JPH0513638A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0513638A JPH0513638A JP3161245A JP16124591A JPH0513638A JP H0513638 A JPH0513638 A JP H0513638A JP 3161245 A JP3161245 A JP 3161245A JP 16124591 A JP16124591 A JP 16124591A JP H0513638 A JPH0513638 A JP H0513638A
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- Japan
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- lead
- semiconductor device
- solder
- external lead
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Abstract
(57)【要約】
【目的】多ピンの半導体装置のプリント基板への半田実
装時に良好な半田付性をもった外部リードを提供する。
しかも、２００℃以下の低温半田付実装に適する。 【構成】半導体装置の外部リード１の構成は、下地にス
ズ鉛合金めっき２を施し、その上にスズビスマス合金め
っき３を施してあり、かつ、そのエリアは外部リード１
の全域ではなく下地めっきよりも狭い一部分である。
装時に良好な半田付性をもった外部リードを提供する。
しかも、２００℃以下の低温半田付実装に適する。 【構成】半導体装置の外部リード１の構成は、下地にス
ズ鉛合金めっき２を施し、その上にスズビスマス合金め
っき３を施してあり、かつ、そのエリアは外部リード１
の全域ではなく下地めっきよりも狭い一部分である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
良好な半田付特性をもった半導体装置に関する。
良好な半田付特性をもった半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置は、図５に示すよう
に、外部リード１は鉄ニッケル合金もしくは銅合金から
なっており、その母材の耐腐食性を高めるためと、半田
付性を向上させる目的でスズ鉛合金めっき２が表面に施
されているのが通常であった。
に、外部リード１は鉄ニッケル合金もしくは銅合金から
なっており、その母材の耐腐食性を高めるためと、半田
付性を向上させる目的でスズ鉛合金めっき２が表面に施
されているのが通常であった。
【０００３】このスズ鉛合金めっき２は、スズと鉛の比
率を約７対３にすることにより、その融点が２００℃程
度迄下り、プリント基板への半田実装時にプリント基板
のパッド部に塗装された半田ペーストと共に融解しリー
ド接合の役を果している。
率を約７対３にすることにより、その融点が２００℃程
度迄下り、プリント基板への半田実装時にプリント基板
のパッド部に塗装された半田ペーストと共に融解しリー
ド接合の役を果している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来の外
部リード構成を持った半導体装置の場合は、基板実装時
の温度は２２０℃以上を確保しなければ良好な半田付性
は得られず、半導体装置がその高温により信頼性品質を
劣化させるという問題点があった。
部リード構成を持った半導体装置の場合は、基板実装時
の温度は２２０℃以上を確保しなければ良好な半田付性
は得られず、半導体装置がその高温により信頼性品質を
劣化させるという問題点があった。
【０００５】また、端子数増加により外部リードのピッ
チが細かくなった時は、半田付実装時に溶融した半田に
より、リード間が短絡するという品質上の問題点も増加
してきている。
チが細かくなった時は、半田付実装時に溶融した半田に
より、リード間が短絡するという品質上の問題点も増加
してきている。
【０００６】本発明の目的は、低温半田付実装で良好な
半田濡れ性が見られ、かつ、溶融した半田により、リー
ドが短絡することのない半導体装置を提供することにあ
る。
半田濡れ性が見られ、かつ、溶融した半田により、リー
ドが短絡することのない半導体装置を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
外部リードの下地にスズめっきとスズ鉛合金めっきとの
うちのいずれか一方のめっきを施し、その上に下地めっ
き範囲よりも狭い範囲のスズとビスマスを含有する合金
めっきとスズとインジウムを含有する合金めっきとのう
ちのいずれか一方の合金めっきを施したことを特徴とす
る。
外部リードの下地にスズめっきとスズ鉛合金めっきとの
うちのいずれか一方のめっきを施し、その上に下地めっ
き範囲よりも狭い範囲のスズとビスマスを含有する合金
めっきとスズとインジウムを含有する合金めっきとのう
ちのいずれか一方の合金めっきを施したことを特徴とす
る。
【０００８】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【０００９】図１は本発明の第１の実施例の断面図、図
２は図１の外部リードの部分拡大断面図である。
２は図１の外部リードの部分拡大断面図である。
【００１０】第１の実施例は、図１及び図２に示すよう
に、半導体チップ５は封止部４により封止されており、
外部リード１が封止部の側面から導出している。外部リ
ード１は、全域にスズ鉛合金めっき２が施されており、
その上にスズビスマス合金めっき３が施されている。こ
のめっき範囲は、スズビスマス合金めっき３が外部リー
ド１の先端部で実際にプリント基板に半田実装される時
に半田濡れが生じる部分のみに限定された部分めっきで
あるのが特徴である。
に、半導体チップ５は封止部４により封止されており、
外部リード１が封止部の側面から導出している。外部リ
ード１は、全域にスズ鉛合金めっき２が施されており、
その上にスズビスマス合金めっき３が施されている。こ
のめっき範囲は、スズビスマス合金めっき３が外部リー
ド１の先端部で実際にプリント基板に半田実装される時
に半田濡れが生じる部分のみに限定された部分めっきで
あるのが特徴である。
【００１１】図３は本発明の第２の実施例の外部リード
の部分拡大断面図である。
の部分拡大断面図である。
