JPS63187654A - 電子部品用リ−ドフレ−ム - Google Patents
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体などの電子部品の実装に用いるリードフ
レームの改良に関する。
レームの改良に関する。
〔従来の技術］
一般にトランジスタ、ＩＣ，ＬＳｌ、、ＣＣＤ。
ＬＥＤなどの電子部品の実装にはリードフレームが用い
られている。
られている。
リードフレームは第１図に平面図の一例を、第２図に断
面−の他の一例を示すように、Ｓｉチップ４を搭載する
タブ５の周囲にインナーリード６を設け、その外側にア
ウターリード７が設けられたもので、タブ５に接着剤ま
たはろう材からなる接合剤８を介してＳｉチップ４をグ
イボンドし、Ｓｉチップ４上に形成した電極バンド９と
インナーリード６をＡｕなどの細線１０によりワイヤー
ボンドしたのち、レジンによりモールド１１封止してお
り、タイバー１２カツト、パリとりのあと露出するアウ
ターリード７に半田付けのためのＳｎまたは５ｎ−Ｐｂ
合金の被覆を行っている。この被覆厚さはＳＥＭＩ規格
Ｇ ２０−８４に５ｎ以上と規定されている。またワイ
ヤーボンドするタブ５およびインナーリード６先端には
酸化防止のためＡｇなどの貴金属が３〜５μの厚さにス
ポットメッキされている。
面−の他の一例を示すように、Ｓｉチップ４を搭載する
タブ５の周囲にインナーリード６を設け、その外側にア
ウターリード７が設けられたもので、タブ５に接着剤ま
たはろう材からなる接合剤８を介してＳｉチップ４をグ
イボンドし、Ｓｉチップ４上に形成した電極バンド９と
インナーリード６をＡｕなどの細線１０によりワイヤー
ボンドしたのち、レジンによりモールド１１封止してお
り、タイバー１２カツト、パリとりのあと露出するアウ
ターリード７に半田付けのためのＳｎまたは５ｎ−Ｐｂ
合金の被覆を行っている。この被覆厚さはＳＥＭＩ規格
Ｇ ２０−８４に５ｎ以上と規定されている。またワイ
ヤーボンドするタブ５およびインナーリード６先端には
酸化防止のためＡｇなどの貴金属が３〜５μの厚さにス
ポットメッキされている。
このようなリードフレームは通常金属板条材よリブンス
加工やエンチングによって成型されるもので、金属基材
にはＣｕ、−Ｆｅ、Ｃｕ−５ｎ、Ｃｕ−３ｎ−ＣｒＳＣ
ｕ−Ｔｉ−ＮｉＳＣｕ −Ｎ ｉ −Ｓ ｎなどのＣｕ
合金やＦｅ−Ｎｉ合金（４２Ａｌｌｏｙ ）が用いられ
ている。
加工やエンチングによって成型されるもので、金属基材
にはＣｕ、−Ｆｅ、Ｃｕ−５ｎ、Ｃｕ−３ｎ−ＣｒＳＣ
ｕ−Ｔｉ−ＮｉＳＣｕ −Ｎ ｉ −Ｓ ｎなどのＣｕ
合金やＦｅ−Ｎｉ合金（４２Ａｌｌｏｙ ）が用いられ
ている。
半導体などの電子部品の組立て工程は、素子搭載・ワイ
ヤーボンディング・モールド封止・アウターリード被覆
の順で行われている。
ヤーボンディング・モールド封止・アウターリード被覆
の順で行われている。
上記においてアウターリードの被覆はホントディップも
しくは電気メッキによって行われるが、前者の場合は２
４０〜３００’Ｃに加熱されるのでヒートショックを受
けてモールドとリードフレーム基体（以下基体と略記）
との間に細隙が生じ、また後者の場合は、アルカリや酸
性薬液に長時間浸漬されるのでモールド内へイオンが侵
入して、いずれの場合も部品の信頬性が低下する。
しくは電気メッキによって行われるが、前者の場合は２
４０〜３００’Ｃに加熱されるのでヒートショックを受
けてモールドとリードフレーム基体（以下基体と略記）
との間に細隙が生じ、また後者の場合は、アルカリや酸
性薬液に長時間浸漬されるのでモールド内へイオンが侵
入して、いずれの場合も部品の信頬性が低下する。
このようなことから工程の最初にアウターリード被覆を
行う方法がとられているが、この場合は、あとに行われ
る実装工程での加熱によってアウターリードの被覆層が
、融解流出したり、基体のＣｕと反応して劣化し酸化す
