JPH04214062A - 酸化物超電導体の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体の製造方法Info
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- JPH04214062A JPH04214062A JP3014684A JP1468491A JPH04214062A JP H04214062 A JPH04214062 A JP H04214062A JP 3014684 A JP3014684 A JP 3014684A JP 1468491 A JP1468491 A JP 1468491A JP H04214062 A JPH04214062 A JP H04214062A
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Classifications
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化物超電導体の製造
方法に係わり、特にLa2−X SrX CaCu2
O6 (0<x≦ 0.6 )という組成式で表され
る組成を持つ酸化物超電導体を製造する方法に関する。
方法に係わり、特にLa2−X SrX CaCu2
O6 (0<x≦ 0.6 )という組成式で表され
る組成を持つ酸化物超電導体を製造する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】La2−X SrX CaCu2 O6
の組成式で表される組成を持つ酸化物超電導体のうち
、La1.6 Sr0.4 CaCu2 O6 につい
ては、次のように製造する方法が公知である。硝酸塩、
シュウ酸塩、酸化物などの形態を有する所定の原料を所
定の配合比に混合した後、酸素気流中、900℃で、4
0時間以上仮焼した後、同雰囲気下で925℃において
72時間の焼結をおこない、得られた焼結体を冷却され
た石英チュ−ブに入れ、これを封じ切る。このチュ−ブ
を970℃に加熱し、冷却時に凝縮した酸素の熱膨張を
利用して、20atm(2MPa)の加圧雰囲気とする
。この加圧雰囲気処理中で48時間保持した後に850
℃、750℃、650℃、500℃の各温度で5時間づ
つ保持しながら冷却する。このようなプロセスを経て、
超電導臨界温度が50K以上の超電導体を得る(アール
.ジェイ.カバ等,Nature vo1.345(
1990)602−604頁参照)。
の組成式で表される組成を持つ酸化物超電導体のうち
、La1.6 Sr0.4 CaCu2 O6 につい
ては、次のように製造する方法が公知である。硝酸塩、
シュウ酸塩、酸化物などの形態を有する所定の原料を所
定の配合比に混合した後、酸素気流中、900℃で、4
0時間以上仮焼した後、同雰囲気下で925℃において
72時間の焼結をおこない、得られた焼結体を冷却され
た石英チュ−ブに入れ、これを封じ切る。このチュ−ブ
を970℃に加熱し、冷却時に凝縮した酸素の熱膨張を
利用して、20atm(2MPa)の加圧雰囲気とする
。この加圧雰囲気処理中で48時間保持した後に850
℃、750℃、650℃、500℃の各温度で5時間づ
つ保持しながら冷却する。このようなプロセスを経て、
超電導臨界温度が50K以上の超電導体を得る(アール
.ジェイ.カバ等,Nature vo1.345(
1990)602−604頁参照)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述したLa1.6
Sr0.4 CaCu2 O6 超電導体の製造方法で
は、仮焼から加圧雰囲気処理までの製造条件が上述した
ように唯1通りに限られており、超電導性の得られる組
成もLa1.6 Sr0.4 CaCu2 O6 の1
組成しか明らかにされておらず、xの値を変えて他の組
成の酸化物とした場合、超電導性が得られていない。
Sr0.4 CaCu2 O6 超電導体の製造方法で
は、仮焼から加圧雰囲気処理までの製造条件が上述した
ように唯1通りに限られており、超電導性の得られる組
成もLa1.6 Sr0.4 CaCu2 O6 の1
組成しか明らかにされておらず、xの値を変えて他の組
成の酸化物とした場合、超電導性が得られていない。
【0004】また上記の製造方法によって超電導セラミ
クスを合成すると、仮焼から加圧雰囲気処理までの処理
