JPH04211153A - 半導体パッケージ及びそれに用いるリードフレーム - Google Patents
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(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
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Description
[00011
【産業上の利用分野]本発明は新規な、樹脂封止型半導
体パッケージと、それに用いるFe−Ni系合金からな
るリードフレームに関する。 [0002] 【従来の技術】樹脂封止型半導体装置用のリードフレー
ム材としてはCu合金とFe−Ni系合金の2種類の材
料が主に用いられている。前者は熱伝導性が良く熱膨張
率が樹脂と同程度であるのに対し、後者は耐酸化性に優
れSi(熱膨張率:3.6X 10−6に一つと同程
度の熱膨張率(4,0〜10.0X−6に一’)を有し
ている等の特徴がある。最近、半導体素子の高集積化に
伴い、チップの発熱量の増加やチップ形状が大形化する
傾向にある。Cu合金のリードフレームは発熱量が大き
いが比較的形状の小さなチップを実装するのには適して
いるが、大きな形状のチップを実装するとリードフレー
ムとチップとの熱膨張差による応力によりパッケージが
割れてしまうという欠点がある。したがって、大きな形
状のチップを実装するリードフレームとしてはFe−N
i合金フレームの方が適している。しかし、従来材であ
る42合金(42%Ni、残Fe)や50合金(50%
Ni、残Fe)は、Cu合金に比べて耐食性、樹脂との
密着性。 はんだ付性に劣っていた。これらのFe−Ni合金のリ
ードフレームの問題点を解決する方法として、例えば特
開昭60−251256号公報に記載のように合金にC
uを添加する等の合金自体の特性を改善する元素を添加
したり、特開昭63−169056号公報に記載のよう
にフレーム表面にCuメツキ層を設はリードフレーム表
面の特性を向上させる方法、特公昭63−49382号
公報にはPd量が40%以上であるNi、Co、Au、
Ag、Cu合金皮膜を形成することが開示されている。 [0003]
体パッケージと、それに用いるFe−Ni系合金からな
るリードフレームに関する。 [0002] 【従来の技術】樹脂封止型半導体装置用のリードフレー
ム材としてはCu合金とFe−Ni系合金の2種類の材
料が主に用いられている。前者は熱伝導性が良く熱膨張
率が樹脂と同程度であるのに対し、後者は耐酸化性に優
れSi(熱膨張率:3.6X 10−6に一つと同程
度の熱膨張率(4,0〜10.0X−6に一’)を有し
ている等の特徴がある。最近、半導体素子の高集積化に
伴い、チップの発熱量の増加やチップ形状が大形化する
傾向にある。Cu合金のリードフレームは発熱量が大き
いが比較的形状の小さなチップを実装するのには適して
いるが、大きな形状のチップを実装するとリードフレー
ムとチップとの熱膨張差による応力によりパッケージが
割れてしまうという欠点がある。したがって、大きな形
状のチップを実装するリードフレームとしてはFe−N
i合金フレームの方が適している。しかし、従来材であ
る42合金(42%Ni、残Fe)や50合金(50%
Ni、残Fe)は、Cu合金に比べて耐食性、樹脂との
密着性。 はんだ付性に劣っていた。これらのFe−Ni合金のリ
ードフレームの問題点を解決する方法として、例えば特
開昭60−251256号公報に記載のように合金にC
uを添加する等の合金自体の特性を改善する元素を添加
したり、特開昭63−169056号公報に記載のよう
にフレーム表面にCuメツキ層を設はリードフレーム表
面の特性を向上させる方法、特公昭63−49382号
公報にはPd量が40%以上であるNi、Co、Au、
Ag、Cu合金皮膜を形成することが開示されている。 [0003]
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、Fe
Ni合金にCu等の元素を添加する方法とフレーム表面
にCuメツキ層等の金属層を設けるいずれの方法もリー
ドフレームの耐食性や樹脂との接着性を向上させるのに
効果がある。しかしながら、前者の方法では、合金元素
の添加による熱膨脹率の増加に起因するリードフレーム
とチップの熱応力が増大する点、後者の方法ではパッケ
ージ工程時にリードフレーム表面のCuが酸化しはんだ
付性が低下する点で問題があった。また、最近高集積化
に伴い半導体装置に対して増々高い信頼性が要求される
ようになってきており、特にパッケージの耐湿信頼性を
向上させるにはリードフレームと樹脂との界面で発生す
る隙間腐食を防止する技術が不可欠である。しかしなが
ら、従来技術は隙間腐食の防止に関しては配慮されてい
なかった。更に、Pd量が40%以上の合金皮膜はめっ
きによって形成すると欠陥が存在し、その欠陥によって
逆に腐食が加速される問題があった。 [0004]本発明の目的は、Fe−Ni系合金からな
るリードフレームのもつ熱膨張特性や耐酸化性を損なう
ことなく耐食性特に封止樹脂に対する耐隙間腐食性とは
んだ付性を向上させた半導体パッケージとそれに用いる
リードフレームを提供するにある。 [0005]
Ni合金にCu等の元素を添加する方法とフレーム表面
にCuメツキ層等の金属層を設けるいずれの方法もリー
ドフレームの耐食性や樹脂との接着性を向上させるのに
効果がある。しかしながら、前者の方法では、合金元素
の添加による熱膨脹率の増加に起因するリードフレーム
とチップの熱応力が増大する点、後者の方法ではパッケ
ージ工程時にリードフレーム表面のCuが酸化しはんだ
付性が低下する点で問題があった。また、最近高集積化
に伴い半導体装置に対して増々高い信頼性が要求される
ようになってきており、特にパッケージの耐湿信頼性を
向上させるにはリードフレームと樹脂との界面で発生す
る隙間腐食を防止する技術が不可欠である。しかしなが
ら、従来技術は隙間腐食の防止に関しては配慮されてい
なかった。更に、Pd量が40%以上の合金皮膜はめっ
きによって形成すると欠陥が存在し、その欠陥によって
逆に腐食が加速される問題があった。 [0004]本発明の目的は、Fe−Ni系合金からな
るリードフレームのもつ熱膨張特性や耐酸化性を損なう
ことなく耐食性特に封止樹脂に対する耐隙間腐食性とは
んだ付性を向上させた半導体パッケージとそれに用いる
リードフレームを提供するにある。 [0005]
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体素子と
、該半導体素子の電気信号を外部に導き出すリードフレ
ームと、前記半導体素子を大気より遮断する樹脂封止部
材とを備えた半導体パッケージにおいて、前記リードフ
レームは前記樹脂による腐食に対して該リードフレーム
のベース金属より耐食性に優れ、且つ前記ベース金属の
はんだ濡れ性と同等又はそれより優れた皮膜が形成され
るとともに、該皮膜はベース金属の腐食電位より若干高
い腐食電位を有することを特徴とする半導体パッケージ
にある。本発明は、前記リードフレームがNiより責な
第1の金属と、前記リードフレームのベース金属のはん
だ濡れ性と同等又はそれより優れている第2の金属との
合金層を有し、該合金層は前記ベース金属の腐食電位よ
り若干高い腐食電位を有すること、具体的にはMo。 W、 Cr、 Au、 Ag、 Cu、 Pt、
Pd、 Rh、 Ru、Ir及びOsの少なくと
も1種の第1の金属と、Fe、Co及びNiの少なくと
も1種の第2の金属との合金層を有し、前記第1の金属
は30重量%以下とすること、更にこれにSn及びZn