るなどの問題が生じている。
行う方法がとられているが、この場合は、あとに行われ
る実装工程での加熱によってアウターリードの被覆層が
、融解流出したり、基体のＣｕと反応して劣化し酸化す
るなどの問題が生じている。
上記問題のうち前者はペーストダイボンディング、超音
波併用熱圧着ワイヤーボンディング、低温成型性レジン
モールドなどの採用により実装温度を１８０〜３１０’
Ｃ以下に低温化して解決されているが、後者は、基体成
分のＣｕなどと８口が拡散反応してＣｕ、ＳｎｓやＣｕ
、ＳｎなどのＣｕ−３ｎ化合物層を生成し、その一部が
表層に達しＣｕの酸化を招きデウェノティングによる半
田濡れ不良を惹きおこすもので、被覆層の厚さを１０μ
以上に厚＜シて対処しているがコスト的に不利な状況に
ある。
波併用熱圧着ワイヤーボンディング、低温成型性レジン
モールドなどの採用により実装温度を１８０〜３１０’
Ｃ以下に低温化して解決されているが、後者は、基体成
分のＣｕなどと８口が拡散反応してＣｕ、ＳｎｓやＣｕ
、ＳｎなどのＣｕ−３ｎ化合物層を生成し、その一部が
表層に達しＣｕの酸化を招きデウェノティングによる半
田濡れ不良を惹きおこすもので、被覆層の厚さを１０μ
以上に厚＜シて対処しているがコスト的に不利な状況に
ある。
〔問題点を解決するだめの手段］
本発明はかかる状況に鑑みなされたものでその目的とす
るところは、半田付は性に優れ、信頼性の高い電子部品
用リードフレームを廉価に提供することにある。即ち本
発明はアウターリードにＳｎまたはＳｎ合金が１ｎ以上
の厚さに被覆され（以下下層と略記）、その上にＡｕ、
Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎまたはこれらの合金の少なくとも１種
が０．０３μ以上の厚さに被覆され（以下上層と略記）
たことを特徴とする。
るところは、半田付は性に優れ、信頼性の高い電子部品
用リードフレームを廉価に提供することにある。即ち本
発明はアウターリードにＳｎまたはＳｎ合金が１ｎ以上
の厚さに被覆され（以下下層と略記）、その上にＡｕ、
Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎまたはこれらの合金の少なくとも１種
が０．０３μ以上の厚さに被覆され（以下上層と略記）
たことを特徴とする。
上記において下層金属はＳｎ以外に５ｎ−Ｐｂ。
５ｎ−Ｐｂ−５ｂ、、５ｎ−Ｚｎ、５ｎ−Ｐｂ−Ｃｕ、
Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇなどの合金が有用である。
Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇなどの合金が有用である。
これら金属または合金の被覆方法は電気メッキがもっと
も実用的であるがホントディップ、蒸着、ベースト溶射
なども有用である。
も実用的であるがホントディップ、蒸着、ベースト溶射
なども有用である。
上層金属はＡｕ、Ｐｄ、ＡｇＳ Ｉｎの外にＡｇ−Ｐｄ
、Ａｇ−３ｎ、Ａｇ−Ｚｎ、Ａｇ−１ｎ。
、Ａｇ−３ｎ、Ａｇ−Ｚｎ、Ａｇ−１ｎ。
Ａｇ−３ｂ、Ａｇ−３ｅ、ＡＢ−Ｎｉ−Ｃｏ。
Ａｕ−Ｃｏ５Ｐｄ−Ｎｉ、Ｐｄ−Ｃｏ、、Ｐｄ −Ｃｏ
−Ｎｉ、Ｉｎ−Ｚｎ、、Ｉｎ−１”ｂなどの合金が有用
である。
−Ｎｉ、Ｉｎ−Ｚｎ、、Ｉｎ−１”ｂなどの合金が有用
である。
基体にＮｉ、、Ｃｏ、、Ｃｕなどを下地メンキしておい
ても差支えない。
ても差支えない。
〔作用］
本発明では基体上に下層その上に上層が被覆されるが、
これらの被覆層の作用効果を図を参照して説明する。第
１図は本発明の一例を示すアウターリードの部分断面図
でａは実装前、ｂは実装後のものである。
これらの被覆層の作用効果を図を参照して説明する。第
１図は本発明の一例を示すアウターリードの部分断面図
でａは実装前、ｂは実装後のものである。
下層２に含有されるＳｎは耐酸化性に優れ、基体１の酸
