JPH04292466A - 窒化珪素焼結体およびその製造法 - Google Patents
窒化珪素焼結体およびその製造法Info
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- JPH04292466A JPH04292466A JP3080633A JP8063391A JPH04292466A JP H04292466 A JPH04292466 A JP H04292466A JP 3080633 A JP3080633 A JP 3080633A JP 8063391 A JP8063391 A JP 8063391A JP H04292466 A JPH04292466 A JP H04292466A
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高温および低温における
酸化がともに少なく高強度の窒化珪素焼結体およびその
製造法に関するものである。
酸化がともに少なく高強度の窒化珪素焼結体およびその
製造法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、希土類酸化物を５モル％以下含み
、粒界結晶相がアパタイト構造の結晶（以下、Ｈ相と記
す）と希土類のダイシリケート（以下、Ｓ相と記す）に
、ウォルストナイト構造の結晶（以下、Ｋ相と記す）ま
たはカスピディン構造の結晶（以下、Ｊ相と記す）に、
およびメリライト（以下、Ｍ相と記す）に結晶化した高
温高強度の窒化珪素焼結体が、それぞれ特開平１ー５６
３６８ 号公報、特開平１ー６１３５７号公報および特
開平１ー６１３５８ 号公報において開示されている。
、粒界結晶相がアパタイト構造の結晶（以下、Ｈ相と記
す）と希土類のダイシリケート（以下、Ｓ相と記す）に
、ウォルストナイト構造の結晶（以下、Ｋ相と記す）ま
たはカスピディン構造の結晶（以下、Ｊ相と記す）に、
およびメリライト（以下、Ｍ相と記す）に結晶化した高
温高強度の窒化珪素焼結体が、それぞれ特開平１ー５６
３６８ 号公報、特開平１ー６１３５７号公報および特
開平１ー６１３５８ 号公報において開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した窒化珪素焼結
体では、それぞれ高温での強度は高いものの低温での強
度が低下する場合があると考えられる。これは、我々の
研究によれば、高温高強度化には窒化珪素の粒界主結晶
がＭ、Ｊ、Ｈ相のような希土類酸化物のＳｉＯ２に対す
る比が大きくかつ窒素を含む結晶相であるのが望ましい
が、上述した技術に示されたこれらの結晶を粒界相に有
すると、大気中８００ 〜１０００℃で粒界相の選択酸
化（以下、低温酸化と記す）がおこり、その際他の結晶
の析出により体積膨張し、クラックを生じ機械的特性を
損なう。最も酸化が激しい温度は、粒界相の組成や結晶
の種類により多少異なるが９００ ℃前後である。
体では、それぞれ高温での強度は高いものの低温での強
度が低下する場合があると考えられる。これは、我々の
研究によれば、高温高強度化には窒化珪素の粒界主結晶
がＭ、Ｊ、Ｈ相のような希土類酸化物のＳｉＯ２に対す
る比が大きくかつ窒素を含む結晶相であるのが望ましい
が、上述した技術に示されたこれらの結晶を粒界相に有
すると、大気中８００ 〜１０００℃で粒界相の選択酸
化（以下、低温酸化と記す）がおこり、その際他の結晶
の析出により体積膨張し、クラックを生じ機械的特性を
損なう。最も酸化が激しい温度は、粒界相の組成や結晶
の種類により多少異なるが９００ ℃前後である。
