスク駆動装置は、請求項１の光ディスク駆動装置において、前記第２のサンプルホールド手段は、前記第１のオン／オフ制御信号がオン状態で、前記第２のオン／オフ制御信号がオフ状態の内、記録コードの最長反転期間に相当する期間の前記光量検出手段の出力を保持するようにしている。
請求項６のレーザパワー制御装置は、半導体レーザ等の光源と、前記光源の出射光量を検出する光量検出手段とを備え、前記光源から出射される光量を記録コード周波数より高い周波数のパルス列として光ディスク上に照射して情報の記録、消去、初期化を行う光ディスク駆動装置に使用されるレーザパワー制御装置であって、前記光源に第１レベルの電流を印加する電流印加手段と、前記第１レベルの電流に第２レベルの電流を重畳する第１電流重畳手段と、前記第１レベルの電流と前記第２レベルの電流に第３レベルの電流を重畳する第２電流重畳手段と、前記第２レベルの電流をオン／オフ制御する第１スイッチ手段と、前記第３レベルの電流をオン／オフ制御する第２スイッチ手段と、記録コードに応じて、前記第１スイッチ手段にパルス状の第１のオン／オフ制御信号を与える第１のパルス発生手段と、記録コードに応じて、前記第２スイッチ手段に前記第１のオン／オフ制御信号と同じタイミングで、かつ同相でパルス状の第２のオン／オフ制御信号を与える第２のパルス発生手段と、前記第１のオン／オフ制御信号と前記第２のオン／オフ制御信号の出力を所定期間オフ状態とするタイミング信号を発生するタイミング手段と、前記タイミング信号の発生期間中の前記光量検出手段の出力を保持する第１のサンプルホールド手段と、前記第１のオン／オフ制御信号がオン状態で、前記第２のオン／オフ制御信号がオフ状態の期間中の前記光量検出手段の出力を保持する第２のサンプルホールド手段と、前記第１のサンプルホールド手段の出力に応じて、前記第１レベルの電流を調整する第１調整手段と、前記第２のサンプルホールド手段の出力に応じて前記第２レベルの電流を調整する第２調整手段と、前記第２のサンプルホールド手段の出力に応じて前記第３レベルの電流を調整する第３調整手段とを備えている。
【００１６】
【発明の実施の形態】
第１の実施の形態
この第１の実施の形態は、請求項１の発明に対応しているが、請求項２から請求項５の発明にも関連しており、請求項１の発明が基本発明である。
この第１の実施の形態では、検出帯域が比較的狭くて安価な出射光量検出器を使用した簡単な構成によって、レーザダイオードの出射光量を安定化させることにより、３つのパワーレベルの設定、すなわち、最も低い読み出しレベルＰｒだけでなく、中間の結晶化レベルＰｅや、最も高い非晶質化レベルＰｐの正確な制御を可能にしており、特に、結晶化レベルＰｅの駆動時には、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒに結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅを重畳し、非晶質化レベルＰｐの駆動時には、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒと結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅに、非晶質化レベルＰｐの電流Ｉｐを重畳する点に特徴を有している。
【００１７】
具体的にいえば、第１の実施の形態では、情報コードＣが「１」レベルの期間のパルス状の発光部分でも、正確な光量検出を可能にするために、結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅのオン／オフ制御信号（後出の図１のＳＷｅ）と非晶質化レベルＰｐの電流Ｉｐのオン／オフ制御信号（ＳＷｐ）の出力を所定期間オフ状態とするタイミング信号（ＳＨｒ）を発生させ、このタイミング信号（ＳＨｒ）の発生期間中に、出射光量検出電圧（Ｖｄ）を第１の回路で保持し、また、電流Ｉｅのオン／オフ制御信号（ＳＷｅ）がオン状態で、電流Ｉｐのオン／オフ制御信号（ＳＷｐ）がオフ状態の期間中の出射光量検出電圧（Ｖｄ）を第２の回路で保持する。
そして、先の第１の回路に保持された値に応じて、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒを調整し、第２の回路に保持された値に応じて、結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅと非晶質化レベルＰｐの電流Ｉｐを調整する。
最初に、全体の構成を説明する。
【００１８】
図１は、この発明の光ディスク駆動装置について、そのレーザパワー制御装置の要部構成の実施の形態の一例を示す機能ブロック図である。図において、１はレーザダイオード、２はフォトディテクタ、３はアンプ、４はＩｐスイッチ、５はＩｐ電流源、６はＩｅスイッチ、７はＩｅ電流源、８はＩｒ電流源、９〜１１は第１から第３のＤ／Ａコンバータ、１２はマイクロコントローラ、１３と１４は第１と第２のコンパレータ、１５と１６は第４と第５のＤ／Ａコンバータ、１７と１８は第１と第２のサンプルホールド回路、１９と２０は第１と第２のアンドゲート回路、２１はインバータ、２２と２３は第１と第２のパルスジェネレータ、２４と２５は第１と第２のタイミング回路、２６はエンコーダを示し、Ｉは実際にレーザダイオード１に印加される電流、Ｉｒは読み出しレベルＰｒの駆動電流、Ｉｅは結晶化レベルＰｅとするために電流Ｉｒに重畳する電流で、Ｉｅ′は電流Ｉｅがスイッチングされた電流、Ｉｐは非晶質化レベルＰｐとするために電流Ｉｒと電流Ｉｅに重畳する電流で、Ｉｐ′は電流Ｉｐがスイッチングされた電流、Ｃは情報コード（記録コード）、ＳＷｅはＩｅスイッチ６のオン／オフ制御信号、ＳＷｐはＩｐスイッチ４のオン／オフ制御信号、ＳＨｒは第１のタイミング回路２４から出力される第１のサンプルホールド回路１７のサンプルタイミング信号、ＳＨｅは第２のサンプルホールド回路１８のサンプルタイミング信号、Ｔｒは第５のＤ／Ａコンバータ１６から出力される所定電圧、Ｔｅは第４のＤ／Ａコンバータ１５から出力される所定電圧、Ｖｄはアンプ３の出射光量検出電圧を示す。
【００１９】
レーザダイオード１の出射光は、図示しないレンズにより集光されてディスク上に照射されるが、この出射光の一部は、フォトディテクタ２にも照射されて、その出力がアンプ３により増幅され、出射光量の検出に用いられる。
このレーザダイオード１には、３つの電流源（Ｉｐ電流源５，Ｉｅ電流源７，Ｉｒ電流源８）からの電流が印加されるが、その内の２つの電流源（Ｉｐ電流源５，Ｉｅ電流源７）からの電流は、Ｉｐスイッチ４とＩｅスイッチ６によってそれぞれオン／オフされる。
まず、Ｉｒ電流源８は、レーザダイオード１に対して、レーザパワーを読み出しレベルＰｒにするために必要な電流Ｉｒを印加する（最低のレベル）。
次に、結晶化レベルＰｅの駆動時には、Ｉｐスイッチ４とＩｅスイッチ６の２つのスイッチの内、Ｉｅスイッチ６のみが動作され、Ｉｅスイッチ６がオン時には、Ｉｒ電流源８からの電流ＩｒとＩｅ電流源７からの電流Ｉｅが、レーザダイオード１に印加される。
