JPH04183896A - メッキ装置及びメッキ方法 - Google Patents

メッキ装置及びメッキ方法

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Publication number
JPH04183896A
JPH04183896A JP31462390A JP31462390A JPH04183896A JP H04183896 A JPH04183896 A JP H04183896A JP 31462390 A JP31462390 A JP 31462390A JP 31462390 A JP31462390 A JP 31462390A JP H04183896 A JPH04183896 A JP H04183896A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plating
cathode
cup
gas
wafer
Prior art date
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Pending
Application number
JP31462390A
Other languages
English (en)
Inventor
Naoki Hiraoka
尚樹 平岡
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Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
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Publication date
Application filed by Fujitsu VLSI Ltd, Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu VLSI Ltd
Priority to JP31462390A priority Critical patent/JPH04183896A/ja
Publication of JPH04183896A publication Critical patent/JPH04183896A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 メッキ装置において被処理物とカソードとの接触部が集
中的にメッキされ、被処理物の表面のメッキ状態が不均
一になるのを防止するメッキ装置及びメッキ方法の改良
に関し、 被処理物とカソードとが接触している接触部がメッキさ
れないようにすることが可能となるメッキ装置及びメッ
キ方法の提供を目的とし、〔1〕メッキ槽内に設&Jた
メッキカップ内の下部にアノードを備え、前記メッキカ
ップの上部に被処理物を支持して該被処理物に電荷を与
えるカソードを備え、前記メッキカップの下部にメッキ
液を前記メッキカップ内に噴出させるノズルを具備する
メッキ装置において、前記カソードは被処理物との接触
部の周囲に気体を導出する気体流路を備えていることを
特徴とするメッキ装置。
〔2〕前記気体流路は、カソードの内部にあり、前記接
触部に外部に開口する気体噴出孔を有することを特徴と
する請求項1記載のメッキ装置。
〔3〕前記気体流路は、カソードの接触部以外の部分を
覆うキャップを取り付けることで、該キャップとカソー
ドとの間に形成されていることを特徴とする請求項1記
載のメッキ装置。
〔4〕請求項1記載のメッキ装置を用い、前記カソード
の前記被処理物の支持点近傍に気体を吹きつけながら、
前記被処理物の前記カソードによる支持面にメッキを行
うことを特徴とするメッキ方法。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、メッキ装置において被処理物とカソードとの
接触部が集中的にメッキされ、被処理物の表面のメッキ
状態が不均一になるのを防止するメッキ装置及びメッキ
方法の改良に関するものである。 − メッキ装置においては被処理物とカソードとの接触部が
局部的にメンキされるために、目的とする被処理物の表
面のメッキ状態が不均一になっている。
以上のような状況から、被処理物の表面を均一にメ・ン
キすることが可能となるメッキ装置及びメッキ方法が要
望されている。
[従来の技術〕 第3図によりメッキ装置の概略構造及びメッキ方法につ
いて、第4図により従来のメッキ装置のカソードの詳細
構造について説明する。
第3図はメッキ装置の概略構造を示ず側断面図である。
一3= 図に示すように、上部に被処理物を出し入れする蓋2を
備えた塩化ビニールからなるメッキ槽1内には塩化ビニ
ールからなるメッキカップ3が設けられている。このメ
ッキカップ3の下部には金からなるメツシュ状のアノー
ド4、上部には被処理物、例えばウェーハ7を支持し、
このウェーハ7に電荷を与えるチタンからなる円錐形状
のカソード5が設けられている。
このメッキカップ3の下部にはノズル3aが上向きに設
けられており、このノズル3aにはメッキ槽1の外部に
設けたポンプ6から加圧されたメッキ液が送られ、この
ノズル3aによってこのメッキ液をメンキカップ3内に
噴出させるようになっており、アノード4を通過するメ
ッキ液によりアノード4を形成する金がウェーハ7の下
面にメッキされ、余剰のメッキ液はメッキカップ3の上
縁とウェーハ7との間隙を通ってメッキカップ3の外に
流れて行く。
このウェーハ7を支持しているカソードは第4図に示す
ようムこチタンからなる円錐であり、ウェー ζ − 一ハ7との接触部25aを除く側面はテフロン等の絶縁
膜で被覆されているのでメッキされないが、接触部25
aには電荷が集中するためにメッキされ、この影響でウ
ェーハ7の表面のメッキ状態が不均一になっており、こ
れを防止するために現状ではうニーハフを一枚メッキす
る度にカソード25の接触部25aを洗浄している。
〔発明が解決しようとする課題〕
以上説明した従来のメッキ装置においては、被処理物と
接触しているカソードの接触部がメッキされるために、
被処理物を一枚メッキする度に被処理物とカソードとが
接触している接触部を洗浄しなければならないという問
題点があった。
本発明は以上のような状況から、被処理物とカソードと
が接触している接触部がメッキされないようにすること
が可能となるメッキ装置及びメッキ方法の提供を目的と
したものである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のメッキ装置は、 〔1〕メッキ槽内に設けたメッキカップ内の下部にアノ
ードを備え、このメッキカップの上部に被処理物を支持
してこの被処理物に電荷を与えるカソードを備え、この
メッキカップの下部にメッキ液をこのメッキカップ内に
噴出させるノズルを具備するメッキ装置において、この
カソードは被処理物との接触部の周囲に気体を導出する
気体流路を備えているよう構成する。
〔2〕この気体流路は、カソードの内部にあり、この接
触部に外部に開口する気体噴出孔を有するよう構成する
〔3]前前記体流路は、カソードの接触部以外の部分を
覆うキャップを取り付けることで、該キャップとカソー
ドとの間に形成されているよう構成する。
本発明のメッキ方法は、 上記のメッキ装置を用い、このカソードのこの被処理物
の支持点近傍に気体を吹きつけながら、この被処理物の
このカソードによる支持面にメッキを行うよう構成する
〔作用〕
即ち本発明においては第1図或いは第2図に示すように
、メッキ装置において被処理物を支持して電荷を与えて
いるカソード5,15に、被処理物7との接触部5a、
15aの周囲に気体を噴出させる手段を具備しているの
で、このカソード5.15の先端のウェーハ7との接触
部の周囲に気体の壁が形成され、ウェーハ7に沿って流
れてきたメッキ液がこの気体の壁に当たるから、メッキ
液がカソード5゜15に付着しないので、この接触部5
a、15aがメッキされなくなり、ウェーハ7を一枚処
理する度に行っていたカソードの接触部の洗浄を行わな
いで、連続してウェーハ7のメッキを行うことが可能と
なる。
〔実施例〕
以下第1図により本発明のメッキ装置の第1の実施例の
カソードの詳細構造を、第2図により本発明のメッキ装
置の第2の実施例のカソードの詳細構造を説明する。
本発明のメッキ装置の概略構造は第3図に示すものと同
様であるが、カソードの構造が異なっている。
本発明のメッキ装置の第1の実施例のカソード5の内部
には第1図に示すように下部から上向きに気体流路5b
が設けられており、カソード5の先端の被処理物との接
触部5aにはこの気体流路5bと接続された気体噴出孔
5cが均等に4ケ所に設けられている。
この気体流路5b内に窒素等の気体を送ると、この窒素
は接触部5aの気体噴出孔5cから噴出するので、この
接触部5aの周囲に気体の壁が形成されてメッキされな
くなる。
本発明のメッキ装置の第2の実施例のカソード15の外
側面には第2図(a)に示すようにキャップ16が設&
Jられており、第2図(b)に示すようにこのカソード
15の外側面とキャップ16の内側面との間には三分割
された間隙の気体流路15bが設けられているから、こ
の気体流路15b内に窒素等の気体を送り込むと、上部
のこの間隙からこの窒素が噴出するので、この接触部1
5aの周囲に気体の壁が形成されてメッキされなくなる
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかなように本発明によれば、極めて
簡単なカソードの構造の変更により、カソードの被処理
物との接触部がメンキされることにより生じる、被処理
物の表面のメッキの不均一を防止することが可能となり
、効率的にメッキを行うことが可能となる等の利点があ
り、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期待できる
メッキ装置及びメッキ方法の提供が可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のメンキ装置の第1の実施例のカソード
の詳細構造を示ず側断面図、 第2図は本発明のメッキ装置の第2の実施例のカソード
の詳細構造を示す図、 第3図はメッキ装置の概略構造を示す側断面図、第4図
は従来のメッキ装置のカソードの詳細構造を示す側面回
、である。 図において、 1はメッキ槽、 2は蓋、 3はメッキカップ、 3aはノズル、 4はアノード、 5.15はカソード、 5aは接触部、 5bは気体流路、 5cは気体噴出孔、 6はポンプ、 7はウェーハ、 16はキャップ、 を示す。 1に 卑 廻