【０００４】一方、上述した各公報には記載がないが一
般的に粒界の主結晶相がＲｅ２ＳｉＯ５ （以下、Ｌ相
と記す）やＲｅ２Ｓｉ２Ｏ７であると低温酸化しないが
、Ｒｅ２ＳｉＯ５ は安定して粒界主結晶として生成さ
せるのが難しく、Ｒｅ２Ｓｉ２Ｏ７が主結晶として生成
する粒界相組成では高温強度が発現できない問題があっ
た。
般的に粒界の主結晶相がＲｅ２ＳｉＯ５ （以下、Ｌ相
と記す）やＲｅ２Ｓｉ２Ｏ７であると低温酸化しないが
、Ｒｅ２ＳｉＯ５ は安定して粒界主結晶として生成さ
せるのが難しく、Ｒｅ２Ｓｉ２Ｏ７が主結晶として生成
する粒界相組成では高温強度が発現できない問題があっ
た。
【０００５】本発明の目的は上述した課題を解消して、
高温での高強度は維持したまま低温酸化を防止して低温
での強度をも発現させることのできる窒化珪素焼結体お
よびその製造法を提供しようとするものである。
高温での高強度は維持したまま低温酸化を防止して低温
での強度をも発現させることのできる窒化珪素焼結体お
よびその製造法を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の窒化珪素焼結体
は、粒界相が希土類元素化合物からなる窒化珪素焼結体
であって、希土類元素としてＹｂまたはＹｂとそれ以外
の希土類元素（Ｒｅ）を酸化物換算で５．５ 〜１３モ
ル％含み、かつＹｂ／Ｒｅ のモル比が１０／０〜６／
４ であり、粒界の主結晶がＪＣＰＤＳ カードＮｏ．
２１ー１４５８と同一のＸ線回折パターンを有すること
を特徴とするものである。
は、粒界相が希土類元素化合物からなる窒化珪素焼結体
であって、希土類元素としてＹｂまたはＹｂとそれ以外
の希土類元素（Ｒｅ）を酸化物換算で５．５ 〜１３モ
ル％含み、かつＹｂ／Ｒｅ のモル比が１０／０〜６／
４ であり、粒界の主結晶がＪＣＰＤＳ カードＮｏ．
２１ー１４５８と同一のＸ線回折パターンを有すること
を特徴とするものである。
【０００７】また、本発明の窒化珪素焼結体の製造法は
、窒化珪素粉末に、Ｙｂ２Ｏ３ またはＹｂ２Ｏ３ と
その他の希土類酸化物（Ｒｅ２Ｏ３） 粉末を総量で５
．５ 〜１３モル％、Ｙｂ／Ｒｅ のモル比が１０／０
〜６／４ になるよう調合した粉末を粉砕、混合、成形
し、得られた成形体の希土類酸化物（Ｙｂ，Ｒｅ）２Ｏ
３に対する酸素（ＳｉＯ２）の割合ＳｉＯ２／｛ＳｉＯ
２＋（Ｙｂ，Ｒｅ）２Ｏ３｝を０．５５〜０．７５とし
た後、不活性雰囲気中で焼成し、さらに９００ ℃〜１
５００℃で熱処理して、焼結体の粒界相をＪＣＰＤＳ
カードＮｏ．２１ー１４５８と同一のＸ線回折パターン
の化合物に結晶化することを特徴とするものである。
、窒化珪素粉末に、Ｙｂ２Ｏ３ またはＹｂ２Ｏ３ と
その他の希土類酸化物（Ｒｅ２Ｏ３） 粉末を総量で５
．５ 〜１３モル％、Ｙｂ／Ｒｅ のモル比が１０／０
〜６／４ になるよう調合した粉末を粉砕、混合、成形
し、得られた成形体の希土類酸化物（Ｙｂ，Ｒｅ）２Ｏ
３に対する酸素（ＳｉＯ２）の割合ＳｉＯ２／｛ＳｉＯ
２＋（Ｙｂ，Ｒｅ）２Ｏ３｝を０．５５〜０．７５とし
た後、不活性雰囲気中で焼成し、さらに９００ ℃〜１
５００℃で熱処理して、焼結体の粒界相をＪＣＰＤＳ
カードＮｏ．２１ー１４５８と同一のＸ線回折パターン
の化合物に結晶化することを特徴とするものである。
【０００８】
【作用】上述した構成において、Ｙｂ／Ｒｅ のモル比
を１０／０〜６／４ にするとともに、成形体の希土類
酸化物（Ｙｂ，Ｒｅ）２Ｏ３に対する酸素（ＳｉＯ２）
の割合ＳｉＯ２／｛ＳｉＯ２＋（Ｙｂ，Ｒｅ）２Ｏ３｝
を０．５５〜０．７５とすることにより粒界の主結晶相
をＬ相（ＪＣＰＤＳ カードＮｏ．２１ー１４５８と同
