JPH04202672A

JPH04202672A - セラミック電子部品用電極の形成方法

Info

Publication number: JPH04202672A
Application number: JP33592490A
Authority: JP
Inventors: Shigeo Kondo; 繁雄近藤; Akira Fujishima; 昭藤嶋
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1990-11-29
Filing date: 1990-11-29
Publication date: 1992-07-23
Anticipated expiration: 2013-06-25
Also published as: JP2768451B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野コ本発明はセラミックコンデンサ及びマイクロ波素子など
のセラミック電子部品用電極の形成方法に関するもので
ある。

Ｅ従来の技術］一般にセラミックコンデンサやマイクロ波素子などセラ
ミック電子部品用電極の形成はセラミック表面への無電
解メッキ法により銅、ニッケル等の金属をセラミック表
面に析出させ電極とする技術が広く用いられている。

従来のこの種の電極形成法について、セラミックスとし
て代表的なものの１つであるチタン酸バリウムを例にと
って説明すると次の様である。

先ずチタン酸バリウムを主体とするセラミック基板をア
ルカリで脱脂を行い、充分洗浄後フッ酸でその表面をエ
ツチングを行い粗面化を行う。その後エツチング液が残
存しないよう充分に洗浄を行った後、センシタイジング
（感受性化）処理とアクティベーティング（活性化）処
理の２段階の触媒付与工程を行い、水洗した後無電解メ
ッキ処理を施し、セラミック表面に金属を析出させ電極
としている。最初の触媒付与工程（センシタイジング）
では塩化錫７／塩酸水溶液が、２段目の触媒付与工程（
アクティベーティング）では塩化パラジウム／塩酸溶液
が使用される。この工程ではセラミック表面に存在して
いる２価の錫が酸化され４価の錫イオンとなると同時に
、２価のパラジウムイオンが還元を受はパラジウム金属
となって表面に吸着すると考えられている。

また、パラジウム金属が析出したセラミック表面での無
電解メッキによる銅、ニッケル、その他の金属の析出状
態、特にセラミック表面への密着強度はセラミックへの
塩化錫付着状態により大きく左右される。従って、その
強度を上げるためセラミック表面をフッ酸等でエツチン
グ粗面化する必要性がある。この処理工程は電極の密着
強度を増大させると共に、製造されるコンデンサ、マイ
ク０波素子の電気的特性を均一化する働きを示し、これ
ら素子の生産工程には必要欠くべくがらざるものとなっ
ている。

［発明が解決しようとする課題］セラミック基板への電極形成には、セラミック表面を脱
脂、粗面化処理を必要とする。この粗面化処理において
過剰な処理を行うとセラミック自体が脆くなり、またセ
ラミックが荒され過ぎると、その表面の孔内には処理液
が残存し、密着強度を低下させると共に析出させた電極
金属の腐食を発生させ製造する素子の信頼性に大きい影
響を持つ事から、これらの処理をする事なく密着強度を
増大させると共に電気的特性を安定化させる必要があっ
た。またエツチングには、危険なフッ酸による処理が行
われていた。本発明はこれらの処理を無くし、且つこれ
ら素子の電気的特性を従来と同等以上の素子を提供し、
電極金属の腐食による素子の特性劣化、信頼性の低下の
危惧のないセラミックス電子部品の電極形成法を提供し
ようとするものである。

［課題を解決するための手段］本発明は上記課題を解決するために次の構成を有するも
のである。

（１）誘電性セラミック材料と電極を備えて成るセラミ
ック電子部品の無電解メッキによる電極形成方法におい
て、セラミック材料表面に予メ金属酸化物半導体を主体
とした層を設けた後、パラジウム触媒溶液中で化学的に
パラジウムを析出させ、然る後、無電解メッキ液中で金
属を析出させることを特徴とするセラミック電子部品用
電極の形成方法。

（２）金属酸化物半導体を主体とした層が、酸化亜鉛、
酸化チタン、酸化タングステンから選ばれた少なくとも
１種を主体とした眉である前記１項に記載のセラミック
部品用電極の形成方法。