の少なくとも1種を30重重電以下含むこと、又はMo
、W及びCrの少なくとも1種と前記リードフレームの
ベース金属との酸化物からなる酸化膜を有すること、に
よって達成される。 [00061更に、本発明の半導体パッケージは前記樹
脂封止部材として該リードフレーム表面に前記樹脂によ
る腐食に対して防食性を有する保護膜を形成する化合物
を含有させることによって達成される。 [00071本発明は、ベース金属表面に樹脂による腐
食に対する耐食性が前記ベース金属より優れ、且つ前記
ベース金属のはんだ濡れ性と同等又はそれより優れてい
る皮膜を有し、該皮膜はベース金属の腐食電位より若干
高い腐食電位を有することを特徴とするリードフレーム
にある。前述と同様に本発明に係るリードフレームは特
定の合金層又は酸化物層を形成させたものである。そし
て、特に、複数の半導体素子が搭載できるように所望の
形状に打抜き成形加工された平坦なベース金属薄板より
なり、該加工された前記ベース金属板上に前記半導体素
子を自動的に組立てて半導体装置を形成できるように送
り機構が設けられているリードフレームに好適である。 [0008]また、本発明はリードフレームとして特定
の形状に加工が施されていないテープとして巻枠に巻回
され、その全表面に本発明に係る皮膜が形成されている
ものである。これより所定形状と所定の長さに成形、切
断された平坦なものにして使用される。 [0009]
、該半導体素子の電気信号を外部に導き出すリードフレ
ームと、前記半導体素子を大気より遮断する樹脂封止部
材とを備えた半導体パッケージにおいて、前記リードフ
レームは前記樹脂による腐食に対して該リードフレーム
のベース金属より耐食性に優れ、且つ前記ベース金属の
はんだ濡れ性と同等又はそれより優れた皮膜が形成され
るとともに、該皮膜はベース金属の腐食電位より若干高
い腐食電位を有することを特徴とする半導体パッケージ
にある。本発明は、前記リードフレームがNiより責な
第1の金属と、前記リードフレームのベース金属のはん
だ濡れ性と同等又はそれより優れている第2の金属との
合金層を有し、該合金層は前記ベース金属の腐食電位よ
り若干高い腐食電位を有すること、具体的にはMo。 W、 Cr、 Au、 Ag、 Cu、 Pt、
Pd、 Rh、 Ru、Ir及びOsの少なくと
も1種の第1の金属と、Fe、Co及びNiの少なくと
も1種の第2の金属との合金層を有し、前記第1の金属
は30重量%以下とすること、更にこれにSn及びZn
の少なくとも1種を30重重電以下含むこと、又はMo
、W及びCrの少なくとも1種と前記リードフレームの
ベース金属との酸化物からなる酸化膜を有すること、に
よって達成される。 [00061更に、本発明の半導体パッケージは前記樹
脂封止部材として該リードフレーム表面に前記樹脂によ
る腐食に対して防食性を有する保護膜を形成する化合物
を含有させることによって達成される。 [00071本発明は、ベース金属表面に樹脂による腐
食に対する耐食性が前記ベース金属より優れ、且つ前記
ベース金属のはんだ濡れ性と同等又はそれより優れてい
る皮膜を有し、該皮膜はベース金属の腐食電位より若干
高い腐食電位を有することを特徴とするリードフレーム
にある。前述と同様に本発明に係るリードフレームは特
定の合金層又は酸化物層を形成させたものである。そし
て、特に、複数の半導体素子が搭載できるように所望の
形状に打抜き成形加工された平坦なベース金属薄板より
なり、該加工された前記ベース金属板上に前記半導体素
子を自動的に組立てて半導体装置を形成できるように送
り機構が設けられているリードフレームに好適である。 [0008]また、本発明はリードフレームとして特定
の形状に加工が施されていないテープとして巻枠に巻回
され、その全表面に本発明に係る皮膜が形成されている
ものである。これより所定形状と所定の長さに成形、切
断された平坦なものにして使用される。 [0009]
【作用】樹脂封止型半導体パッケージの耐湿信頼性を低
下させる要因としてリードフレームとレジンとの界面に
侵入する水分とCI−、Br−等の腐食性アニオンの作
用によって発生する隙間腐食が考えられる。隙間腐食は
隙間内の金属上の不働態皮膜がCI−等によって破壊さ
れさらに隙間内のpHの低下と腐食性アニオンの濃縮が
起こるために加速度的に進行する局部腐食現象である。 Fe−Ni合金はCu合金に比べて耐隙間腐食性が低く
、パッケージの耐湿信頼性の低下が懸念される。Fe−
Ni合金の耐隙間腐食性を向上させる方法としては、C
u、Mo、Pd、Cr等のFe (−0,440)やN
1(−0,250)よりも責な金属元素を合金成分とし
て添加する方法と合金表面にこれらの元素からなる金属
層を形成させる2つの方法が考えられる。前者の方法で
は、各元素の必要添加量は約1〜5%であるが元素添加
に伴い熱膨脹率が約5〜50%増加するので、チップと
リードフレーム間の熱応力が増加する結果となる。した
がって合金元素を添加したFe−Ni合金リードフレー
ムは大きな形状のチップを実装するリードフレームには
適しない。一方後者の方法では、合金表面の特性のみを
向上させ熱膨張特性に影響を与えないでできる。したが
って、表面にFeやNiよりも責なCu、Mo、pa等
の金属元素を含む合金層を形成させたFe−Ni合金リ
すドフ麗−ムは大形状チップ実装用のリードフレームと
して適している。 [0010]CuはFe−Ni合金表面の耐食性を向上
させる元素であるが、それ単独では耐高温酸化性を低下
させてしまうので、パッケージプロセス時のリードフレ
ーム表面の酸化によりはんだ付性を低下させるので、F
e、Ni及びCoの1種以上に含有させることによって
耐食性、耐酸化性を向上させることができる。 [0011] Pd、 P t、 Au、 Ag等の貴
金属元素は耐食性、耐酸化性、半田付性ともに向上させ
る。 [0012] Mo、 W、 Cr等のNiよりも責な
金属とリードフレームのベース金属のウェッジボンディ
ング性を損わないSn+Zn等の金属との合金層を形成
させたFe−Ni合金リードフレームは耐食性、耐酸化
性ともに向上する。特に耐隙間腐食性の向上はMoを例
にとると隙間部においてMoから生成するMoO42−
が隙間内の局部溶解点を補修する作用による。すなわち
MoO42−が局部溶解点に反応し、F eMOO4,
N i M。 04、 M O02、M O03等の難溶性化合物が形
成されるため、又はこれらの責な金属がリードフレーム
表面で濃縮されてその表面を被うことによって保護され
るものと考えられる。この皮膜の厚さはIOA〜1μm
が好ましく、特に100A〜0.1μmが好ましい。 [0013]合金層中のMo等の責な金属の濃度はめっ
き液中のMoO4”−等の責な金属の化合物濃度によっ
て制御することができる。耐食性向上の為に合金層中の
MO等の責な金属の濃度は高いほど好ましいが、ボンデ
ィング性とははんだぬれ性の低下をまねくおそれがある
。 したがって、ボンディング性とはんだぬれ性を低下させ
ずに耐食性を向上させるのに必要な責な金属の濃度は3
0重量%以下、又は20重量%以下、特に0.5%以上
で、0.5〜10重量%、より2〜5重量が好ましい。 特に、白金族金属0.5〜5%、MO1〜3%を含むN
i合金が好ましい。またSnとZnの最適濃度ははんだ
ぬれ性及び封止樹脂との密着性を考慮すると、いずれも
30重量%以下とし、Snが1〜10%、Znが3〜1
5%の範囲が好ましい。そして金属層の残部組成はFe
、CoあるいはNiが主成分となる。従って、合金めっ
き層として、Fe、Ni及びCoの単独又はこれらの少
なくとも1つからなり、これらの元素が80重重電以上
、好ましくは85〜98%である。このような含有量と