時間が最短でも223時間と長時間を要する。更に、石
英チュ−ブへ封入するため1バッチ当りの合成量が著し
く制限される。また製造条件が唯一通りの方法に規定さ
れているため、温度、圧力管理における自由度がなく、
製造上の問題がある。
クスを合成すると、仮焼から加圧雰囲気処理までの処理
時間が最短でも223時間と長時間を要する。更に、石
英チュ−ブへ封入するため1バッチ当りの合成量が著し
く制限される。また製造条件が唯一通りの方法に規定さ
れているため、温度、圧力管理における自由度がなく、
製造上の問題がある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するためになされたもので、La2−X SrX
CaCu2 O6 の組成の酸化物を0<x≦0.6
の範囲で超電導体とすることができ、しかも製造条件の
温度条件、圧力条件も幅広い設定範囲で設定することが
でき、さらに製造時間の短縮や合成量の増大を図ること
ができる超電導体の製造方法を提供するものである。
解決するためになされたもので、La2−X SrX
CaCu2 O6 の組成の酸化物を0<x≦0.6
の範囲で超電導体とすることができ、しかも製造条件の
温度条件、圧力条件も幅広い設定範囲で設定することが
でき、さらに製造時間の短縮や合成量の増大を図ること
ができる超電導体の製造方法を提供するものである。
【0006】
【作用】この発明は、La2−X SrX CaCu2
O6 (0<x≦0.6 )という組成式で表される
組成を持つ酸化物超電導体を製造するに際し、所望の配
合比に混合した原料粉に仮焼処理と焼結処理をおこなう
工程と、この工程で得られた焼結体に、全圧が10メガ
パスカル(10MPa)を越え、酸素分圧2メガパスカ
ル(2MPa)を越え、かつ温度が940℃以上160
0℃以下の雰囲気で熱間静水圧プレスをおこなう工程と
を具備した酸化物超電導体の製造方法である。
O6 (0<x≦0.6 )という組成式で表される
組成を持つ酸化物超電導体を製造するに際し、所望の配
合比に混合した原料粉に仮焼処理と焼結処理をおこなう
工程と、この工程で得られた焼結体に、全圧が10メガ
パスカル(10MPa)を越え、酸素分圧2メガパスカ
ル(2MPa)を越え、かつ温度が940℃以上160
0℃以下の雰囲気で熱間静水圧プレスをおこなう工程と
を具備した酸化物超電導体の製造方法である。
【0007】この製造方法によって50K以上の超電導
臨界温度を示す酸化物超電導体が得られる。ここで0<
x≦0.6 と限定した理由は、x=0ではその組成が
La2 CaCu2 O6 となるが、この組成を持つ
酸化物は本発明方法では超電導性を示さない、またx<
0.6 ではその組成がLa>1.4Sr<0.6Ca
Cu2 O6 となるが、本発明方法ではこの組成を持
つ酸化物は超電導性を示さないためである。原料粉の選
択やその配合比の選択は、公知の手段を適用できる。例
えば出発原料にLa2 O3 、CaCO3 、SrC
O3 、CuOを用いる。混合原料粉の仮焼処理と焼結
処理は、従来公知の方法でおこなうことができ、仮焼処
理は、例えば900℃の酸素雰囲気中で10時間処理す
ることを数回繰返すことによりおこなう。また、焼結処
理は、酸素気流中で例えば925〜1200℃の温度範
囲の雰囲気中で24〜72時間程度或いはそれ以上の時
間処理することによりおこなう。焼結処理温度は、次ぎ
におこなう熱間静水圧プレス処理の処理温度が高い場合
には、低い温度に設定し、熱間静水圧プレス処理の処理
温度が低い場合には、高い温度に設定するのが好ましい
。次いで熱間静水圧プレス処理(HIP)をおこなうが
、この処理は全圧が10メガパスカルを越え、酸素分圧
2メガパスカルを越え、かつ温度が940℃以上160
0℃以下の雰囲気でおこなう。これらの圧力範囲および
温度範囲を限定した理由は、これら範囲を外れた条件で
も酸化物超電導体を製造できる条件を備えているものが
あるが、上記範囲とすることにより各種幅広い設定範囲
の条件下でLa2−X SrX CaCu2 O6 (
0<x≦0.6 )という広い組成範囲の酸化物超電導
体を確実に製造できるためである。この様な観点から、
本発明では特に全圧が100メガパスカルを越え、酸素
分圧20メガパスカルを越え、かつ温度条件が940℃
以上1300℃以下の雰囲気が好適である。
臨界温度を示す酸化物超電導体が得られる。ここで0<
x≦0.6 と限定した理由は、x=0ではその組成が