（３）金属酸化物半導体を主体とした層を有機金属化合
物の熱分解法により形成してなる前記１項または２項に
記載のセラミック電子部品用電極の形成方法。

（４）誘電性セラミック材料上電極を備えて成るセラミ
ック電子部品の無電解メッキによる電極形成方法におい
て、セラミック材料表面に予め金属酸化物半導体を主体
とした層を設けた後、パラジウム触媒溶液中で該金属酸
化物半導体を主体とした履の表面に光を照射する事によ
り金属酸化物半導体／パラジウム触媒溶液界面で光電気
化学反応を起こさせパラジウムを光照射部位に析出させ
、然る後、無電解メッキ液中で金属を析出させることを
特徴とするセラミック電子部品用電極の形成方法。

（５）金属酸化物半導体を主体とした層が、酸化亜鉛、
酸化チタン、酸化タングステンから選ばれた少な（とも
１種を主体とした層である前記４項に記載のセラミック
部品用電極の形成方法。

（６）金属酸化物半導体を主体とした層を有機金属化合
物の熱分解法により形成してなる前記４項または５項に
記載のセラミック電子部品用電極の形成方法。

［作用］本発明においては、セラミックス材料の上にあらかじめ
酸化物半導体を主体とする層が設けられているので、こ
の酸化物半導体がいわゆるアクティベータと称されてる
パラジウム触媒溶液（例えば塩化パラジウム／塩酸水溶
液）中に浸漬されると半導体層が金属錯体となって溶解
すると同時に表面に形成される電子によって２価のパラ
ジウムイオンが還元を受はパラジウム金属となって析出
する。その後、無電解メッキ液中で金属を析出させ電極
形成を行わせることが出来る。従って、こうした処理工
程にはフッ酸等強い腐食性溶液を使用することが無いた
め、セラミックの微細孔にこれら酸が残存する危惧が無
く、析出させた金属が経時的に腐食すると言う現象が全
く無いため、高い信頼性を有する電子部品が提供できる
。　また、本発明の第４番目の発明においては、セラミ
ック材料表面に予め金属酸化物半導体を主体とした層を
設けた後、パラジウム触媒溶液中で該金属酸化物半導体
を主体とした層の表面に光を照射する事により金属酸化
物半導体／パラジウム触媒溶液界面で光電気化学反応を
起こさせパラジウムを光照射部位に析出させ、然る後、
無電解メッキ液中で金属を析出させるので、光を照射し
た部位のみにパラジウムが析出する。従って、電極のパ
ターンを容易に任意の形にすることが可能となる。

すなわち、セラミック表面に形成した酸化物半導体は光
感応性材料として働く。この半導体にはｐ型およびｎ型
半導体があり、該半導体にバンドギャプ以上の光を照射
すると、照射された光エネルギーは半導体内部でホール
とエレクトロンに分かれる（電荷分離）。アクティベー
タ液中でこの反応を起こさせると、半導体界面で生成し
たホールまたはエレクトロンにより、光電気化学酸化反
応あるいは還元反応をｐ型あるいはｎ型半導体表面で起
こさせることが出来る。この反応を利用すことにより、
各種形状のパラジウム金属を析出させることが可能とな
る。その結果各種タイプ形状の電極を形成することも可
能となる。

例えば、ｎ型半導体を用いた場合についてさらに詳細に
説明すると次のようである。

先ず、セラミック基板上に形成させた光半導体層例えば
ｎ型半導体である酸化亜鉛を形成した後、該基板をアク
ティベータ溶液中（例えば硫酸パラジウム水溶液）で所
望のパターンとなるよう光を照射すると、露光された半
導体部位においてホールとエレクトロンが発生（電荷分
離）する。ここで発生したホールにより、はとんどの半
導体自身の酸化がおこり溶液中で溶は出す（光電気化学
反応により溶解する）、と同時に発生するエレクトロン
により、即ち露光部にのみパラジウムイオンが還元され
触媒が付着した状態となる。しかる後、無電解メッキ溶
液中で銅あるいはニッケル等の金属を析出させる事によ
り容易に所望の形状電極を形成する事が出来る。

また、本発明の第２ないし第５の発明においては、金属
酸化物半導体を主体とした層が、酸化亜鉛、酸化チタン
、酸化タングステンから選ばれた少なくとも１種を主体
とした層であるので、アクティベーティング処理におい
てパラジウムの析出が良好になる。