【００２０】
この場合には、このＩｅ電流源７からの電流Ｉｅは、Ｉｅスイッチ６によってオン／オフ制御された電流Ｉｅ′として、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒに重畳される形でレーザダイオード１に印加される。
したがって、この結晶化レベルＰｅの駆動時には、レーザパワーを結晶化レベルＰｅとするために必要な電流Ｉｒ＋Ｉｅ′が、レーザダイオード１に印加される（中間のレベル）。
また、非晶質化レベルＰｐの駆動時には、先の結晶化レベルＰｅの電流Ｉｒ＋Ｉｅに、Ｉｐ電流源５からの電流Ｉｐが重畳される形でレーザダイオード１に印加される。
すなわち、この場合には、Ｉｅスイッチ６とＩｐスイッチ４が動作され、Ｉｅスイッチ６とＩｐスイッチ４とが共にオンのときには、Ｉｒ電流源８からの電流Ｉｒに、Ｉｅ電流源７からの電流ＩｅとＩｐ電流源５からの電流Ｉｐとが重畳されて、電流Ｉｒ＋Ｉｅ＋Ｉｐがレーザダイオード１に印加される。
【００２１】
他方、Ｉｅスイッチ６とＩｐスイッチ４とが共にオフのときは、Ｉｒ電流源８からの電流Ｉｒのみが、レーザダイオード１に印加される。
このＩｐ電流源５からの電流は、Ｉｐスイッチ４によってオン／オフ制御されたスイッチング電流Ｉｐ′として、結晶化レベルＰｅの電流Ｉｒ＋Ｉｅに重畳される形でレーザダイオード１に印加される。
したがって、この非晶質化レベルＰｐの駆動時には、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒに、（結晶化レベルＰｅの駆動時の）Ｉｅスイッチ６のオン／オフにより生成されたスイッチング電流Ｉｅ′と、Ｉｐスイッチ４のオン／オフにより生成されたスイッチング電流Ｉｐ′とが重畳された電流Ｉｒ＋Ｉｅ′＋Ｉｐ′が、レーザダイオード１に印加される（最高のレベル）。
【００２２】
すでに述べたように、この第１の実施の形態では、結晶化レベルＰｅの駆動時には、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒに結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅを重畳し、非晶質化レベルＰｐの駆動時には、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒと結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅに、非晶質化レベルＰｐの電流Ｉｐを重畳することによって、フォトディテクタ、検出アンプの帯域が限られている場合でも、読み出しレベルＰｒ、結晶化レベルＰｅ、非晶質化レベルＰｐの各出射レーザパワーが正確に検出できるようにしている。
次に、第１の実施の形態による動作を、タイミングチャートによって詳しく説明する。
【００２３】
図２は、図１に示した光ディスク駆動装置について、その動作を説明するタイミングチャートである。図の各波形に付けられた符号は図１の符号位置に対応しており、Ｐは電流Ｉによるレーザパワー、期間ａは情報コードＣが「０」レベルの期間、期間ｂは情報コードＣが「１」レベルの期間、期間ｃはサンプルタイミング信号ＳＨｒが「Ｈ」となる期間を示す。
【００２４】
最初に、情報コードの「０」レベルに対応するレーザパワー（図２のＰ）の結晶化レベルＰｅの制御と、情報コードの「１」レベルに対応する非晶質化レベルＰｐの制御（非晶質化レベルＰｐと読み出しレベルＰｒとの間でパルス状に変化させるパワー制御）について述べる。
先の図１の光ディスク駆動装置において、記録データは、エンコーダ２６によって所定のデータ変調が行われ、情報コード（記録コード）Ｃに変換される。
データ変調の方式として、ＣＤ−ＲＷなどの相変化型光ディスクでは、一般にＥＦＭ変調が使用される。
【００２５】
第１のパルスジェネレータ２２と第２のパルスジェネレータ２３は、情報コードＣのレベルに応じてオン／オフ動作を行う。
この第１と第２のパルスジェネレータ２２，２３のオン／オフ動作により、Ｉｅスイッチ６のオン／オフ制御信号ＳＷｅとＩｐスイッチ４のオン／オフ制御信号ＳＷｐとが生成されるが、そのために、第１のパルスジェネレータ２２と第２のパルスジェネレータ２３の出力側には、第１のアンドゲート回路１９と第２のアンドゲート回路２０がそれぞれ接続されている。
【００２６】
第１のパルスジェネレータ２２の出力は、第１のアンドゲート回路１９の一方に入力され、また、第２のパルスジェネレータ２３の出力は、第２のアンドゲート回路２０の一方に入力される。
また、第１のアンドゲート回路１９と、第２のアンドゲート回路２０の他方の入力には、インバータ２１を介して、通常「Ｈ」の信号が与えられている。
したがって、通常、第１のパルスジェネレータ２２と第２のパルスジェネレータ２３の出力が、そのまま２つのオン／オフ制御信号、すなわち、Ｉｅスイッチ６のオン／オフ制御信号ＳＷｅと、Ｉｐスイッチ４のオン／オフ制御信号ＳＷｐとして出力される。
【００２７】
まず、情報コードＣが「０」レベルの期間（図２の期間ａ）では、一方の第１のパルスジェネレータ２２から出力される制御信号ＳＷｅは「Ｈ」レベル、他方の第２のパルスジェネレータ２３から出力される制御信号ＳＷｐは「Ｌ」レベルとなる。
そのため、Ｉｅスイッチ６だけがオン状態となり、レーザダイオード１に印加される電流Ｉとして、Ｉｒ電流源８からの電流ＩｒとＩｅ電流源７からの電流Ｉｅの、Ｉｒ＋Ｉｅが供給される。
したがって、レーザダイオード１のレーザパワー（出射パワー）Ｐは、結晶化レベルＰｅとなる。
【００２８】
次に、情報コードＣが「１」レベルの期間（図２の期間ｂ）では、第１のパルスジェネレータ２２と第２のパルスジェネレータ２３からの出力は、同じタイミングでパルス状に変化する。
そのため、この場合には、２つのオン／オフ制御信号ＳＷｅ，ＳＷｐも、同じタイミングでパルス状に変化され、Ｉｅスイッチ６およびＩｐスイッチ４は、同時にパルス状にオン／オフ動作を行う。
すなわち、この図２の期間ｂは、レーザダイオード１には、両スイッチ６，４がオフのときには電流Ｉｒが、両スイッチがオンのときには電流Ｉｒ＋Ｉｅ＋Ｉｐが印加されることになる。
したがって、レーザダイオード１のレーザパワー（出射パワー）Ｐは、読み出しレベルＰｒと非晶質化レベルＰｐとの間でパルス状に変化される。
以上の動作により、図１の光ディスク駆動装置によれば、情報コードの「０」レベルに対応して、レーザパワー（図２のＰ）を結晶化レベルＰｅに制御し、情報コードの「１」レベルに対応して、レーザパワーを非晶質化レベルＰｐと読み出しレベルＰｒとの間でパルス状に変化させるパワー制御（非晶質化レベルＰｐの制御）が実現される。
【００２９】
ところで、アンプ３の光量検出電圧Ｖｄは、レーザパワーＰに比例した値となるが、フォトディテクタ２、アンプ３の応答帯域が限られているため、情報コードＣが「１」レベルの期間（期間ｂ）のパルス状の発光部分では、正確な光量検出ができない。
