JPH04209507A - 高周波コイル - Google Patents
高周波コイルInfo
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- JPH04209507A JPH04209507A JP2400474A JP40047490A JPH04209507A JP H04209507 A JPH04209507 A JP H04209507A JP 2400474 A JP2400474 A JP 2400474A JP 40047490 A JP40047490 A JP 40047490A JP H04209507 A JPH04209507 A JP H04209507A
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- conductor
- coil
- insulating film
- coil conductor
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- Granted
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 77
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 23
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract description 9
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 9
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 abstract description 7
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 55
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［０００１］
【産業上の利用分野】この発明は高周波コイルに関し、
特にたとえばマイクロ波回路等に採用されるチップ型の
高周波コ１ルに関する。 Ｃｏ ｏ ｏ ２］
特にたとえばマイクロ波回路等に採用されるチップ型の
高周波コ１ルに関する。 Ｃｏ ｏ ｏ ２］
【従来の技術】この種の従来技術としては、本件出願人
が特開平２−５４９０３号において提案した、高周波の
マイクロ波回路等に採用されるチップ型コイルがある。 このチップ型コイルは、基板の表面に一対の端子電極を
形成するとともに、端子電極にその両端が接続される帯
状のコイル導体を形成し、端子電極およびコイル導体の
表面を覆うようにポリイミドあるいはポリアミドからな
る絶縁膜を形成するとともに、絶縁膜の少なくとも端子
電極部分をエツチング法により除去して端子電極を露出
させたものである。 ［０００３］
が特開平２−５４９０３号において提案した、高周波の
マイクロ波回路等に採用されるチップ型コイルがある。 このチップ型コイルは、基板の表面に一対の端子電極を
形成するとともに、端子電極にその両端が接続される帯
状のコイル導体を形成し、端子電極およびコイル導体の
表面を覆うようにポリイミドあるいはポリアミドからな
る絶縁膜を形成するとともに、絶縁膜の少なくとも端子
電極部分をエツチング法により除去して端子電極を露出
させたものである。 ［０００３］
【発明が解決しようとする課題】このチップ型コイルで
は、外部に磁束が漏れてしまい、また、薄膜技術を用い
てコイル導体を形成しているため、導体抵抗が大きく、
Ｑが低かった。さらに、従来の磁性体基板を用いて、こ
のようなチップ型コイルを形成した場合、使用可能な周
波数の上限が２００ＭＨｚ程度にとどまるという問題点
があった。 ［０００４］それゆえに、この発明の主たる目的は、シ
ールド効果が大きく、Ｑを向上でき、さらに使用可能な
周波数帯域を拡げることができる、高周波コイルを提供
することである。 ［０００５］
は、外部に磁束が漏れてしまい、また、薄膜技術を用い
てコイル導体を形成しているため、導体抵抗が大きく、
Ｑが低かった。さらに、従来の磁性体基板を用いて、こ
のようなチップ型コイルを形成した場合、使用可能な周
波数の上限が２００ＭＨｚ程度にとどまるという問題点
があった。 ［０００４］それゆえに、この発明の主たる目的は、シ