化を防止する作用がある。特にＰｂを５５〜９８−ｔ％
（以下％と略記）含有する５ｎ−Ｐｂ合金はその作用が
顕著にあられれる。
化を防止する作用がある。特にＰｂを５５〜９８−ｔ％
（以下％と略記）含有する５ｎ−Ｐｂ合金はその作用が
顕著にあられれる。
即ち実装時の加熱により５ｎ−Ｐｂ合金のＳｎ分が基体
１′のＣｕと反応してＣｕ ｂ Ｓ ｎ ｓ、ＣｕｘＳ
ｎなどのＣｕ−３ｎ化合物層２′を形成し、残りのＰｂ
分はＰｂリッチ層２″として上記のＣｕ−５ｎ化合物層
２′の上を覆う。このＰｂす・７チ層２″はＰｂまたは
微星のＳｎを含有するα相からなりＣｕの拡散を抑える
バリヤーの作用をし、この作用によりＣｕとＳｎの反応
が緩慢になり、Ｃｕ・Ｓｎ化合物の影響が表面に及んで
基体１′が酸化するようなことがなくなる。更にこのＰ
ｂリンチ層２″は基体１′と上層３′との反応を抑える
作用もある。
１′のＣｕと反応してＣｕ ｂ Ｓ ｎ ｓ、ＣｕｘＳ
ｎなどのＣｕ−３ｎ化合物層２′を形成し、残りのＰｂ
分はＰｂリッチ層２″として上記のＣｕ−５ｎ化合物層
２′の上を覆う。このＰｂす・７チ層２″はＰｂまたは
微星のＳｎを含有するα相からなりＣｕの拡散を抑える
バリヤーの作用をし、この作用によりＣｕとＳｎの反応
が緩慢になり、Ｃｕ・Ｓｎ化合物の影響が表面に及んで
基体１′が酸化するようなことがなくなる。更にこのＰ
ｂリンチ層２″は基体１′と上層３′との反応を抑える
作用もある。
これらの作用は、５ｎ−Ｐｂ合金層のＰｂが５５〜９８
％の範囲内にありその厚さが１μ以上の場合に十分に発
現されるもので、実用上２〜７μの厚さが望ましい。
％の範囲内にありその厚さが１μ以上の場合に十分に発
現されるもので、実用上２〜７μの厚さが望ましい。
上層３′に被覆される金属は、Ｓｎと同等以上に耐酸化
性に優れ且つ基体１′からのＣｕ、、’Ｊｉ、Ｃｒなど
の拡散を抑える働きがあるので、実装条件が高温長時間
の場合でも最外層は非酸化性の状態に保たれ良好な半田
濡れ性が１丁られる。上層金属としては、特にＡｇまた
はＡｇ合金がもっとも有効に作用する。
性に優れ且つ基体１′からのＣｕ、、’Ｊｉ、Ｃｒなど
の拡散を抑える働きがあるので、実装条件が高温長時間
の場合でも最外層は非酸化性の状態に保たれ良好な半田
濡れ性が１丁られる。上層金属としては、特にＡｇまた
はＡｇ合金がもっとも有効に作用する。
この上層の厚さは０．０３μ未満では、その効果が十分
に発現されず、１μを超えるとコスト的に不下りであり
、実用上は０．０３〜１μ、特に０．０５〜０．５μが
望ましい。
に発現されず、１μを超えるとコスト的に不下りであり
、実用上は０．０３〜１μ、特に０．０５〜０．５μが
望ましい。
本発明において下層をレジンモールド内に０．１〜２
ｍｍの長さくい込ませておくと、モールド封止の際、軟
質金属からなる下層が一種のバッキングの働きをして、
モールド金型とリードフレームとの密着性を高めて、レ
ジンの流出を阻止しハリの発生を抑える。
ｍｍの長さくい込ませておくと、モールド封止の際、軟
質金属からなる下層が一種のバッキングの働きをして、
モールド金型とリードフレームとの密着性を高めて、レ
ジンの流出を阻止しハリの発生を抑える。
上記においてくい込ませる長さが０ 、１ ＋ｎｍ未：
青では、バッキングの効果が十分でなく、２ ＋ｎｍを
超えると半田付けの際この部分が融解流出して、リード
とモールド間に隙間が生しることがあるので好ましくな
い。但しＰｂを多量に含有するＳｎ合金においては融点
が高いこともあって上記のような恐れはほとんどおこら
ない。
青では、バッキングの効果が十分でなく、２ ＋ｎｍを
超えると半田付けの際この部分が融解流出して、リード
とモールド間に隙間が生しることがあるので好ましくな
い。但しＰｂを多量に含有するＳｎ合金においては融点
が高いこともあって上記のような恐れはほとんどおこら
ない。
上層金属をインナーリードにも被覆しておくと、インナ
