JPH0417509B2 - - Google Patents
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- JPH0417509B2 JPH0417509B2 JP57139934A JP13993482A JPH0417509B2 JP H0417509 B2 JPH0417509 B2 JP H0417509B2 JP 57139934 A JP57139934 A JP 57139934A JP 13993482 A JP13993482 A JP 13993482A JP H0417509 B2 JPH0417509 B2 JP H0417509B2
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- mos transistor
- horizontal
- unit pixel
- line
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 26
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 6
- 238000003491 array Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000005375 photometry Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N3/00—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
- H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
- H04N3/14—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices
- H04N3/15—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation
- H04N3/155—Control of the image-sensor operation, e.g. image processing within the image-sensor
- H04N3/1556—Control of the image-sensor operation, e.g. image processing within the image-sensor for variable integration time
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/745—Circuitry for generating timing or clock signals
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/53—Control of the integration time
- H04N25/531—Control of the integration time by controlling rolling shutters in CMOS SSIS
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/767—Horizontal readout lines, multiplexers or registers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、シヤツター機能を備えたXYアド
レス方式の固体撮像装置に関する。
レス方式の固体撮像装置に関する。
MOS−IC技術を用いて製作成されるXYアド
レス方式の固体撮像装置は、一般に小型ビデオカ
メラ等に使用されている。
レス方式の固体撮像装置は、一般に小型ビデオカ
メラ等に使用されている。
かかるMOS−IC技術を用いたXYアドレス方
式の固体撮像装置の一例を第１図Ａ，Ｂに示す。
第１図Ａは、全体構成を示し、第１図Ｂは、一単
位画素の断面構造を示す。図において１-11，１
-12，…はマトリツクス状に配設された単位画素
で、ソース２、ドレイン４、ゲート３からなる
MOSトランジスタと、MOSトランジスタのソー
ス部に形成されたn+pフオトダイオード５とで構
成されている。そして、入射光に比例してフオト
ダイオード５に生成される信号電荷は、MOSト
ランジスタのソース２に蓄積されるように構成さ
れている。MOSトランジスタの各ゲート３には、
垂直シフトレジスタ６から垂直走査パルスが加わ
つており、一方MOSトランジスタのドレイン４
には、MOSトランジスタからなる水平選択スイ
ツチ７が接続されており、該水平選択スイツチ７
は水平シフトレジスタ８からの水平走査パルスが
加えられ、選択駆動されて、MOSトランジスタ
のドレイン４を、ビデオラインＶ・Ｌに接続する
ように構成されている。各走査パルスの周波数
は、水平走査パルス周波数fHが、15.75KHz、垂直
走査パルス周波数fVは30Hzである。
式の固体撮像装置の一例を第１図Ａ，Ｂに示す。
第１図Ａは、全体構成を示し、第１図Ｂは、一単
位画素の断面構造を示す。図において１-11，１
-12，…はマトリツクス状に配設された単位画素
で、ソース２、ドレイン４、ゲート３からなる
MOSトランジスタと、MOSトランジスタのソー
ス部に形成されたn+pフオトダイオード５とで構
成されている。そして、入射光に比例してフオト
ダイオード５に生成される信号電荷は、MOSト
ランジスタのソース２に蓄積されるように構成さ
れている。MOSトランジスタの各ゲート３には、
垂直シフトレジスタ６から垂直走査パルスが加わ
つており、一方MOSトランジスタのドレイン４
には、MOSトランジスタからなる水平選択スイ
ツチ７が接続されており、該水平選択スイツチ７
は水平シフトレジスタ８からの水平走査パルスが
加えられ、選択駆動されて、MOSトランジスタ
のドレイン４を、ビデオラインＶ・Ｌに接続する
ように構成されている。各走査パルスの周波数
は、水平走査パルス周波数fHが、15.75KHz、垂直
走査パルス周波数fVは30Hzである。
ある特定の画素を構成するMOSトランジスタ
のゲート３に垂直走査パルスが加わると共に、水
平走査パルスによつて駆動される水平選択スイツ
チ７によりドレイン４が選択されると、ソース２