ールド効果が大きく、Ｑを向上でき、さらに使用可能な
周波数帯域を拡げることができる、高周波コイルを提供
することである。 ［０００５］
【課題を解決するための手段】この発明は、高透磁率の
磁性体基板、磁性体基板の主面上に形成される一対の端
子電極、磁性体基板の主面上に形成されかつ端子電極に
その両端が接続される帯状のコイル導体、コイル導体の
表面を覆いかつ端子電極を露出させるように形成される
絶縁膜、および絶縁膜上に形成されかつ磁性体を混入し
た樹脂を備える４高周波コイルである。 ［０００６］
磁性体基板、磁性体基板の主面上に形成される一対の端
子電極、磁性体基板の主面上に形成されかつ端子電極に
その両端が接続される帯状のコイル導体、コイル導体の
表面を覆いかつ端子電極を露出させるように形成される
絶縁膜、および絶縁膜上に形成されかつ磁性体を混入し
た樹脂を備える４高周波コイルである。 ［０００６］
【作用】コイル導体は、磁性体基板上に形成され、コイ
ル導体の上部は磁性体を混入した樹脂によって覆われて
いる。したがって、コイル導体は磁性体基板と磁性体を
混入した樹脂とによって被覆される。また、磁性体基板
は透磁率の高い材料によって構成される。 ［０００７］
ル導体の上部は磁性体を混入した樹脂によって覆われて
いる。したがって、コイル導体は磁性体基板と磁性体を
混入した樹脂とによって被覆される。また、磁性体基板
は透磁率の高い材料によって構成される。 ［０００７］
【発明の効果】この発明によれば、コイル導体は磁性体
によって被覆されるため、磁束の漏れがなくなり、シー
ルド効果が大きくなる。また、高透磁率の磁性体基板を
用いたことにより、コイル導体のインダクタンスが向上
し、また、同じインダクタンスを得る場合、コイル導体
の線長を短くすることができ、Ｑは向上し、さらに、２
００ＭＨｚ以上の高周波帯域においても使用できる。 ［０００８］この発明の上述の目的、その池の目的、特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。 ［０００９］
によって被覆されるため、磁束の漏れがなくなり、シー
ルド効果が大きくなる。また、高透磁率の磁性体基板を
用いたことにより、コイル導体のインダクタンスが向上
し、また、同じインダクタンスを得る場合、コイル導体
の線長を短くすることができ、Ｑは向上し、さらに、２
００ＭＨｚ以上の高周波帯域においても使用できる。 ［０００８］この発明の上述の目的、その池の目的、特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。 ［０００９］
【実施例】図１を参照して、この実施例の高周波コイル
１０はチップ型コイルとして構成され、高周波に対応可
能な高透磁率の磁性体基板１２を含む。磁性体基板１２
の上面両端部には、端子電極１４ａおよび１４ｂが形成
され、磁性体基板１２の上面略中央部にはスパイラル状
のコイル導体１６が形成される。コイル導体１６の外端
１６ａは、図２からよくわかるように端子電極１４ａに
接続される。端子電極１４ａ、１４ｂおよびコイル導体
１６は、たとえば磁性体基板１２の上面全面に蒸着、ス
パッタリングあるいはイオンブレーティング法等の薄膜
形成技術によりＡｇ導体膜を形成し、端子電極１４ａ。 １４ｂおよびコイル導体１６以外の部分をエツチングに
より除去して形成されたものであり、コイル導体１６は
、たとえば路幅４０μｍ、厚さ５μｍに形成される。 ［００１０］そして、磁性体基板１２の上面全面には、
端子電極１４ａ、１４ｂおよびコイル導体１６を覆うよ
うに、ポリイミドあるいはポリアミドなどの樹脂からな
る絶縁膜１８がコーティングされる。絶縁膜１８のうち
、端子電極１４ａおよび１４ｂ部分はエツチングにより
除去され、さらに、コイル導体１６の内端１６ｂ部分も
、エツチングにより除去され、スルーホール２０が形成
される。 ［００１１１また、絶縁膜１８の上面には、スルーホー
ル２０から端子電極１４ｂに延びるリード導体２２が形
成され、リード導体２２は上述したコイル導体１６と同
様の方法によって形成される。これにより、コイル導体
１６の内端１６ｂはスルーホール２０内に形成されたリ
ード導体２２の一方端に接続され、リード導体２２を介
して端子電極１４ｂに接続される。 ［００１２］さらに、磁性体基板１２の上面全面には、
表面を保護する保護絶縁膜２４がコーティングされ、保
護絶縁膜２４の端子電極１４ａおよび１４ｂ部分はエツ