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 〔1〕メッキ槽(1)内に設けたメッキカップ(3)内
    の下部にアノード(4)を備え、前記メッキカップ(3
    )の上部に被処理物(7)を支持して該被処理物(7)
    に電荷を与えるカソード(5)を備え、前記メッキカッ
    プ(3)の下部にメッキ液を前記メッキカップ(3)内
    に噴出させるノズル(3a)を具備するメッキ装置にお
    いて、 前記カソード(5、15)は被処理物(7)との接触部
    (5a、15a)の周囲に気体を導出する、気体流路(
    5b、15b)を備えていることを特徴とするメッキ装
    置。 〔2〕前記気体流路(5b)は、カソード(5)の内部
    にあり、前記接触部(5a)に外部に開口する気体噴出
    孔(5c)を有することを特徴とする請求項1記載のメ
    ッキ装置。 〔3〕前記気体流路(15b)は、カソード(15)の
    接触部(15a)以外の部分を覆うキャップ(16)を
    取り付けることで、該キャップ(16)とカソード(1
    5)との間に形成されていることを特徴とする請求項1
    記載のメッキ装置。 〔4〕請求項1記載のメッキ装置を用い、前記カソード
    (5、15)の前記被処理物(7)の支持点近傍に気体
    を吹きつけながら、前記被処理物(7)の前記カソード
    (5)による支持面にメッキを行うことを特徴とするメ
    ッキ方法。
JP31462390A 1990-11-20 1990-11-20 メッキ装置及びメッキ方法 Pending JPH04183896A (ja)

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