することにより0.01モル/lNaC1水溶液(25
℃)において、合金層の腐食電位をベース金属のそれよ
り若干高くすることによって防食される。特に合金層が
0.1μm以下の薄い皮膜とすると欠陥が形成される割
合が高いが、その場合でも防食効果が得られる効果があ
る。電位の差は0.2V以下、好ましくは0.1V以下
、特に0.05V以下が好ましい。合金層を形成させる
表面処理法としては電気めっき、溶融めっき、気相めっ
きが考えられる。MoやWは高融点金属であるので溶融
めっきは事実上不可能である。化学蒸着や物理蒸着等の
気相めっきによりMoあるいはWめっきは可能であるが
、めっき速度が遅い欠点がある。一方、電気めっきでは
MoあるいはWを単一金属のままめっきすることはでき
ないが、MoあるいはWを共析させるものとしてNi、
Fe、Co、Sn、Zn等の金属イオンとMoO42−
あるいはW O42−を共存させためっき浴を用いれば
MOあるいはWを含んだ合金めっき層を形成させること
が可能となる。これらの金属イオンとMoO42−ある
いはWO42−が同時還元することによりMoあるいは
Wを含んだ合金層が形成される。MoあるいはWの析出
を可能とする元素の内、NiとFeは下地のFe−Ni
合金と同成分であるので問題はないが、Niを主成分と
して高くした方が耐食性の高い合金層が得られる。一方
、SnとZnはともにはんだ付性の向上が期待できるの
で合金層の成分元素として適している。したがって、め
っき浴としてはMoO42−あるいはWO42−を含み
、Fe2+、 Co2+、 Ni”+、 Sn2+、
Zn2+の内1種あるいは2種以上の金属イオンを含
有させる必要がある。合金層の厚さは0.02〜10μ
mが好ましく、特に0.1〜5μmで、より1〜3μm
が好ましい。 [0014] Fe−Ni合金表面にFeMoo、+、
N1M0O4,MOO2,MO03等の難溶性のMo化
合物層、F eWO4,N i WO4,WO2,WO
a等の難溶性のW化合物層、又はFeCrO4,NiC
rO4等のCr化合物層を形成させると、Mo等含有合
金層と同様にM。 042−、 WO42−、CrO42−の作用により隙
間腐食を抑制する効果がある。このMo、W、Cr化合
物層はFeNi合金をMo042−2WO42−2Cr
O42−を含む水溶液中で浸漬処理することにより形成
できる。この処理を施したリードフレームを直接半導体
装置に用いるかあるいはFe−X1合金リードフレーム
上にチップボンディング及びワイヤボンディングした後
樹脂封止したパッケージをMo042−2CrO42−
あるいはWO42−含有水溶液中で浸漬処理することに
よるパッケージの耐湿信頼性を向上させることができる
。しかし、リードフレーム表面にこれらの酸化物が存在
するとボンディング性やはんだ付性が低下する可能性が
ある。 [0015]また、水に可溶性のモリブデン酸塩(M。 042−)、タングステン酸塩(WO4”−)、クロム
酸塩(Cr042−)含有させた樹脂を用いてFe−N
i合金リードフレームを封止すれば、リードフレームと
樹脂との界面に侵入した水分中にMo042−2WO4
2−2CrO42−が溶解し、これらのイオンがリード
フレームと反応して樹脂中に含有される塩化物イオン、
臭化物イオンによる腐食に対して保護性のMo化合物、
W化合物、Cr化合物層を形成し、隙間腐食を防止する
効果がある。しかし、モリブデン酸塩等を樹脂内に均一
に分散させる必要がある。 [0016] リードフレームのベース金属としてFe
Ni系合金が用いられ、Siとの熱膨脹率の差を考慮し
、Niを35〜50重量%含み残部が実質上Feからな
り、その熱膨脹率が4.0〜10. OX 10−6に
一’の範囲の値を有しているものが適している。その厚
さは0゜3mm以下で、好ましくは0.1〜及0.3m
mである。Ni濃度あるいは熱膨脹率が上限値を超えた
Fe−Ni合金リードフレームを用いたパッケージでは
リードフレームとSiチップとの間に大きな熱応力が発
生するためにパッケージが割れる可能性がある。Fe−
Ni合金には熱膨脹率を10%以下増加する程度で耐食
性2強度、耐酸化性を高める元素を加えることができる
。従って、添加量として1重量%以下が好ましい。Cu
、 Mo、 W。 白金属元素、Agが好ましい。 [0017]Mo等の耐食性保護層を形成させたFeN
i合金リードフレームを製造する方法としては、FeN
i合金鋼板を機械加工あるいはエツチングによりリード
フレームの形状に成形加工しそれを陰極にして電気めっ
きを施す方法と、電気めっきを施したFe−Ni合金鋼
板をリードフレームの形状に成形加工する2通りの方法
がある。 [0018]以上のMo等の貴金属を含有させた金属層
を形成させたFe−Ni合金リードフレームを半導体装
置に用いれば、金属層の作用によりリードフレームとレ
ジンとの界面における隙間腐食を防止するためにパッケ
ージの耐湿性信頼性が向上する。 [0019]封止樹脂として熱硬化性エポキシ樹脂を主
体にしたものが用いられ、充填材として平均粒径30〜
200μm石英粉末が樹脂の熱膨張張係数を低めるのに
添加される。石英は球状のものが製造上の流動性の点か
ら好ましい。この充填材の添加量として60〜80体積
%である。その他に、シリコンゴムを可撓化剤として加
えられ、硬化樹脂中にシリコンゴム粒子が分散して形成
され、チップへの応力低減を得ることができる。 [00201ボンデイングワイヤは直径10〜50μm
のAu、 AI、Cu、又はこれらの各合金が用いられ
、特に、25〜35μmが好ましく、焼鈍材が用いられ
る。これらの接合は半導体素子に対しては超音波振動の
固相でのポールボンディングにより、リードフレームに
対しては同じくウェッジボンディングによって行われる
。 [00211
下させる要因としてリードフレームとレジンとの界面に
侵入する水分とCI−、Br−等の腐食性アニオンの作
用によって発生する隙間腐食が考えられる。隙間腐食は
隙間内の金属上の不働態皮膜がCI−等によって破壊さ
れさらに隙間内のpHの低下と腐食性アニオンの濃縮が
起こるために加速度的に進行する局部腐食現象である。 Fe−Ni合金はCu合金に比べて耐隙間腐食性が低く
、パッケージの耐湿信頼性の低下が懸念される。Fe−
Ni合金の耐隙間腐食性を向上させる方法としては、C
u、Mo、Pd、Cr等のFe (−0,440)やN
1(−0,250)よりも責な金属元素を合金成分とし
て添加する方法と合金表面にこれらの元素からなる金属
層を形成させる2つの方法が考えられる。前者の方法で
は、各元素の必要添加量は約1〜5%であるが元素添加
に伴い熱膨脹率が約5〜50%増加するので、チップと
リードフレーム間の熱応力が増加する結果となる。した
がって合金元素を添加したFe−Ni合金リードフレー
ムは大きな形状のチップを実装するリードフレームには
適しない。一方後者の方法では、合金表面の特性のみを
向上させ熱膨張特性に影響を与えないでできる。したが
って、表面にFeやNiよりも責なCu、Mo、pa等
の金属元素を含む合金層を形成させたFe−Ni合金リ
すドフ麗−ムは大形状チップ実装用のリードフレームと
して適している。 [0010]CuはFe−Ni合金表面の耐食性を向上
させる元素であるが、それ単独では耐高温酸化性を低下
させてしまうので、パッケージプロセス時のリードフレ
ーム表面の酸化によりはんだ付性を低下させるので、F
e、Ni及びCoの1種以上に含有させることによって
耐食性、耐酸化性を向上させることができる。 [0011] Pd、 P t、 Au、 Ag等の貴
金属元素は耐食性、耐酸化性、半田付性ともに向上させ
る。 [0012] Mo、 W、 Cr等のNiよりも責な
金属とリードフレームのベース金属のウェッジボンディ