チングにより除去される。そして、保護絶縁膜２４の上
面全面には、磁性体を混入したペースト状の樹脂２６が
形成される。このような高周波コイル１０は図３〜図１
１に示す工程順で製造される。 ［００１３］まず、図３に示すように磁性体基板１２を
準備する。磁性体基板１２の上面に鏡面研磨を施した後
、磁性体基板１２を洗浄する。そして、磁性体基板１２
の上面には、たとえばフォトリソグラフィにより、コイ
ル導体１６および端子Ｑ１１４ａ、１４ｂが形成される
。まず、図４に示すように、磁性体基板１２の上面には
２層構造からなる導体膜２８が形成される。すなれち、
磁性体基板１２の上面には、密着性を向上させるための
チタン膜またはニクロム膜２８ａをたとえばスパッタリ
ングによって形成し、さらに、チタン膜またはニクロム
膜２８ａの上面には、導電性のよいＡｇ膜２８ｂをたと
えばスパッタリングによって形成して、導体膜２８が形
成される。 ［００１４３次に、図５に示すように、導体膜２８の上
面には、レジスト膜３０がコーティングされる。レジス
ト膜３０は、予めコイル導体１６および端子＠極１４ａ
、１４ｂに応じて設計されたマスクで覆われ、これを露
光してレジスト膜３０の残したい部分に光を当てて、こ
れを現像処理してレジスト膜３０の不要部分を除去し、
図５に示す所望のレジスト膜３０とする。そして、磁性
体基板１２の上面をエツチングすると、レジスト膜３０
の形成されていない部分の導体膜２８が除去され、コイ
ル導体１６および端子電極１４ａ、１４ｂが形成される
。その後、レジスト膜３０をたとえばシンナーなどによ
って除去し、図６に示す状態にする。 ［００１５］さらに、磁性体基板１２の上面には、たと
えばフォトリソグラフィにより、絶縁膜１８が形成され
る。まず、図７に示すように、磁性体基板１２の上面全
面には、コイル導体１６および端子電極１４ａ、１４ｂ
を覆うように、たとえばポリイミドやポリアミドなどか
らなる絶縁膜１８がコーティングされ、乾燥させる。 ［００１６］そして、絶縁膜１８の端子電極１４ａ、
１４ｂ部分およびコイル導体１６の内端１６ｂ以外の
部分を露光する。次にこれを現像（エツチング）すると
、露光させた部分だけが残る。すなわち、図８に示すよ
うに、端子電極１４ａ、１４ｂ部分が露出するとともに
、スルーホール２０が形成され、コイル導体１６の内端
１６ｂ部分が露出する。次に、これをチッソガス雰囲気
中において、略４００℃に加熱して絶縁膜１８を硬化さ
せる。なお、絶縁膜１８にポリイミドを用い、ポリイミ
ドが非感光性の場合には、ポジ系レジストを塗布した後
、絶縁膜１８の残さない部分を露光して現像すればよい
。 ［００１７］そして、絶縁膜１８の表面にたとえばスパ
ッタリングにより導体層を形成した後、上述のコイル導
体１６および端子電極１４ａ、１４ｂを形成したのと同
様の方法で、図９に示すように、リード導体２２を形成
する。リード導体２２の一方端は、スルーホール２０を
介してコイル導体１６の内端１６ｂに接続され、他方端
は端子＠極１４ｂに接続される。そして、図１０に示す
ように、磁性体基板１２の上面全面に、たとえばポリイ
ミドやポリアミドからなる保護絶縁膜２４をコーティン
グし、図１１に示すように、保護絶縁膜２４の端子１４
ａおよび１４ｂ部分を、絶縁膜１８と同様の方法でエツ
チングする。そして、保護絶縁膜２４の上面全面に、磁
性体を混入した樹脂２６を形成して、図１に示すチップ
状の高周波コイル１０が形成される。 ［００１８］ このように形成される高周波コイル１０
においては、磁性体基板１２上にコイル導体１６が形成
され、コイル導体１６の上部に磁性体を混入した樹脂２
６が形成されるので、コイル導体１６は磁性体基板１２
と樹脂２６とによって被覆される。そして、高周波コイ
ル１０自体の小型化が図れる。 ［００１９］なお、この発明は上述のスパイラル状のコ
イル導体１６だけでなく、図１２に示すように、磁性体
基板１２上にミアンダタイプのコイル導体３０を形成し
たものについても同様に適用できる。また、図１３およ
び図１４に示す他の実施例の高周波コイル４０は、磁性
体を混入したペースト状の樹脂４２をコイル導体５０の
上面だけでなく、コイル導体５０の線間にも入り込ませ
、さらにシールド効果を上げたものである。 ［００２０１高周波コイル４０は、たとえばフォトリソ
グラフィを利用して、先の実施例とほぼ同様の工程を経
て製造されるので、ここでは、高周波コイル４０の製造
工程を簡単に説明する。なお、図１４２図１６５図１８