一のＸ線回折パターンの化合物）に安定に結晶化し、さ
らに希土類酸化物の添加量を５．５ 〜１３モル％と従
来より多く添加することにより、高温高強度を達成し、
その結果低温酸化せず高温高強度の窒化珪素焼結体を得
ることができる。ここで、「ＪＣＰＤＳ カードＮｏ．
２１−１４５８と同一のＸ線回折パターンの化合物」と
は、これと同一の結晶構造を有するという意味である。 よって構成される希土類元素の種類により回折位置およ
び強度が若干異なることもあり得る。また、「主結晶相
」とは、β−Ｓｉ３Ｎ４を除く粒界の各結晶のＸ線回折
の最強ピークの積分強度の合計値に対する割合で９０％
以上を占める結晶相のことをいう。
を１０／０〜６／４ にするとともに、成形体の希土類
酸化物（Ｙｂ，Ｒｅ）２Ｏ３に対する酸素（ＳｉＯ２）
の割合ＳｉＯ２／｛ＳｉＯ２＋（Ｙｂ，Ｒｅ）２Ｏ３｝
を０．５５〜０．７５とすることにより粒界の主結晶相
をＬ相（ＪＣＰＤＳ カードＮｏ．２１ー１４５８と同
一のＸ線回折パターンの化合物）に安定に結晶化し、さ
らに希土類酸化物の添加量を５．５ 〜１３モル％と従
来より多く添加することにより、高温高強度を達成し、
その結果低温酸化せず高温高強度の窒化珪素焼結体を得
ることができる。ここで、「ＪＣＰＤＳ カードＮｏ．
２１−１４５８と同一のＸ線回折パターンの化合物」と
は、これと同一の結晶構造を有するという意味である。 よって構成される希土類元素の種類により回折位置およ
び強度が若干異なることもあり得る。また、「主結晶相
」とは、β−Ｓｉ３Ｎ４を除く粒界の各結晶のＸ線回折
の最強ピークの積分強度の合計値に対する割合で９０％
以上を占める結晶相のことをいう。
【０００９】なお、本明細書では、ＳｉＯ２／｛ＳｉＯ
２＋（Ｙｂ，Ｒｅ）２Ｏ３｝の比を酸素量比と呼ぶ。こ
れは、成形体あるいは焼結体のＹｂ、Ｒｅ、Ｏ を定量
分析し、Ｙｂ、Ｒｅを二三酸化物換算し酸素を割り当て
、残りの酸素をＳｉＯ２に換算して求めた。ここで、Ｌ
相およびＨ相の酸素量比はそれぞれ０．５ 、０．４７
である。そのため、一般的には焼結体の酸素量比が０．
５ 程度であればＬ相、Ｈ相の何れも生成することがで
きると考えられる。そのため、本発明では、Ｌ相を選択
的に得るために、Ｙｂ／Ｒｅ の比を大きくするすなわ
ち１０／０〜６／４ にすることにより、選択的にＬ相
のみを安定した状態で生成できることを見いだした。ま
た、窒化珪素は焼成中に酸素がＳｉＯ やＳｉＯ２とな
って蒸発するため、焼結体の酸素量比は焼成前より小さ
くなる。従って、成形体の酸素量比はＬ相の酸素量比０
．５５より大きくなくてはならないとともに、０．７５
より大きいと焼結後粒界相にガラスが残留しやすく高温
強度が低下するため、酸素量比を０．５５〜０．７５と
限定した。
２＋（Ｙｂ，Ｒｅ）２Ｏ３｝の比を酸素量比と呼ぶ。こ
れは、成形体あるいは焼結体のＹｂ、Ｒｅ、Ｏ を定量
分析し、Ｙｂ、Ｒｅを二三酸化物換算し酸素を割り当て
、残りの酸素をＳｉＯ２に換算して求めた。ここで、Ｌ
相およびＨ相の酸素量比はそれぞれ０．５ 、０．４７
である。そのため、一般的には焼結体の酸素量比が０．
５ 程度であればＬ相、Ｈ相の何れも生成することがで
きると考えられる。そのため、本発明では、Ｌ相を選択
的に得るために、Ｙｂ／Ｒｅ の比を大きくするすなわ
ち１０／０〜６／４ にすることにより、選択的にＬ相
のみを安定した状態で生成できることを見いだした。ま
た、窒化珪素は焼成中に酸素がＳｉＯ やＳｉＯ２とな
って蒸発するため、焼結体の酸素量比は焼成前より小さ
くなる。従って、成形体の酸素量比はＬ相の酸素量比０
．５５より大きくなくてはならないとともに、０．７５
