JPS6211264A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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JPS6211264A
JPS6211264A JP60149228A JP14922885A JPS6211264A JP S6211264 A JPS6211264 A JP S6211264A JP 60149228 A JP60149228 A JP 60149228A JP 14922885 A JP14922885 A JP 14922885A JP S6211264 A JPS6211264 A JP S6211264A
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JP
Japan
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solid
state image
image sensors
image pickup
state
Prior art date
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Pending
Application number
JP60149228A
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English (en)
Inventor
Takashi Murayama
任 村山
Kenji Suzuki
賢治 鈴木
Ryuji Kondo
近藤 隆二
Makoto Shizukuishi
誠 雫石
Hiroshi Tamayama
宏 玉山
Takashi Yano
孝 矢野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6211264A publication Critical patent/JPS6211264A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/41Extracting pixel data from a plurality of image sensors simultaneously picking up an image, e.g. for increasing the field of view by combining the outputs of a plurality of sensors

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 侠遺υ九野 本発明は固体撮像装置、とくにカラー撮像用または色性
り処理用の固体撮像装置に関する。
背景技術 カラー撮像用の固体撮像型こは、従来単板式、三板式、
三板式がある。
このうち単板式の固体撮像装置は、被写体からの入射光
をストライプフィルタまたはモザイクフィルタを通過さ
せ、たとえばR,G、Hの3包成分光を1個の固体撮像
素子に入射させて撮像を行うものである。
この方式の装置は、三原色の同時撮像でないため画像の
質が低く1通常出力としてG成分の信号を重視し、G成
分の感光セルをR,B成分より多く設けているため、R
,B成分の解像力が落ち、被写体によっては色モアレが
発生する。また、たとえばネガフィルムに写された画像
の色補正のような色信号処理をするために、固体撮像素
子の同−の点におけるR、G、B各信号のバランスを謂
へたいときにも、同一点における複数の色成分の信号を
得ることができない欠点がある。
三板式の固体撮像装置は、被写体からの入射光の3包成
分を3個の固体撮像素子にそれぞれ入射させて、撮像を
行うものである。
この方式の装置は三原色の同時撮像方式であるため忠実
度の高い美しいカラー画像が得られ、上記単板式の装置
の欠点を解消することができるが、3個の固体撮像素子
を使用するため、3個の固体撮像素子の相対的な位置合
わせが困難であった。
すなわち、各々の固体撮像素子に色分離フィルタとレン
ズを配置し、入射光をそれぞれのフィルタおよびレンズ
を通してそれぞれの固体撮像素子に入射させる装置にお
いては、各々の固体撮像素子に同一の画像が結像するよ
うにするための各々の固体撮像素子の相互の位置合わせ
の作業が困難だった。
また、レンズを1個とし、レンズを通過させた入射光を
プリズムにより3包成分に分解して3個の固体撮像素f
に入射させる装置の場合には、プリズムが高価であり、
複数の固体撮像素子をレンズの焦点に配置されるように
それぞれ所定の位置に固定するのが難しかった。
目   的 本発明はこのような従来技術の欠点を解消し、複数の固