【００１２】第２の実施例は、図３に示すように、スズ
ビスマス合金めっき３を施す範囲はさらに狭く、外部リ
ード１とプリント基板パッド部が接する個所にのみに限
定されている。
ビスマス合金めっき３を施す範囲はさらに狭く、外部リ
ード１とプリント基板パッド部が接する個所にのみに限
定されている。
【００１３】第１の実施例，第２の実施例ともに、下地
めっきの範囲は外部リード１全域をカバーしている必要
はないが、外部リードの耐食性の面から、半田実装に用
いない封止部４近辺までカバーしていることが望まし
い。
めっきの範囲は外部リード１全域をカバーしている必要
はないが、外部リードの耐食性の面から、半田実装に用
いない封止部４近辺までカバーしていることが望まし
い。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、外部リー
ドにスズとビスマスを含有する合金めっき、もしくはス
ズとインジウムを含有する合金めっきを施しているため
に、その合金めっき融点は１６０〜１７０℃近辺迄下げ
ることが可能になっており、従って低温半田実装時に良
好な半田濡れ性を呈する。しかも本発明では、その融解
する合金めっきの範囲を小さく限定することにより、解
けるめっきの量も少なく、狭ピッチのリードを接合する
際も端子間短絡が起りにくいという効果を有している。
ドにスズとビスマスを含有する合金めっき、もしくはス
ズとインジウムを含有する合金めっきを施しているため
に、その合金めっき融点は１６０〜１７０℃近辺迄下げ
ることが可能になっており、従って低温半田実装時に良
好な半田濡れ性を呈する。しかも本発明では、その融解
する合金めっきの範囲を小さく限定することにより、解
けるめっきの量も少なく、狭ピッチのリードを接合する
際も端子間短絡が起りにくいという効果を有している。
【００１５】図４はプリント基板に本発明の実施例を半
田接合した後の接合部の部分拡大断面図である。
田接合した後の接合部の部分拡大断面図である。
【００１６】図４に示すように、外部リード１の上には
スズ鉛合金めっき２の下地めっきが施されており、これ
は低温で半田接合された場合には、融解せず初期のまま
外部リード１上に残っている。半田８はプリント基板６
の上のパッド７の上に塗布されていた半田ペーストと、
半導体装置の外部リード１の上に部分的に施されていた
スズビスマス合金めっきが溶融して新たな合金となって
固容したものである。本実施例では、外部リード１の耐
腐食性を落さず、しかも低温で良好な半田付性を得ると
いう効果が得られている。
スズ鉛合金めっき２の下地めっきが施されており、これ
は低温で半田接合された場合には、融解せず初期のまま
外部リード１上に残っている。半田８はプリント基板６
の上のパッド７の上に塗布されていた半田ペーストと、
半導体装置の外部リード１の上に部分的に施されていた
スズビスマス合金めっきが溶融して新たな合金となって
固容したものである。本実施例では、外部リード１の耐
腐食性を落さず、しかも低温で良好な半田付性を得ると
いう効果が得られている。
【図１】本発明の第１の実施例の断面図である。
【図２】図１の外部リードの部分拡大断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例の外部リードの部分拡大
断面図である。
断面図である。
【図４】プリント基板に本発明の実施例を半田接合した
後の接合部分の部分拡大断面図である。
後の接合部分の部分拡大断面図である。
【図５】従来の半導体装置の外部リードの一例の部分拡
大断面図である。
大断面図である。
１ 外部リード ２ スズ鉛合金めっき ３ スズビスマス合金めっき ４ 封止部 ５ 半導体チップ ６ プリント基板 ７ パッド ８ 半田
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 外部リードの下地にスズめっきとスズ鉛
合金めっきとのうちのいずれか一方のめっきを施し、そ
の上に下地めっき範囲よりも狭い範囲のスズとビスマス
を含有する合金めっきとスズとインジウムを含有する合
金めっきとのうちのいずれか一方の合金めっきを施した
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3161245A JP2637863B2 (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3161245A JP2637863B2 (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513638A true JPH0513638A (ja) | 1993-01-22 |
| JP2637863B2 JP2637863B2 (ja) | 1997-08-06 |
Family
ID=15731413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3161245A Expired - Fee Related JP2637863B2 (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2637863B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997000753A1 (fr) * | 1995-06-20 | 1997-01-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Metal d'apport de brasage, composant electronique soude et plaque de circuit electronique |
| KR19990000416A (ko) * | 1997-06-05 | 1999-01-15 | 윤종용 | 외부 리드에 구리가 도금된 리드 프레임을 사용하는 반도체 칩 패키지 및 그 제조방법 |
| WO1999030866A1 (en) * | 1997-12-16 | 1999-06-24 | Hitachi, Ltd. | Pb-FREE SOLDER-CONNECTED STRUCTURE AND ELECTRONIC DEVICE |