ング性を損わないSn+Zn等の金属との合金層を形成
させたFe−Ni合金リードフレームは耐食性、耐酸化
性ともに向上する。特に耐隙間腐食性の向上はMoを例
にとると隙間部においてMoから生成するMoO42−
が隙間内の局部溶解点を補修する作用による。すなわち
MoO42−が局部溶解点に反応し、F eMOO4,
N i M。 04、 M O02、M O03等の難溶性化合物が形
成されるため、又はこれらの責な金属がリードフレーム
表面で濃縮されてその表面を被うことによって保護され
るものと考えられる。この皮膜の厚さはIOA〜1μm
が好ましく、特に100A〜0.1μmが好ましい。 [0013]合金層中のMo等の責な金属の濃度はめっ
き液中のMoO4”−等の責な金属の化合物濃度によっ
て制御することができる。耐食性向上の為に合金層中の
MO等の責な金属の濃度は高いほど好ましいが、ボンデ
ィング性とははんだぬれ性の低下をまねくおそれがある
。 したがって、ボンディング性とはんだぬれ性を低下させ
ずに耐食性を向上させるのに必要な責な金属の濃度は3
0重量%以下、又は20重量%以下、特に0.5%以上
で、0.5〜10重量%、より2〜5重量が好ましい。 特に、白金族金属0.5〜5%、MO1〜3%を含むN
i合金が好ましい。またSnとZnの最適濃度ははんだ
ぬれ性及び封止樹脂との密着性を考慮すると、いずれも
30重量%以下とし、Snが1〜10%、Znが3〜1
5%の範囲が好ましい。そして金属層の残部組成はFe
、CoあるいはNiが主成分となる。従って、合金めっ
き層として、Fe、Ni及びCoの単独又はこれらの少
なくとも1つからなり、これらの元素が80重重電以上
、好ましくは85〜98%である。このような含有量と
することにより0.01モル/lNaC1水溶液(25
℃)において、合金層の腐食電位をベース金属のそれよ
り若干高くすることによって防食される。特に合金層が
0.1μm以下の薄い皮膜とすると欠陥が形成される割
合が高いが、その場合でも防食効果が得られる効果があ
る。電位の差は0.2V以下、好ましくは0.1V以下
、特に0.05V以下が好ましい。合金層を形成させる
表面処理法としては電気めっき、溶融めっき、気相めっ
きが考えられる。MoやWは高融点金属であるので溶融
めっきは事実上不可能である。化学蒸着や物理蒸着等の
気相めっきによりMoあるいはWめっきは可能であるが
、めっき速度が遅い欠点がある。一方、電気めっきでは
MoあるいはWを単一金属のままめっきすることはでき
ないが、MoあるいはWを共析させるものとしてNi、
Fe、Co、Sn、Zn等の金属イオンとMoO42−
あるいはW O42−を共存させためっき浴を用いれば
MOあるいはWを含んだ合金めっき層を形成させること
が可能となる。これらの金属イオンとMoO42−ある
いはWO42−が同時還元することによりMoあるいは
Wを含んだ合金層が形成される。MoあるいはWの析出
を可能とする元素の内、NiとFeは下地のFe−Ni
合金と同成分であるので問題はないが、Niを主成分と
して高くした方が耐食性の高い合金層が得られる。一方
、SnとZnはともにはんだ付性の向上が期待できるの
で合金層の成分元素として適している。したがって、め
っき浴としてはMoO42−あるいはWO42−を含み
、Fe2+、 Co2+、 Ni”+、 Sn2+、
Zn2+の内1種あるいは2種以上の金属イオンを含
有させる必要がある。合金層の厚さは0.02〜10μ
mが好ましく、特に0.1〜5μmで、より1〜3μm
が好ましい。 [0014] Fe−Ni合金表面にFeMoo、+、
N1M0O4,MOO2,MO03等の難溶性のMo化
合物層、F eWO4,N i WO4,WO2,WO
a等の難溶性のW化合物層、又はFeCrO4,NiC
rO4等のCr化合物層を形成させると、Mo等含有合
金層と同様にM。 042−、 WO42−、CrO42−の作用により隙
間腐食を抑制する効果がある。このMo、W、Cr化合
物層はFeNi合金をMo042−2WO42−2Cr
O42−を含む水溶液中で浸漬処理することにより形成
できる。この処理を施したリードフレームを直接半導体
装置に用いるかあるいはFe−X1合金リードフレーム
上にチップボンディング及びワイヤボンディングした後
樹脂封止したパッケージをMo042−2CrO42−
あるいはWO42−含有水溶液中で浸漬処理することに
よるパッケージの耐湿信頼性を向上させることができる
。しかし、リードフレーム表面にこれらの酸化物が存在
するとボンディング性やはんだ付性が低下する可能性が
ある。 [0015]また、水に可溶性のモリブデン酸塩(M。 042−)、タングステン酸塩(WO4”−)、クロム
酸塩(Cr042−)含有させた樹脂を用いてFe−N
i合金リードフレームを封止すれば、リードフレームと
樹脂との界面に侵入した水分中にMo042−2WO4
2−2CrO42−が溶解し、これらのイオンがリード
フレームと反応して樹脂中に含有される塩化物イオン、
臭化物イオンによる腐食に対して保護性のMo化合物、
W化合物、Cr化合物層を形成し、隙間腐食を防止する
効果がある。しかし、モリブデン酸塩等を樹脂内に均一
に分散させる必要がある。 [0016] リードフレームのベース金属としてFe
Ni系合金が用いられ、Siとの熱膨脹率の差を考慮し
、Niを35〜50重量%含み残部が実質上Feからな
り、その熱膨脹率が4.0〜10. OX 10−6に
一’の範囲の値を有しているものが適している。その厚
さは0゜3mm以下で、好ましくは0.1〜及0.3m
mである。Ni濃度あるいは熱膨脹率が上限値を超えた
Fe−Ni合金リードフレームを用いたパッケージでは
リードフレームとSiチップとの間に大きな熱応力が発
生するためにパッケージが割れる可能性がある。Fe−
Ni合金には熱膨脹率を10%以下増加する程度で耐食
性2強度、耐酸化性を高める元素を加えることができる
。従って、添加量として1重量%以下が好ましい。Cu
、 Mo、 W。 白金属元素、Agが好ましい。 [0017]Mo等の耐食性保護層を形成させたFeN
i合金リードフレームを製造する方法としては、FeN
i合金鋼板を機械加工あるいはエツチングによりリード
フレームの形状に成形加工しそれを陰極にして電気めっ
きを施す方法と、電気めっきを施したFe−Ni合金鋼
板をリードフレームの形状に成形加工する2通りの方法
がある。 [0018]以上のMo等の貴金属を含有させた金属層
を形成させたFe−Ni合金リードフレームを半導体装
置に用いれば、金属層の作用によりリードフレームとレ
ジンとの界面における隙間腐食を防止するためにパッケ
ージの耐湿性信頼性が向上する。 [0019]封止樹脂として熱硬化性エポキシ樹脂を主
体にしたものが用いられ、充填材として平均粒径30〜
200μm石英粉末が樹脂の熱膨張張係数を低めるのに
添加される。石英は球状のものが製造上の流動性の点か
ら好ましい。この充填材の添加量として60〜80体積
%である。その他に、シリコンゴムを可撓化剤として加
えられ、硬化樹脂中にシリコンゴム粒子が分散して形成
され、チップへの応力低減を得ることができる。 [00201ボンデイングワイヤは直径10〜50μm
のAu、 AI、Cu、又はこれらの各合金が用いられ
、特に、25〜35μmが好ましく、焼鈍材が用いられ
る。これらの接合は半導体素子に対しては超音波振動の
固相でのポールボンディングにより、リードフレームに
対しては同じくウェッジボンディングによって行われる
。 [00211
【実施例]
実施例1
図1は本発明の1実施例になる合金層を形成させたデュ
アルインライン型パッケージ用リードフレームの平面図
である。 [0022]厚さ0.3mmの42合金板(42%Xi