より大きいと焼結後粒界相にガラスが残留しやすく高温
強度が低下するため、酸素量比を０．５５〜０．７５と
限定した。
【００１０】一方、窒化珪素の高温強度は焼結体の酸素
量比が小さいほど高くなる傾向にある。しかし、Ｌ相を
生成させるためには酸素量比が０．５５より小さくする
ことはできない。この点を我々は、焼結体の酸素量比が
０．５５より大きくても高温強度を増大するための技術
として、粒界相量を多くすれば良いこと、すなわち希土
類酸化物を５．５ モル％以上添加することを見いだし
た。しかし、１３モル％を超えると、窒化珪素本来の強
度を発現できなくなる。そのため希土類酸化物量を５．
５ 〜１３モル％と限定した。
量比が小さいほど高くなる傾向にある。しかし、Ｌ相を
生成させるためには酸素量比が０．５５より小さくする
ことはできない。この点を我々は、焼結体の酸素量比が
０．５５より大きくても高温強度を増大するための技術
として、粒界相量を多くすれば良いこと、すなわち希土
類酸化物を５．５ モル％以上添加することを見いだし
た。しかし、１３モル％を超えると、窒化珪素本来の強
度を発現できなくなる。そのため希土類酸化物量を５．
５ 〜１３モル％と限定した。
【００１１】また、本発明の製造法において、成形体中
の酸素量比を制御する方法としては、例えば、窒化珪素
原料を酸化処理する方法、ＳｉＯ２を添加する方法ある
いは成形体を酸化処理する方法等がある。このうち、成
形体をカーボンのサヤで焼成する場合は、還元雰囲気に
なり成形体からの酸素の蒸発が多くなるため、酸素の過
度の蒸発を防ぐ必要がある。そのための方法として、例
えば、サヤ内にＳｉＯ２やＳｉＯあるいは窒化珪素粉末
を配置する方法がある。または、成形体にガラス不透過
な膜を形成し、ガラスカプセルＨＩＰ 法を用いて酸素
の蒸発が殆どない状態で焼成しても良い。
の酸素量比を制御する方法としては、例えば、窒化珪素
原料を酸化処理する方法、ＳｉＯ２を添加する方法ある
いは成形体を酸化処理する方法等がある。このうち、成
形体をカーボンのサヤで焼成する場合は、還元雰囲気に
なり成形体からの酸素の蒸発が多くなるため、酸素の過
度の蒸発を防ぐ必要がある。そのための方法として、例
えば、サヤ内にＳｉＯ２やＳｉＯあるいは窒化珪素粉末
を配置する方法がある。または、成形体にガラス不透過
な膜を形成し、ガラスカプセルＨＩＰ 法を用いて酸素
の蒸発が殆どない状態で焼成しても良い。
【００１２】
【実施例】以下、実際の例について説明する。
実施例１
純度９５重量％、酸素含有量２．３ 重量％、平均粒径
０．６ μｍ 、ＢＥＴ 比表面積１７ｍ２／ｇ、α含
有率０．９５の窒化珪素原料粉末と、純度９９重量％、
平均粒径０．３ 〜２．０ μｍ の表１記載の希土類
酸化物粉末とを、表１記載の割合で調合し、粉砕した。 その後、水を蒸発させて粒径１５０ μｍ に造粒し、
成形用粉末とした。次に、５０×４０×６ｍｍの成形体
を作製し、大気中、５００ ℃で熱処理して成形体の酸
素量比を高めた後、表１記載の焼成、熱処理条件で焼成
し、本発明の窒化珪素焼結体である試験Ｎｏ．１ー１４
の焼結体を得た。また、同一の方法で比較例である試
験Ｎｏ．１５ー１８の焼結体を得た。尚、Ｎｏ．１０
−１２はガラスカプセルＨＩＰ法を用いた。
０．６ μｍ 、ＢＥＴ 比表面積１７ｍ２／ｇ、α含
有率０．９５の窒化珪素原料粉末と、純度９９重量％、
平均粒径０．３ 〜２．０ μｍ の表１記載の希土類
酸化物粉末とを、表１記載の割合で調合し、粉砕した。 その後、水を蒸発させて粒径１５０ μｍ に造粒し、
成形用粉末とした。次に、５０×４０×６ｍｍの成形体