に蓄積されていた光信号電荷は、ビデオライン
Ｖ・Ｌに読み出されると共に、フオトダイオード
５は電源VDにより逆バイアス（リセツト）され、
次の信号読み出し時まで電荷が蓄積される。
のゲート３に垂直走査パルスが加わると共に、水
平走査パルスによつて駆動される水平選択スイツ
チ７によりドレイン４が選択されると、ソース２
に蓄積されていた光信号電荷は、ビデオライン
Ｖ・Ｌに読み出されると共に、フオトダイオード
５は電源VDにより逆バイアス（リセツト）され、
次の信号読み出し時まで電荷が蓄積される。
このように構成されている固体撮像装置におい
ては、フオトダイオード５の信号読み出しとリセ
ツトが同時に行われるため、光信号電荷を蓄積す
る期間、すなわち露光期間（シヤツター時間）
は、１／fv＝33.3ｍsecに固定され、これより短く
することはできない。
ては、フオトダイオード５の信号読み出しとリセ
ツトが同時に行われるため、光信号電荷を蓄積す
る期間、すなわち露光期間（シヤツター時間）
は、１／fv＝33.3ｍsecに固定され、これより短く
することはできない。
一般に、運動している対象物を撮影する場合
に、ぶれのない鮮明な画像を得るためには、シヤ
ツター時間を短くする必要があるが、従来の固体
撮像装置においては、上記のようにシヤツター期
間が固定されているため、運動している対象物を
撮影する場合は、ぶれが生じ、画質が著しく低下
してしまうという欠点があつた。この欠点を補う
ために、従来は、カメラ内に高速ロータリーシヤ
ツターを組み込んだり、垂直ブランキング期間内
にストロボが点灯する方法などが採られている。
しかし、これらの方法は特殊な装置を使用するた
めに、カメラが大型化し、コストの点でも不利で
あるうえ、使用上の制約も多いという欠点があ
り、完全な撮像装置とはいえないものであつた。
に、ぶれのない鮮明な画像を得るためには、シヤ
ツター時間を短くする必要があるが、従来の固体
撮像装置においては、上記のようにシヤツター期
間が固定されているため、運動している対象物を
撮影する場合は、ぶれが生じ、画質が著しく低下
してしまうという欠点があつた。この欠点を補う
ために、従来は、カメラ内に高速ロータリーシヤ
ツターを組み込んだり、垂直ブランキング期間内
にストロボが点灯する方法などが採られている。
しかし、これらの方法は特殊な装置を使用するた
めに、カメラが大型化し、コストの点でも不利で
あるうえ、使用上の制約も多いという欠点があ
り、完全な撮像装置とはいえないものであつた。
本願発明は、従来の固体撮像装置におけるかか
る欠点を解消すべくなされたもので、単位画素を
構成するフオトダイオードに蓄積された光信号電
荷を読み出す信号読み出しラインを２本設け、該
信号読み出しラインにより、一走査期間内にフオ
トダイオードの蓄積電荷を２回読み出させ、フオ
トダイオードの信号読み出しとリセツトとを別個
のタイミングで行うことによつて、露光期間を１
フレーム期間より短しくてシヤツター機能をもた
せ、高速で運動する対象物についても鮮明な画像
を撮像しうるようにすると共に、水平走査ライン
及び垂直走査ラインの数を画素配列数とほぼ同数
とし高密度化を可能とした固体撮像装置を提供す
ることを目的とするものである。
る欠点を解消すべくなされたもので、単位画素を
構成するフオトダイオードに蓄積された光信号電
荷を読み出す信号読み出しラインを２本設け、該
信号読み出しラインにより、一走査期間内にフオ
トダイオードの蓄積電荷を２回読み出させ、フオ
トダイオードの信号読み出しとリセツトとを別個
のタイミングで行うことによつて、露光期間を１
フレーム期間より短しくてシヤツター機能をもた
せ、高速で運動する対象物についても鮮明な画像
を撮像しうるようにすると共に、水平走査ライン
及び垂直走査ラインの数を画素配列数とほぼ同数
とし高密度化を可能とした固体撮像装置を提供す
ることを目的とするものである。
以下実施例に基づき本願発明を詳細に説明す
る。第２図は本願発明に係る固体撮像装置の基本
構成を示す図である。MOSトランジスタと、そ
のソース部に形成されているフオトダイオードと
で単位画素１-11，１-12，１-13，…を構成し、こ
れらの単位画素がマトリツクス状に配設されてい
る点は従来のものと同様である。Ｙ軸方向に配列
されている各単位画素を構成するMOSトランジ
スタの各ゲートは、それぞれ共通の水平走査ライ
ン９-1，９-2，…に接続されており、Ｘ軸方向に
配列されている各単位画素を構成するMOSトラ
ンジスタの各ドレインは、それぞれ共通の垂直走
査ライン１０-1，１０-2，…に接続されている。
そして、各水平走査ライン９-1，９-2，…は、水
平シフトレジスタ８に接続されており、各垂直走
査ライン１０-1，１０-2，…の両端は、MOSト
ランジスタからなる第１垂直選択スイツチ１１
-1，１１-2，…および第２垂直選択スイツチ１２
-1，１２-2，…を介して、第１および第２信号読
み出しライン１３，１４に接続されている。固体
撮像装置内には、第１および第２の２組の垂直シ
フトレジスタ１５，１６が備えられており、各シ
フトレジスタ１５，１６の出力は、それぞれ第１
および第２垂直選択スイツチ１１-1，１１-2，
…，１２-1，１２-2，…の各ゲートに接続されて
いる。
る。第２図は本願発明に係る固体撮像装置の基本
構成を示す図である。MOSトランジスタと、そ
のソース部に形成されているフオトダイオードと
で単位画素１-11，１-12，１-13，…を構成し、こ
れらの単位画素がマトリツクス状に配設されてい
る点は従来のものと同様である。Ｙ軸方向に配列
されている各単位画素を構成するMOSトランジ
スタの各ゲートは、それぞれ共通の水平走査ライ
ン９-1，９-2，…に接続されており、Ｘ軸方向に
配列されている各単位画素を構成するMOSトラ
ンジスタの各ドレインは、それぞれ共通の垂直走
査ライン１０-1，１０-2，…に接続されている。
そして、各水平走査ライン９-1，９-2，…は、水
平シフトレジスタ８に接続されており、各垂直走
査ライン１０-1，１０-2，…の両端は、MOSト
ランジスタからなる第１垂直選択スイツチ１１
-1，１１-2，…および第２垂直選択スイツチ１２
-1，１２-2，…を介して、第１および第２信号読
み出しライン１３，１４に接続されている。固体
撮像装置内には、第１および第２の２組の垂直シ
フトレジスタ１５，１６が備えられており、各シ
フトレジスタ１５，１６の出力は、それぞれ第１
および第２垂直選択スイツチ１１-1，１１-2，