なお、情報コードＣが「０」レベルの期間（期間ａ）では、レーザパワーＰは結晶化レベルＰｅであり、非パルス状となるため、光量検出電圧Ｖｄは、図２のＶｄに示すように、結晶化レベルＰｅに比例した値となる。
そこで、この第１の実施の形態では、情報コードＣが「１」レベルの期間（期間ｂ）のパルス状の発光部分でも、正確な光量検出を可能にするために、Ｉｅスイッチ６のオン／オフ制御信号ＳＷｅと、Ｉｐスイッチ４のオン／オフ制御信号ＳＷｐの出力を所定期間オフ状態とするタイミング信号ＳＨｒを発生させて、このタイミング信号ＳＨｒの発生期間中に、アンプ３の出射光量検出電圧Ｖｄを第１のサンプルホールド回路１７によって保持する。
また、Ｉｅスイッチ６のオン／オフ制御信号ＳＷｅがオン状態で、Ｉｐスイッチ４のオン／オフ制御信号ＳＷｐがオフ状態の期間中のアンプ３の出射光量検出電圧Ｖｄを、第２のサンプルホールド回路１８によって保持する。
【００３０】
そして、第１のコンパレータ１３とマイクロコントローラ１２と第１のＤ／Ａコンバータ９により、第１のサンプルホールド回路１７の出力に応じて、Ｉｒ電流源８からの電流Ｉｒを調整する。
また、第２のコンパレータ１４とマイクロコントローラ１２と第２のＤ／Ａコンバータ１０により、第２のサンプルホールド回路１８の出力に応じて、Ｉｅ電流源７からの電流Ｉｅを調整すると共に、第２のコンパレータ１４とマイクロコントローラ１２と第３のＤ／Ａコンバータ１１により、第２のサンプルホールド回路１８の出力に応じてＩｐ電流源５からの電流Ｉｐを調整するように構成している。
この場合の各電流Ｉｒ，Ｉｅ，Ｉｐの調整動作については、第２から第５の実施の形態で具体的に説明する。
この第１の実施の形態では、以上のように構成することによって、検出帯域が比較的狭くて安価な出射光量検出器を使用しても、レーザダイオードの出射光量を安定化させることが可能になるので、情報の信頼性の高い光ディスク駆動装置が実現される。
【００３１】
ここで、この第１の実施の形態（請求項１の発明）の光ディスク駆動装置を、図１の装置の構成と対照すると、次のようになる。
半導体レーザ等の光源（図１のレーザダイオード１）と、前記光源（レーザダイオード１）の出射光量を検出する光量検出手段（フォトディテクタ２，アンプ３）とを備え、前記光源（レーザダイオード１）から出射される光量を記録コード周波数より高い周波数のパルス列として光ディスク上に照射して情報の記録、消去、初期化を行う光ディスク駆動装置において、
レーザパワー制御装置として、
前記光源（レーザダイオード１）に第１レベルの電流（Ｉｒ）を印加する電流印加手段（Ｉｒ電流源８）と、
前記第１レベルの電流（Ｉｒ）に第２レベルの電流（Ｉｅ）を重畳する第１電流重畳手段（Ｉｅ電流源７）と、
前記第１レベルの電流（Ｉｒ）と第２レベルの電流（Ｉｅ）に第３レベルの電流（Ｉｐ）を重畳する第２電流重畳手段（Ｉｐ電流源５）と、
前記第２レベルの電流（Ｉｅ）をオン／オフ制御する第１スイッチ手段（Ｉｅスイッチ６）と、
前記第３レベルの電流（Ｉｐ）をオン／オフ制御する第２スイッチ手段（Ｉｐスイッチ４）と、
記録コードに応じて、前記第１スイッチ手段（Ｉｅスイッチ６）にパルス状の第１のオン／オフ制御信号（ＳＷｅ）を与える第１のパルス発生手段（第１のパルスジェネレータ２２）と、
記録コードに応じて、前記第２スイッチ手段（Ｉｐスイッチ４）にパルス状の第２のオン／オフ制御信号（ＳＷｐ）を与える第２のパルス発生手段（第２のパルスジェネレータ２３）と、
前記第１と第２のオン／オフ制御信号（ＳＷｅ，ＳＷｐ）の出力を所定期間オフ状態とするタイミング信号（ＳＨｒ）を発生するタイミング手段（第１のタイミング回路２４，第１のアンドゲート回路１９，第２のアンドゲート回路２０）と、
前記タイミング信号（ＳＨｒ）の発生期間中の前記光量検出手段（フォトディテクタ２，アンプ３）の出力（Ｖｄ）を保持する第１のサンプルホールド手段（第１のサンプルホールド回路１７）と、
前記第１のオン／オフ制御信号（ＳＷｅ）がオン状態で、前記第２のオン／オフ制御信号（ＳＷｐ）がオフ状態の期間中の前記光量検出手段（フォトディテクタ２，アンプ３）の出力（Ｖｄ）を保持する第２のサンプルホールド手段（第２のサンプルホールド回路１８）と、
前記第１のサンプルホールド手段（第１のサンプルホールド回路１７）の出力に応じて、前記第１レベルの電流（Ｉｒ）を調整する第１調整手段（第１のコンパレータ１３，マイクロコントローラ１２，第１のＤ／Ａコンバータ９）と、
前記第２のサンプルホールド手段（第２のサンプルホールド回路１８）の出力に応じて前記第２レベルの電流（Ｉｅ）を調整する第２調整手段（第２のコンパレータ１４，マイクロコントローラ１２，第２のＤ／Ａコンバータ１０）と、
前記第２のサンプルホールド手段（第２のサンプルホールド回路１８）の出力に応じて前記第３レベルの電流（Ｉｐ）を調整する第３調整手段（第２のコンパレータ１４，マイクロコントローラ１２，第３のＤ／Ａコンバータ１１）、
とから構成されている光ディスク駆動装置である。
【００３２】
第２の実施の形態
この第２の実施の形態は、請求項２の発明に対応しているが、請求項１と請求項３の発明にも関連している。
先の第１の実施の形態では、結晶化レベルＰｅの駆動時には、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒに結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅを重畳し、非晶質化レベルＰｐの駆動時には、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒと結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅに、非晶質化レベルＰｐの電流Ｉｐを重畳することによって、フォトディテクタ、検出アンプの検出帯域が比較的狭くて安価な出射光量検出器を使用した簡単な構成で、読み出しレベルＰｒ、結晶化レベルＰｅ、非晶質化レベルＰｐの各出射レーザパワーの正確な検出を可能にし、レーザダイオードの出射光量を安定化させる場合について説明した。
この第２の実施の形態では、第１の実施の形態で説明した光ディスク駆動装置において、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒと、結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅの調整が具体的に行えるように構成した点に特徴を有している。
【００３３】
ハード構成は、先の図１と同様であり、また、タイミングチャートも、先の図２と基本的に同様である。