ーリードが実装時の加熱で酸化することがなくなり、ボ
ンディングのためのＡｕ、Ａｇなどをスポットメッキす
る必要がなくなる。更にインナーリードが酸化して厚い
脆いスケールが生成してリードとモールド間に隙間を生
じる恐れもなくなる。
ーリードが実装時の加熱で酸化することがなくなり、ボ
ンディングのためのＡｕ、Ａｇなどをスポットメッキす
る必要がなくなる。更にインナーリードが酸化して厚い
脆いスケールが生成してリードとモールド間に隙間を生
じる恐れもなくなる。
上記のように本発明によれば、半田付は性や信頼性が向
上する（よかに、被覆厚さを薄くでき、またレジンのパ
リとりが省略され、更にＡｕ、、Ａｇなどのスポットメ
ッキが不要になるなど工程の短縮、簡易化がはかれ且つ
経済的である。
上する（よかに、被覆厚さを薄くでき、またレジンのパ
リとりが省略され、更にＡｕ、、Ａｇなどのスポットメ
ッキが不要になるなど工程の短縮、簡易化がはかれ且つ
経済的である。
〔実施例］
以下に本発明を実施例により詳細に説明する。
Ｃｕ−２％Ｓ ｎ−０，１５％Ｃｒ合金条（０，２５＋
ｎｍｔ）から第１図に示す形状のＤＩＰ型リードフレー
ムをプレス成形した。このリードフレームのタブ５およ
びインナーリード６先端には常法により厚さ２．５μの
Ａｇをスポット状に被覆した。次いでタイバー１２より
ＩＩＩＩＩ１１内側のインナーリード６およびダブ５を
軟質ゴムを圧接してマスキングしておいて、アウターリ
ード７にのみ５ｎ−Ｐｔ＋合金を電気メッキし、更にこ
の上にＡｇ、Ａｕ、Ｐｄなどを電気メッキして第１表に
示す種々のサンプルを作成した。
ｎｍｔ）から第１図に示す形状のＤＩＰ型リードフレー
ムをプレス成形した。このリードフレームのタブ５およ
びインナーリード６先端には常法により厚さ２．５μの
Ａｇをスポット状に被覆した。次いでタイバー１２より
ＩＩＩＩＩ１１内側のインナーリード６およびダブ５を
軟質ゴムを圧接してマスキングしておいて、アウターリ
ード７にのみ５ｎ−Ｐｔ＋合金を電気メッキし、更にこ
の上にＡｇ、Ａｕ、Ｐｄなどを電気メッキして第１表に
示す種々のサンプルを作成した。
上記サンプルのタブ５にＳｉチップ４をＡｇ粉入りエポ
キシ接着剤でグイボンドし、１７５°Ｃ１５分間大気加
熱してキュアーし、次いで２０５゛ｃで１分間加熱して
２５μφのＡｕ細ｙＡ１０をボンディングした。このあ
とタブ５とインナーリー）′６をエポキシのトランスフ
ァーモールドにより １７５°Ｃで約３分間かけて封止
した。タイバー】２カント後レジンモールド１１のパリ
とりを行いリード成型した。
キシ接着剤でグイボンドし、１７５°Ｃ１５分間大気加
熱してキュアーし、次いで２０５゛ｃで１分間加熱して
２５μφのＡｕ細ｙＡ１０をボンディングした。このあ
とタブ５とインナーリー）′６をエポキシのトランスフ
ァーモールドにより １７５°Ｃで約３分間かけて封止
した。タイバー】２カント後レジンモールド１１のパリ
とりを行いリード成型した。
上記サンプルおよびこれを更に１２５°Ｃで２４時間エ
ージング処理したものについて半田濡れ性と故障率を測
定した。
ージング処理したものについて半田濡れ性と故障率を測
定した。
半田濡れ性はＲＡＭ型フランクス（ムラタ製作所製ソル
ダーライトＸＡ−１００）を用い、２４０’Ｃの共晶半
田浴に３秒間ディンプして半田付着面積を求め測定した
。
ダーライトＸＡ−１００）を用い、２４０’Ｃの共晶半
田浴に３秒間ディンプして半田付着面積を求め測定した
。
故障率はブレンジャークンカーを用い１３１“０７５０
時間保持してからＩＣテスターによりチェフクした。
時間保持してからＩＣテスターによりチェフクした。
結果は第１表に従来品と併記して示した。
従来品はモールド後電気メッキしたちのり１９）とリー
ド成型後半田ポソトディンブ処理したちの（２０）の２
通りについて示した。
ド成型後半田ポソトディンブ処理したちの（２０）の２
通りについて示した。