…，１２-1，１２-2，…の各ゲートに接続されて
いる。
第３図は、第２図に示した固体撮像装置におけ
る水平および垂直走査パルスのタイミングチヤー
トを示す。ａは垂直同期信号φsyncで、ｂ，ｃ，
ｄは第１垂直シフトレジスタ１５より出力される
垂直走査パルスφVであり、ｅ，ｆ，ｇは第２
垂直シフトレジスタ１６より出力される垂直走査
パルスφVである。各垂直走査パルスφV，
φVとも３ライン分のみ図示している。φV，
φVのサフイツクスは各パルスの対応するライ
ンを示す。ｈは水平シフトレジスタ８より出力さ
れる水平走査パルスφH-1であり、１ライン分の
みを図示している。
る水平および垂直走査パルスのタイミングチヤー
トを示す。ａは垂直同期信号φsyncで、ｂ，ｃ，
ｄは第１垂直シフトレジスタ１５より出力される
垂直走査パルスφVであり、ｅ，ｆ，ｇは第２
垂直シフトレジスタ１６より出力される垂直走査
パルスφVである。各垂直走査パルスφV，
φVとも３ライン分のみ図示している。φV，
φVのサフイツクスは各パルスの対応するライ
ンを示す。ｈは水平シフトレジスタ８より出力さ
れる水平走査パルスφH-1であり、１ライン分の
みを図示している。
次に単位画素の動作について説明する。いま画
素１-11について考察すると、時刻T1には、垂直
走査パルスφV-1により第１垂直選択スイツチ
１１-1がONとなり、水平走査パルスφH-1により
画素１-11を構成しているMOSトランジスタが
ONとなるため、画素１-11のフオトダイオード５
が逆バイアスされる。続いて、時刻T2では、第
２垂直走査パルスφV-1により、第２垂直選択
スイツチ１２-1がONとなり、水平走査パルス
φH-1により、同じく画素１-11のMOSトランジ
スタがONとなり、時刻T1以降にフオトダイオー
ドに蓄積されていた光信号電荷は、第２信号読み
出しライン１４を通して流れ、フオトダイオード
５は再び逆バイアスされる。そして時刻T3にお
いては、時刻T1と同じく、垂直走査パルスφV
-1と水平走査パルスφH-1とにより、フオトダイ
オード５に蓄積されていた光信号電荷が第１信号
読み出しライン１３を通して流れると共に、フオ
トダイオード５は再び逆バイアスされる。
素１-11について考察すると、時刻T1には、垂直
走査パルスφV-1により第１垂直選択スイツチ
１１-1がONとなり、水平走査パルスφH-1により
画素１-11を構成しているMOSトランジスタが
ONとなるため、画素１-11のフオトダイオード５
が逆バイアスされる。続いて、時刻T2では、第
２垂直走査パルスφV-1により、第２垂直選択
スイツチ１２-1がONとなり、水平走査パルス
φH-1により、同じく画素１-11のMOSトランジ
スタがONとなり、時刻T1以降にフオトダイオー
ドに蓄積されていた光信号電荷は、第２信号読み
出しライン１４を通して流れ、フオトダイオード
５は再び逆バイアスされる。そして時刻T3にお
いては、時刻T1と同じく、垂直走査パルスφV
-1と水平走査パルスφH-1とにより、フオトダイ
オード５に蓄積されていた光信号電荷が第１信号
読み出しライン１３を通して流れると共に、フオ
トダイオード５は再び逆バイアスされる。
この説明から明らかなように、従来では光信号
電荷蓄積期間Ｔが、T3−T1＝33.3ｍsecに固定さ
れていたのが、本願発明による装置では、時刻
T2において第２信号読み出しライン１４から、
時刻T2までの間にフオトダイオードに蓄積され
ていた光信号電荷を流し去ることができるため、
第１信号読み出しライン１３から読み出されるフ
オトダイオードの光信号蓄積期間を、（T3−T2）
に短縮することが可能となる。この光信号電荷蓄
積期間（シヤツター時間）は、第２垂直走査パル
スφVの第１垂直走査パルスφVに対する遅延
時間を変えることにより、１ラインの水平走査期
間1H＝63.5μsecの整数倍の任意の値、すなわち、
63.5μsecより33.3ｍsecまでの範囲で任意に設定す
ることができる。
電荷蓄積期間Ｔが、T3−T1＝33.3ｍsecに固定さ
れていたのが、本願発明による装置では、時刻
T2において第２信号読み出しライン１４から、
時刻T2までの間にフオトダイオードに蓄積され
ていた光信号電荷を流し去ることができるため、
第１信号読み出しライン１３から読み出されるフ
オトダイオードの光信号蓄積期間を、（T3−T2）
に短縮することが可能となる。この光信号電荷蓄
積期間（シヤツター時間）は、第２垂直走査パル
スφVの第１垂直走査パルスφVに対する遅延
時間を変えることにより、１ラインの水平走査期
間1H＝63.5μsecの整数倍の任意の値、すなわち、
63.5μsecより33.3ｍsecまでの範囲で任意に設定す
ることができる。
第２図には、インターレース走査を省略した本
願発明に係る固体撮像装置の原理的なものを示し
たが、第４図は、インターレース走査回路を備え
た本願発明に係る固体撮像装置の一実施例の全体
構成を示す。第４図において、１-11，１-12，…
はMOSトランジスタとフオトダイオードとで構
成され、マトリツクス状に配設された単位画素で
あり、水平走査ライン９-1，９-2，…、および垂
直走査ライン１０-1，１０-2，…によつて選択動
作される。各水平走査ラインには水平シフトレジ
スタ８の出力端が接続されており、各種直走査ラ
インの両端には、MOSトランジスタからなる第
１垂直選択スイツチ１１-1，１１-2，…および第
２垂直選択スイツチ１２-1，１２-2，…を介し
て、第１および第２信号読み出しライン１３，１
４が接続されている。第１および第２垂直選択ス
イツチ１１-1，１１-2，…，１２-1，１２-2，…
の各ゲートには、それぞれMOSトランジスタか
らなる第１フイールド選択スイツチ１７-1，１７
-2，…および第２フイールド選択スイツチ１８
-1，１８-2，…を介して、第１および第２垂直シ
フトレジスタ１５，１６からの出力パルスが印加
される。なお、各垂直シフトレジスタ１５，１６
からの出力パルスは、２ライン毎のフイールド選
択スイツチに共通に供給するように構成されてい
る。第１および第２フイールド選択スイツチ１７
-1，１７-2，…，１８-1，１８-2，…の各ゲート
には、１ラインおきに交互にフイールド選択パル
スφF，φFと、このパルスφF，φFにイ
ンバータを介して得られるパルスが印加される。
フイールド選択パルスφFは、奇数フイールド
（奇数番目の各ラインを動作させて得られるフイ
ールド）期間中にはHIGHレベル、偶数フイール