、図２０および図２２の各図は、図１５に一点鎖線Ａ−
Ａで切断した端面を示す端面図である。 ［００２１１まず、図１５および図１６に示すように、
高周波に対応可能な高い透磁率の磁性体基板４４を準備
し、磁性体基板４４の上面に、たとえばポリイミドやポ
リアミドなどの樹脂からなる所定形状の絶縁膜４６をコ
ーティングする。そして、磁性体基板４４の上面全面に
は、たとえばスパッタリングなどにより導体膜を形成し
、不要部分をエツチングして除去し、図１７および図１
８に示すように、絶縁膜４６上にコイルパターンを形成
する。すなわち、磁性体基板４４の両端部に端子電極４
８ａおよび４８ｂを、磁性体基板４４の中央部にコイル
導体５０をそれぞれ形成し、コイル導体５０の外端５０
ａは端子電極４８ｂに接続される。そして、コイル導体
５０の内端５０ｂを端子電極４８ａに接続できるように
、図１９および図２０に示すように、まず、たとえばポ
リイミドやポリアミドなどの樹脂からなる絶縁膜５２を
コイル導体５０の一部を覆うように形成する。そして、
絶縁膜５２上にたとえばスパッタリングなどによって導
体膜を形成し、エツチングして不要部分を除去し、コイ
ル導体５０の内端５０’ｂと端子電極４８ａとを接続す
る導体膜５４を形成する。 ［００２２１次いで１図２１および図２２に示すように
、コイル導体５０および端子電極４８ａ、４８ｂの一部
を覆うように、磁性体基板４４の上面にポリイミドやポ
リアミドなどの樹脂からなる絶縁膜５６をコーティング
する。そして、図１３および図１４に示すように、磁性
体を混入した樹脂４２によってコイル導体５０の上部だ
けでなくコイル導体５０の中央部５８や外周部６０をコ
ーティングする。 ［００２３］このように形成される高周波コイル４０て
（ま、図１４に示すように、コイル導体５０が磁性体基
板４４と樹脂４２とによって被覆され、磁性体基板４４
と樹脂４２とによって磁路６２が形成されるので、磁束
が外に漏れず、シールド効果がより一層高められる。し
たがって、インダクタンスがさらに向上するとともに、
同じインダクタンスにおけるコイル導体５０の線長を短
くすることができ、Ｑがさらに向上する。また、高周波
コイル４０自体をさらに小型化でき、２００ＭＨｚ以上
の高周波帯域においても使用できる。
１０はチップ型コイルとして構成され、高周波に対応可
能な高透磁率の磁性体基板１２を含む。磁性体基板１２
の上面両端部には、端子電極１４ａおよび１４ｂが形成
され、磁性体基板１２の上面略中央部にはスパイラル状
のコイル導体１６が形成される。コイル導体１６の外端
１６ａは、図２からよくわかるように端子電極１４ａに
接続される。端子電極１４ａ、１４ｂおよびコイル導体
１６は、たとえば磁性体基板１２の上面全面に蒸着、ス
パッタリングあるいはイオンブレーティング法等の薄膜
形成技術によりＡｇ導体膜を形成し、端子電極１４ａ。 １４ｂおよびコイル導体１６以外の部分をエツチングに
より除去して形成されたものであり、コイル導体１６は
、たとえば路幅４０μｍ、厚さ５μｍに形成される。 ［００１０］そして、磁性体基板１２の上面全面には、
端子電極１４ａ、１４ｂおよびコイル導体１６を覆うよ
うに、ポリイミドあるいはポリアミドなどの樹脂からな
る絶縁膜１８がコーティングされる。絶縁膜１８のうち
、端子電極１４ａおよび１４ｂ部分はエツチングにより
除去され、さらに、コイル導体１６の内端１６ｂ部分も
、エツチングにより除去され、スルーホール２０が形成
される。 ［００１１１また、絶縁膜１８の上面には、スルーホー
ル２０から端子電極１４ｂに延びるリード導体２２が形
成され、リード導体２２は上述したコイル導体１６と同
様の方法によって形成される。これにより、コイル導体
１６の内端１６ｂはスルーホール２０内に形成されたリ
ード導体２２の一方端に接続され、リード導体２２を介
して端子電極１４ｂに接続される。 ［００１２］さらに、磁性体基板１２の上面全面には、
表面を保護する保護絶縁膜２４がコーティングされ、保
護絶縁膜２４の端子電極１４ａおよび１４ｂ部分はエツ
チングにより除去される。そして、保護絶縁膜２４の上
面全面には、磁性体を混入したペースト状の樹脂２６が
形成される。このような高周波コイル１０は図３〜図１
１に示す工程順で製造される。 ［００１３］まず、図３に示すように磁性体基板１２を
準備する。磁性体基板１２の上面に鏡面研磨を施した後
、磁性体基板１２を洗浄する。そして、磁性体基板１２