体撮像素子を用いた固体撮像装置において、固体撮像素
子相互の位置を合わせることの不要な固体撮像装置を提
供することを目的とする。
&」y1肢不 本発明によれば、複数の固体撮像素子を有し。
入射光に含まれる複数の成分光を複数の固体撮像素子の
撮像面にそれぞれ結像させて撮像する固体撮像装置は、
複数の固体撮像素子が、1つの半導体チップにモノリシ
ックに形成されているものである。
実施例の説明 次に添付図面を参照して本発明による固体撮像装置の実
施例を詳細に説明する。
第1図を参照すると、本発明による固体撮像装置δの一
実施例は、1つのシリコンチップ1に、R,G、B33
成分の撮像を行う3個の金属酸化j1り半導体(MOS
)型固体撮像素子2.3.4が形成されている。
各々の固体撮像素子2,3.4は、固体撮像素子2によ
り例を示すように、1つの画素に対応する映像信号を形
成する感光セル20が行列方向に配列され、2次元の感
光セルアレイを構成している。同図では、図の複雑化を
避けるため、3水平行、3垂直列分の感光セル20Lか
示されていないが、実際には、画像の再生に十分な解像
度が得られるように、両方向とも多数の感光セル20が
配列されている。
固体撮像素子3.4も図示しないが、固体撮像素子2と
同様に多数の感光セル20が行列方向に配列され2次元
の感光セルアレイを構成している。
各感光セル20は、入射光に応じた光電荷を発生してそ
の接合領域に蓄積する感光領域としてのフォトダイオー
ド21と、その蓄積電荷に応じた信号電流を読み出すた
めの読み出しゲートとしての絶縁ゲート電界効果トラン
ジスタ(IGFET) 22とを含む、フォトダイオー
ド21の陰極はICFET 22のソース・ドレイン路
を通して読み出し信号線23に、その垂直列のICFE
T 22について共通に接続されている。フォトダイオ
ード21の陽極は接地されている。
IGFET 22のゲート電極は、3つの固体撮像素子
2.3.4の水平行の各ICFET 22.32.42
について共通に読み出し駆動線12に接続されている。
読み出し信号線23は、ICFET 24のソース・ド
レイン路を通して出力線25に共通に接続されている。
この出力線25は、抵抗26を通して他の基準電圧Vr
efにプルアップされている。
各IGFET 24のゲー゛トは、水平シフトレジスタ
27の各レジスタ段に接続されている。水平シフトレジ
スタは固体撮像素子ごとに1個ずつ用意されている(2
7 、37.47)。
水平シフトレジスタ27は、入力端子28に与えられた
単一パルスが端子29の駆動クロックHCLKに応動し
て各レジスタ段を順次シフトするシフトレジスタである
。この駆動クロックHCLKは、画素周波数で与えられ
、この速度で水平方向に読み出し線23を選択し、ゲー
ト24を順次付勢する映像信号読み出し回路として機能
する。端子28の単一パルスは水平同期信号の周波数で
午えられる。
3つの固体撮像素子2,3.4に共通の読み出し駆動線
12は垂直シフトレジスタ14の各レジスタ段に接続さ
れている。垂直シフトレジスタ14は入力端子1Bに与
えられた単一パルスが端子18の駆動クロックVCLK
に応動して各レジスタ段を順次シフトするシフトレジス
タである。この駆動クロックVCLKは、水平同期信号
の周波数で与えられ、この速度で垂直方向に読み出し駆
動線12を選択し、その水平行のゲート22を一斉に付
勢する垂直列選択回路として機能する。端子1Bの単一
パルスは垂直同期信号の周波数で与えられる。
3つの固体撮像素子2.3.4の感光セルアレイは前記
のように1つの゛ト導体チップ1に形成されている。
このような固体撮像装置を用いて撮像を行う場合には、
例えば第2図に示すように、3つの固体撮像素子2,3
.4の形成されたチップ1に対し、3個のレンズ201
 、301 、401を、それぞれの焦点が固体撮像素
子2.3.4の撮像面と一致するように配置するととも
に、各々の固体撮像素子2,3.4に色分離フィルタ2
02 、302 、402を配置する。3個のレンズ2
01 、301 、401を配置する代わりに、対応す
る複数の焦点を有する単一の複数焦点レンズ(図示せず
)を用いてもよい。
被写体3からの光はレンズ201 、301 、401
、フィルタ202 、302.402を通過して3つの
固体撮像素子2.3.4にR,G、Bの3包成分がそれ
ぞれ入射する。固体撮像素子2.3.4においては入射
光に応じて各感光セル20.30.40のフォトダイオ
ード21.31.41に光電荷が発生し、その接合領域
に蓄積される。
各感光セル20.30.40に蓄積された映像信号の読
み出しは、パルスVPが垂直シフトレジスタ14の端子
16に、パルスHPが各水平シフトレジスタ27.37
.47の端子28.38.48にそれぞれ入力されて行