また、本発明の第３ないし第６の発明においては、セン
シタイザと乙て形成する酸化物半導体材料の形成に際し
、有機金属化合物（例えば、酢酸亜鉛／エタノール溶液
など）を用いることで、セラミック表面への濡れが改良
され、セラミック表面に存在する微細な孔内に、これら
有機金属化合物が挿入され、この基板を大気中で加熱酸
化する事により多孔性セラミック表面に酸化物半導体を
主体とした層が形成される。この酸化物半導体を主体と
した層の形成がセラミック表面の微細な孔内に形成が可
能であることより、析出する電極金属のセラミックへの
アンカー効果を高めることができ、より密着性に優れた
金属電極の形成が可能となる。

Ｕ実施例コ本発明方法において、セラミックス上に金属酸化物半導
体を主体とした層を形成する場合、金属酸化物半導体と
して酸化亜鉛の場合を例にとって説明すると、例えば、
Ｚｎをターゲットとして酸素含有雰囲気中でセラミック
ス上へスパッタリングするとか、ＺｎＯをターゲットと
して、セラミックス上へＺｎＯ層をスパッタリングで形
成した、　　リ、例えば、ジメチル亜鉛とかジエチル亜
鉛、その他の有機亜鉛化合物を用いてＣＶＤ法などでセ
ラミックス上へ酸化亜鉛を形成してもよいし、特に好ま
しくは、有機亜鉛化合物の液状物、すなわち、酢酸亜鉛
のエタノール溶液、ジメチル亜鉛あるいはジエチル亜鉛
のへキサン溶液とか、あるいはまた、例えばジメチル亜
鉛、ジエチル亜鉛などの液状の有機亜鉛化合物を用いて
その中にセラミックスを浸漬したり、セラミックス上に
これらの溶液あるいは液状化合物などの液状物を塗布し
た後、加熱して分解させ酸化亜鉛を形成させる手段とか
、例えば、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛、その他の有機
亜鉛化合物の蒸気中１巳セラミックスを曝して付着させ
加熱して酸化亜鉛を形成させる方法は、酸化亜鉛を主体
とする層がセラミックスの微細孔中に少なくとも一部入
り込んで形成されるので、その後に無電解メッキにより
析出した金属電極層は、アンカー効果が発揮され密着強
度がより大きくなるので好ましい。

この場合の加熱温度は、用いる亜鉛化合物の種類によっ
て異なり、１００°Ｃ以下の低温でも酸化亜鉛層を形成
できるものもあるか、一般には１００℃以上にする方が
、結晶性の点からは有利である。

酸化亜鉛を主体とする層には、酸化亜鉛のみでなく、他
の金属の酸化物や他の亜鉛化合物ないしはその分解残渣
などが本発明の目的を阻害しない範囲で含まれていても
よい。

金属酸化物半導体としては上述の酸化亜鉛に限らず、各
種のｐ型ないしはｎ型金属酸化物半導体が使用でき、特
に酸化亜鉛のほか、酸化チタンや酸化タングステンなど
が好ましい。

酸化チタンや酸化タングステンなどの金属酸化物半導体
を主体とした層を形成する方法は上述の酸化亜鉛の場合
に示した方法などが適用されるか、これらの酸化物を有
機金属化合物の熱分解法により形成する場合には、例え
ば、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタ
ンなど低級アルコキシチタン類や′、ペンタエトキシタ
ングステン、その他、それ自体常温で液体の化合物とが
、常温で固体であっても適宜の溶媒を用いて溶液の形に
して使用でき、加熱分解で酸化物が形成できるものであ
れば、特にこれらに限定されない。

また、炭酸亜鉛のアンモニア水溶液とか、四塩化チタン
の加水分解物とか、ＷＢｒ、ＷＣＩの水溶液とかの無機
溶液も使用できる。

パラジウム触媒溶液としては、従来無電解メッキのアク
ティベータとして用いられているパラジウム触媒溶液で
あれば何でもよく、代表的には塩化パラジウムの水溶液
とか、硫酸パラジウムの水溶液等が挙げられる。