簡単にいえば、先の図１の光ディスク駆動装置において、第１のコンパレータ１３とマイクロコントローラ１２と第１のＤ／Ａコンバータ９（第１調整手段）が、第５のＤ／Ａコンバータ１６から出力される所定電圧Ｔｒと第１のサンプルホールド回路１７の出力レベルとを比較し、比較結果に応じて読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒを増減させ、第２のコンパレータ１４とマイクロコントローラ１２と第２のＤ／Ａコンバータ１０（第２調整手段）が、第４のＤ／Ａコンバータ１５から出力される所定電圧Ｔｅと第２のサンプルホールド回路１８の出力レベルとを比較し、比較結果に応じて結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅを増減させる構成である。
【００３４】
図２に示したＳＨｅは、情報コードＣが「０」レベルの期間（図２の期間ｃ）に出力されるサンプルタイミング信号ＳＨｅである。
第２のタイミング回路２５は、情報コードＣが「０」レベルの期間（図２の期間ａ）に、サンプルタイミング信号ＳＨｅを出力する。
第２のサンプルホールド回路１８は、サンプルタイミング信号ＳＨｅに対応して光量検出電圧Ｖｄをサンプリングする。
その結果、第２のサンプルホールド回路１８の出力には、常に結晶化レベルＰｅに比例した検出電圧が得られる。
【００３５】
マイクロコントローラ１２は、予め、第４のＤ／Ａコンバータ１５を介して、レーザパワーが所望の結晶化レベルとなった場合に検出される検出電圧に等しい所定電圧Ｔｅを、第２のコンパレータ１４の一方の入力端子に入力しておく。
第２のコンパレータ１４は、第２のサンプルホールド回路１８の出力を、先の所定電圧Ｔｅと比較し、結晶化レベルＰｅが所望のレベルより低いときは「Ｈ」レベルの出力、高いときには「Ｌ」レベルの出力を発生する。
マイクロコントローラ１２は、第２のコンパレータ１４の出力レベルを読み取り、「Ｈ」レベルのときは、第２のＤ／Ａコンバータ１０の設定値を増加させ、Ｉｅ電流源７がレーザダイオード１に印加する電流Ｉを増加させる。
逆に、「Ｌ」レベルのときは、第２のＤ／Ａコンバータ１０の設定値を減少させて、Ｉｅ電流源７がレーザダイオード１に印加する電流Ｉを減少させる。
【００３６】
このようなマイクロコントローラ１２の制御によって、第２のコンパレータ１４の出力の読み取りと、読み取り結果に応じた第２のＤ／Ａコンバータ１０の設定値とを、所定時間ごと（例えば１０ｍｓｅｃごと）に繰り返し行う。
したがって、レーザダイオード１に印加される電流Ｉが制御され、レーザパワーの結晶化レベルＰｅが所望のレベルに調整される。
しかしながら、すでに述べたように、フォトディテクタ２、アンプ３の応答帯域は限られているため、情報コードＣが「１」レベルの期間（図２の期間ｂ）のパルス状の発光部分では正確な光量検出ができない。
そのため、図２の期間ｂの「１」レベルの間に、光量検出電圧Ｖｄには、読み出しレベルＰｒや、非晶質化レベルＰｐに比例した検出レベルは現われない。
【００３７】
そこで、第２の実施の形態では、マイクロコントローラ１２が、所定時間ごと（例えば１ｓｅｃごと）に、第１のタイミング回路２４に対してサンプリング発生要求信号を出力する。
第１のタイミング回路２４は、このサンプリング発生要求信号を受信すると、所定の時間幅を有するサンプルタイミング信号ＳＨｒを出力する。
図２のＳＨｒは、期間ｃに、サンプルタイミング信号ＳＨｒが出力された状態を示している。
第１のタイミング回路２４から出力されたサンプルタイミング信号ＳＨｒは、インバータ２１を通過した後、２つのアンドゲート回路、すなわち、第１のアンドゲート回路１９と第２のアンドゲート回路２０の他方の入力へ与えられる。
したがって、サンプルタイミング信号ＳＨｒが、期間ｃで「Ｈ」レベルとなると、情報コードＣの状態に関係なく、オン／オフ制御信号ＳＷｅ，ＳＷｐは共に「Ｌ」レベルとなる。
そのため、Ｉｅスイッチ６とＩｐスイッチ４は共にオフ状態となり、レーザダイオード１には電流Ｉｒのみが印加されるので、レーザダイオード１のレーザパワー（出射レベル）Ｐは、読み出しレベルＰｒとなる。
【００３８】
また、この第１のタイミング回路２４から出力されるサンプルタイミング信号ＳＨｒは、第１のサンプルホールド回路１７にも入力される。
第１のサンプルホールド回路１７は、サンプルタイミング信号ＳＨｒに対応して、光量検出電圧Ｖｄをサンプリングする。
この場合には、第１のサンプルホールド回路１７の出力は、読み出しレベルＰｒに比例した検出電圧として検知される。
このように、所定時間ごとに、レーザダイオード１の出射レベルを非パルス状に読み出しレベルＰｒとし、この期間ｃに、光量検出電圧Ｖｄをサンプリングすることによって、読み出しレベルＰｒを検出することが可能となる。
【００３９】
詳しくいえば、マイクロコントローラ１２は、予め、第５のＤ／Ａコンバータ１６を介して、レーザパワーが所望の読み出しレベルＰｒとなった場合に検出される検出電圧に等しい所定電圧Ｔｒを、第１のコンパレータ１３の一方の入力端子に入力しておく。
第１のコンパレータ１３は、第１のサンプルホールド回路１７の出力を、この所定電圧Ｔｒと比較し、読み出しレベルＰｒが所望のレベルより低いときには「Ｈ」レベル、高いときには「Ｌ」レベルを出力する。
マイクロコントローラ１２は、サンプリング発生要求信号を出力し、第１のサンプルホールド回路１７によって光量検出電圧（アンプ３の出射光量検出電圧Ｖｄ）のサンプリングが行われた後、第１のコンパレータ１３の出力レベルを読み取り、「Ｈ」レベルのときは、第１のＤ／Ａコンバータ９の設定値を増加させて、Ｉｒ電流源８からレーザダイオード１に印加する電流Ｉを増加させる。
【００４０】
逆に、「Ｌ」レベルのときは、第１のＤ／Ａコンバータ９の設定値を減少させて、Ｉｒ電流源８からレーザダイオード１に印加する電流Ｉを減少させる。
このようなマイクロコントローラ１２の制御によって、サンプリング発生要求信号の出力、第１のコンパレータ１３の出力レベルの読み取り、読み取り結果に応じた第１のＤ／Ａコンバータ９の設定を、所定時間ごと（例えば１０ｍｓｅｃごと）に繰り返し行う。
したがって、レーザダイオード１に印加される電流Ｉが制御され、レーザパワーの結晶化レベルＰｅが所望のレベルに調整される。
【００４１】
ここで、この第２の実施の形態を、先の図１に示した光ディスク駆動装置と対比すれば、第１調整手段（第１のコンパレータ１３，マイクロコントローラ１２，第１のＤ／Ａコンバータ９）は、第１の所定レベル信号（第５のＤ／Ａコンバータ１６から出力される所定電圧Ｔｒ）と第１のサンプルホールド手段（第１のサンプルホールド回路１７）の出力レベルとを比較し、比較結果に応じて第１レベルの電流（読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒ）を増減させ、第２調整手段（第２のコンパレータ１４，マイクロコントローラ１２，第２のＤ／Ａコンバータ１０）は、第２の所定レベル信号（第４のＤ／Ａコンバータ１５から出力される所定電圧Ｔｅ）と第２のサンプルホールド手段（第２のサンプルホールド回路１８）の出力レベルとを比較し、比較結果に応じて第２レベルの電流（結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅ）を増減させる構成である。
【００４２】