ド（偶数番目の各ラインを動作させて得られるフ
イールド）期間中にはLOWレベルをとるパルス
であり、フイールド選択パルスφFは、後述の
フイールド選択パルスφFに対する遅延時間td
経過後の１フイールド走査期間がHIGHレベル
で、次の１フイールド走査期間がLOWレベルを
とるパルスである。
願発明に係る固体撮像装置の原理的なものを示し
たが、第４図は、インターレース走査回路を備え
た本願発明に係る固体撮像装置の一実施例の全体
構成を示す。第４図において、１-11，１-12，…
はMOSトランジスタとフオトダイオードとで構
成され、マトリツクス状に配設された単位画素で
あり、水平走査ライン９-1，９-2，…、および垂
直走査ライン１０-1，１０-2，…によつて選択動
作される。各水平走査ラインには水平シフトレジ
スタ８の出力端が接続されており、各種直走査ラ
インの両端には、MOSトランジスタからなる第
１垂直選択スイツチ１１-1，１１-2，…および第
２垂直選択スイツチ１２-1，１２-2，…を介し
て、第１および第２信号読み出しライン１３，１
４が接続されている。第１および第２垂直選択ス
イツチ１１-1，１１-2，…，１２-1，１２-2，…
の各ゲートには、それぞれMOSトランジスタか
らなる第１フイールド選択スイツチ１７-1，１７
-2，…および第２フイールド選択スイツチ１８
-1，１８-2，…を介して、第１および第２垂直シ
フトレジスタ１５，１６からの出力パルスが印加
される。なお、各垂直シフトレジスタ１５，１６
からの出力パルスは、２ライン毎のフイールド選
択スイツチに共通に供給するように構成されてい
る。第１および第２フイールド選択スイツチ１７
-1，１７-2，…，１８-1，１８-2，…の各ゲート
には、１ラインおきに交互にフイールド選択パル
スφF，φFと、このパルスφF，φFにイ
ンバータを介して得られるパルスが印加される。
フイールド選択パルスφFは、奇数フイールド
（奇数番目の各ラインを動作させて得られるフイ
ールド）期間中にはHIGHレベル、偶数フイール
ド（偶数番目の各ラインを動作させて得られるフ
イールド）期間中にはLOWレベルをとるパルス
であり、フイールド選択パルスφFは、後述の
フイールド選択パルスφFに対する遅延時間td
経過後の１フイールド走査期間がHIGHレベル
で、次の１フイールド走査期間がLOWレベルを
とるパルスである。
第４図において、奇数フイールドでは奇数番目
の垂直走査ラインに対応するフイールド選択スイ
ツチ１７-1，１７-3，…，１８-1，１８-3，…が
ONとなり、各垂直走査パルスφV，φVが垂
直走査ライン１０-1，１０-3，…に加わり、偶数
フイールドでは偶数番目の垂直走査ラインに対応
するフイールド選択スイツチ１８-2，１８-4，…
がONとなり、各垂直走査パルスφV，φVが
垂直走査ライン１０-2，１０-4に印加される。こ
のようにして、標準テレビジヨン方式に合致する
インターレース走査を行わせることができる。こ
の実施例においても、第１垂直走査パルスφV
と第２垂直走査パルスφVとの間、およびフイ
ールド選択パルスφF，φFとの間に適切な遅
延時間を与えることにより、第２図において説明
したと同様に、シヤツター機能をもたせることが
できる。
の垂直走査ラインに対応するフイールド選択スイ
ツチ１７-1，１７-3，…，１８-1，１８-3，…が
ONとなり、各垂直走査パルスφV，φVが垂
直走査ライン１０-1，１０-3，…に加わり、偶数
フイールドでは偶数番目の垂直走査ラインに対応
するフイールド選択スイツチ１８-2，１８-4，…
がONとなり、各垂直走査パルスφV，φVが
垂直走査ライン１０-2，１０-4に印加される。こ
のようにして、標準テレビジヨン方式に合致する
インターレース走査を行わせることができる。こ
の実施例においても、第１垂直走査パルスφV
と第２垂直走査パルスφVとの間、およびフイ
ールド選択パルスφF，φFとの間に適切な遅
延時間を与えることにより、第２図において説明
したと同様に、シヤツター機能をもたせることが
できる。
第５図は、第４図に示した固体撮像装置におけ
る垂直シフトレジスタの入出力パルスおよびフイ
ールド選択パルスのタイミングチヤートを示す。
CKは垂直シフトレジスタ１５，１６を駆動する
ための周波数fVのクロツクパルスであり、φF，
φFはそれぞれフイールド選択パルスで、φV
in，φVinはそれぞれ第１および第２垂直シフ
トレジスタ１５，１６の入力パルスである。図に
示すように光信号電荷蓄積期間（シヤツター期
間）tdは、フイールド選択パルスφFのφFに
対する遅延時間（第２垂直シフトレジスタ入力パ
ルスφVinの第１垂直シフトレジスタ入力パル
スφVinに対する遅延時間）tdに対し、ti＝2V
−tdの関係がある。なお2Vは２フイールド（１
フレーム）走査期間を示す。
る垂直シフトレジスタの入出力パルスおよびフイ
ールド選択パルスのタイミングチヤートを示す。
CKは垂直シフトレジスタ１５，１６を駆動する
ための周波数fVのクロツクパルスであり、φF，
φFはそれぞれフイールド選択パルスで、φV
in，φVinはそれぞれ第１および第２垂直シフ
トレジスタ１５，１６の入力パルスである。図に
示すように光信号電荷蓄積期間（シヤツター期
間）tdは、フイールド選択パルスφFのφFに
対する遅延時間（第２垂直シフトレジスタ入力パ
ルスφVinの第１垂直シフトレジスタ入力パル
スφVinに対する遅延時間）tdに対し、ti＝2V
−tdの関係がある。なお2Vは２フイールド（１
フレーム）走査期間を示す。
第４図において、１９は各単位画素１-11，１
-12，…と同様に、MOSトラジスタとフオトダイ
オードから構成され、且つ遮光されているダミー
セルである。ダミーセル１９のドレインは、ノイ
ズ読み出しライン２０に接続されている。第１信
号読み出しライン１３及びノイズ読み出しライン
２０からの出力は、差動アンプ２１に入力され、
クロツクによるスパイクノイズはキヤンセルされ
て、光信号電荷による信号のみが出力されるよう
に構成されている。第２図および第４図に示した
実施例においては、第２図から明らかなように、
水平走査パルスφHが各単位画素を構成している
MOSトランジスタのゲートに印加されるように
構成されているため、第１図に示した従来例のよ
うに、垂直走査パルスφVがゲートに印加される
場合に比較し、スパイクノイズがやや多く発生す
るが、上記の如きダミーセルを用いたノイズキヤ