パラジウム触媒溶液中で該金属酸化物半導体を主体とし
た層の表面に光を照射する事により金属酸化物半導体／
パラジウム触媒溶液界面で光電気化学反応を起こさせパ
ラジウムを光照射部位に析出させる場合に用いる光源と
しては、通常、形成されている酸化物半導体のバンドギ
ャップエネルギー以上の光を発生する光源であればなん
でもよ（、代表的にはキセノンランプや水銀ランプ等が
あげられる。

本発明で用いる誘電性セラミック材料としては、各種電
子部品で使用される誘電性セラミック材料であれば特に
限定は無く、例えば低誘電率材料としては（Ｍｇ　　　
Ｃａ　　）ＴｉＯ３を主成分とし１−ｘ　　　　　ｘＰｄ、Ｍｎ、Ｎｉ等を添加したもの、比誘電率４０付近
の材料としてはＢ　ａ　ＯＴ　ｉＯ２や、ＢａＺｎ１／
３Ｔａ２／３０３などで代表されるＢａ（Ｚｎ、Ｔａ）
０３系化合物などの複合ペロブスカイト型酸化物など、
また比誘電率７０〜９０の材料としては希土類酸化物を
含むＢａＯ−ＴｉＯ２の３成分系の酸化物などが代表的
な例である。特にコンデンサやマイクロ波素子の中では
チタン酸バリウムを用いたものが好ましい。

また、本発明で用いるセラミックスの形状は特に限定は
なく、電子部品に応じた種々の形の成型品が用いられる
。

また、無電解メッキ層上に更に必要に応じて電気メッキ
金属層など適宜、他の層を設けてもよい。

以下、本発明について具体的な実施例をもとに、更に詳
細に説明する。

実施例１第１図は、本発明の一実施例によるセラミックスコンデ
ンサ素子の形成工程概略図である。第１図（ａ）中、１
はチタン酸バリウムを主体として成る厚さ約１ｍｍ、直
径ｌＱｍｍφのセラミック基板である。この基板を０．
０５モル酢酸亜鉛／エタノール溶液に浸漬後、２８０℃
で加熱酸化処理を行い、第１図（ｂ）に示したごとく、
その表面に酸化亜鉛を主体とした酸化物半導体層２を設
けた（ここでは、酢酸亜鉛は完全に熱分解を行わせ酸化
亜鉛としても、また、１５０℃の比較的低い温度で加熱
処理を行い未反応状態の亜鉛としても、次の工程である
パラジウム置換処理は可能テある。）続いて、酸化亜鉛を主体として形成したセラミック基板
を５Ｘ１０’モル塩化パラジウム／塩酸水溶液よりなる
アクティベータ溶液中に浸漬し、酸化亜鉛を主体とした
層２を第１図（Ｃ）に示したごとく、パラジウム金属３
に置換させた。

このようにしてパラジウム置換したセラミック基板を無
電解メッキ液（奥野製薬工業製、商品名“ｏＰＣカッパ
ーＴ”）中に浸漬し、第１図（ｄ）に示すごとく、その
表面に金属銅を化学的に析出させたのち、ピロ燐酸銅を
主体とした電気メッキ液中で電解により銅金属４を更に
厚く析出させた。

その後、セラミック基板の端面を切削研磨することによ
り、一対の銅電極の中間にセラミックをサンドイッチ状
としたセラミックコンデンサ素子を作成した。

この電極のセラミック基板への密着強度を調べたところ
、１０ｍｍ２当り２０ｋｇの引っ張り強度を示すことが
判った。

比較のために、従来の作製法により形成した電極の密着
強度は１５ｋｇの値を示し、さらにフッ酸によりセラミ
ック表面を線面化しないで塩化錫をつけパラジウム置換
し銅電極を形成したものでは０〜１ｋｇの引っ張り強度
しか持たない事が判明した。

電気特性を調べるために作成したコンデンサを第１図（
ｅ）に示した。銅金属４の電極にスズメッキ引き導線５
．６を半田合金により接合した後、熱硬化型エポキシ樹
脂７を用い全体を封止しコンデンサとした。上記比較例
についても同様にしてコンデンサを作成した。