第１表より明らかなように、本発明品（１〜１３）は、
半田濡れ性がエージングの有無にかかわらず９０％以上
で、故障Ｏの（でれたものである。メッキＰ１さが同等
のもの（１〜７）の中では、Ｐｂが５５〜９８％の範囲
に含有されるＳｎ合金（５〜７）が半田濡れ性に特に優
れていてエージング後も低下することがない。
半田濡れ性がエージングの有無にかかわらず９０％以上
で、故障Ｏの（でれたものである。メッキＰ１さが同等
のもの（１〜７）の中では、Ｐｂが５５〜９８％の範囲
に含有されるＳｎ合金（５〜７）が半田濡れ性に特に優
れていてエージング後も低下することがない。
比鮫品において、下層の厚さが１μ未満のもの（１４）
は半田濡れ性が劣っており、上層の厚さが０．０３μ未
満のもの（１５，１６） はエージング後の半田濡れ性
が低い。
は半田濡れ性が劣っており、上層の厚さが０．０３μ未
満のもの（１５，１６） はエージング後の半田濡れ性
が低い。
下層のレジンモールドへのくい込みが２１Ｔ１ｍを超え
るもの（１７）は耐湿性が低いため故障率が高い。
るもの（１７）は耐湿性が低いため故障率が高い。
レジンモールドへのくい込みがＯのものく１８）は、モ
ールドのパリが多発しこれを水ジェントで除去したため
、組立てに通常の倍の時間を要した。また水ジェントに
よってメッキ層の一部が機械的１員傷をうけたため半田
濡れ性が低下し、またパリの多発に起因してリードフレ
ームとモールド間に隙間を生じ故障率も増加した。
ールドのパリが多発しこれを水ジェントで除去したため
、組立てに通常の倍の時間を要した。また水ジェントに
よってメッキ層の一部が機械的１員傷をうけたため半田
濡れ性が低下し、またパリの多発に起因してリードフレ
ームとモールド間に隙間を生じ故障率も増加した。
従来品（１９，２０）は半田濡れ性は優れているが、被
覆層が厚いためリードフレームとモールド間に隙間を生
して故障率が増加した。
覆層が厚いためリードフレームとモールド間に隙間を生
して故障率が増加した。
尚不実施例で用いたメッキ条件は次の通りである。
５ｎ−Ｐｂメンキ：浴組成 Ｓ ｎ （Ｂ Ｆ、ｈ
１０〜３００ｇ／４１！ Ｐｂ（ＢＦ、）、 ０
〜４００ｇ＃！ＨＢＦ４ ０〜１００ｇ＃２ Ｈ，
ＢＯ４３０ｇ／ ｌ ニカワ２．１ｇ／ ｌ β−
ナフトール１．４ｇ／ ｌ 、浴温 １５°Ｃ１電流宋
度（以下Ｄｋと略記） ３．５Ａ／ｄｍ”。
１０〜３００ｇ／４１！ Ｐｂ（ＢＦ、）、 ０
〜４００ｇ＃！ＨＢＦ４ ０〜１００ｇ＃２ Ｈ，
ＢＯ４３０ｇ／ ｌ ニカワ２．１ｇ／ ｌ β−
ナフトール１．４ｇ／ ｌ 、浴温 １５°Ｃ１電流宋
度（以下Ｄｋと略記） ３．５Ａ／ｄｍ”。
Ａ ｇメッキ：浴組成 ＡｇＣＮ ４．５ｇ／βＫ
ＣＮ ２９ｇ／ ｌ Ｋ ２Ｃ０３１５ｇ／ ｌ
。
ＣＮ ２９ｇ／ ｌ Ｋ ２Ｃ０３１５ｇ／ ｌ
。
浴温 １８°Ｃ，Ｄｋ ３．５Ａ／ｄｍ１゜Ａｕメン
キ：浴組成 日本エンゲルハード社？’Ｕ Ｎ−２００
浴 ＰＨ５，５、浴温 ２５°ｃ１摺電圧５■。
キ：浴組成 日本エンゲルハード社？’Ｕ Ｎ−２００
浴 ＰＨ５，５、浴温 ２５°ｃ１摺電圧５■。
Ｐ ｄ −２ＯＮ ｉメンキ；浴組成 ８進化成製ＰＮ
Ｐ−８０ＰＨ９，０、浴温３０°ｃ１Ｄｋ １．０Ａ
／ｄｍ２゜ Ｉｎメソキニ浴祖成 １ ｎ （Ｂ Ｆａ）ｚ ２
３０ｇ／６Ｈ：１Ｂ０３ ３０ｇ／Ｐ、（ＮＨａ）Ｂ
Ｆ４５０ｇ／ｌＰＨ１，０、浴温２５°Ｃ、Ｄｋ ５
Ａ／ｄｍ”。
Ｐ−８０ＰＨ９，０、浴温３０°ｃ１Ｄｋ １．０Ａ
／ｄｍ２゜ Ｉｎメソキニ浴祖成 １ ｎ （Ｂ Ｆａ）ｚ ２
３０ｇ／６Ｈ：１Ｂ０３ ３０ｇ／Ｐ、（ＮＨａ）Ｂ
Ｆ４５０ｇ／ｌＰＨ１，０、浴温２５°Ｃ、Ｄｋ ５
Ａ／ｄｍ”。
［発明の効果〕
以上述べたように、本発明の電子８１３品リードフレー
ムによれば、電子部品の製造工程が短縮・簡易化され、
また電子部品の半田付は性ならびに倍額性が向上するの
で、半導体装置をはじめ抵抗アレー、コンデンサ、セン
サーなどのリードフレームを用いる電子部品に広く使用