の上面には、たとえばフォトリソグラフィにより、コイ
ル導体１６および端子Ｑ１１４ａ、１４ｂが形成される
。まず、図４に示すように、磁性体基板１２の上面には
２層構造からなる導体膜２８が形成される。すなれち、
磁性体基板１２の上面には、密着性を向上させるための
チタン膜またはニクロム膜２８ａをたとえばスパッタリ
ングによって形成し、さらに、チタン膜またはニクロム
膜２８ａの上面には、導電性のよいＡｇ膜２８ｂをたと
えばスパッタリングによって形成して、導体膜２８が形
成される。 ［００１４３次に、図５に示すように、導体膜２８の上
面には、レジスト膜３０がコーティングされる。レジス
ト膜３０は、予めコイル導体１６および端子＠極１４ａ
、１４ｂに応じて設計されたマスクで覆われ、これを露
光してレジスト膜３０の残したい部分に光を当てて、こ
れを現像処理してレジスト膜３０の不要部分を除去し、
図５に示す所望のレジスト膜３０とする。そして、磁性
体基板１２の上面をエツチングすると、レジスト膜３０
の形成されていない部分の導体膜２８が除去され、コイ
ル導体１６および端子電極１４ａ、１４ｂが形成される
。その後、レジスト膜３０をたとえばシンナーなどによ
って除去し、図６に示す状態にする。 ［００１５］さらに、磁性体基板１２の上面には、たと
えばフォトリソグラフィにより、絶縁膜１８が形成され
る。まず、図７に示すように、磁性体基板１２の上面全
面には、コイル導体１６および端子電極１４ａ、１４ｂ
を覆うように、たとえばポリイミドやポリアミドなどか
らなる絶縁膜１８がコーティングされ、乾燥させる。 ［００１６］そして、絶縁膜１８の端子電極１４ａ、
１４ｂ部分およびコイル導体１６の内端１６ｂ以外の
部分を露光する。次にこれを現像（エツチング）すると
、露光させた部分だけが残る。すなわち、図８に示すよ
うに、端子電極１４ａ、１４ｂ部分が露出するとともに
、スルーホール２０が形成され、コイル導体１６の内端
１６ｂ部分が露出する。次に、これをチッソガス雰囲気
中において、略４００℃に加熱して絶縁膜１８を硬化さ
せる。なお、絶縁膜１８にポリイミドを用い、ポリイミ
ドが非感光性の場合には、ポジ系レジストを塗布した後
、絶縁膜１８の残さない部分を露光して現像すればよい
。 ［００１７］そして、絶縁膜１８の表面にたとえばスパ
ッタリングにより導体層を形成した後、上述のコイル導
体１６および端子電極１４ａ、１４ｂを形成したのと同
様の方法で、図９に示すように、リード導体２２を形成
する。リード導体２２の一方端は、スルーホール２０を
介してコイル導体１６の内端１６ｂに接続され、他方端
は端子＠極１４ｂに接続される。そして、図１０に示す
ように、磁性体基板１２の上面全面に、たとえばポリイ
ミドやポリアミドからなる保護絶縁膜２４をコーティン
グし、図１１に示すように、保護絶縁膜２４の端子１４
ａおよび１４ｂ部分を、絶縁膜１８と同様の方法でエツ
チングする。そして、保護絶縁膜２４の上面全面に、磁
性体を混入した樹脂２６を形成して、図１に示すチップ
状の高周波コイル１０が形成される。 ［００１８］ このように形成される高周波コイル１０
においては、磁性体基板１２上にコイル導体１６が形成
され、コイル導体１６の上部に磁性体を混入した樹脂２
６が形成されるので、コイル導体１６は磁性体基板１２
と樹脂２６とによって被覆される。そして、高周波コイ
ル１０自体の小型化が図れる。 ［００１９］なお、この発明は上述のスパイラル状のコ
イル導体１６だけでなく、図１２に示すように、磁性体
基板１２上にミアンダタイプのコイル導体３０を形成し
たものについても同様に適用できる。また、図１３およ
び図１４に示す他の実施例の高周波コイル４０は、磁性
体を混入したペースト状の樹脂４２をコイル導体５０の
上面だけでなく、コイル導体５０の線間にも入り込ませ
、さらにシールド効果を上げたものである。 ［００２０１高周波コイル４０は、たとえばフォトリソ
グラフィを利用して、先の実施例とほぼ同様の工程を経
て製造されるので、ここでは、高周波コイル４０の製造
工程を簡単に説明する。なお、図１４２図１６５図１８
、図２０および図２２の各図は、図１５に一点鎖線Ａ−
Ａで切断した端面を示す端面図である。 ［００２１１まず、図１５および図１６に示すように、
高周波に対応可能な高い透磁率の磁性体基板４４を準備
し、磁性体基板４４の上面に、たとえばポリイミドやポ
リアミドなどの樹脂からなる所定形状の絶縁膜４６をコ