La2 CaCu2 O6 となるが、この組成を持つ
酸化物は本発明方法では超電導性を示さない、またx<
0.6 ではその組成がLa>1.4Sr<0.6Ca
Cu2 O6 となるが、本発明方法ではこの組成を持
つ酸化物は超電導性を示さないためである。原料粉の選
択やその配合比の選択は、公知の手段を適用できる。例
えば出発原料にLa2 O3 、CaCO3 、SrC
O3 、CuOを用いる。混合原料粉の仮焼処理と焼結
処理は、従来公知の方法でおこなうことができ、仮焼処
理は、例えば900℃の酸素雰囲気中で10時間処理す
ることを数回繰返すことによりおこなう。また、焼結処
理は、酸素気流中で例えば925〜1200℃の温度範
囲の雰囲気中で24〜72時間程度或いはそれ以上の時
間処理することによりおこなう。焼結処理温度は、次ぎ
におこなう熱間静水圧プレス処理の処理温度が高い場合
には、低い温度に設定し、熱間静水圧プレス処理の処理
温度が低い場合には、高い温度に設定するのが好ましい
。次いで熱間静水圧プレス処理(HIP)をおこなうが
、この処理は全圧が10メガパスカルを越え、酸素分圧
2メガパスカルを越え、かつ温度が940℃以上160
0℃以下の雰囲気でおこなう。これらの圧力範囲および
温度範囲を限定した理由は、これら範囲を外れた条件で
も酸化物超電導体を製造できる条件を備えているものが
あるが、上記範囲とすることにより各種幅広い設定範囲
の条件下でLa2−X SrX CaCu2 O6 (
0<x≦0.6 )という広い組成範囲の酸化物超電導
体を確実に製造できるためである。この様な観点から、
本発明では特に全圧が100メガパスカルを越え、酸素
分圧20メガパスカルを越え、かつ温度条件が940℃
以上1300℃以下の雰囲気が好適である。
【0008】
【実施例】以下本発明の実施例を説明する。
【0009】出発原料にLa2 O3 、CaCO3
、SrCO3 、CuOを用いて、La2−X SrX
CaCu2 O2 の組成式に対して、X=0, 0
.05, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4,
0.6, 0.7 の組成を持つ試料1〜7を秤量し、
15時間の湿式混合を行った。乾燥後、成形して、空気
または酸素気流中で、900℃、10時間の仮焼を途中
、粉砕混合を繰り返しながら4回行った。表1は試料(
試料2〜6が本発明、試料1,7が比較組成)の配合表
、表2はX線回折で同定した相を示す。ついで、この仮
焼粉を短冊状に成形後、酸素気流中で900℃から10
00℃の間で26時間から72時間の間で焼結した。こ
の焼結体をO2 含有Arガス雰囲気で熱間静水圧プ
レス(HIP)処理した。この処理は全圧、酸素分圧お
よび温度をパラメータとしておこなった。このHIP処
理は上記雰囲気に6時間保持した後、470℃/時間の
冷却速度で冷却した。この結果、50K以上の超電導臨
界温度を持つ酸化物超電導体を合成することが出来た。 表3−4〜表15−16は、それぞれ試料番号1〜7の
HIP処理後の試料について、焼結温度を900〜11
30℃、HIP処理温度を900〜1220℃の範囲で
変えて(但し全圧100MPa、酸素分圧20MPaと
いずれも一定)、電気抵抗から求めた超電導遷移開始温
度(Tc ON(R) )と電気抵抗から求めた超電導
遷移完了温度(Tc ZERO(R) )と帯磁率測定
から求めた超電導遷移開始温度(Tc ON(mag)
)について測定した実験結果を示し(ただし試料1の
データーを示す表2はTc ON(R) とTc ZE
RO(R) の値のみ)、表17−18は試料番号4の
試料について加圧雰囲気の全圧と加圧雰囲気中の酸素ガ
ス圧力をそれぞれ変えてTc ON(R) 、Tc Z
ERO(R) 、Tc ON(mag) について測定
した実験結果を示す。表3−4乃至表17−18の枠内
の値は、それぞれ左上がTc ON(R) の値、左下
がTc ZERO(R) の値、右上がTc ON(m
ag) の値を示す。組織の同定は粉末回折パターンに
よりおこない、例えば試料4の組成で焼結温度925℃
、HIP処理温度1020℃、HIP処理全圧100M
Pa、酸素分圧20MPaの場合はHIP処理前(焼結
処理後)は、第1図に示す粉末回折パターンになる。そ
してHIP処理後は第2図に示す粉末回折パターンにな
る。Tc ON(R) とTc ZERO(R) の値
の測定は、温度による抵抗値の変化を求めることにより