第３の実施の形態
この第３の実施の形態は、請求項３の発明に対応しているが、請求項１と請求項２の発明にも関連している。
先の第２の実施の形態では、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒと、結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅとを調整するための具体的な構成について説明した。
この第３の実施の形態では、さらに、非晶質化レベルＰｐの電流Ｉｐを調整する点に特徴を有している。
【００４３】
ハード構成は、先の図１と同様であり、また、タイミングチャートも、先の図２と基本的に同様である。
図２に示したＳＨｒは、期間ｃに出力されるサンプルタイミング信号ＳＨｒである。
マイクロコントローラ１２は、先の第２の実施の形態で述べたように、結晶化レベルＰｅの調整動作に従って、第２のコンパレータ１４の出力レベルを読み取り、読み取り結果に応じた第２のＤ／Ａコンバータ１０の設定を、所定時間ごと（例えば１０ｍｓｅｃごと）に繰り返し行い、レーザパワーの結晶化レベルＰｅを所望のレベルに調整する。
また、マイクロコントローラ１２は、第２のＤ／Ａコンバータ１０に対する設定値に、所定比率を掛けた設定値を第３のＤ／Ａコンバータ１１に設定する。
その結果、非晶質化レベルＰｐの駆動時に、Ｉｐ電流源５がレーザダイオード１に印加する電流Ｉｐは、Ｉｅ電流源７が印加する電流Ｉｅに所定比率を掛けた値となる。
この関係を、次に図３によって説明する。
【００４４】
図３は、図１に示した光ディスク駆動装置について、第３の実施の形態によるレーザダイオード１の電流ＩとレーザパワーＰとの関係を示す特性図である。図の横軸はレーザダイオード１の電流Ｉ、縦軸はレーザパワーＰであり、▲１▼と▲２▼はそれぞれ異なる特性曲線、Ｉth１とＩth２は電流のしきい値を示す。
【００４５】
この図３に示すように、レーザダイオード１の電流ＩとパワーＰの特性は、周囲温度等の影響によって、特性曲線▲１▼や▲２▼のように変化する。
しかし、しきい値電流Ｉth１，Ｉth２以上では、ほぼ直線的な特性である。
そこで、特性曲線の傾きが変化しても、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒと、結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅは、それぞれ一定のレベルが得られるように調整しておく。
この場合に、非晶質化レベルＰｐの電流Ｉｐを、結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅに対して一定の比率に調整しておけば、レーザダイオード１に電流Ｉｒ＋Ｉｅ＋Ｉｐが印加された場合、一定の出射レベルＰｐが得られる。
【００４６】
以上のように、この第３の実施の形態では、非晶質化レベルＰｐの電流Ｉｐと結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅとの比率を、所望の非晶質化レベルＰｐが得られるような値に予め設定しておく。
したがって、所望の非晶質化レベルＰｐが得られるようにしている。
以上に説明した非晶質化レベルＰｐの電流Ｉｐの調整時の動作を、フローチャートで説明する。
【００４７】
図４は、この発明の光ディスク駆動装置について、レーザパワーの制御時における主要な処理の流れを示すフローチャートである。図において、＃１〜＃５はステップを示す。
【００４８】
このレーザパワーの制御は、図１のマイクロコントローラ１２によって実行される。
ステップ＃１で、所望のレーザパワーの結晶化レベルＰｅと読み出しレベルＰｒに対応する所定電圧を発生する第４のＤ／Ａコンバータ１５と、第５のＤ／Ａコンバータ１６の初期設定を行う。
この第４と第５のＤ／Ａコンバータ１５，１６には、先に述べたように、それぞれ出力電圧が所定電圧Ｔｅ、Ｔｒとなるようなデータが設定される。
ステップ＃２で、電流Ｉｒ，Ｉｅ，Ｉｐの各電流源８，７，５の電流値を調整する第１から第３のＤ／Ａコンバータ９〜１１の初期設定を行う。ここで、初期値は、例えば「０」などの値である。
【００４９】
ステップ＃３で、次の図５のフローに示すタイマ割り込み処理Ａの起動間隔を設定する。このタイマ割り込み処理Ａでは、電流Ｉｅ，Ｉｐの調整を行う。
この割り込み処理Ａの起動間隔は、例えば１０ｍｓｅｃに設定され、以降、１０ｍｓｅｃごとにタイマ割り込みが発生し、割り込みごとにタイマ割り込み処理Ａが起動される。
ステップ＃４で、後出の図６のフローに示すタイマ割り込み処理Ｂの起動間隔を設定する。
この割り込み処理Ｂの起動間隔は、例えば１ｓｅｃに設定され、以降、１ｓｅｃごとにタイマ割り込みが発生し、割り込みごとにタイマ割り込み処理Ｂが起動される。
【００５０】
ステップ＃５で、レーザパワー制御を継続するか否かチェックする。
このチェックは、図４のフロー終了まで、ステップ＃５をループするが、実際の処理においては、ループ中にタイマ割り込み処理Ａ，Ｂが設定時間ごとに起動される。
次に、電流Ｉｅ、電流Ｉｐの調整を行うタイマ割り込み処理Ａについて、フローチャートで説明する。
【００５１】
図５は、図４に示したタイマ割り込み処理Ａについて、詳細な処理の流れを示すフローチャートである。図において、＃１１〜＃１５はステップを示す。
【００５２】
タイマ割り込み処理Ａが起動されると、ステップ＃１１で、第２のコンパレータ１４の出力レベルが読み込まれる。
第２のコンパレータ１４の出力レベルは、先に述べたように、結晶化レベルＰｅが所望のレベルより低いときは「Ｈ」レベルであり、高いときは「Ｌ」レベルである。
ステップ＃１２で、第２のコンパレータ１４の出力レベルが判定され、「Ｈ」レベルのときは、ステップ＃１３に進み、Ｉｅ電流源７の電流値を調整する第２のＤ／Ａコンバータ１０の設定値を更新する。
ステップ＃１３で、すでに設定された第２のＤ／Ａコンバータ１０に対する設定値に「１」を加えた値が再設定される。この結果、電流値Ｉｅが増加されて、結晶化レベルＰｅは上昇する。
【００５３】
また、出力レベルを判定した結果、「Ｌ」レベルのときは、ステップ＃１４へ進む。
ステップ＃１４では、すでに設定された第２のＤ／Ａコンバータ１０に対する設定値から「１」を引いた値が再設定される。この結果、電流値Ｉｅが減少されて、結晶化レベルＰｅは低下する。
【００５４】
ステップ＃１５では、Ｉｐ電流源５の電流値を調整する第３のＤ／Ａコンバータ１１の設定値を更新する。
第３のＤ／Ａコンバータ１１には、先のステップ＃１３やステップ＃１４で第２のＤ／Ａコンバータ１０に対して設定された値に、所定係数Ｋを掛けた値を設定する。
この係数Ｋを、所望の非晶質化レベルＰｐが得られるような値に予め決めておくことによって、所望の非晶質化レベルＰｐが得られる。
以上のステップ＃１１〜＃１５の処理によって、結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅと、非晶質化レベルＰｐの電流Ｉｐが、所望の値に調整され、所望の非晶質化レベルＰｐのパワーが得られる。