ンセル回路を用いることにより、ほとんど支障が
生じない程度に減少させることができる。
-12，…と同様に、MOSトラジスタとフオトダイ
オードから構成され、且つ遮光されているダミー
セルである。ダミーセル１９のドレインは、ノイ
ズ読み出しライン２０に接続されている。第１信
号読み出しライン１３及びノイズ読み出しライン
２０からの出力は、差動アンプ２１に入力され、
クロツクによるスパイクノイズはキヤンセルされ
て、光信号電荷による信号のみが出力されるよう
に構成されている。第２図および第４図に示した
実施例においては、第２図から明らかなように、
水平走査パルスφHが各単位画素を構成している
MOSトランジスタのゲートに印加されるように
構成されているため、第１図に示した従来例のよ
うに、垂直走査パルスφVがゲートに印加される
場合に比較し、スパイクノイズがやや多く発生す
るが、上記の如きダミーセルを用いたノイズキヤ
ンセル回路を用いることにより、ほとんど支障が
生じない程度に減少させることができる。
なお、これらの実施例においては、水平走査パ
ルスφHが“１”レベルである期間（通常70nsec
前後）中に、フオトダイオードの蓄積電荷を読み
出さなければならないので、各単位画素を構成す
るMOSトランジスタのON抵抗を、従来例のも
のに比し小さく設計する必要があり、面積がやや
大きくなるが、単位画素は１トランジスタで構成
でき、回路構成は簡単なものである。
ルスφHが“１”レベルである期間（通常70nsec
前後）中に、フオトダイオードの蓄積電荷を読み
出さなければならないので、各単位画素を構成す
るMOSトランジスタのON抵抗を、従来例のも
のに比し小さく設計する必要があり、面積がやや
大きくなるが、単位画素は１トランジスタで構成
でき、回路構成は簡単なものである。
第６図は、本願発明に係る固体撮像装置の他の
実施例を示す。この実施例は、第１図に示した従
来例と同様に、各単位画素を構成するMOSトラ
ンジスタのゲートに垂直走査パルスφVが印加す
るように構成されている。各単位画素はフオトダ
イオード５と２個のMOSトランジスタ２２，２
３とで構成されている。第１のMOSトランジス
タ２２の各ドレインは第１水平走査ライン２４
-1，２４-2，…に、第2MOSトランジスタ２３の
各ドレインは第２水平走査ライン２５-1，２５
-2，…にそれぞれ接続されている。第1MOSトラ
ンジスタ２２の各ゲートは、第１垂直走査ライン
２６-1，２６-2，…に、第2MOSトランジスタ２
３の各ゲートは、第２垂直走査ライン２７-1，２
７-2，…それぞれ接続されている。第１水平走査
ライン２４-1，２４-2，…はMOSトランジスタ
からなる水平選択スイツチ２８-1，２８-2，…を
介して第１信号読み出しライン１３に接続され、
第２水平走査ライン２５-1，２５-2，…は、同じ
くMOSトランジスタからなる水平選択スイツチ
２９-1，２９-2，…を介して、第２信号読み出し
ライン１４に接続されている。水平選択スイツチ
２８-1，２８-2，…の各ゲートは、第１水平シフ
トレジスタ３０の出力端子に、水平選択スイツチ
２９-1，２９-2，…の各ゲートは、第２水平シフ
トレジスタ３１の出力端子に、それぞれ接続され
ている。第１垂直走査ライン２６-1，２６-2，…
は、第１垂直シフトレジスタ１５の各出力端子
に、また第２垂直走査ライン２７-1，２７-2，…
は、第２垂直シフトレジスタ１６の各出力端子に
それぞれ接続されている。
実施例を示す。この実施例は、第１図に示した従
来例と同様に、各単位画素を構成するMOSトラ
ンジスタのゲートに垂直走査パルスφVが印加す
るように構成されている。各単位画素はフオトダ
イオード５と２個のMOSトランジスタ２２，２
３とで構成されている。第１のMOSトランジス
タ２２の各ドレインは第１水平走査ライン２４
-1，２４-2，…に、第2MOSトランジスタ２３の
各ドレインは第２水平走査ライン２５-1，２５
-2，…にそれぞれ接続されている。第1MOSトラ
ンジスタ２２の各ゲートは、第１垂直走査ライン
２６-1，２６-2，…に、第2MOSトランジスタ２
３の各ゲートは、第２垂直走査ライン２７-1，２
７-2，…それぞれ接続されている。第１水平走査
ライン２４-1，２４-2，…はMOSトランジスタ
からなる水平選択スイツチ２８-1，２８-2，…を
介して第１信号読み出しライン１３に接続され、
第２水平走査ライン２５-1，２５-2，…は、同じ
くMOSトランジスタからなる水平選択スイツチ
２９-1，２９-2，…を介して、第２信号読み出し
ライン１４に接続されている。水平選択スイツチ
２８-1，２８-2，…の各ゲートは、第１水平シフ
トレジスタ３０の出力端子に、水平選択スイツチ
２９-1，２９-2，…の各ゲートは、第２水平シフ
トレジスタ３１の出力端子に、それぞれ接続され
ている。第１垂直走査ライン２６-1，２６-2，…
は、第１垂直シフトレジスタ１５の各出力端子
に、また第２垂直走査ライン２７-1，２７-2，…
は、第２垂直シフトレジスタ１６の各出力端子に
それぞれ接続されている。
この実施例においては、フオトダイオード５に
よる光信号蓄積電荷は、第1MOSトランジスタ２
２−第１水平走査ライン２４-1，２４-2，…−第
１信号読み出しライン１３の経路、および第
2MOSトランジスタ２３−第２水平走査ライン２
５-1，２５-2，…−第２信号読み出しライン１４
の経路により、信号読み出しが可能である。した
がつて、第１水平シフトレジスタ３０と第１垂直
シフトレジスタ１５とによる走査タイミングと、
第２水平シフトレジスタ３１と第２垂直シフトレ
ジスタ１６とによる走査タイミングとの間に、時
間差tdを与えておけば、第２図に示した実施例と
同様に、ti＝2V−td（但し、2Vは１フレーム走査
期間）で与えられる時間tiをシヤツター時間とし
て設定することができる。
よる光信号蓄積電荷は、第1MOSトランジスタ２
２−第１水平走査ライン２４-1，２４-2，…−第
１信号読み出しライン１３の経路、および第
2MOSトランジスタ２３−第２水平走査ライン２
５-1，２５-2，…−第２信号読み出しライン１４
の経路により、信号読み出しが可能である。した
がつて、第１水平シフトレジスタ３０と第１垂直
シフトレジスタ１５とによる走査タイミングと、
第２水平シフトレジスタ３１と第２垂直シフトレ
ジスタ１６とによる走査タイミングとの間に、時
間差tdを与えておけば、第２図に示した実施例と
同様に、ti＝2V−td（但し、2Vは１フレーム走査