行う。試料4の温度による抵抗の変化は第3図のように
なる。Tc ON(mag) の値の測定は、温度によ
る帯磁率の変化を求めることにより行う。試料4の温度
による帯磁率の変化は第4図のようになる。
、SrCO3 、CuOを用いて、La2−X SrX
CaCu2 O2 の組成式に対して、X=0, 0
.05, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4,
0.6, 0.7 の組成を持つ試料1〜7を秤量し、
15時間の湿式混合を行った。乾燥後、成形して、空気
または酸素気流中で、900℃、10時間の仮焼を途中
、粉砕混合を繰り返しながら4回行った。表1は試料(
試料2〜6が本発明、試料1,7が比較組成)の配合表
、表2はX線回折で同定した相を示す。ついで、この仮
焼粉を短冊状に成形後、酸素気流中で900℃から10
00℃の間で26時間から72時間の間で焼結した。こ
の焼結体をO2 含有Arガス雰囲気で熱間静水圧プ
レス(HIP)処理した。この処理は全圧、酸素分圧お
よび温度をパラメータとしておこなった。このHIP処
理は上記雰囲気に6時間保持した後、470℃/時間の
冷却速度で冷却した。この結果、50K以上の超電導臨
界温度を持つ酸化物超電導体を合成することが出来た。 表3−4〜表15−16は、それぞれ試料番号1〜7の
HIP処理後の試料について、焼結温度を900〜11
30℃、HIP処理温度を900〜1220℃の範囲で
変えて(但し全圧100MPa、酸素分圧20MPaと
いずれも一定)、電気抵抗から求めた超電導遷移開始温
度(Tc ON(R) )と電気抵抗から求めた超電導
遷移完了温度(Tc ZERO(R) )と帯磁率測定
から求めた超電導遷移開始温度(Tc ON(mag)
)について測定した実験結果を示し(ただし試料1の
データーを示す表2はTc ON(R) とTc ZE
RO(R) の値のみ)、表17−18は試料番号4の
試料について加圧雰囲気の全圧と加圧雰囲気中の酸素ガ
ス圧力をそれぞれ変えてTc ON(R) 、Tc Z
ERO(R) 、Tc ON(mag) について測定
した実験結果を示す。表3−4乃至表17−18の枠内
の値は、それぞれ左上がTc ON(R) の値、左下
がTc ZERO(R) の値、右上がTc ON(m
ag) の値を示す。組織の同定は粉末回折パターンに
よりおこない、例えば試料4の組成で焼結温度925℃
、HIP処理温度1020℃、HIP処理全圧100M
Pa、酸素分圧20MPaの場合はHIP処理前(焼結
処理後)は、第1図に示す粉末回折パターンになる。そ
してHIP処理後は第2図に示す粉末回折パターンにな
る。Tc ON(R) とTc ZERO(R) の値
の測定は、温度による抵抗値の変化を求めることにより
行う。試料4の温度による抵抗の変化は第3図のように
なる。Tc ON(mag) の値の測定は、温度によ
る帯磁率の変化を求めることにより行う。試料4の温度
による帯磁率の変化は第4図のようになる。
【0010】表3−4から、本発明の範囲から外れるx
=0の試料では、丸の中の×の符号で示されるように、
La2 CuO4 相による超電導が示されるものの、
本発明の(La,Sr,Ca)3 Cu2O6 相によ
る超電導(二重丸の符号)は示されていない。表3から
、本発明の範囲内のx=0.05の試料では、焼結温度
とHIP処理温度を適宜設定することにより(La,S
r,Ca)3 Cu2 O6 相による超電導(二重丸
の符号)が示されている。この表から、焼結温度が低い
場合には、広い温度範囲のHIP処理温度で焼結体の超
電導性が表われるが、焼結温度が高い場合には、焼結体
に超電導性を持たせるために、HIP処理温度を高く設
定する必要があることがわかる。表7−8〜表13−1
4はそれぞれx=0.1, 0.2,0.4, 0.
6 とした試料であるが、これらの試料についてもx=
0.05の場合と同様のことが認められる。表15−1
6から、本発明の範囲から外れるx=0.7 の試料で
は、黒丸の符号で示されるように、(La,Sr)2
CuO4 相による超電導が示されるものの本発明の(
La,Sr,Ca)3 Cu2 O6 相による超電導
(二重丸)は示されていないことが分かる。表17−1
8から、本発明の範囲内(全圧<10MPa、酸素分圧
<2MPa)では、HIP雰囲気の全圧および酸素分圧
を変えても、酸化物に超電導性を持たせることができる
ことを示している。