ーティングする。そして、磁性体基板４４の上面全面に
は、たとえばスパッタリングなどにより導体膜を形成し
、不要部分をエツチングして除去し、図１７および図１
８に示すように、絶縁膜４６上にコイルパターンを形成
する。すなわち、磁性体基板４４の両端部に端子電極４
８ａおよび４８ｂを、磁性体基板４４の中央部にコイル
導体５０をそれぞれ形成し、コイル導体５０の外端５０
ａは端子電極４８ｂに接続される。そして、コイル導体
５０の内端５０ｂを端子電極４８ａに接続できるように
、図１９および図２０に示すように、まず、たとえばポ
リイミドやポリアミドなどの樹脂からなる絶縁膜５２を
コイル導体５０の一部を覆うように形成する。そして、
絶縁膜５２上にたとえばスパッタリングなどによって導
体膜を形成し、エツチングして不要部分を除去し、コイ
ル導体５０の内端５０’ｂと端子電極４８ａとを接続す
る導体膜５４を形成する。 ［００２２１次いで１図２１および図２２に示すように
、コイル導体５０および端子電極４８ａ、４８ｂの一部
を覆うように、磁性体基板４４の上面にポリイミドやポ
リアミドなどの樹脂からなる絶縁膜５６をコーティング
する。そして、図１３および図１４に示すように、磁性
体を混入した樹脂４２によってコイル導体５０の上部だ
けでなくコイル導体５０の中央部５８や外周部６０をコ
ーティングする。 ［００２３］このように形成される高周波コイル４０て
（ま、図１４に示すように、コイル導体５０が磁性体基
板４４と樹脂４２とによって被覆され、磁性体基板４４
と樹脂４２とによって磁路６２が形成されるので、磁束
が外に漏れず、シールド効果がより一層高められる。し
たがって、インダクタンスがさらに向上するとともに、
同じインダクタンスにおけるコイル導体５０の線長を短
くすることができ、Ｑがさらに向上する。また、高周波
コイル４０自体をさらに小型化でき、２００ＭＨｚ以上
の高周波帯域においても使用できる。
【図１】この発明の一実施例を示す端面図である。
２図２】磁性体基板にコイル導体および端子電極を形成
した状態を示す平面図である。
した状態を示す平面図である。
【図３】磁性体基板を準備した状態を示す端面図である
。
。
【図４】導体膜を形成した状態を示す端面図である。
【図５】レジストを形成した状態を示す端面図である。
【図６】エツチングしてコイル導体および端子＠極を形
成した状態を示す端面図である。
成した状態を示す端面図である。
【図７】絶縁膜を形成した状態を示す端面図である。
【図８】絶縁膜をエツチングした状態を示す端面図であ
る。
る。
【図９】リード導体を形成した状態を示す端面図である
。
。
【図１０】保護絶縁膜を形成した状態を示す端面図であ
る。
る。
【図１１】保護絶縁膜をエツチングした状態を示す端面
図である。
図である。
【図１２】他のコイル導体が形成された磁性体基板を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図１３】この発明の他の実施例を示す平面図である。
【図１４】図１３の実施例の端面図である。
【図１５】磁性体基板の上面に絶縁樹脂を形成した状態
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図１６】磁性体基板の上面に絶縁樹脂を形成した状態
を示す端面図である。
を示す端面図である。
【図１７】導体膜および端子電極を形成した状態を示す
平面図である。
平面図である。
【図１８】導体膜および端子＠極を形成した状態を示す
端面図である。
端面図である。
【図１９】コイル導体の内端と端子電極とを接続した状
態を示す平面図である。
態を示す平面図である。
【図２０】コイル導体の内端と端子電極とを接続した状
態を示す端面図である。
態を示す端面図である。
【図２１】絶縁膜を形成した状態を示す平面図である。
【図２２】絶縁膜を形成した状態を示す端面図である。
１０．４０ ・・・高周波コイ
ル１２．４４ ・・・磁性体基板
１４ａ、１４ｂ、４８ａ、４８ｂ一端子電極１６．５０
・・・コイル導体１８、４６．
５２． ５６ ・・・絶縁膜２４
・・・保護絶縁膜２６、 ４２
・・・磁性体を混入した樹脂
ル１２．４４ ・・・磁性体基板
１４ａ、１４ｂ、４８ａ、４８ｂ一端子電極１６．５０
・・・コイル導体１８、４６．
５２． ５６ ・・・絶縁膜２４
・・・保護絶縁膜２６、 ４２
・・・磁性体を混入した樹脂
【図６】
Claims (2)
- 【請求項１】高透磁率の磁性体基板、前記磁性体基板の