でき、工業上顕著な効果を奏する。
ムによれば、電子部品の製造工程が短縮・簡易化され、
また電子部品の半田付は性ならびに倍額性が向上するの
で、半導体装置をはじめ抵抗アレー、コンデンサ、セン
サーなどのリードフレームを用いる電子部品に広く使用
でき、工業上顕著な効果を奏する。
第１図は本発明の電子部品リードフレームのアウターリ
ードの部分断面図で同図ａは実装置ｉｌ、同図すは実装
後のもの、第２図はリードフレームの一例を示す平面図
、第３図はリードフレームの他の一例を示す断面図であ
る。
ードの部分断面図で同図ａは実装置ｉｌ、同図すは実装
後のもの、第２図はリードフレームの一例を示す平面図
、第３図はリードフレームの他の一例を示す断面図であ
る。
Claims (4)
- （１）アウターリードにＳｎまたはＳｎ合金が１μ以上
の厚さに被覆され、その上にＡｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎま
たはこれらの合金の少なくとも１種が０．０３μ以上の
厚さに被覆されていることを特徴とする電子部品用リー
ドフレーム。 - （２）ＳｎまたはＳｎ合金がレジンモールド内に０．１
〜２ｍｍくい込んで被覆されていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の電子部品用リードフレーム。 - （３）Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎまたはこれらの合金の少
なくとも１種がインナーリードにも被覆されていること
を特徴とする特許請求の範囲第１、２項いずれかに記載
の電子部品用リードフレーム。 - （４）Ｓｎ合金が、Ｐｂを５５〜９８ｗｔ％含有し残部
がＳｎからなる合金であることを特徴とする特許請求の
範囲第１、２、３項いずれかに記載の電子部品用リード
フレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979387A JPS63187654A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 電子部品用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979387A JPS63187654A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 電子部品用リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63187654A true JPS63187654A (ja) | 1988-08-03 |
Family
ID=12009221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1979387A Pending JPS63187654A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 電子部品用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63187654A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990006593A1 (en) * | 1988-12-07 | 1990-06-14 | Tribotech | Tape automated bonded lead package and reusable transport tape for use therewith |
| JPH04115558A (ja) * | 1990-09-05 | 1992-04-16 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