期間）で与えられる時間tiをシヤツター時間とし
て設定することができる。
第７図は、更に他の実施例を示すものである。
第６図に示した実施例においては、水平走査ライ
ンおよび垂直走査ラインの数が、それぞれ水平、
垂直方向の画素配列数の２倍必要としたが、この
実施例においては、これらを画素配列数とほぼ同
数とすることができる。各単位画素は、第６図に
示した実施例と同様に、フオトダイオード５と２
個のMOSトランジスタ２２，２３とで構成され
ている。MOSトランジスタ２２および２３の各
ドレインは、例えば画素１-11の第2MOSトラン
ジスタ２３のドレインと画素１-12の第1MOSト
ランジスタ２２のドレインが、共通の水平走査ラ
イン９-2に接続されるように、隣り合う画素ごと
に共通の水平走査ライン９に接続されている。但
し両端の水平走査ラインには第1MOSトランジス
タ２２のドレインのみ、あるいは第2MOSトラン
ジスタ２３のドレインのみが接続されている。両
端の水平走査ラインを除く各水平走査ライン９
-2，９-3，…には、それぞれMOSトランジスタ
からなる２つの水平選択スイツチ３２，３２′が
接続されており、その各ドレインが第１信号読み
出しライン１３および第２信号読み出しライン１
４に接続されている。なお、両端の水平走査ライ
ンには１個づつの水平選択スイツチが接続され、
その各ドレインが第１および第２信号読み出しラ
イン１３，１４にそれぞれ接続されている。隣り
合つた各水平走査ラインに接続されている。それ
ぞれ２個の水平選択スイツチ３２，３２′のうち、
第１信号読み出しライン１３に接続されている一
方のスイツチ３２と、第２信号読み出しライン１
４に接続されている他方のスイツチ３２′の各ゲ
ートを共通に接続して、水平シフトレジスタ８の
各出力端子に接続している。各画素を構成する
MOSトランジスタ２２，２３の各ゲートは垂直
ラインに接続されているが、奇数（偶数）フイー
ルド用画素においては、第1MOSトランジスタ２
２のゲートは奇数（偶数）番目の垂直走査ライン
に、第2MOSトランジスタ２３のゲートは偶数
（奇数）番目の垂直走査ラインに接続されている。
各垂直走査ライン１０の両端には、MOSトラン
ジスタからなるフイールド選択スイツチ１７-1，
１７-2，…，１８-1，１８-2，…が接続されてお
り、隣り合つた２つの垂直ラインにそれぞれ接続
されたフイールド選択スイツチ、例えば１７-1と
１７-2，１８-1と１８-2は、垂直シフトレジスタ
１５，１６の同一出力端子に接続されている。フ
イールド選択スイツチ１７-1，１７-2，…，１８
-1，１８-2，…の各ゲートには、奇数フイールド
用にはフイールド選択パルスφF又はφFが、
偶数フイールド用にはφF又はφFをインバー
タを介して得られるパルスが印加されている。
第６図に示した実施例においては、水平走査ライ
ンおよび垂直走査ラインの数が、それぞれ水平、
垂直方向の画素配列数の２倍必要としたが、この
実施例においては、これらを画素配列数とほぼ同
数とすることができる。各単位画素は、第６図に
示した実施例と同様に、フオトダイオード５と２
個のMOSトランジスタ２２，２３とで構成され
ている。MOSトランジスタ２２および２３の各
ドレインは、例えば画素１-11の第2MOSトラン
ジスタ２３のドレインと画素１-12の第1MOSト
ランジスタ２２のドレインが、共通の水平走査ラ
イン９-2に接続されるように、隣り合う画素ごと
に共通の水平走査ライン９に接続されている。但
し両端の水平走査ラインには第1MOSトランジス
タ２２のドレインのみ、あるいは第2MOSトラン
ジスタ２３のドレインのみが接続されている。両
端の水平走査ラインを除く各水平走査ライン９
-2，９-3，…には、それぞれMOSトランジスタ
からなる２つの水平選択スイツチ３２，３２′が
接続されており、その各ドレインが第１信号読み
出しライン１３および第２信号読み出しライン１
４に接続されている。なお、両端の水平走査ライ
ンには１個づつの水平選択スイツチが接続され、
その各ドレインが第１および第２信号読み出しラ
イン１３，１４にそれぞれ接続されている。隣り
合つた各水平走査ラインに接続されている。それ
ぞれ２個の水平選択スイツチ３２，３２′のうち、
第１信号読み出しライン１３に接続されている一
方のスイツチ３２と、第２信号読み出しライン１
４に接続されている他方のスイツチ３２′の各ゲ
ートを共通に接続して、水平シフトレジスタ８の
各出力端子に接続している。各画素を構成する
MOSトランジスタ２２，２３の各ゲートは垂直
ラインに接続されているが、奇数（偶数）フイー
ルド用画素においては、第1MOSトランジスタ２
２のゲートは奇数（偶数）番目の垂直走査ライン
に、第2MOSトランジスタ２３のゲートは偶数
（奇数）番目の垂直走査ラインに接続されている。
各垂直走査ライン１０の両端には、MOSトラン
ジスタからなるフイールド選択スイツチ１７-1，
１７-2，…，１８-1，１８-2，…が接続されてお
り、隣り合つた２つの垂直ラインにそれぞれ接続
されたフイールド選択スイツチ、例えば１７-1と
１７-2，１８-1と１８-2は、垂直シフトレジスタ
１５，１６の同一出力端子に接続されている。フ
イールド選択スイツチ１７-1，１７-2，…，１８
-1，１８-2，…の各ゲートには、奇数フイールド
用にはフイールド選択パルスφF又はφFが、
偶数フイールド用にはφF又はφFをインバー
タを介して得られるパルスが印加されている。
第８図は、第７図に示した実施例における垂直
シフトレジスタの出力、およびフイールド選択パ
ルスのタイミングチヤートを示す。φF，φV
-1，φV-2は、第１垂直シフトレジスタ１５側
のフイールド選択パルス、垂直シフトレジスタの
第１段目および第２段目の出力であり、φF，
φV-1，φV-2は、第２垂直シフトレジスタ１
６側のフイールド選択パルス、第２垂直シフトレ
ジスタ１６の第１段目および第２段目の出力であ
る。そして、これらのパルス間および出力間には
遅延時間tdが与えられている。また、第８図にお
いて、ＡはφV-1のA′部分の拡大図で、ＢはφV
-1のB′部分の拡大図であり、φH-1は水平シフ
トレジスタ８の第１段目の出力パルスの拡大図で
ある。いま、画素１-11について考察すると、時
刻T2にはφFおよびφV-1により垂直走査ライ
ン１０-2を介して第2MOSトランジスタ２３が
ONになり、またφH-1により水平選択スイツチ
３２′がONとなることによつて、水平走査ライ