を作製し、大気中、５００ ℃で熱処理して成形体の酸
素量比を高めた後、表１記載の焼成、熱処理条件で焼成
し、本発明の窒化珪素焼結体である試験Ｎｏ．１ー１４
の焼結体を得た。また、同一の方法で比較例である試
験Ｎｏ．１５ー１８の焼結体を得た。尚、Ｎｏ．１０
−１２はガラスカプセルＨＩＰ法を用いた。
【００１３】これらの焼結体の嵩密度、粒界相の結晶相
、室温および１４００℃における４点曲げ強度、大気中
９００ ℃×１００ｈｒｓの酸化増量を測定し、その結
果を表１中に併せて記載した。なお、焼結体の嵩密度は
アルキメデス法により測定し、全焼結体とも調合組成か
ら計算される理論密度に対する割合で９９％以上であっ
た。４点曲げ強度は、ＪＩＳ Ｒ−１６０１「ファイン
セラミックスの曲げ強さ試験法」に従って測定した。粒
界結晶相は、ＣｕＫ α線によるＸ線回折の結果から求
めたものであり、表１記載のＪはカスピディン構造の結
晶、Ｈはアパタイト構造の結晶、ＬはＲｅ２ＳｉＯ５
（Ｒｅ：希土類元素でＪＣＰＤＳ カードＮｏ．２１ー
１４５８と同一のＸ線回折パターンの化合物）、ＳはＲ
ｅ２Ｓｉ２Ｏ７で表される結晶である。粒界結晶相の割
合は、βー Ｓｉ３Ｎ４ を除く粒界の各結晶の最強ピ
ークであるＬ相：（２０４） 面、Ｊ相：（１３１）
面、Ｈ相：（２１１） 面、Ｓ相：（０２１） 面の積
分強度の合計値に対する割合とした。なお、表１中、×
印はクラックが入って測定不能であったことを示す。
、室温および１４００℃における４点曲げ強度、大気中
９００ ℃×１００ｈｒｓの酸化増量を測定し、その結
果を表１中に併せて記載した。なお、焼結体の嵩密度は
アルキメデス法により測定し、全焼結体とも調合組成か
ら計算される理論密度に対する割合で９９％以上であっ
た。４点曲げ強度は、ＪＩＳ Ｒ−１６０１「ファイン
セラミックスの曲げ強さ試験法」に従って測定した。粒
界結晶相は、ＣｕＫ α線によるＸ線回折の結果から求
めたものであり、表１記載のＪはカスピディン構造の結
晶、Ｈはアパタイト構造の結晶、ＬはＲｅ２ＳｉＯ５
（Ｒｅ：希土類元素でＪＣＰＤＳ カードＮｏ．２１ー
１４５８と同一のＸ線回折パターンの化合物）、ＳはＲ
ｅ２Ｓｉ２Ｏ７で表される結晶である。粒界結晶相の割
合は、βー Ｓｉ３Ｎ４ を除く粒界の各結晶の最強ピ
ークであるＬ相：（２０４） 面、Ｊ相：（１３１）
面、Ｈ相：（２１１） 面、Ｓ相：（０２１） 面の積
分強度の合計値に対する割合とした。なお、表１中、×
印はクラックが入って測定不能であったことを示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】表１の結果から、本発明範囲内の試験Ｎｏ
．１ー１４ は、いずれかの点で本発明を満たさない試
験Ｎｏ．１５ー１９と比べて、高い高温での４点曲げ強
度と低い酸化増量との両者を達成していることがわかる
。
．１ー１４ は、いずれかの点で本発明を満たさない試
験Ｎｏ．１５ー１９と比べて、高い高温での４点曲げ強
度と低い酸化増量との両者を達成していることがわかる
。
【００１６】実施例２
大気中での熱処理おるいはＳｉＯ２を添加して含有酸素
量をコントロールした窒化珪素原料を用い、種々の酸素
量比にコントロールした成形体を作製した。表２記載の
焼成、熱処理条件で焼成し、本発明の窒化珪素焼結体で
ある試験Ｎｏ．１９ー２６の焼結体を得た。また、同一
方法で比較例の窒化珪素焼結体である試験Ｎｏ．２７ー
３１の焼結体を得た。これらの焼結体の嵩密度、粒界相
の結晶相、室温、１４００℃における４点曲げ強度およ
び大気中９００ ℃×１００ｈｒｓ後の酸化増量を実施
例１と同様に求め、その結果を表２に併せて記載した。