最後に、電流Ｉｒの調整を行うタイマ割り込み処理Ｂについて、フローチャートで説明する。
【００５５】
図６は、図４に示したタイマ割り込み処理について、詳細な処理の流れを示すフローチャートである。図において、＃２１〜＃２６はステップを示す。
【００５６】
先の図４のタイマ割り込み処理Ｂが起動されると、ステップ＃２１で、マイクロコントローラ１２は、第１のタイミング回路２４に対してサンプリング発生要求信号を出力する。
ステップ＃２２では、第１のタイミング回路２４がサンプルタイミング信号ＳＨｒを出力し、第１のサンプルホールド回路１７が検出電圧Ｖｄのサンプリングを行うまで、時間待ち（待機状態）となる。
ステップ＃２３で、第１のコンパレータ１３の出力レベルが読み込まれる。
この第１のコンパレータ１３の出力レベルは、先に述べたように、読み出しレベルＰｒが所望のレベルより低いときは「Ｈ」レベルであり、高いときは「Ｌ」レベルである。
ステップ＃２４で、第１のコンパレータ１３の出力レベルが判定され、「Ｈ」のときは、ステップ＃２５へ進み、Ｉｒ電流源８の電流値を調整する第１のＤ／Ａコンバータ９の設定値を更新する。
【００５７】
ステップ＃２５では、すでに設定された第１のＤ／Ａコンバータ９に対する設定値に「１」を加えた値を再設定する。この結果、電流値Ｉｒが増加されて、読み出しレベルＰｒは上昇する。
また、出力レベルを判定した結果、「Ｌ」レベルのときは、ステップ＃２６へ進む。
ステップ＃２６では、すでに設定された第１のＤ／Ａコンバータ９に対する設定値から「１」を引いた値を再設定する。この結果、電流値Ｉｒが減少されて、読み出しレベルＰｒは低下する。
【００５８】
ここで、この第３の実施の形態を、先の図１に示した光ディスク駆動装置と対比すれば、第２の実施の形態で説明した光ディスク駆動装置において、第３調整手段（第２のコンパレータ１４，マイクロコントローラ１２，第３のＤ／Ａコンバータ１１）は、第３レベルの電流（非晶質化レベルＰｐの電流Ｉｐ）が、第２調整手段（第２のコンパレータ１４，マイクロコントローラ１２，第２のＤ／Ａコンバータ１０）によって調整された第２レベルの電流（結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅ）に比例した値となるように調整するように構成している。
したがって、非晶質化レベルＰｐのレーザパワーについては直接検出を行わないが、調整された電流Ｉｅに、所定比率（例えば係数Ｋ）を掛けた電流Ｉｐを印加するように制御するので、非晶質化レベルＰｐを所望レベルに正確に調整することが可能になり、記録される情報の信頼性を向上させることができる。
【００５９】
第４の実施の形態
この第４の実施の形態は、請求項４の発明に対応しているが、請求項１の発明にも関連している。
この第４の実施の形態では、先の第１の実施の形態で説明した光ディスク駆動装置において、第２のサンプルホールド回路１８が、Ｉｅスイッチ６のオン／オフ制御信号ＳＷｅがオン状態で、Ｉｐスイッチ４のオン／オフ制御信号ＳＷｐがオフ状態の期間が所定期間以上となる期間中のアンプ３の出射光量検出電圧Ｖｄを保持する点に特徴を有している。
ハード構成は、先の図１と同様であり、また、タイミングチャートも、先の図２と基本的に同様である。
先の図１に示した第２のタイミング回路２５は、情報コードＣが「０」レベルの期間（図２の期間ａ）が所定期間以上となる場合だけ、サンプルタイミング信号ＳＨｅを出力する。
【００６０】
図７は、図１に示した光ディスク駆動装置について、第４の実施の形態による第２のタイミング回路２５の動作を説明するタイミングチャートである。図の各波形に付けられた符号は図２と同様であり、ａ１〜ａ５は情報コードＣが「０」レベルの期間を示す。
【００６１】
この図７には、情報コードＣが「０」レベルの期間が５Ｔ以上のとき、第２のタイミング回路２５がサンプルタイミング信号ＳＨｅを出力する場合を示している。
図７の場合には、情報コードＣが「０」レベルの期間は、ａ１からａ５までの５つの期間であるが、これらの期間ａ１〜ａ５の内、「０」レベルの期間が５Ｔ以上は、期間ａ３（５Ｔ）と期間ａ５（６Ｔ）の部分だけである。
したがって、サンプルタイミング信号ＳＨｅは、図７のＳＨｅに示すように、期間ａ３と期間ａ５に出力されることになる。
この図７には、Ｖｄとして、光量検出電圧Ｖｄの波形も示している。
従来の装置では、フォトディテクタ２やアンプ３の検出帯域が比較的低い場合には、情報コードＣが「０」レベルの期間、すなわち、レーザパワーが結晶化レベルＰｅで非パルス状となっている状態でも、その期間が短いときは、光量検出電圧Ｖｄの整定が十分に行われず、結晶化レベルＰｅに比例した電圧が検出できない場合がある。
しかし、その期間が十分に長いときは、光量検出電圧Ｖｄの整定が十分に行われ、結晶化レベルＰｅに比例した電圧が検出可能である。
【００６２】
この第４の実施の形態では、光量検出電圧Ｖｄが十分に整定するように、情報コードＣの「０」レベルの期間が所定期間以上となる場合だけ、サンプルタイミング信号ＳＨｅが出力されるので、第２のサンプルホールド回路１８には、結晶化レベルＰｅに比例した検出電圧がサンプリングされる。
その結果、第４の実施の形態によれば、レーザパワーが非パルス状となる部分で、しかも、所定期間以上の情報コードＣの「０」レベルの期間に、光量検出電圧をサンプリングしているので、光量検出電圧が充分に整定する期間だけサンプルタイミング信号が出力されることになり、先の第１の実施の形態に比べて、一層正確な結晶化レベルＰｅの検出が可能になる。
ここで、この第４の実施の形態を、図１に示した光ディスク駆動装置と対比すれば、第２のサンプルホールド手段（第２のサンプルホールド回路１８）は、第１のオン／オフ制御信号（Ｉｅスイッチ６のオン／オフ制御信号ＳＷｅ）がオン状態で、第２のオン／オフ制御信号（Ｉｐスイッチ４のオン／オフ制御信号ＳＷｐ）がオフ状態の期間が所定期間以上となる期間中の光量検出手段（フォトディテクタ２，アンプ３）の出力（Ｖｄ）を保持する構成である。
【００６３】
第５の実施の形態
この第５の実施の形態は、請求項５の発明に対応しているが、請求項１の発明にも関連している。
この第５の実施の形態では、先の第１の実施の形態で説明した光ディスク駆動装置において、第２のサンプルホールド回路１８が、Ｉｅスイッチ６のオン／オフ制御信号ＳＷｅがオン状態で、Ｉｐスイッチ４のオン／オフ制御信号ＳＷｐがオフ状態の内、記録コードの最長反転期間に相当する期間だけ、アンプ３の出射光量検出電圧Ｖｄを保持する点に特徴を有している。
ハード構成は、先の図１と同様であり、また、タイミングチャートも、先の図２と基本的に同様である。
先の図１に示した第２のタイミング回路２５は、情報コードＣが「０」レベルの期間（図２の期間ａ）の内、情報コードの最大反転間隔に相当する期間だけ、サンプルタイミング信号ＳＨｅを出力する。
【００６４】