ン９-2と第２信号読み出しライン１４とが接続さ
れ、フオトダイオード５の電荷が読み出されリセ
ツトされる。時刻T3においては、φFおよび
φV-1により垂直走査ライン１０-1を介してト
ランジスタ２２がONとなり、またφH-1により
水平選択スイツチ３２がONとなることによつ
て、水平走査ライン９-1と第１信号読み出しライ
ン１３とが接続され、フオトダイオード５の蓄積
電荷が信号として読み出される。したがつて、蓄
積時間は、（T3−T2）となる。
シフトレジスタの出力、およびフイールド選択パ
ルスのタイミングチヤートを示す。φF，φV
-1，φV-2は、第１垂直シフトレジスタ１５側
のフイールド選択パルス、垂直シフトレジスタの
第１段目および第２段目の出力であり、φF，
φV-1，φV-2は、第２垂直シフトレジスタ１
６側のフイールド選択パルス、第２垂直シフトレ
ジスタ１６の第１段目および第２段目の出力であ
る。そして、これらのパルス間および出力間には
遅延時間tdが与えられている。また、第８図にお
いて、ＡはφV-1のA′部分の拡大図で、ＢはφV
-1のB′部分の拡大図であり、φH-1は水平シフ
トレジスタ８の第１段目の出力パルスの拡大図で
ある。いま、画素１-11について考察すると、時
刻T2にはφFおよびφV-1により垂直走査ライ
ン１０-2を介して第2MOSトランジスタ２３が
ONになり、またφH-1により水平選択スイツチ
３２′がONとなることによつて、水平走査ライ
ン９-2と第２信号読み出しライン１４とが接続さ
れ、フオトダイオード５の電荷が読み出されリセ
ツトされる。時刻T3においては、φFおよび
φV-1により垂直走査ライン１０-1を介してト
ランジスタ２２がONとなり、またφH-1により
水平選択スイツチ３２がONとなることによつ
て、水平走査ライン９-1と第１信号読み出しライ
ン１３とが接続され、フオトダイオード５の蓄積
電荷が信号として読み出される。したがつて、蓄
積時間は、（T3−T2）となる。
以上の動作はすべての画素について成立し、
（2V−Td）で与えられる時間のみ露光を行なう
というシヤツター機能が与えられる。この実施例
では、一画素につき２個のMOSトランジスタを
要するが、これらのMOSトランジスタのゲート
には垂直走査パルスが加わるように構成している
ため、信号読み出しは水平ブランキング期間中
（約10μsec）に行なわれればよく、したがつて、
MOSトランジスタのオン抵抗は従来例のものと
同様に比較的大きくてよい。また、この実施例で
は、奇数（偶数）フイールド用フオトダイオード
のリセツト用トランジスタのゲートを、偶数（奇
数）フイールド用垂直走査ラインを用いて走査す
るように構成しているので、垂直走査ラインは画
素配列数と同数でよい。水平走査ラインも隣接す
る画素で信号読み出し用とリセツト用を共用する
ように構成しているので、画素配列数より１本多
いだけでよく、したがつて、高密度化が容易にな
り、装置寸法を小さくすることができる。
（2V−Td）で与えられる時間のみ露光を行なう
というシヤツター機能が与えられる。この実施例
では、一画素につき２個のMOSトランジスタを
要するが、これらのMOSトランジスタのゲート
には垂直走査パルスが加わるように構成している
ため、信号読み出しは水平ブランキング期間中
（約10μsec）に行なわれればよく、したがつて、
MOSトランジスタのオン抵抗は従来例のものと
同様に比較的大きくてよい。また、この実施例で
は、奇数（偶数）フイールド用フオトダイオード
のリセツト用トランジスタのゲートを、偶数（奇
数）フイールド用垂直走査ラインを用いて走査す
るように構成しているので、垂直走査ラインは画
素配列数と同数でよい。水平走査ラインも隣接す
る画素で信号読み出し用とリセツト用を共用する
ように構成しているので、画素配列数より１本多
いだけでよく、したがつて、高密度化が容易にな
り、装置寸法を小さくすることができる。
以上実施例に基づき詳細に説明したように、本
願発明は、従来のMOS型XYアドレス方式の固
体撮像装置の回路構成を変更して、フオトダイオ
ードの蓄積電荷を読み出す信号読み出しラインを
２個設け、これにより一走査期間内にフオトダイ
オードの蓄積電荷を２回読み出させるように構成
したので、固体撮像装置自体にシヤツター機能を
もたせることができる。また本発明は、水平走査
ライン及び垂直走査ラインの数を画素配列数とほ
ぼ同数とすることができるので、高密度化が容易
となり、小型化を計ることができる。また本願発
明に係る固体撮像装置は、従来のMOS型固体撮
像装置と全く同一の半導体集積回路製造プロセス
により製造することができるので、従来のものと
同一の製造コストで、シヤツター機能をもつ固体
撮像装置を得ることができる。さらにまた、本願
発明に係る固体撮像装置は、上記の如く、信号読
み出しラインを２個備えているので、第２の読み
出しラインを用いて、画像処理、測光等の新たな
機能を行わせることもできる。
願発明は、従来のMOS型XYアドレス方式の固
体撮像装置の回路構成を変更して、フオトダイオ
ードの蓄積電荷を読み出す信号読み出しラインを
２個設け、これにより一走査期間内にフオトダイ
オードの蓄積電荷を２回読み出させるように構成
したので、固体撮像装置自体にシヤツター機能を
もたせることができる。また本発明は、水平走査
ライン及び垂直走査ラインの数を画素配列数とほ
ぼ同数とすることができるので、高密度化が容易
となり、小型化を計ることができる。また本願発
明に係る固体撮像装置は、従来のMOS型固体撮
像装置と全く同一の半導体集積回路製造プロセス
により製造することができるので、従来のものと
同一の製造コストで、シヤツター機能をもつ固体
撮像装置を得ることができる。さらにまた、本願
発明に係る固体撮像装置は、上記の如く、信号読
み出しラインを２個備えているので、第２の読み
出しラインを用いて、画像処理、測光等の新たな
機能を行わせることもできる。
第１図Ａは、従来のMOS型固体撮像装置の回
路構成を示す図、第１図Ｂは、第１図Ａに示した
装置の単位画素の構成を示す断面図、第２図は、
本願発明に係る固体撮像装置の第１の実施例の回
路構成を示す図、第３図は、第２図に示した装置
の動作を説明するための各部の信号のタイミング
チヤート、第４図は、第２の実施例の回路構成を
示す図、第５図は、第４図に示した装置の各部の
信号のタイミングチヤート、第６図は、第３の実
施例の回路構成を示す図、第７図は、更に他の実