=0の試料では、丸の中の×の符号で示されるように、
La2 CuO4 相による超電導が示されるものの、
本発明の(La,Sr,Ca)3 Cu2O6 相によ
る超電導(二重丸の符号)は示されていない。表3から
、本発明の範囲内のx=0.05の試料では、焼結温度
とHIP処理温度を適宜設定することにより(La,S
r,Ca)3 Cu2 O6 相による超電導(二重丸
の符号)が示されている。この表から、焼結温度が低い
場合には、広い温度範囲のHIP処理温度で焼結体の超
電導性が表われるが、焼結温度が高い場合には、焼結体
に超電導性を持たせるために、HIP処理温度を高く設
定する必要があることがわかる。表7−8〜表13−1
4はそれぞれx=0.1, 0.2,0.4, 0.
6 とした試料であるが、これらの試料についてもx=
0.05の場合と同様のことが認められる。表15−1
6から、本発明の範囲から外れるx=0.7 の試料で
は、黒丸の符号で示されるように、(La,Sr)2
CuO4 相による超電導が示されるものの本発明の(
La,Sr,Ca)3 Cu2 O6 相による超電導
(二重丸)は示されていないことが分かる。表17−1
8から、本発明の範囲内(全圧<10MPa、酸素分圧
<2MPa)では、HIP雰囲気の全圧および酸素分圧
を変えても、酸化物に超電導性を持たせることができる
ことを示している。
【0011】次に本発明者は、本発明方法で得られた酸
化物超電導体の結晶構造を同定した。超電導特性を示す
(La,Sr)2 CaCu2 O6 の結晶構造は、
4eサイトにCa,2aサイトにLa,Srがそれぞれ
分かれて入っていると考えられている(各サイトの名称
は、インターナショナル テーブル Xレイ ク
リスタルグラフィーに基づく:図5参照)。しかし、こ
の様な結晶構造を同定した例はなく、また実際にはLa
,Sr,Caがある程度入り乱れて存在していると考え
るのが実際的である。そこで粉末X線回折法により測定
したデータをRietveld法を用いて結晶構造因子
の精密化をおこない、2aサイト、4eサイトの組成を
決めた。結晶構造因子の精密化の手順は、以下のとおり
である。
化物超電導体の結晶構造を同定した。超電導特性を示す
(La,Sr)2 CaCu2 O6 の結晶構造は、
4eサイトにCa,2aサイトにLa,Srがそれぞれ
分かれて入っていると考えられている(各サイトの名称
は、インターナショナル テーブル Xレイ ク
リスタルグラフィーに基づく:図5参照)。しかし、こ
の様な結晶構造を同定した例はなく、また実際にはLa
,Sr,Caがある程度入り乱れて存在していると考え
るのが実際的である。そこで粉末X線回折法により測定
したデータをRietveld法を用いて結晶構造因子
の精密化をおこない、2aサイト、4eサイトの組成を
決めた。結晶構造因子の精密化の手順は、以下のとおり
である。
【0012】1.陽イオンの位置の決定(等方的熱振動
パラメータによる) 2.陰イオンの位置の決定(等方的熱振動パラメータに
よる) 3.陽イオンの異方性熱振動パラメータの精密化4.陰
イオンの異方性熱振動パラメータの精密化(Rwp=6
.39%まで収束) 5.1〜4で決定したパラメータを固定して陽イオンの
組成を変える 以上の手順により、2aサイト、4eサイトの組成を決
定する。以下にX=0.2の場合とX=0.3の場合の
試料について、その実験結果を示す。 X=0.2の場合 試料番号 Ts Ta t VIII
2a IX 4e Rwp(%)
1A 950 1020 100 L
a 0.1 La 0.8735 5.5
7
Sr 0.0638 Sr 0.066
5
Ca 0.8362 Ca 0.06
2A 950 1020 50
La 0.12 La 0.8872 5
.31
Sr 0.0802 Sr 0.0
68
Ca 0.799 Ca 0.044
8 3A 925 1120
6 La 0.129 La 0.885
6.33
Sr 0.078 Sr 0
.063
Ca 0.793 Ca 0.0
523 4A 950 1020
6 La 0.114 La 0.883
2 5.33
Sr 0.0824 Sr
0.06
Ca 0.8036 Ca 0
.0568 5A 1030 −
6 La 0.148 La 0.89
4 6.86
Sr 0.07 S
r 0.0645
Ca 0.782 C
a 0.0445 X=0.3の場合 試料番号 Ts Ta t VIII