主面上に形成される一対の端子電極、前記磁性体基板の
主面上に形成されかつ前記端子電極にその両端が接続さ
れる帯状のコイル導体、前記コイル導体の表面を覆いか
つ前記端子電極を露出させるように形成される絶縁膜、
および前記絶縁膜上に形成されかつ磁性体を混入した樹
脂を備える、高周波コイル。 - 【請求項２】前記樹脂を前記コイル導体の線間にまで入
り込ませた、請求項１記載の高周波コイル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02400474A JP3128825B2 (ja) | 1990-12-05 | 1990-12-05 | 高周波コイル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02400474A JP3128825B2 (ja) | 1990-12-05 | 1990-12-05 | 高周波コイル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04209507A true JPH04209507A (ja) | 1992-07-30 |
| JP3128825B2 JP3128825B2 (ja) | 2001-01-29 |
Family
ID=18510372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02400474A Expired - Lifetime JP3128825B2 (ja) | 1990-12-05 | 1990-12-05 | 高周波コイル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3128825B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11251142A (ja) * | 1998-03-02 | 1999-09-17 | Tdk Corp | チップ型インピーダンス素子 |
| JP2009267079A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
| JP2013098282A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-05-20 | Toko Inc | 面実装インダクタ |
| JP2017017244A (ja) * | 2015-07-03 | 2017-01-19 | 株式会社村田製作所 | コイル部品 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS4861341U (ja) * | 1971-11-16 | 1973-08-04 | ||
| JPS4968621U (ja) * | 1972-09-28 | 1974-06-14 | ||
| JPS5750410A (en) * | 1980-09-11 | 1982-03-24 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Micro-coil |
| JPS63283004A (ja) * | 1987-05-14 | 1988-11-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 平面インダクタならびにその製造方法 |
| JPH02123706A (ja) * | 1988-11-01 | 1990-05-11 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波コイルの製造方法 |
-
1990
- 1990-12-05 JP JP02400474A patent/JP3128825B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP2017017244A (ja) * | 2015-07-03 | 2017-01-19 | 株式会社村田製作所 | コイル部品 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3128825B2 (ja) | 2001-01-29 |
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