残Fe合金)をエツチングにより図1の所定形状に成形
したリードフレーム1を陰極にし、その全表面に表1に
示す各種合金めっきを表に示すような主な処理液を用い
形成した。本発明のNo、2のNi−Mo−3n合金め
っきは、0.5 g/ l (NH4)6MO702
4・4H20+200g/lN1CL・6H20+10
0g/1snc12+200 g/ I NH4Clの
組成を用い、その水溶液(40℃)中でIA/dm2
の電流密度で電気めっきすると、リードフレーム表面に
3μmのMo−Ni−8n合金めっき層をその全面に形
成させたものである。前述のいずれの合金めっきも厚さ
は約3μmである。本実施例ではめっきしたままであり
、熱処理はしない。 [0023]いずれの合金層も0.01mol/1Na
cl水溶液(25℃)での腐食電位が0.02〜0.1
Vでベース合金のそのが約0■でそれより若干高い電位
を有するものであった。特に、0.05V以下のものが
良かった。 [00241図2は、前述のNo、1〜6に示す各種合
金層2を形成したリードフレームを用いた半導体装置の
断面図(a)と斜視図(b)である。42合金からなる
リードフレーム1全表面に前述の合金めっき層2が形成
され、リードフレームのチップ搭載部3上にはんだ7を
用いて回路形成面のチップ面積が100mゴのSiチッ
プ6をはんだ付した。そして、Siチップ6上のAI電
極パッドとインナリード部4に部分Agめっきを施し、
その間をAuワイヤ8で前者をポール及び後者をウェッ
ジボンディングした後、エポキシ樹脂9で封止した。A
gめっきはマスキングしてボンディング部分のみに形成
するように電気めっきした。また、このAgめっきを施
さないでウェッジボンディングしたものについても行っ
た。Moを含有した合金めっき層2の作用によりリード
フレーム1とエポキシ樹脂9との界面における隙間腐食
が防止され半導体装置の耐湿信頼性を向上させる。 [00251表1の本発明品のNo、7は次の図3によ
って形成したものである。 [0026] 【表1】 [0027]図3は、前述と同様にSiチップ6をリー
ドフレーム1上にはんだ付し、エポキシ樹脂封止した後
にモリブデン酸水溶液にて浸漬処理した半導体装置の断
面図である。42合金からなるリードフレーム1のイン
ナーリード部4とチップ搭載部3のみに部分的にAgめ
っきを施した後、チップボンディング、ワイヤボンディ
ングし樹脂封止したものを10 g/ l N a2M
oo4(I)H4,60℃)水溶液中で浸漬処理し、ア
ウタリード部5にFeMoO4,NiMoO4,MoO
2,MoO3からなる混合化合物層11を数百への厚さ
に形成させ、洗浄した。この化合物層11がリードフレ
ーム1と樹脂9との界面での隙間腐食の防止に効果があ
る。本実施例における化合物層11の厚さはアウタリー
ド部5をプリント基板にはんだ付の際に、はんだのフラ
ックスによって除去される程度の数百への厚さとするの
がよい。また、表1のNo、8は42合金からなるリー
ドフレームを用い、エポキシ樹脂中に3重量%のNa2
MoO4を添加して図2に示す樹脂封止したものである
。 [0028]従来品として、無処理はリードフレームと
して42合金をそのまま使用し、更に皮膜処理は一切施
されず、樹脂中への特別な添加剤は有しないものである
。また、Cuめっきは42合金に約3μmの厚さのCU
めっきを電気めっきによって形成したものである。 [0029]以上のようにして得た本発明品と従来品に
ついて以下の耐湿信頼性、ワイヤウェッジボンディング
性、アウタリードはんだ付性、耐熱衝撃性についての試
験を行い、その結果を表1に示す。 [00301耐湿信頼性試験は1%NaC1にパッケー
ジを予浸漬した後、65℃、95%RHの環境下で動作
させながら放置試験し、配線の断線寿命を測定した。 [0031]ワイヤボンデイング性は直径30μmのA
U線をリードフレームに超音波ウェッジボンディングし
て、ボンディング強度としてビール強度を測定した。は
んだ付性は樹脂封止したパッケージのアウタリードに、
240℃の65%Pb−35%Snはんだにデイプ法に
よりはんだ付し、ぬれ面積率を測定した。耐熱衝撃性は
樹脂封止したパッケージのアウタリードにレーザ加熱に
より400℃に急加熱してパッケージの外観を観察して
評価した。 (0032]耐湿性寿命として、本発明のNo、1〜5
はいずれも250時間以上の寿命を有しており、従来の
部分Agめっき品(No、6)の100時間以下に比べ
て優れている。またMo含有合金めっき処理を施した本
発明のリードフレーム(No、1〜6)のはんだ付性は
70%以上で優れている。Agめっきを施さない場合の
モリブデン酸塩水溶液中で処理したもの(No、5)と
同じようにしてリードフレーム全面を処理したものはボ
ンディング性とはんだ付性が若干低いが、Cuめっきし
たものと同等の50%以上である。一方、従来のCuを
全面めっきしたもの(No、 10)は、耐湿性寿命が
向上するが、樹脂封止に伴うアウタリード部の酸化が生
じはんだ付性が本発明品である合金めっき品(No、1
〜6)に比べて低い。Agめっきを施したものの従来品
のウェッジボンディングのビール強度は約12.5gと
高く、本発明においてもAgめっきを施したものは同程
度の強度であった。しかし、Agめっきを施さなくても
Sn及びZnを含むものはそれより若干低いもののl1
g以上のビール強度を示した。 [00331表2は、Cuを合金成分として添加したリ
ードフレーム(No、 11)及びCuベースのリード
フレーム(No、 12)では熱衝撃によってリードフ
レームとSiチップとの間の熱応力が大きい為にパッケ
ージにクラックが発生するのに対し、熱膨張率が42合
金と同じである本発明品(No、1)及び無処理(No
、9)ではクラックは発生しないことを示している。以
上のことから本発明になるリードフレーム及び半導体装
置は耐湿信頼性、ボンディング性、はんだ付性、耐熱衝
撃性に優れていることを示した。 [0034]
アルインライン型パッケージ用リードフレームの平面図
である。 [0022]厚さ0.3mmの42合金板(42%Xi
残Fe合金)をエツチングにより図1の所定形状に成形
したリードフレーム1を陰極にし、その全表面に表1に
示す各種合金めっきを表に示すような主な処理液を用い
形成した。本発明のNo、2のNi−Mo−3n合金め
っきは、0.5 g/ l (NH4)6MO702
4・4H20+200g/lN1CL・6H20+10
0g/1snc12+200 g/ I NH4Clの
組成を用い、その水溶液(40℃)中でIA/dm2
の電流密度で電気めっきすると、リードフレーム表面に
3μmのMo−Ni−8n合金めっき層をその全面に形
成させたものである。前述のいずれの合金めっきも厚さ
は約3μmである。本実施例ではめっきしたままであり
、熱処理はしない。 [0023]いずれの合金層も0.01mol/1Na
cl水溶液(25℃)での腐食電位が0.02〜0.1
Vでベース合金のそのが約0■でそれより若干高い電位
を有するものであった。特に、0.05V以下のものが
良かった。 [00241図2は、前述のNo、1〜6に示す各種合
金層2を形成したリードフレームを用いた半導体装置の
断面図(a)と斜視図(b)である。42合金からなる
リードフレーム1全表面に前述の合金めっき層2が形成
され、リードフレームのチップ搭載部3上にはんだ7を
用いて回路形成面のチップ面積が100mゴのSiチッ
プ6をはんだ付した。そして、Siチップ6上のAI電
極パッドとインナリード部4に部分Agめっきを施し、
その間をAuワイヤ8で前者をポール及び後者をウェッ
ジボンディングした後、エポキシ樹脂9で封止した。A