図８は、図１に示した光ディスク駆動装置について、第５の実施の形態による第２のタイミング回路２５の動作を説明するタイミングチャートである。図の各波形に付けられた符号は図２と同様である。
【００６５】
この図８には、ＣＤのＥＦＭフレームフォーマットを示している。
情報コード（記録コード）にＥＦＭ変調されたコードを使用する場合、１ＥＦＭフレームは、５８８チャネルビットから構成されている。
そして、最初に、２４チャネルビットの同期パタンが記録されている。
このようなＣＤのフォーマットでは、最大反転間隔である１１Ｔの情報コードＣが「０」の期間は、各ＥＦＭフレームに挿入されている同期パタン部において必ず出現する。
この同期パタン部において、情報コードＣは、下方に示すように、１１Ｔで反転される。
【００６６】
第２のタイミング回路２５は、その反転間隔が、最小３Ｔから最大１１Ｔまでに設定されている。
そのため、第２のタイミング回路２５は、この情報コードＣが「０」レベルの期間の内、最大反転間隔に相当する期間だけ、サンプルタイミング信号ＳＨｅを出力する。
すなわち、サンプルタイミング信号ＳＨｅは、図８のＳＨｅに示すように、反転間隔が１１Ｔの期間に出力されることになる。
したがって、第２のサンプルホールド回路１８には、結晶化レベルＰｅに比例した検出電圧がサンプリングされることになり、フォトディテクタ、検出アンプの帯域が限られている場合でも、結晶化レベルＰｅの出射レーザパワーを正確に検出することができる。
【００６７】
以上のように、この第５の実施の形態は、先の第４の実施の形態の光ディスク駆動装置と同様に、アンプ３の出射光量検出電圧Ｖｄが十分に整定するように、情報コードＣの「０」レベルの期間が最大反転間隔に相当する期間だけ、サンプルタイミング信号ＳＨｅが出力される。
その結果、第５の実施の形態によれば、レーザパワーが非パルス状となる部分で、しかも、最大反転間隔に相当する期間に、光量検出電圧をサンプリングしているので、光量検出電圧が充分に整定する期間だけサンプルタイミング信号が出力されることになり、先の第１の実施の形態に比べて、より正確に結晶化レベルＰｅを検出することが可能になる。
ここで、この第５の実施の形態を、図１に示した光ディスク駆動装置と対比すれば、第２のサンプルホールド手段（第２のサンプルホールド回路１８）は、第１のオン／オフ制御信号（Ｉｅスイッチ６のオン／オフ制御信号ＳＷｅ）がオン状態で、第２のオン／オフ制御信号（Ｉｐスイッチ４のオン／オフ制御信号ＳＷｐ）がオフ状態の内、記録コードの最長反転期間に相当する期間の光量検出手段（フォトディテクタ２，アンプ３）の出力（Ｖｄ）を保持する構成である。
【００６８】
【発明の効果】
請求項１の光ディスク駆動装置では、結晶化レベルＰｅの駆動時には、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒに結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅを重畳し、非晶質化レベルＰｐの駆動時には、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒと結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅに、非晶質化レベルＰｐの電流Ｉｐを重畳するようにしている。
具体的にいえば、読み出しレベルＰｒは、所定時間ごとに、レーザダイオードの出射レベルを非パルス状に読み出しレベルＰｒとし、この期間で光量検出電圧をサンプリングすることにより、正確な読み出しレベルＰｒを検出する。
そして、正確に検出された各レベルに基づいてレーザダイオードへの印加電流Ｉｒ、Ｉｅの調整を行う。
したがって、フォトディテクタ、検出アンプの検出帯域が比較的狭く、安価な出射光量検出器を使用する場合でも、結晶化レベルＰｅ、読み出しレベルＰｒの各出射レーザパワーの正確な検出が可能になる。
その結果、レーザダイオードを結晶化レベルＰｅ、読み出しレベルＰｒのそれぞれ所望のレベルに正確に調整することができ、出射光量の安定化が可能になるので、記録される情報の信頼性を向上させることができる。
【００６９】
請求項２の光ディスク駆動装置では、請求項１の駆動装置において、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒと、結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅを調整するための手段を具体的に構成している。
具体的には、結晶化レベルＰｅは、情報コードＣが「０」レベルの期間において、レーザパワーが非パルス状となる部分で、光量検出電圧をサンプリングすることにより、正確な結晶化レベルＰｅが検出される。
したがって、請求項１の駆動装置による効果に加えて、レーザダイオードに印加される電流Ｉが制御され、レーザパワーの結晶化レベルＰｅを所望のレベルに調整することができる。
【００７０】
請求項３の光ディスク駆動装置では、請求項２の駆動装置において、非晶質化レベルＰｐの電流Ｉｐを調整するようにしている。
具体的にいえば、非晶質化レベルＰｐの電流Ｉｐと結晶化レベルＰｅの電流Ｉｅとの比率を、所望の非晶質化レベルＰｐが得られるような値に予め設定しておく。
この場合には、非晶質化レベルＰｐの出射レーザパワーは直接検出しないが、調整された電流Ｉｅに所定比率を掛けた電流Ｉｐが印加される。
したがって、請求項２の駆動装置による効果に加えて、非晶質化レベルＰｐを所望のレベルに正確に調整することができる。
【００７１】
請求項４の光ディスク駆動装置では、請求項１の駆動装置において、光量検出電圧Ｖｄが十分に整定するように、情報コードＣの「０」レベルの期間が所定期間以上となる場合だけ、サンプルタイミング信号（ＳＨｅ）が出力されるので、結晶化レベルＰｅに比例した検出電圧をサンプリングすることができる。
具体的には、レーザパワーが非パルス状となる部分で、しかも、所定期間以上の情報コードＣの「０」レベルの期間に、光量検出電圧をサンプリングしているので、光量検出電圧が充分に整定する期間だけサンプルタイミング信号が出力される。
したがって、請求項１の駆動装置による効果に加えて、一層正確な結晶化レベルＰｅの検出が可能になる。
【００７２】
請求項５の光ディスク駆動装置では、請求項１の駆動装置において、光量検出電圧Ｖｄが十分に整定するように、情報コードＣの「０」レベルの期間が最大反転間隔に相当する期間だけ、サンプルタイミング信号（ＳＨｅ）が出力されるので、結晶化レベルＰｅに比例した検出電圧をサンプリングすることができる。
具体的には、レーザパワーが非パルス状となる部分で、しかも、最大反転間隔に相当する期間に、光量検出電圧をサンプリングしているので、光量検出電圧が充分に整定する期間だけサンプルタイミング信号が出力される。
したがって、請求項１の駆動装置による効果に加えて、より正確に結晶化レベルＰｅを検出することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の光ディスク駆動装置について、そのレーザパワー制御装置の要部構成の実施の形態の一例を示す機能ブロック図である。