われる。これにより垂直シフトレジスタ14および水平
シフトレジスタ27.37.47が順次シフトし、感光
セルアレイのラスク走査による映像信号の順次読み出し
が行われる。
例えばある時刻において1行目の選択線12が選択され
るとともに、固体撮像素子2.3.4の各々の1列目の
IGFET 24.34.44のゲートが駆動される。
そこで固体撮像素子2,3.4の各々の1行目1列目の
セル20a 、 30a 、 40aのフォトダイオー
ド21.31.41に蓄積されていた光電荷に応じたレ
ベルの電流が各々の電源Vrefから抵抗26.36、
4G、1列目のICFET 24.34.44のソース
・ドレーン路およびセル20a 、 30a 、 40
aのICFET22.32.42を通してフォトダイオ
ード21.31.41に流れ込み、この電流による抵抗
28.313.4Bの電圧の変化が他の利用回路によっ
て映像信号とじて出力端子25.35.45からセンス
される。
次のある時刻においては、1行目の選択線12がそのま
ま選択されており、固体撮像素子2,3.4の各々の2
列目のICFET 24.34.44のゲートが駆動さ
れる。そこで固体撮像素子2,3.4の各々の1行目2
列目のセル20b 、 30b 、 40bのフォトダ
イオード21.31.41に蓄積されていた光電荷に応
じたレベルの電流が各々の電源Vrefから抵抗2B、
3B、46,2列目のIGFET 24.34.44の
ソース・ドレーン路およびセル20b 、 30b 、
 40bのICFET 22.32.42を通してダイ
オード21.31.41に流れ込み、この電流による抵
抗28.3G、46の電圧の変化が他の利用回路によっ
て映像信号として出力端子25.35.45からセンス
される。
同様にして垂直列のICFET 24.34.44のゲ
ートを順次走査することにより、1行目の水平走査線の
映像信号の読み出しが行われる。この場合、垂直シフト
レジスタ14により、3つの固体撮像素子2.3.4に
共通の1行目の読み出し駆動線12が選択されており、
各固体撮像素子2.3.4の水平シフトレジスタ27.
37.47がそれぞれ垂直列のIGFET 24.34
.44のゲートを順次走査することにより、各固体撮像
素子2,3.4の1行目の水平走査線の映像信号の順次
読み出しが行われる。
次に他の水平行について同様に順次読み出しを行うこと
により、3つの固体撮像素子2.3.4それぞれの1フ
イールドのラスク走査映像信号が出力25.35.45
から直列に出力される。
このように本実施例では、1つの半導体チップ1に3つ
の固体撮像素子2.3.4をモノリシックに形成し、カ
ラー撮像を行っている。したがって3個の固体撮像素子
2,3.4を相互に位置合わせする必要がなく、位置合
わせのための複雑な調整作業を省くことができる。
また、垂直シフトレジスタ14は3つの固体撮像素子2
.3.4に共通に使用できるから1つで済ませることが
できる。
本実施例によれば、カラー撮像の場合に3つの固体撮像
素子2,3.4によりR,G、B33成分の搬像をそれ
ぞれ行うから品質の高い美しい画像を得ることができる
。また、画像の同一点における複数の色情報を得ること
ができるから、色値り処理の場合にも有利に使用できる
17s3図には他の実施例が示され、1個の半導体チッ
プ1に、R,G、B33成分の撮像を行う3個の垂直イ
ンターライン転送型電荷結合素子(IT(Ic:[1)
を用いた固体撮像素子5.B、7が形成されている。
各々の固体撮像素子5.6.7は、それぞれ3列のフォ
トダイオード51.81.71からなる電荷蓄積部とフ
ォトダイオード51.81.71に蓄積された電荷を垂
直に転送するそれぞれ3列の垂直転送用CCDすナワチ
VCCD52.62.72トVCCD52.132.7
2ニより垂直に転送された電荷を水平に転送する水平転
送用CCOすなわちHe(:[153,63,73とか
らなる。
VCGD52の駆動電極は、多結晶シリコンにより有利
に構成され、例えば第4図(、a)(b)に部分的に示
すような形状の電極55.5fl、 57で構成され、
それぞれ水平方向の共通の駆動線85.86.87に接
続されている。3つの固体撮像素子5.8.7のvcc
52.62.72の電極は、共通の駆動線85.8B、
87にヨリvcco’itt極駆動部81.82ニ接続
サレ、VCCDiCCD電極駆動部81より共通に駆動
される。VCCD電極駆動部81.82は第3図のよう
に3つのCCD 5.6.7の両側に設けて同時に駆・
動してもよいし、いずれか1つのみとしてもよい。
このような固体撮像装置を用いて撮像を行う場合にも、
例えば第2図に示すように、3個のレンズ201 、3
01 、401およびフィルタ202 、302.40
2をチップ1に形成された3つの固体撮像素子5.8.