| USRE38588E1 (en) | 1996-12-10 | 2004-09-14 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Lead material for electronic part, lead and semiconductor device using the same |
| JP2009236611A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5827357A (ja) * | 1981-08-12 | 1983-02-18 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
| JPS63187654A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-03 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電子部品用リ−ドフレ−ム |
-
1991
- 1991-07-02 JP JP3161245A patent/JP2637863B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5827357A (ja) * | 1981-08-12 | 1983-02-18 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
| JPS63187654A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-03 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電子部品用リ−ドフレ−ム |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997000753A1 (fr) * | 1995-06-20 | 1997-01-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Metal d'apport de brasage, composant electronique soude et plaque de circuit electronique |
| US5962133A (en) * | 1995-06-20 | 1999-10-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solder, electronic component mounted by soldering, and electronic circuit board |
| USRE38588E1 (en) | 1996-12-10 | 2004-09-14 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Lead material for electronic part, lead and semiconductor device using the same |
| KR19990000416A (ko) * | 1997-06-05 | 1999-01-15 | 윤종용 | 외부 리드에 구리가 도금된 리드 프레임을 사용하는 반도체 칩 패키지 및 그 제조방법 |
| US7013564B2 (en) | 1997-12-16 | 2006-03-21 | Hitachi, Ltd. | Method of producing an electronic device having a PB free solder connection |
| US6960396B2 (en) | 1997-12-16 | 2005-11-01 | Hitachi, Ltd. | Pb-free solder-connected structure and electronic device |
| WO1999030866A1 (en) * | 1997-12-16 | 1999-06-24 | Hitachi, Ltd. | Pb-FREE SOLDER-CONNECTED STRUCTURE AND ELECTRONIC DEVICE |
| EP1681131A1 (en) * | 1997-12-16 | 2006-07-19 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| CN1298051C (zh) * | 1997-12-16 | 2007-01-31 | 株式会社日立制作所 | 半导体装置 |
| KR100716094B1 (ko) * | 1997-12-16 | 2007-05-09 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 반도체 장치 |
| EP2140963A1 (en) | 1997-12-16 | 2010-01-06 | Renesas Technology Corp. | Pb-free solder-connected electronic article |
| US7709746B2 (en) | 1997-12-16 | 2010-05-04 | Renesas Technology Corp. | Pb-free solder-connected structure and electronic device |
| US8503189B2 (en) | 1997-12-16 | 2013-08-06 | Renesas Electronics Corporation | Pb-free solder-connected structure and electronic device |
| US8907475B2 (en) | 1997-12-16 | 2014-12-09 | Renesas Electronics Corporation | Pb-free solder-connected structure |
| JP2009236611A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2637863B2 (ja) | 1997-08-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970304 |
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