【図２】図１に示した光ディスク駆動装置について、その動作を説明するタイミングチャートである。
【図３】図１に示した光ディスク駆動装置について、第３の実施の形態によるレーザダイオード１の電流ＩとレーザパワーＰとの関係を示す特性図である。
【図４】この発明の光ディスク駆動装置について、レーザパワーの制御時における主要な処理の流れを示すフローチャートである。
【図５】図４に示したタイマ割り込み処理Ａについて、詳細な処理の流れを示すフローチャートである。
【図６】図４に示したタイマ割り込み処理について、詳細な処理の流れを示すフローチャートである。
【図７】図１に示した光ディスク駆動装置について、第４の実施の形態による第２のタイミング回路２５の動作を説明するタイミングチャートである。
【図８】図１に示した光ディスク駆動装置について、第５の実施の形態による第２のタイミング回路２５の動作を説明するタイミングチャートである。
【図９】相変化型光ディスクにおける記録方法の原理を説明する図である。
【符号の説明】
１……レーザダイオード、２……フォトディテクタ、３……アンプ、４……Ｉｐスイッチ、５……Ｉｐ電流源、６……Ｉｅスイッチ、７……Ｉｅ電流源、８……Ｉｒ電流源、９……第１のＤ／Ａコンバータ、１０……第２のＤ／Ａコンバータ、１１……第３のＤ／Ａコンバータ、１２……マイクロコントローラ、１３……第１のコンパレータ、１４……第２のコンパレータ、１５……第４のＤ／Ａコンバータ、１６……第５のＤ／Ａコンバータ、１７……第１のサンプルホールド回路、１８……第２のサンプルホールド回路、１９……第１のアンドゲート回路、２０……第２のアンドゲート回路、２１……インバータ、２２……第１のパルスジェネレータ、２３……第２のパルスジェネレータ、２４……第１のタイミング回路、２５……第２のタイミング回路、２６……エンコーダ
Claims (6)
- 半導体レーザ等の光源と、前記光源の出射光量を検出する光量検出手段とを備え、前記光源から出射される光量を記録コード周波数より高い周波数のパルス列として光ディスク上に照射して情報の記録、消去、初期化を行う光ディスク駆動装置において、
レーザパワー制御装置として、
前記光源に第１レベルの電流を印加する電流印加手段と、
前記第１レベルの電流に第２レベルの電流を重畳する第１電流重畳手段と、
前記第１レベルの電流と前記第２レベルの電流に第３レベルの電流を重畳する第２電流重畳手段と、
前記第２レベルの電流をオン／オフ制御する第１スイッチ手段と、
前記第３レベルの電流をオン／オフ制御する第２スイッチ手段と、
記録コードに応じて、前記第１スイッチ手段にパルス状の第１のオン／オフ制御信号を与える第１のパルス発生手段と、
記録コードに応じて、前記第２スイッチ手段に前記第１のオン／オフ制御信号と同じタイミングで、かつ同相でパルス状の第２のオン／オフ制御信号を与える第２のパルス発生手段と、
前記第１のオン／オフ制御信号と前記第２のオン／オフ制御信号の出力を所定期間オフ状態とするタイミング信号を発生するタイミング手段と、
前記タイミング信号の発生期間中の前記光量検出手段の出力を保持する第１のサンプルホールド手段と、
前記第１のオン／オフ制御信号がオン状態で、前記第２のオン／オフ制御信号がオフ状態の期間中の前記光量検出手段の出力を保持する第２のサンプルホールド手段と、
前記第１のサンプルホールド手段の出力に応じて、前記第１レベルの電流を調整する第１調整手段と、
前記第２のサンプルホールド手段の出力に応じて前記第２レベルの電流を調整する第２調整手段と、
前記第２のサンプルホールド手段の出力に応じて前記第３レベルの電流を調整する第３調整手段と
を備えたことを特徴とする光ディスク駆動装置。 - 請求項１の光ディスク駆動装置において、
前記第１調整手段は、第１の所定レベル信号と前記第１のサンプルホールド手段の出力レベルとを比較し、比較結果に応じて前記第１レベルの電流を増減させ、
前記第２調整手段は、第２の所定レベル信号と前記第２のサンプルホールド手段の出力レベルとを比較し、比較結果に応じて前記第２レベルの電流を増減させることを特徴とする光ディスク駆動装置。 - 請求項２の光ディスク駆動装置において、
前記第３調整手段は、前記第３レベルの電流が、前記第２調整手段によって調整された前記第２レベルの電流に比例した値となるように調整することを特徴とする光ディスク駆動装置。 - 請求項１の光ディスク駆動装置において、
前記第２のサンプルホールド手段は、前記第１のオン／オフ制御信号がオン状態で、前記第２のオン／オフ制御信号がオフ状態の期間が所定期間以上となる期間中の前記光量検出手段の出力を保持することを特徴とする光ディスク駆動装置。 - 請求項１の光ディスク駆動装置において、
前記第２のサンプルホールド手段は、前記第１のオン／オフ制御信号がオン状態で、前記第２のオン／オフ制御信号がオフ状態の内、記録コードの最長反転期間に相当する期間の前記光量検出手段の出力を保持することを特徴とする光ディスク駆動装置。 - 半導体レーザ等の光源と、前記光源の出射光量を検出する光量検出手段とを備え、前記光源から出射される光量を記録コード周波数より高い周波数のパルス列として光ディスク上に照射して情報の記録、消去、初期化を行う光ディスク駆動装置に使用されるレーザパワー制御装置であって、
前記光源に第１レベルの電流を印加する電流印加手段と、
前記第１レベルの電流に第２レベルの電流を重畳する第１電流重畳手段と、
前記第１レベルの電流と前記第２レベルの電流に第３レベルの電流を重畳する第２電流重畳手段と、
前記第２レベルの電流をオン／オフ制御する第１スイッチ手段と、
前記第３レベルの電流をオン／オフ制御する第２スイッチ手段と、
記録コードに応じて、前記第１スイッチ手段にパルス状の第１のオン／オフ制御信号を与える第１のパルス発生手段と、
記録コードに応じて、前記第２スイッチ手段に前記第１のオン／オフ制御信号と同じタイミングで、かつ同相でパルス状の第２のオン／オフ制御信号を与える第２のパルス発生手段と、
前記第１のオン／オフ制御信号と前記第２のオン／オフ制御信号の出力を所定期間オフ状態とするタイミング信号を発生するタイミング手段と、
前記タイミング信号の発生期間中の前記光量検出手段の出力を保持する第１のサンプルホールド手段と、
前記第１のオン／オフ制御信号がオン状態で、前記第２のオン／オフ制御信号がオフ状態の期間中の前記光量検出手段の出力を保持する第２のサンプルホールド手段と、
前記第１のサンプルホールド手段の出力に応じて、前記第１レベルの電流を調整する第１調整手段と、
前記第２のサンプルホールド手段の出力に応じて前記第２レベルの電流を調整する第２調整手段と、
前記第２のサンプルホールド手段の出力に応じて前記第３レベルの電流を調整する第３調整手段と
を備えたことを特徴とするレーザパワー制御装置。
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