このコンデンサの重要な電気特性として知られているｔ
ａｎδ（誘電正接）およびその静電容量について調べた
結果、２５℃、周波数１ｋＨｚにおけるｔａｎδはそれ
ぞれ０．５Ｌ　Ｏ，８５，１，１となり、また静電容量
はそれぞれ２３９．２３５．２３７とほぼ一定であり、
特に本発明の電極形成法を用いたコンデンサが最も優れ
た特性（ｔａｎδ）を示す事が判明した。

実施例２光電気化学手法を用い電極形成したセラミックコンデン
サについて第２図、第３図を参照しながら詳細に説明す
る。

第２図は光電気化学手法を用い酸化亜鉛を主体とする層
をパラジウムで置換する際に用いた光電気化学反応セル
の主要部で、第２図（ａ）が水平方向断面図であり、第
２図（ｂ）が正面図である。

８．９がホトマスク、１０がパラジウム触媒溶液（アク
ティベータ）である硫酸パラジウム溶液、１１が透明容
器、１２が紫外光である。　第３図はさらに引き続いて
作成されるセラミックスコンデンサ素子の形成工程概略
図であり、第３図（ａ）がセラミック基板１上にパラジ
ウム金属３からなる金属触媒が析出した段階の断面図、
第３図（ｂ）が更にその上に金属銅４の電極が形成され
た状態の断面図である。

実施例１にて用いたチタン酸バリウムを主体とする基板
１を用い、この基板１を酢酸亜鉛エタノール溶液（０，
０５ｍｏ　Ｉ／ｄｍ３）中に浸漬し、大気中で４００℃
に加熱し、酢酸亜鉛を分解させｎ型光半導体である酸化
亜鉛層２をその表面に形成させた。

つづいて所望の電極形状のホトマスク２枚８．９を用い
、第２図のようにＰｄ触媒溶液（硫酸パラジウム溶液）
１０中で酸化亜鉛を形成したセラミック基板に紫外線ラ
ンプ（図示せず）によりセラミック基板両側の面に紫外
光１２を照射した。

その結果、光照射部のみの亜鉛が溶出して無くなり、第
３図（ａ）のように露光部にのみＰｄ金属３が付着した
形態となる。

つづいて、無電解銅メッキ溶液中に該基板を浸漬させ、
第３図（ｂ）に示されるごとく、銅を所　　　　□望の
電極形状とするパターンに析出させ、実施例１と同様に
電気メッキ液中で電解により銅金属４を更に厚く析出さ
せた。

こうして得たセラミックコンデンサについて実施例１と
同様電極の密着強度試験及び電気特性について調べた結
果、実施例１と殆ど変わらない特性を示し本発明による
電極形成方法を用いたコンデンサが優れた特性を示すこ
とが判明した。

実施例３実施例２で用いた酸化物半導体（酸化亜鉛）に変えてｎ
型半導体である酸化タングステンを用いた以外実施例２
と同様にしてセラミックコンデンサを形成した。

先ず、実施例２で使用したセラミック基板をペロキソボ
リタングステン酸溶液中に浸漬し、該基板を大気下１８
０°Ｃのもとで加熱しｎ型光半導体である酸化タングス
テン層をその表面に形成させた。

次に、所望の電極形状を持つホトマスクを用い第２図の
ようにパラジウム触媒中で酸化タングステンを形成した
セラミック基板に紫外線ランプにより紫外光を照射した
。その結果、光照射部のタングステンのみか溶出してな
くなり、未露光部にのみＰｄが付着した形態となった。

つづいて、無電解銅メッキ溶液中に該基板を浸漬させ銅
をパターン状に析出させ、更に電解メッキで銅金属を更
に厚く析出させた。これらのセラミックコンデンサにつ
いて実施例１と同様に各種性能試験を行った結果、実施
例２と同様の結果を示した。

実施例４本実施例では酸化物半導体としてｎ型半導体である酸化
チタンを用い、導電性電極として銅金属を用いてコンデ
ンサを形成した。

先ず、実施例１．２．３と同様のセラミック基板を用い
該基板を５０％チタンテトライソプロポキシド／イソプ
ロピルアルコール溶液中に浸漬した後、蒸留水中に浸漬
させた後、４５０℃で焼成しｎ型光半導体である酸化チ
タン層をその表面に形成させた。