2a IX 4e Rwp(%)
6A 925 1170 6 L
a 0.189 La 0.755 9.3
6
Sr 0 Sr 0.15
Ca 0.811 Ca 0.0946 この結果から、2aサイトでは、Ca≦0.25、Sr
≦0.15の範囲内に、4eサイトではLa≦0.2、
Sr≦0.2の範囲内にあることが分かる。
パラメータによる) 2.陰イオンの位置の決定(等方的熱振動パラメータに
よる) 3.陽イオンの異方性熱振動パラメータの精密化4.陰
イオンの異方性熱振動パラメータの精密化(Rwp=6
.39%まで収束) 5.1〜4で決定したパラメータを固定して陽イオンの
組成を変える 以上の手順により、2aサイト、4eサイトの組成を決
定する。以下にX=0.2の場合とX=0.3の場合の
試料について、その実験結果を示す。 X=0.2の場合 試料番号 Ts Ta t VIII
2a IX 4e Rwp(%)
1A 950 1020 100 L
a 0.1 La 0.8735 5.5
7
Sr 0.0638 Sr 0.066
5
Ca 0.8362 Ca 0.06
2A 950 1020 50
La 0.12 La 0.8872 5
.31
Sr 0.0802 Sr 0.0
68
Ca 0.799 Ca 0.044
8 3A 925 1120
6 La 0.129 La 0.885
6.33
Sr 0.078 Sr 0
.063
Ca 0.793 Ca 0.0
523 4A 950 1020
6 La 0.114 La 0.883
2 5.33
Sr 0.0824 Sr
0.06
Ca 0.8036 Ca 0
.0568 5A 1030 −
6 La 0.148 La 0.89
4 6.86
Sr 0.07 S
r 0.0645
Ca 0.782 C
a 0.0445 X=0.3の場合 試料番号 Ts Ta t VIII
2a IX 4e Rwp(%)
6A 925 1170 6 L
a 0.189 La 0.755 9.3
6
Sr 0 Sr 0.15
Ca 0.811 Ca 0.0946 この結果から、2aサイトでは、Ca≦0.25、Sr
≦0.15の範囲内に、4eサイトではLa≦0.2、
Sr≦0.2の範囲内にあることが分かる。
【0013】ただし、Ts:焼結温度(℃)、Ta:ア
ニール温度(℃)、t:時間(時)、La+Sr+Ca
=1 各試料(1A〜6A)の結晶構造をLa,Sr,Caの
三元系状態図に示す(図6参照)。 なお、上述した326構造の結晶構造因子を精密化した
例として、La1.9 Ca1.1 Cu2 O6 (
F.Izumi et al:physica
C 157(1989)89)、La2 SrCu2
O6 (V.Caignaert et al:
Mat.res.bull.25(1990)199)
、及びLa1.85Sr1.15Cu2 O6.25(
P.Lightfoot et al:Physi
ca C169(1990)464)があるが、いず
れも非超導電体である。
ニール温度(℃)、t:時間(時)、La+Sr+Ca
=1 各試料(1A〜6A)の結晶構造をLa,Sr,Caの
三元系状態図に示す(図6参照)。 なお、上述した326構造の結晶構造因子を精密化した
例として、La1.9 Ca1.1 Cu2 O6 (
F.Izumi et al:physica
C 157(1989)89)、La2 SrCu2
O6 (V.Caignaert et al:
Mat.res.bull.25(1990)199)
、及びLa1.85Sr1.15Cu2 O6.25(
P.Lightfoot et al:Physi
ca C169(1990)464)があるが、いず
れも非超導電体である。
【0014】
【発明の効果】以上の結果から明らかなように、HIP
により焼結体を処理することにより広範囲の温度条件、
圧力条件で超電導体を製造することができ、しかも組成
も0<x≦0.6 という広範囲の組成について超電導
性を持たせることができる。さらに、HIP処理後に急
冷しても超電導体を製造できるので、製造時間を著しく
短縮できる顕著な効果を発揮する。
により焼結体を処理することにより広範囲の温度条件、
圧力条件で超電導体を製造することができ、しかも組成
も0<x≦0.6 という広範囲の組成について超電導
性を持たせることができる。さらに、HIP処理後に急
冷しても超電導体を製造できるので、製造時間を著しく
短縮できる顕著な効果を発揮する。
【0015】