| JPH0513638A (ja) * | 1991-07-02 | 1993-01-22 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置 |
| US5184207A (en) * | 1988-12-07 | 1993-02-02 | Tribotech | Semiconductor die packages having lead support frame |
| JPH05144987A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-11 | Kyocera Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH08111484A (ja) * | 1993-04-10 | 1996-04-30 | W C Heraeus Gmbh | リードフレーム |
| US6478944B1 (en) | 1999-05-07 | 2002-11-12 | Nishihara Rikoh Corporation | Functional Sn-Bi alloy plating using a substitute material for Pb |
| JP2010084228A (ja) * | 2008-10-02 | 2010-04-15 | Kyowa Densen Kk | リードフレーム材、それを用いた半導体装置 |
-
1987
- 1987-01-30 JP JP1979387A patent/JPS63187654A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO1990006593A1 (en) * | 1988-12-07 | 1990-06-14 | Tribotech | Tape automated bonded lead package and reusable transport tape for use therewith |
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| US6478944B1 (en) | 1999-05-07 | 2002-11-12 | Nishihara Rikoh Corporation | Functional Sn-Bi alloy plating using a substitute material for Pb |
| US6790333B2 (en) | 1999-05-07 | 2004-09-14 | Nishihara Rikoh Corporation | Functional alloy plating using substitute bonding material for Pb and electronic component to be mounted to which the functional alloy plating is applied |
| US6875332B2 (en) | 1999-05-07 | 2005-04-05 | Nishihara Rikoh Corporation | Functional alloy plating using substitute bonding material for Pb and electronic component to be mounted to which the functional alloy plating is applied |
| JP2010084228A (ja) * | 2008-10-02 | 2010-04-15 | Kyowa Densen Kk | リードフレーム材、それを用いた半導体装置 |
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