該基板に実施例３で使用したホトマスクを用いパラジウ
ム触媒中で紫外光線を照射する事により、紫外光が照射
されている部位にのみ金属パラジウムが析出した。この
際、酸化チタンの溶出はなく、パラジウムは酸化チタン
の上に析出が見られた。

この後、実施例１から３と同様金属銅を無電解メッキ法
さらに電解メッキ法で形成しセラミックコンデンサを作
成した。

得られたコンデンサの特性を調べた結果、実施例２と同
様の結果を得た。

実施例５実施例、１から４ではセラミックコンデンサの例を示し
たが、本実施例ではマイクロ波用誘電体共振器の作成に
ついて示す。

まず、マイクロ波用誘電体共振器に使用したセラミック
材料としてＭ　ｇ　Ｔ　ｉＯ３Ｃａ　Ｔ　ｉＯ３系の誘
電率２５のものを使用し、第４図に示した構造の物を用
いた。第４図はマイクロ波用誘電体共振器に使用したセ
ラミック材料の斜視図である。

このセラミック表面の２１．２２．２３面に実施例１記
載の無電解メッキ法により銅を析出させ、更に銅を電気
メッキ法により厚く析出させた。この際、端面２４は銅
を析出させた後、その表面を切削研磨し銅を除き、チュ
ーニングを行いフィルタとなるように共振器を組み立て
た。こうして組み立てた共振器のＱ値は９７５という高
い値を示した。銅電極のセラミックにたいする密着強度
は２．５ｋｇ／ｍｍ２の値を示した。

本発明の効果を確認するため、従来の電極形成による確
認実験を行った。

先ず、本実施例で用いた共振器用セラミック材料をアル
カリ（１０％ＮａＯＨ溶液）脱脂を行い、次に、フッ酸
溶液（ＨＦ−ＨＮ○３混合溶液）でセラミック表面を粗
面化した後、充分水洗後、塩化第１錫溶液（ＳｎＣｌ　
　・２Ｈ２０４０ｇｒにＨＣｌ　　７０ｍ１を加え１１
の水で希釈したもの）中に浸漬しシンセタイジング処理
を行った後、塩化パラジウム溶液（３００ｍｇ／］塩化
パラジウム水溶液を塩酸にてｐＨ５に調整）中に１分間
浸漬し、次いで１０％ホルマリン溶液中に浸漬しパラジ
ウムを還元、活性化した後、実施例１にて用いた無電解
メッキ液にて銅を析出させた後、ピロリン酸銅液で銅を
電気メッキ法にてさらに析出させ電極を形成した後、共
振器を組み立てた。

この共振器のＱ値は８６０の値を示した。また電極の密
着強度は約１．２５ｋｇ、／ｍｒｎ２を示した。

以上の結果、本発明により形成した電極は共振器用電極
として優れた性能を示す事が判明した。

尚、上記各実施例で用いた光感応性材料としてはｎ型の
ものを用いたがｐ型を用いたても、基本的には同様に利
用できるものであり、本発明の範躊に属することはいう
までもない。

また、上記各実施例ではセラミック上にメッキする金属
として銅を用いたが、ニッケル、銀、コバルトなど必要
に応じて他のメッキ可能な金属を用いてもよい。

以上の各実施例から分かるように、セラミック表面に酸
化物半導体をセンシタイジング層とじて用い、パラジウ
ムを析出させ無電解メッキにより金属電極を形成させた
セラミックコンデンサ及びマイクロ波用誘電体共振器は
極めて優れた電気性能を示す事が判明した。

更に、本発明ではセラミックコンデンサならびにマイク
ロ波用誘電体共振器について述べたが、その電気的特性
、密着強度より、これら素子に限らず高周波用回路基板
、マイクロ波集積回路用素子などセラミック電子部品一
般に等しく適用出来る。

［発明の効果］本発明においては、セラミック材料の上にあらかじめ酸
化物半導体を主体とする層が設けられているので、フッ
酸等強い腐食性溶液を使用する粗面化処理などの前処理
を必要としない。そのため、形成された電極が経時的に
腐食する恐れがなく、信頼性高い電子部品が得られる。