【表1】
【0016】
【表2】
【0017】
【表3】
【0018】
【表4】
【0019】
【表5】
【0020】
【表6】
【0021】
【表7】
【0022】
【表8】
【0023】
【表9】
【0024】
【表10】
【0025】
【表11】
【0026】
【表12】
【0027】
【表13】
【0028】
【表14】
【0029】
【表15】
【0030】
【表16】
【0031】
【表17】
【0032】
【表18】
【図1】本発明に係る酸化物超電導体のHIP処理前の
粉末回折パターンの一例を示す図。
粉末回折パターンの一例を示す図。
【図2】本発明に係る酸化物超電導体のHIP処理後の
粉末回折パターンの一例を示す図。
粉末回折パターンの一例を示す図。
【図3】本発明に係る酸化物超電導体の温度による抵抗
変化の一例を示す図。
変化の一例を示す図。
【図4】本発明に係る酸化物超電導体の温度による帯磁
率変化の一例を示す図。
率変化の一例を示す図。
【図5】本発明で得られた酸化物超電導体の組成の理論
的な構造を示す図。
的な構造を示す図。
【図6】本発明方法にかかる試料のLa,Sr,Caの
三元系状態図。
三元系状態図。
Claims (1)
- 【請求項1】 La2−X SrX CaCu2 O
6 (0<x≦0.6 )の組成式で表される組成を持
つ酸化物超電導体を製造するに際し、所望の配合比に混
合した原料粉に仮焼処理と焼結処理をおこなう工程と、
この工程で得られた焼結体に、全圧が10メガパスカル
を越え、酸素分圧2メガパスカルを越え、かつ温度が9
40℃以上1600℃以下の雰囲気で熱間静水圧プレス
をおこなう工程とを具備した酸化物超電導体の製造方法
。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3014684A JPH085715B2 (ja) | 1990-09-21 | 1991-01-14 | 酸化物超電導体の製造方法 |
PCT/JP1991/001248 WO1992005126A1 (en) | 1990-09-21 | 1991-09-20 | Oxide superconductor and method of manufacturing said superconductor |
EP91916221A EP0500966B1 (en) | 1990-09-21 | 1991-09-20 | Oxide superconductor and method of manufacturing said superconductor |
DE69123442T DE69123442T2 (de) | 1990-09-21 | 1991-09-20 | Oxidischer supraleiter und verfahren zu seiner herstellung |
US07/859,414 US5318745A (en) | 1990-09-21 | 1991-09-20 | Oxide superconductor and manufacturing method thereof via HIP and controlling the oxygen partial pressure |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2-250385 | 1990-09-21 | ||
JP25038590 | 1990-09-21 | ||
JP3014684A JPH085715B2 (ja) | 1990-09-21 | 1991-01-14 | 酸化物超電導体の製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04214062A true JPH04214062A (ja) | 1992-08-05 |
JPH085715B2 JPH085715B2 (ja) | 1996-01-24 |
Family
ID=26350691
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3014684A Expired - Fee Related JPH085715B2 (ja) | 1990-09-21 | 1991-01-14 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5318745A (ja) |