7にそれぞれ配置して行う。3つの固体撮像素子5,8
.7においては入射光のR,G、Bの3包成分に応じて
フォトダイオード51.81.71に光電荷が発生し、
M積される。
3つの固体撮像素子5,8.7のフォトダイオード51
.61.71に蓄積された電荷は、それぞれのフォトダ
イオード51.61.71に隣接するvcc。
52.82.72に一斉に転送される。
VCCD52.62.72はVCCD電極駆動部81.
82ニヨり共通に駆動され、VC:CD52.62.7
2に転送された電荷はVCCD52、[12,72によ
り一斉に1画素分だけ弔直に転送される。各V(C:0
52、ej、 72により電荷が一斉に転送されると、
転送された最初の1画十分の電荷はH(’CD53.6
3.73に蓄積される。ICCD53゜63.73に蓄
積された一水平走査線分の電荷は、ICCD53.83
.73により水平に転送され、増幅器54.64.74
を通して出力端子58.68.78から順次出力される
。3つの固体撮像素子5,8、?により撮像された信号
は、出力端子59.68.79から一斉に出力される。
次に再び各VCCD52.62.72により電荷が1画
素分だけ垂直に転送され、転送された最初の1画素分の
電荷はICCD53.63.73により水平に転送され
、増幅器54.64.74を通して出力端子58.68
.79から出力される。このようにして順次読み出しを
行うことにより、3つの固体撮像素子5.6.7それぞ
れの1フイールドのラスク走査映像信号が出力端子59
.89.79から直列に出力される。
この実施例においても、1つの半導体チップ1に3つの
固体撮像素子5.8.7をモノリシックに形成し、カラ
ー撮像を行っている。したがって3個の固体撮像素子5
.6.7を相互に位置合わせする必要がなく、位置合わ
せのための複雑な調整作業を省くことができる。
また、VCCD電極駆動部81.82は3つの固体撮像
素子5.e、7のC;CD52.62.72に共通に使
用できる。しかも3つの固体撮像素子5J、7によりR
,G、B33成分の撮像をそれぞれ行うから、品質の高
い美しい画像を得ることができ、また画像の同一点にお
ける複数の色情報を得ることができるから、色信号処理
の場合に有利に使用できる。
第5図にはさらに他の実施例が示され、1個の半導体チ
ップlに、R,G、B33成分の撮像を行う3個のMO
S型固体撮像素子2.3.4が縦方向に形成されている
この実施例の各々の固体撮像素子2,3.4は第1図の
実施例と同様に構成され、3つのMOS型固体撮像素子
は縦方向に配列されているが、第1図の実施例と同様に
垂直シフトレジスタ14が共通に使用され、3つのMO
S型固体撮像素子の水モ方向の読み出し選択線は前向シ
フトレジスタにより一斉に選択されるようになっている
したがって固体撮像素子2.3.4からの信号の順次読
み出しは3つの固体撮像素子から同時に行われる。
第6図にはさらに他の実施例が示され、第5図の実施例
と同様に、1個の半導体チップ1に、R,G、B33成
分の撮像を行う3個のMOS型固体撮像素子2.3.4
が縦方向に形成されている。
この実施例の各々の固体撮像素子2.3.4も第1図の
実施例と同様に構成されているが、3つのMOS型固体
撮像素子は垂直シフトレジスタ14が共通に使用されて
おらず、3つのMOS型固体撮像素子の水平方向の読み
出し選択線は固体撮像素子ごとに垂直シフトレジスタに
より選択されるようになっている。
したがって固体撮像素子2.3.4からの信号の順次読
み出しは、最初に固体撮像素子2、次に固体撮像素子3
、最後に固体撮像素子4の順で。
面順次に行われる。
第7図にはさらに他の実施例が示され、1個の半導体チ
ップ1に、R,G、B33成分の撮像を行うCCDを用
いた3個の固体撮像素子5.El、7が縦方向に形成さ
れている。
この実施例の各々の固体撮像素子5.8.7は第3図の
実施例と同様に構成され、3つの固体撮像素子5,8.