gめっきはマスキングしてボンディング部分のみに形成
するように電気めっきした。また、このAgめっきを施
さないでウェッジボンディングしたものについても行っ
た。Moを含有した合金めっき層2の作用によりリード
フレーム1とエポキシ樹脂9との界面における隙間腐食
が防止され半導体装置の耐湿信頼性を向上させる。 [00251表1の本発明品のNo、7は次の図3によ
って形成したものである。 [0026] 【表1】 [0027]図3は、前述と同様にSiチップ6をリー
ドフレーム1上にはんだ付し、エポキシ樹脂封止した後
にモリブデン酸水溶液にて浸漬処理した半導体装置の断
面図である。42合金からなるリードフレーム1のイン
ナーリード部4とチップ搭載部3のみに部分的にAgめ
っきを施した後、チップボンディング、ワイヤボンディ
ングし樹脂封止したものを10 g/ l N a2M
oo4(I)H4,60℃)水溶液中で浸漬処理し、ア
ウタリード部5にFeMoO4,NiMoO4,MoO
2,MoO3からなる混合化合物層11を数百への厚さ
に形成させ、洗浄した。この化合物層11がリードフレ
ーム1と樹脂9との界面での隙間腐食の防止に効果があ
る。本実施例における化合物層11の厚さはアウタリー
ド部5をプリント基板にはんだ付の際に、はんだのフラ
ックスによって除去される程度の数百への厚さとするの
がよい。また、表1のNo、8は42合金からなるリー
ドフレームを用い、エポキシ樹脂中に3重量%のNa2
MoO4を添加して図2に示す樹脂封止したものである
。 [0028]従来品として、無処理はリードフレームと
して42合金をそのまま使用し、更に皮膜処理は一切施
されず、樹脂中への特別な添加剤は有しないものである
。また、Cuめっきは42合金に約3μmの厚さのCU
めっきを電気めっきによって形成したものである。 [0029]以上のようにして得た本発明品と従来品に
ついて以下の耐湿信頼性、ワイヤウェッジボンディング
性、アウタリードはんだ付性、耐熱衝撃性についての試
験を行い、その結果を表1に示す。 [00301耐湿信頼性試験は1%NaC1にパッケー
ジを予浸漬した後、65℃、95%RHの環境下で動作
させながら放置試験し、配線の断線寿命を測定した。 [0031]ワイヤボンデイング性は直径30μmのA
U線をリードフレームに超音波ウェッジボンディングし
て、ボンディング強度としてビール強度を測定した。は
んだ付性は樹脂封止したパッケージのアウタリードに、
240℃の65%Pb−35%Snはんだにデイプ法に
よりはんだ付し、ぬれ面積率を測定した。耐熱衝撃性は
樹脂封止したパッケージのアウタリードにレーザ加熱に
より400℃に急加熱してパッケージの外観を観察して
評価した。 (0032]耐湿性寿命として、本発明のNo、1〜5
はいずれも250時間以上の寿命を有しており、従来の
部分Agめっき品(No、6)の100時間以下に比べ
て優れている。またMo含有合金めっき処理を施した本
発明のリードフレーム(No、1〜6)のはんだ付性は
70%以上で優れている。Agめっきを施さない場合の
モリブデン酸塩水溶液中で処理したもの(No、5)と
同じようにしてリードフレーム全面を処理したものはボ
ンディング性とはんだ付性が若干低いが、Cuめっきし
たものと同等の50%以上である。一方、従来のCuを
全面めっきしたもの(No、 10)は、耐湿性寿命が
向上するが、樹脂封止に伴うアウタリード部の酸化が生
じはんだ付性が本発明品である合金めっき品(No、1
〜6)に比べて低い。Agめっきを施したものの従来品
のウェッジボンディングのビール強度は約12.5gと
高く、本発明においてもAgめっきを施したものは同程
度の強度であった。しかし、Agめっきを施さなくても
Sn及びZnを含むものはそれより若干低いもののl1
g以上のビール強度を示した。 [00331表2は、Cuを合金成分として添加したリ
ードフレーム(No、 11)及びCuベースのリード
フレーム(No、 12)では熱衝撃によってリードフ
レームとSiチップとの間の熱応力が大きい為にパッケ
ージにクラックが発生するのに対し、熱膨張率が42合
金と同じである本発明品(No、1)及び無処理(No
、9)ではクラックは発生しないことを示している。以
上のことから本発明になるリードフレーム及び半導体装
置は耐湿信頼性、ボンディング性、はんだ付性、耐熱衝
撃性に優れていることを示した。 [0034]
【表2】
[0035]
実施例2
図4は、実施例1と同様に形成したMo−Ni−8n合
金のめっき層を有する0、3mm厚さの42合金板から
成形加工したリードフレームを用いた半導体装置の断面
図である。42合金板の表面に合金めっき層2を形成さ
せた後、図2の形状に打ち抜きで成形加工したリードフ
レーム2を用いて半導体装置を作った。本実施例におい
ても同様にリードフレームの打ち抜き端面には合金めっ
き層2が形成されていないが、その端面自身は平面に比
較し面積が小さいので耐湿信頼性が向上する。 [0036] 実施例3 図5は本発明に係る42合金からなるデュアルインライ
ン型パッケージ用リードフレームの他の例を示す平面図
(a)及びそれを用いた樹脂封止半導体パッケージの斜
視図(b)である。図1と異なるのは、チップ搭載部を
有しないもので、半導体素子6上にインナーリード部4
を絶縁フィルムを介してアウターリード部5を露出させ
てエポキシ樹脂封止される。インナーリード部4と素子
6とは前者のウェッジボンディング、後者にはボールボ
ンディングされるが、素子6には中心部で接合される。 本実施例においても実施例1と同様に表1に示す合金層
、酸化皮膜、樹脂中への酸化剤の添加を設けることがで
きる。本実施例におけるリードフレーム構造はメモリ容
量として16Mビット、64Mビット或いは64Mビッ
ト以上のマイクロプロセッサ、10,000ゲートを越
えるゲートアレイ用半導体パッケージにきわめて有効で
ある。 [0037] この構造によれば、チップサイズとして
100mm”以上の大型化してもリードフレームにおけ
る樹脂の封止部が十分な長さで固定できることから信頼
性の高い半導体パッケージが得られる。 [0038] 実施例4 図6は本発明のリードフレーム板12の一例を示す平面
斜視図である。本実施例のリードフレームのベース金属
は実施例1と同じ42%Ni−残Feからなる42合金
板の0.3mmの厚さを有するものである。本実施例で
はエツチングによって形成された所望の長さと所定の形
状を有するものである。本実施例ではインナーリード部
4とアウタリード部5及びチップと同じ平面形状を有す
るチップ搭載部3を有するものである。更に、このリー
ドフレーム1は複数のチップを搭載できるように形成さ
れ、チップ搭載、ワイヤボンディング等自動的に行われ
るようにリードフレームの移動を規則的に行わせるため
に送り機構のスプロケット13が設けられている。チッ
プ搭載部3は1ケのリードフレーム板12に対して10
ケ設けたものである。 [0039]本実施例では用いられたリードフレーム板
13は実施例1のNo、2によって形成されたN i
−M。 Sn合金めっき層を全面に設けたものである。この合金
めっき層は同様に他の組成のものについても設けること
ができることは勿論である。
金のめっき層を有する0、3mm厚さの42合金板から
成形加工したリードフレームを用いた半導体装置の断面
図である。42合金板の表面に合金めっき層2を形成さ
せた後、図2の形状に打ち抜きで成形加工したリードフ
レーム2を用いて半導体装置を作った。本実施例におい
ても同様にリードフレームの打ち抜き端面には合金めっ
き層2が形成されていないが、その端面自身は平面に比
較し面積が小さいので耐湿信頼性が向上する。 [0036] 実施例3 図5は本発明に係る42合金からなるデュアルインライ