また、本発明の第４番目の発明においては、電極のパタ
ーンを容易に任意の形にすることか可能となる。

また、本発明の第２ないし第５の発明においては、金属
酸化物半導体を主体とした層が、酸化亜鉛、酸化チタン
、酸化タングステンから選ばれた少なくとも１種を主体
とした層であるので、アクティベーティングでのパラジ
ウムの析出が良好になる。

また、本発明の第３ないし第６の発明においては、析出
する電極金属のセラミックへのアンカー効果を高めるこ
とができ、より密着性に優れた電極を形成することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例によるセラミックコンデンサ
の形成工程概略図であり、第１図（ａ）はセラミック基
板の断面図、第１図（ｂ）は酸化物半導体を主体とする
層が設けられた状態のセラミック基板の断面図、第１図
（Ｃ）はパラジウム金属が析出した状態のセラミック基
板の断面図、第１図（ｄ）は、第１図（Ｃ）のパラジウ
ム金属の上に銅金属が形成された状態の断面図、第１図
（ｅ）はコンデンサの断面図、第２図は光電気化半反応
セルの概略図であり、第２図（ａ）が水平方向断面図、
第２図（ｂ）が正面図、第３図は本発明の別の実施例に
よるセラミックコンデンサ形成工程概略図であり、第３
図（ａ）がパラジウムが析出した状態のセラミックス基
板の断面図、第３図（ｂ）は、第３図（ａ）のパラジウ
ムの上に銅金属が形成された状態の断面図、第４図は本
発明の一実施例によるマイクロ波用誘電体共振器に使用
したセラミック材料の斜視図である。１・・・セラミック基板、２・・・酸化物半導体、３・
・・パラジウム金属、４・・・銅金属、５．６・・・ス
ズメッキ引き導線、７・・・熱硬化型エポキシ樹脂、８
．９・・・ホトマスク、１０・・・パラジウム触媒溶液
、１１・・・透明容器、１２・・・紫外光、２１．２２
．２３・・・セラミック表面、２４・・・端面。代理人の氏名　弁理士　池内寛幸　はか１名第１図（１
））第１図（ｃ）第１図（ｄ）へ第１図（ｅ　）第２図（ａ）第２図（ｂ）１２・・・案外光第３図（ｂ） ″）１第４図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）誘電性セラミック材料と電極を備えて成るセラミ
ック電子部品の無電解メッキによる電極形成方法におい
て、セラミック材料表面に予め金属酸化物半導体を主体
とした層を設けた後、パラジウム触媒溶液中で化学的に
パラジウムを析出させ、然る後、無電解メッキ液中で金
属を析出させることを特徴とするセラミック電子部品用
電極の形成方法。
（２）金属酸化物半導体を主体とした層が、酸化亜鉛、
酸化チタン、酸化タングステンから選ばれた少なくとも
１種を主体とした層である請求項１記載のセラミック部
品用電極の形成方法。
（３）金属酸化物半導体を主体とした層を有機金属化合
物の熱分解法により形成してなる請求項１または２に記
載のセラミック電子部品用電極の形成方法。
（４）誘電性セラミック材料と電極を備えて成るセラミ
ック電子部品の無電解メッキによる電極形成方法におい
て、セラミック材料表面に予め金属酸化物半導体を主体
とした層を設けた後、パラジウム触媒溶液中で該金属酸
化物半導体を主体とした層の表面に光を照射する事によ
り金属酸化物半導体／パラジウム触媒溶液界面で光電気
化学反応を起こさせパラジウムを光照射部位に析出させ
、然る後、無電解メッキ液中で金属を析出させることを
特徴とするセラミック電子部品用電極の形成方法。
（５）金属酸化物半導体を主体とした層が、酸化亜鉛、
酸化チタン、酸化タングステンから選ばれた少なくとも
１種を主体とした層である請求項４記載のセラミック部
品用電極の形成方法。
（６）金属酸化物半導体を主体とした層を有機金属化合
物の熱分解法により形成してなる請求項４または５に記
載のセラミック電子部品用電極の形成方法。