EP (1) | EP0500966B1 (ja) |
JP (1) | JPH085715B2 (ja) |
DE (1) | DE69123442T2 (ja) |
WO (1) | WO1992005126A1 (ja) |
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---|---|---|---|---|
EP0660423B1 (en) * | 1993-12-27 | 2000-02-23 | International Superconductivity Technology Center | Superconductor and method of producing same |
US5997273A (en) * | 1995-08-01 | 1999-12-07 | Laquer; Henry Louis | Differential pressure HIP forging in a controlled gaseous environment |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63115332U (ja) * | 1987-01-23 | 1988-07-25 | ||
JPH02158014A (ja) * | 1988-12-12 | 1990-06-18 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 酸化物超電導セラミックスの線材およびコイル製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63288912A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-25 | Hitachi Ltd | 無機酸化物超電導体の調製方法 |
JPH01160876A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-23 | Toshiba Corp | 超電導体部品の製造方法 |
-
1991
- 1991-01-14 JP JP3014684A patent/JPH085715B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1991-09-20 WO PCT/JP1991/001248 patent/WO1992005126A1/ja active IP Right Grant
- 1991-09-20 US US07/859,414 patent/US5318745A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-09-20 DE DE69123442T patent/DE69123442T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-09-20 EP EP91916221A patent/EP0500966B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63115332U (ja) * | 1987-01-23 | 1988-07-25 | ||
JPH02158014A (ja) * | 1988-12-12 | 1990-06-18 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 酸化物超電導セラミックスの線材およびコイル製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5318745A (en) | 1994-06-07 |
DE69123442T2 (de) | 1997-04-30 |
EP0500966B1 (en) | 1996-12-04 |
JPH085715B2 (ja) | 1996-01-24 |
EP0500966A1 (en) | 1992-09-02 |
WO1992005126A1 (en) | 1992-04-02 |
EP0500966A4 (en) | 1993-12-08 |
DE69123442D1 (de) | 1997-01-16 |
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