ン型パッケージ用リードフレームの他の例を示す平面図
(a)及びそれを用いた樹脂封止半導体パッケージの斜
視図(b)である。図1と異なるのは、チップ搭載部を
有しないもので、半導体素子6上にインナーリード部4
を絶縁フィルムを介してアウターリード部5を露出させ
てエポキシ樹脂封止される。インナーリード部4と素子
6とは前者のウェッジボンディング、後者にはボールボ
ンディングされるが、素子6には中心部で接合される。 本実施例においても実施例1と同様に表1に示す合金層
、酸化皮膜、樹脂中への酸化剤の添加を設けることがで
きる。本実施例におけるリードフレーム構造はメモリ容
量として16Mビット、64Mビット或いは64Mビッ
ト以上のマイクロプロセッサ、10,000ゲートを越
えるゲートアレイ用半導体パッケージにきわめて有効で
ある。 [0037] この構造によれば、チップサイズとして
100mm”以上の大型化してもリードフレームにおけ
る樹脂の封止部が十分な長さで固定できることから信頼
性の高い半導体パッケージが得られる。 [0038] 実施例4 図6は本発明のリードフレーム板12の一例を示す平面
斜視図である。本実施例のリードフレームのベース金属
は実施例1と同じ42%Ni−残Feからなる42合金
板の0.3mmの厚さを有するものである。本実施例で
はエツチングによって形成された所望の長さと所定の形
状を有するものである。本実施例ではインナーリード部
4とアウタリード部5及びチップと同じ平面形状を有す
るチップ搭載部3を有するものである。更に、このリー
ドフレーム1は複数のチップを搭載できるように形成さ
れ、チップ搭載、ワイヤボンディング等自動的に行われ
るようにリードフレームの移動を規則的に行わせるため
に送り機構のスプロケット13が設けられている。チッ
プ搭載部3は1ケのリードフレーム板12に対して10
ケ設けたものである。 [0039]本実施例では用いられたリードフレーム板
13は実施例1のNo、2によって形成されたN i
−M。 Sn合金めっき層を全面に設けたものである。この合金
めっき層は同様に他の組成のものについても設けること
ができることは勿論である。
【0040】更に、リードフレーム板13は形成加工前
に板材に合金めっき層を形成したものでもよく、そのも
のに成形加工してもよいので、単に42合金のテープと
して本発明の合金めっき、化合物皮膜を設けたものでも
よい。 [00411図6と同様に、図5(a)のリードフレー
ム板を形成した。この場合も図6と同様にスプロケット
が設けられ、前述と同様に成形加工前又は成形加工後に
そのものに全面に皮膜が形成される。 [0042] 実施例5 図7は本発明の一実施例を示すスモールアウトラインパ
ッケージの斜視図及び図8は同じく本発明の一実施例を
示すプラスチックリーデツドチップキャリアの斜視図で
ある。これらの実施例に係るリードフレーム1として実
施例3及び4と同様にチップ搭載部を有するものと有し
ないものについて皮膜を形成したものである。本実施例
においても同様に封止樹脂に対する耐隙間腐食及びはん
だ付性がともに優れたものが得られた。 [0043] 実施例6 図9はプリント基板15に本発明に係るリードフレーム
を用いて表面実装した表面実装型パッケージの断面図、
図10は同じくプリント基板15に本発明に係るリード
フレームを用いて実装したリード挿入型パッケージの断
面図である。本発明に係るパッケージは実施例1〜5に
記載のものがいずれも適用される。特に、チップサイズ
として100mm2以上の大容量のものに適用すること
によってより高い性能が得られる。更に、実施例3に示
す容量のメモリ素子、マイクロプロセッサ、ゲートアレ
イを用いることにより、超小型のパーソナルコンピュー
タ、銀行端末用等の中小型コンピュータが得られる。 [0044]
に板材に合金めっき層を形成したものでもよく、そのも
のに成形加工してもよいので、単に42合金のテープと
して本発明の合金めっき、化合物皮膜を設けたものでも
よい。 [00411図6と同様に、図5(a)のリードフレー
ム板を形成した。この場合も図6と同様にスプロケット
が設けられ、前述と同様に成形加工前又は成形加工後に
そのものに全面に皮膜が形成される。 [0042] 実施例5 図7は本発明の一実施例を示すスモールアウトラインパ
ッケージの斜視図及び図8は同じく本発明の一実施例を
示すプラスチックリーデツドチップキャリアの斜視図で
ある。これらの実施例に係るリードフレーム1として実
施例3及び4と同様にチップ搭載部を有するものと有し
ないものについて皮膜を形成したものである。本実施例
においても同様に封止樹脂に対する耐隙間腐食及びはん
だ付性がともに優れたものが得られた。 [0043] 実施例6 図9はプリント基板15に本発明に係るリードフレーム
を用いて表面実装した表面実装型パッケージの断面図、
図10は同じくプリント基板15に本発明に係るリード
フレームを用いて実装したリード挿入型パッケージの断
面図である。本発明に係るパッケージは実施例1〜5に
記載のものがいずれも適用される。特に、チップサイズ
として100mm2以上の大容量のものに適用すること
によってより高い性能が得られる。更に、実施例3に示
す容量のメモリ素子、マイクロプロセッサ、ゲートアレ
イを用いることにより、超小型のパーソナルコンピュー
タ、銀行端末用等の中小型コンピュータが得られる。 [0044]
【発明の効果】本発明は、以上説明したようにFe−N
i系合金リードフレームの表面にMo等の責な金属とは
んだ付性の高い金属との合金層あるいは化合物層を形成
することによりリードフレームと樹脂との界面における
隙間腐食を防止し耐湿信頼性の高い半導体パッケージを
得ることができる。また本発明の表面処理はFe−Ni
合金の有する低い熱膨張率に影響を与えないので、チッ
プサイズとして100mm”以上の大型チップを搭載し
た半導体パッケージが実装できる。その結果、超小型の
パーソナルコンピュータ、銀行端末等に用いられる中小
型コンピュータとして超小型のものを得ることができる
。
i系合金リードフレームの表面にMo等の責な金属とは
んだ付性の高い金属との合金層あるいは化合物層を形成
することによりリードフレームと樹脂との界面における
隙間腐食を防止し耐湿信頼性の高い半導体パッケージを
得ることができる。また本発明の表面処理はFe−Ni
合金の有する低い熱膨張率に影響を与えないので、チッ
プサイズとして100mm”以上の大型チップを搭載し
た半導体パッケージが実装できる。その結果、超小型の
パーソナルコンピュータ、銀行端末等に用いられる中小
型コンピュータとして超小型のものを得ることができる
。
【図1】本発明に係るリードフレームの平面図。
【図2】本発明に係る半導体パッケージの断面図(a)
及び斜視図(b)。
及び斜視図(b)。
【図3】本発明の他の実施例の半導体パッケージの断面
図。
図。
【図4】本発明の他の実施例の半導体パッケージの断面
図。
図。
【図5】本発明の他の実施例のリードフレームの平面図
(a)及びそれを用いた半導体パッケージの斜視図(b
)。
(a)及びそれを用いた半導体パッケージの斜視図(b
)。
【図6】本発明に係るリードフレーム板の斜視図。
【図7】本発明に係る他の実施例の半導体パッケージの
斜視図。
斜視図。
【図8】本発明の他の実施例の半導体パッケージの斜視
図。
図。
【図9】本発明に係る半導体パッケージをプリント基板
に搭載した表面実装型パッケージの断面図。
に搭載した表面実装型パッケージの断面図。
【図10】本発明に係る半導体パッケージをプリント基
板に搭載したリード挿入型実装パッケージの断面図。
板に搭載したリード挿入型実装パッケージの断面図。