施例の回路構成を示す図、第８図は、第７図に示
した実施例の動作を説明するための各部の信号の
タイミングチヤートである。 図において、１-11，１-12，…は単位画素、２
は単位画素を構成するMOSトランジスタのソー
ス、３はゲート、４はドレイン、５はフオトダイ
オード、６は垂直シフトレジスタ、７は水平選択
スイツチ、８は水平シフトレジスタ、９-1，９
-2，…は水平走査ライン、１０-1，１０-2，…は
垂直走査ライン、１１-1，１１-2，…，１２-1，
１２-2，…は垂直選択スイツチ、１３，１４は第
１および第２信号読み出しライン、１５，１６は
第１および第２垂直シフトレジスタ、１７-1，１
７-2，…，１８-1，１８-2，…は第１および第２
フイールド選択スイツチ、１９はダミーセル、２
０はノイズ読み出しライン、２１は差動アンプ、
２２，２３は第１および第2MOSトランジスタ、
２４-1，２４-2，…，２５-1，２５-2，…は第１
および第２水平走査ライン、２６-1，２６-2，
…，２７-1，２７-2，…は第１および第２垂直走
査ライン、２８-1，２８-2，…，２９-1，２９
-2，…は水平選択スイツチ、３０，３１は第１お
よび第２水平シフトレジスタ、３２，３２′は水
平選択スイツチを示す。
路構成を示す図、第１図Ｂは、第１図Ａに示した
装置の単位画素の構成を示す断面図、第２図は、
本願発明に係る固体撮像装置の第１の実施例の回
路構成を示す図、第３図は、第２図に示した装置
の動作を説明するための各部の信号のタイミング
チヤート、第４図は、第２の実施例の回路構成を
示す図、第５図は、第４図に示した装置の各部の
信号のタイミングチヤート、第６図は、第３の実
施例の回路構成を示す図、第７図は、更に他の実
施例の回路構成を示す図、第８図は、第７図に示
した実施例の動作を説明するための各部の信号の
タイミングチヤートである。 図において、１-11，１-12，…は単位画素、２
は単位画素を構成するMOSトランジスタのソー
ス、３はゲート、４はドレイン、５はフオトダイ
オード、６は垂直シフトレジスタ、７は水平選択
スイツチ、８は水平シフトレジスタ、９-1，９
-2，…は水平走査ライン、１０-1，１０-2，…は
垂直走査ライン、１１-1，１１-2，…，１２-1，
１２-2，…は垂直選択スイツチ、１３，１４は第
１および第２信号読み出しライン、１５，１６は
第１および第２垂直シフトレジスタ、１７-1，１
７-2，…，１８-1，１８-2，…は第１および第２
フイールド選択スイツチ、１９はダミーセル、２
０はノイズ読み出しライン、２１は差動アンプ、
２２，２３は第１および第2MOSトランジスタ、
２４-1，２４-2，…，２５-1，２５-2，…は第１
および第２水平走査ライン、２６-1，２６-2，
…，２７-1，２７-2，…は第１および第２垂直走
査ライン、２８-1，２８-2，…，２９-1，２９
-2，…は水平選択スイツチ、３０，３１は第１お
よび第２水平シフトレジスタ、３２，３２′は水
平選択スイツチを示す。
Claims (1)
- １ マトリツクス状に配設された単位画素と、該
単位画素を走査するための垂直及び水平走査ライ
ンと、該垂直及び水平走査ラインを駆動するため
の走査パルスを出力する垂直及び水平シフトレジ
スタと、単位画素に蓄積された光信号電荷を読み
出す２個の信号読み出しラインとを備え、該信号
読み出しラインにより一走査期間内に各単位画素
の蓄積電荷を２回読み出させることによつてシヤ
ツター機能をもたせるようにした固体撮像装置に
おいて、前記単位画素はソースを共通に接続した
第１及び第２の２個のMOSトランジスタと該２
個のMOSトランジスタのソース共通接続点に一
端を接続し他端をGNDに接続したフオトダイオ
ードとで構成され、垂直走査ラインは、各単位画
素の第1MOSトランジスタのゲートと該単位画素
の垂直方向に隣接する単位画素の第2MOSトラン
ジスタのゲートとに共通に接続され、水平走査ラ
インは、各単位画素の第2MOSトランジスタのド
レインと該単位画素の水平方向に隣接する単位画
素の第1MOSトランジスタのドレインとに共通に
接続され、２個の信号読み出しラインは、第１及
び第２の選択スイツチをそれぞれ介して各水平走
査ラインに共通に接続され、前記第１の選択スイ
ツチ及び隣接する水平走査ラインに接続された第
２の選択スイツチは、水平シフトレジスタの出力
により共通に制御されるように構成したことを特
徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57139934A JPS5930376A (ja) | 1982-08-13 | 1982-08-13 | 固体撮像装置 |
| DE3329119A DE3329119C2 (de) | 1982-08-13 | 1983-08-11 | Festkörper-Bildaufnahmewandler |
| US06/522,351 US4603355A (en) | 1982-08-13 | 1983-08-11 | Solid state image pick-up device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57139934A JPS5930376A (ja) | 1982-08-13 | 1982-08-13 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5930376A JPS5930376A (ja) | 1984-02-17 |
| JPH0417509B2 true JPH0417509B2 (ja) | 1992-03-26 |
Family
ID=15257064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57139934A Granted JPS5930376A (ja) | 1982-08-13 | 1982-08-13 | 固体撮像装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JPS5930376A (ja) |
| DE (1) | DE3329119C2 (ja) |
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Also Published As
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