量をコントロールした窒化珪素原料を用い、種々の酸素
量比にコントロールした成形体を作製した。表２記載の
焼成、熱処理条件で焼成し、本発明の窒化珪素焼結体で
ある試験Ｎｏ．１９ー２６の焼結体を得た。また、同一
方法で比較例の窒化珪素焼結体である試験Ｎｏ．２７ー
３１の焼結体を得た。これらの焼結体の嵩密度、粒界相
の結晶相、室温、１４００℃における４点曲げ強度およ
び大気中９００ ℃×１００ｈｒｓ後の酸化増量を実施
例１と同様に求め、その結果を表２に併せて記載した。
【００１７】
【表２】
【００１８】表２の結果からも、本発明範囲内の試験Ｎ
ｏ．２０ー２７の、いずれかの点で本発明を満たさない
試験Ｎｏ．２８ー３２と比べて、高い高温での４点曲げ
強度と低い酸化増量との両者を達成していることがわか
る。
ｏ．２０ー２７の、いずれかの点で本発明を満たさない
試験Ｎｏ．２８ー３２と比べて、高い高温での４点曲げ
強度と低い酸化増量との両者を達成していることがわか
る。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明から明かなように、本発明に
よれば、Ｙｂ／Ｒｅ のモル比を１０／０〜６／４にす
るとともに、成形体の希土類酸化物（Ｙｂ，Ｒｅ）２Ｏ
３に対する酸素（ＳｉＯ２）の割合ＳｉＯ２／｛ＳｉＯ
２＋（Ｙｂ，Ｒｅ）２Ｏ３｝を０．５５〜０．７５とす
ることにより粒界の主結晶相をＬ相（ＪＣＰＤＳ カー
ドＮｏ．２１ー１４５８と同一のＸ線回折パターンの化
合物）に安定に結晶化し、さらに希土類酸化物の添加量
を５．５ 〜１３モル％と従来より多く添加することに
より、高温高強度を達成し、その結果低温酸化せず高温
高強度の窒化珪素焼結体を得ることができる。
よれば、Ｙｂ／Ｒｅ のモル比を１０／０〜６／４にす
るとともに、成形体の希土類酸化物（Ｙｂ，Ｒｅ）２Ｏ
３に対する酸素（ＳｉＯ２）の割合ＳｉＯ２／｛ＳｉＯ
２＋（Ｙｂ，Ｒｅ）２Ｏ３｝を０．５５〜０．７５とす
ることにより粒界の主結晶相をＬ相（ＪＣＰＤＳ カー
ドＮｏ．２１ー１４５８と同一のＸ線回折パターンの化
合物）に安定に結晶化し、さらに希土類酸化物の添加量
を５．５ 〜１３モル％と従来より多く添加することに
より、高温高強度を達成し、その結果低温酸化せず高温
高強度の窒化珪素焼結体を得ることができる。
Claims (4)
- 【請求項１】 粒界相が希土類元素化合物からなる窒
化珪素焼結体であって、希土類元素としてＹｂまたはＹ
ｂとそれ以外の希土類元素（Ｒｅ）を酸化物換算で５．
５〜１３モル％含み、かつＹｂ／Ｒｅ のモル比が１０
／０〜６／４ であり、粒界の主結晶がＪＣＰＤＳ カ
ードＮｏ．２１ー１４５８と同一のＸ線回折パターンを
有することを特徴とする窒化珪素焼結体。 - 【請求項２】 前記ＲｅがＹ 、ＥｒまたはＴｍから
なる請求項１記載の窒化珪素焼結体。 - 【請求項３】 窒化珪素粉末に、Ｙｂ２Ｏ３ または
Ｙｂ２Ｏ３ とその他の希土類酸化物（Ｒｅ２Ｏ３）
粉末を総量で５．５ 〜１３モル％、Ｙｂ／Ｒｅ のモ
ル比が１０／０〜６／４ になるよう調合した粉末を粉
砕、混合、成形し、得られた成形体の希土類酸化物（Ｙ
ｂ，Ｒｅ）２Ｏ３に対する酸素（ＳｉＯ２）の割合Ｓｉ
Ｏ２／｛ＳｉＯ２＋（Ｙｂ，Ｒｅ）２Ｏ３｝を０．５５
〜０．７５とした後、不活性雰囲気中で焼成し、さらに
９００ ℃〜１５００℃で熱処理して、焼結体の粒界相
をＪＣＰＤＳ カードＮｏ．２１ー１４５８と同一のＸ
線回折パターンの化合物に結晶化することを特徴とする
窒化珪素焼結体の製造法。 - 【請求項４】 前記ＲｅがＹ 、ＥｒまたはＴｍから
なる請求項３記載の窒化珪素焼結体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3080633A JPH0672054B2 (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 窒化珪素焼結体およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3080633A JPH0672054B2 (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 窒化珪素焼結体およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04292466A true JPH04292466A (ja) | 1992-10-16 |
| JPH0672054B2 JPH0672054B2 (ja) | 1994-09-14 |
Family
ID=13723769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3080633A Expired - Lifetime JPH0672054B2 (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 窒化珪素焼結体およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0672054B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0631997A1 (en) * | 1993-06-30 | 1995-01-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon nitride based sintered body and method for producing the same |
| EP0825162A1 (en) * | 1996-08-20 | 1998-02-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Silicon nitride sintered material and process for production thereof |
-
1991
- 1991-03-20 JP JP3080633A patent/JPH0672054B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0631997A1 (en) * | 1993-06-30 | 1995-01-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon nitride based sintered body and method for producing the same |
| EP0825162A1 (en) * | 1996-08-20 | 1998-02-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Silicon nitride sintered material and process for production thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0672054B2 (ja) | 1994-09-14 |
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