■・・・リードフレーム、2・・・合金めっき層、3・
・・チップ搭載部、4・・・インナーリード部、5・・
・アウタリード部、6・・・半導体素子、7・・・はん
だ、8・・・金属ワイヤ、9・・・樹脂、10・・・A
gめっき層、11・・・混合化合物層、12・・・リー
ドフレーム板、13・・・スプロケット、14・・・メ
タライズ層、15・・・プリント基板、16・・・半導
体パッケージ。
・・チップ搭載部、4・・・インナーリード部、5・・
・アウタリード部、6・・・半導体素子、7・・・はん
だ、8・・・金属ワイヤ、9・・・樹脂、10・・・A
gめっき層、11・・・混合化合物層、12・・・リー
ドフレーム板、13・・・スプロケット、14・・・メ
タライズ層、15・・・プリント基板、16・・・半導
体パッケージ。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図8】
【図6】
【図5】
【図7】
【図9】
【図10】
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】半導体素子と、該半導体素子の電気信号を
入力又は出力するリードフレームと、前記半導体素子を
大気より遮断する樹脂封止部材とを備えた半導体パッケ
ージにおいて、前記リードフレームはそのベース金属の
はんだ濡れ性と同等又はそれより高い濡れ性を有する皮
膜が形成されるとともに、該皮膜は前記ベース金属の腐
食電位より若干高く、前記樹脂による腐食より前記ベー
ス金属を保護することを特徴とする半導体パッケージ。 【請求項2】半導体素子と、該半導体素子の電気信号を
入力又は出力し、Fe−Ni系合金よりなるリードフレ
ームと、前記半導体素子を大気より遮断する樹脂封止部
材とを備えた半導体パッケージにおいて、前記リードフ
レームはNiより責な第1の金属と、前記リードフレー
ムのベース金属のはんだ濡れ性と同等又はそれより優れ
ている第2の金属との合金層を有し、該合金層は前記ベ
ース金属の腐食電位より若干高い腐食電位を有すること
を特徴とする半導体パッケージ。 【請求項3】半導体素子と、該半導体素子の電気信号を
外部に導き出すリードフレームと、前記半導体素子を大
気より遮断する樹脂封止部材とを備えた半導体パッケー
ジにおいて、前記リードフレームはMo、 W、 Au
、 Ag、 Cu、 Pt、 Pd、 Cr、 Rh、
Ru、 I r及びO8の少なくとも1種の第1の
金属と、Fe、Ni及びCOの少なくとも1種の第2の
金属との合金層を有し、該合金層中の前記第1の金属は
30重量%以下であることを特徴とする半導体パッケー
ジ。 【請求項4】半導体素子と、該半導体素子の電気信号を
外部に導き出すリードフレームと、前記半導体素子を大
気より遮断する樹脂封止部材とを備えた半導体パッケー
ジにおいて、前記リードフレームはMo、W及びCrの
少なくとも1種と前記リードフレームのベース金属との
複合酸化物からなる酸化膜を有することを特徴とする半
導体パッケージ。 【請求項5】半導体素子と、該半導体素子の電気信号を
外部に導き出すリードフレームと、前記半導体素子を大
気より遮断する樹脂封止部材とを備えた半導体パッケー
ジにおいて、前記樹脂封止部材は該リードフレーム表面
に前記樹脂による腐食に対して保護性を有する保護膜を
形成する化合物を含むことを特徴とする半導体パッケー
ジ。 【請求項6】ベース金属表面に樹脂による腐食に対する
耐食性が前記ベース金属より優れ、且つ前記ベース金属
のはんだ濡れ性より優れている皮膜を有し、該皮膜は前
記ベース金属の腐食電位より若干高い腐食電位を有する
ことを特徴とするリードフレーム。 【請求項7]Fe−Ni系合金よりなるベース金属表面
に、Niより責な第1の金属と前記ベース金属のはんだ
濡れ性と同等又はそれより優れている第2の金属との合
金層を有し、該合金層は前記ベース金属の腐食電位より
若干高い腐食電位を有することを特徴とするリードフレ
ーム。 【請求項8】ベース金属表面に、Mo、 W、 Au、
Ag、 Cr、 Cu、 Pt、 Pd、 Rh、
Ru、 I r及びO8の少なくとも1種の第1の金
属と、Fe、Co及びNiの少なくとも1種の第2の金
属との合金層を有し、該合金層中の前記第1の金属は3
0重重電以下であることを特徴とするリードフレーム。 【請求項9】ベース金属薄板全表面に樹脂による腐食に
対する耐食性が前記ベース金属より優れ、且つ前記ベー
ス金属のはんだ濡れ性と同等又はそれより優れている皮
膜を有し、該皮膜は前記ベース金属の腐食電位より若干
高い腐食電位を有することを特徴とするリードフレーム
用テープ。 【請求項10】複数の半導体素子が搭載できるように所
望の形状に加工されたベース金属薄板よりなり、該加工
された前記ベース金属板上に前記半導体素子を自動的に
組立てて半導体装置を形成できるように送り機構が設け
られているリードフレームにおいて、前記ベース金属全
表面に樹脂による腐食に対する耐食性が前記ベース金属
より優れ、且つ前記ベース金属のはんだ濡れ性と同等又
はそれより優れている皮膜を有し、該皮膜は前記ベース
金属の腐食電位より若干高い腐食電位を有することを特
徴とするリードフレーム。 【請求項11】ベース金属表面に、Mo、 W、 Au
、 Ag、 Cr、 Cu、 Pt、 Pd、 Rh、
Ru、 I r及びO8の少なくとも1種の第1の
金属と、Fe、Ni及びCOの少なくとも1種の第2の
金属と、Sn及びZnの少なくとも1種の第3の金属と
の合金層を有し、前記第1の金属は30重重電以下、前
記第3の金属は30重量%以下及び前記第2の金属は残
部であることを特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3029841A JP2570911B2 (ja) | 1990-02-26 | 1991-02-25 | 半導体パッケージ及びそれに用いるリードフレーム |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4246690 | 1990-02-26 | ||
JP2-42466 | 1990-02-26 | ||
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04211153A true JPH04211153A (ja) | 1992-08-03 |
JP2570911B2 JP2570911B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=26368098
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP3029841A Expired - Lifetime JP2570911B2 (ja) | 1990-02-26 | 1991-02-25 | 半導体パッケージ及びそれに用いるリードフレーム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2570911B2 (ja) |
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CN109690765B (zh) * | 2016-09-12 | 2023-05-09 | 株式会社电装 | 半导体装置 |
Also Published As
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---|---|
JP2570911B2 (ja) | 1997-01-16 |
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