7は縦方向に配列されているが、第3図の実施例と同様
にvccn電極駆動部が共通に使用され、各々の固体撮
像素子5.6.7のvccn電極はVCCD電極駆動部
により一斉に駆動されるようになっている。
したがって固体撮像素子5.8.7からの信号の順次読
み出しは3つの固体撮像素子から同時に行われる。
第8図にはさらに他の実施例が示され、1個の半導体チ
ップ1に、R,G、B33成分の撮像を行うCODを用
いた3個の固体撮像素子5.8.7が縦方向に形成され
ている。
この実施例の各々の固体撮像素子5.6.7も第3図の
実施例と同様に構成されているが、3つの固体撮像素子
5.8.7はVCCD電極駆動部が共通に使用されてお
らず、3つの固体撮像素子5.6.7のVCC:D電極
は固体撮像素子ごとにvcco電極駆!!91部により
駆動されるようになっている。
したがって固体撮像素子5.8.7からの信号の順次読
み出しは、最初に固体撮像素子5、次に固体撮像素子6
、最後に固体撮像素子7の順で、面順次に行われる。
なお、以上の実施例においては1つのチップに3つの固
体撮像素子をモノリシックに形成したものについて説明
したが、1つのチップに形成する固体撮像素子の数は使
用目的に応じて任意の数とすればよい。
効  果 このように本発明では、1つのチップに複数の固体撮像
素子をモノリシックに形成しているから、複数の固体撮
像素子を相互に位置合わせする必要がなく、位置合わせ
のための複雑な調整作業を省くことができる。
しかも複数の固体撮像素子により撮像をそれぞれ行うか
ら、カラー撮像の場合に品質の高い美しい画像を得るこ
とができ、また画像の同一点における複数の色情報を得
ることができるから、色信号処理の場合にも有利に使用
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による固体撮像装置の一実施例を示す概
略回路ブロー2り図、 第2図は第1図の固体撮像装置の使用例を示す概略図、 第3図は本発明による固体撮像装置の他の実施例を示す
概略図、 第4図(a)は第3図のvccn電極の一部省略平面図
。 第4図(b)は第4図(a)のB−B線断面図、第5図
は本発明による固体撮像装置の他の実施例を示す概略図
、 第6図は本発明による固体撮像装置の他の実施例を示す
概略図、 第7図は本発明による固体撮像装置の他の実施例を示す
概略図、 第8図は本発明による固体撮像装置の他の実施例を示す
概略図である。 主要部分の符号の説明 1 、、、、、、チップ 2.3,4.、固体撮像素子 5.6,7.lC:0 14、、、、、、垂直シフトレジスタ 20、、、、、、感光セル 27.37.471.水平シフトレジスタ51.61.
711.電荷蓄積部 52.62.72 、 、 VCCD 53.83.73. 、HCCD 81、82. 、 、 、 VCC:D電極駆動部特許
出願人 富士写真フィルム株式会社代 理 人 番数 
孝雄 第4図 (b) 第5図 第7図 第8図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、複数の固体撮像素子を有し、入射光に含まれる複数
    の成分光を前記複数の固体撮像素子の撮像面にそれぞれ
    結像させて撮像する固体撮像装置において、該装置は、 前記複数の固体撮像素子が、1つの半導体チップにモノ
    リシックに形成されていることを特徴とする固体撮像装
    置。 2、特許請求の範囲第1項記載の装置において、前記複
    数の固体撮像素子が金属酸化膜半導体型固体撮像素子で
    あり、1つの垂直シフトレジスタを共通に使用するもの
    であることを特徴とする固体撮像装置。 3、特許請求の範囲第1項記載の装置において、前記複
    数の固体撮像素子が電荷結合素子を用いた固体撮像素子
    であり、各々の電荷結合素子の垂直転送用電極が共通に
    駆動されるものであることを特徴とする固体撮像装置。
JP60149228A 1985-07-09 1985-07-09 固体撮像装置 Pending JPS6211264A (ja)

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