JPH04174435A - 投影露光用マスク - Google Patents
投影露光用マスクInfo
- Publication number
- JPH04174435A JPH04174435A JP2302210A JP30221090A JPH04174435A JP H04174435 A JPH04174435 A JP H04174435A JP 2302210 A JP2302210 A JP 2302210A JP 30221090 A JP30221090 A JP 30221090A JP H04174435 A JPH04174435 A JP H04174435A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- projection exposure
- pattern
- exposure mask
- dust
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 8
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- 239000011651 chromium Substances 0.000 abstract description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 abstract description 2
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレジストを被覆した半導体基板と投影露光用マ
スクとの位置合せを行って露光を施こす投影露光装置用
の投影露光用マスクに関する。
スクとの位置合せを行って露光を施こす投影露光装置用
の投影露光用マスクに関する。
従来、この種の投影露光用マスクは、第３図に示す様に
２．３ｍｍ厚程度の石英の板２０片面に１０００人程度
０厚さのクロムパターン３を形成したものとなっていた
。投影露光用マスクのクロムパターン側の面は投影露光
装置において、ウェハー面と共役となる様に精度良く保
持部４の保持面５で保持され、露光が行われていた。
２．３ｍｍ厚程度の石英の板２０片面に１０００人程度
０厚さのクロムパターン３を形成したものとなっていた
。投影露光用マスクのクロムパターン側の面は投影露光
装置において、ウェハー面と共役となる様に精度良く保
持部４の保持面５で保持され、露光が行われていた。
上述した従来の投影露光用マスクは、マスク基板の表面
に遮光パターンを設けていたため以下のような欠点があ
った。投影露光用マスク（以下マスクとする）に塵埃等
が付着するとそのまま半導体ウェハー上に転写され、不
良の原因となるため、マスクは清浄に保つ必要がある。
に遮光パターンを設けていたため以下のような欠点があ
った。投影露光用マスク（以下マスクとする）に塵埃等
が付着するとそのまま半導体ウェハー上に転写され、不
良の原因となるため、マスクは清浄に保つ必要がある。
投影露光装置においてはマスクの遮光パターン面とウェ
ハー面が共役となり、ウェハー面上に結像しやすく、共
役面でないマスクの遮光パターン面の裏側の面に付着し
た塵埃よりも大きな問題となった。また、従来マスクの
洗浄にはブラシを用いていたため、遮光パターンのエツ
ジにブラシのカスが付着したり、他の塵埃が付着してし
まう問題があった。
ハー面が共役となり、ウェハー面上に結像しやすく、共
役面でないマスクの遮光パターン面の裏側の面に付着し
た塵埃よりも大きな問題となった。また、従来マスクの
洗浄にはブラシを用いていたため、遮光パターンのエツ
ジにブラシのカスが付着したり、他の塵埃が付着してし
まう問題があった。
上述した従来のマスクに対し、本発明は、遮光パターン
をマスク内部に設けるという相違点を有する。
をマスク内部に設けるという相違点を有する。
本発明のマスクは、フォトレジストを被覆した半導体基
板と投影露光用マスクとの位置合せを施こす投影露光装
置に使用する投影露光用マスクにおいて、遮光パターン
をマスク基板内部に設けた事を特徴としている。
板と投影露光用マスクとの位置合せを施こす投影露光装
置に使用する投影露光用マスクにおいて、遮光パターン
をマスク基板内部に設けた事を特徴としている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図および一部拡大図
である。マスクｌは石英２の板と内蔵されるクロムパタ
ーン３よりなる。クロムパターン３はパターン上面６が
平面となってマスクの保持部４の高さの保持面５から精
度良く保たれている。
である。マスクｌは石英２の板と内蔵されるクロムパタ
ーン３よりなる。クロムパターン３はパターン上面６が
平面となってマスクの保持部４の高さの保持面５から精
度良く保たれている。
露光時は保持部４を投影露光機側の吸着面で保持し、ク
ロムパターン３がウェハー面と共役な位置に保たれ、良
好な露光が得られる。
ロムパターン３がウェハー面と共役な位置に保たれ、良
好な露光が得られる。
第２図は本発明の他の実施例の縦断面図および一部拡大
図である。第１図の実施例とほぼ同様の構造であるが、
マスクの保持部４は他の部分より薄くなり、従来のマス
クと同様の厚さとなっていてクロムパターン３上面と保
持面５は同一面となっている。このため従来のマスク第
３図と同様に取扱う事が可能となり、従来の投影露光装
置で使用する事が可能となる。
図である。第１図の実施例とほぼ同様の構造であるが、
マスクの保持部４は他の部分より薄くなり、従来のマス
クと同様の厚さとなっていてクロムパターン３上面と保
持面５は同一面となっている。このため従来のマスク第
３図と同様に取扱う事が可能となり、従来の投影露光装
置で使用する事が可能となる。
以上説明したように本発明は、遮光パターンをマスク基
板内部に設けた事により、マスク表面に付着した塵埃等
がウェハー面と共役でなくなり、デフォーカスとなるた
め、万−塵埃等が付着した場合に結像しにくくなり、ま
た小さな塵埃は結像させない事が可能となる。また、マ
スクの洗浄を行う際に遮光パターンがマスク表面に無い
ため、従来の様に洗浄中に遮光パターンのエツジに洗浄
ブラシのカスが付着するとか、その他の塵埃が付着する
事が無くなり、簡単にマスク表面を洗浄する事が可能と
なる。
板内部に設けた事により、マスク表面に付着した塵埃等
がウェハー面と共役でなくなり、デフォーカスとなるた
め、万−塵埃等が付着した場合に結像しにくくなり、ま
た小さな塵埃は結像させない事が可能となる。また、マ
スクの洗浄を行う際に遮光パターンがマスク表面に無い
ため、従来の様に洗浄中に遮光パターンのエツジに洗浄
ブラシのカスが付着するとか、その他の塵埃が付着する
事が無くなり、簡単にマスク表面を洗浄する事が可能と
なる。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図および一部拡大図
、第２図は本発明の他の実施例の縦断面図および一部拡
大図、第３図は従来のマスクの縦断面図および一部拡大
図である。 １・・・・・・マスク、２・・・・・・石英、３・・・
・・・タームパターン、４・・・・・・保持部、５・・
・・・・保持面、６・・・・・・パターン上面。 代理人 弁理士 内 原 晋 ３ クロ４バターシ ＼ ３７０４パターン 〆 第２図 νに
、第２図は本発明の他の実施例の縦断面図および一部拡
大図、第３図は従来のマスクの縦断面図および一部拡大
図である。 １・・・・・・マスク、２・・・・・・石英、３・・・
・・・タームパターン、４・・・・・・保持部、５・・
・・・・保持面、６・・・・・・パターン上面。 代理人 弁理士 内 原 晋 ３ クロ４バターシ ＼ ３７０４パターン 〆 第２図 νに
Claims (1)
- レジストを被覆した半導体基板と、投影露光用マスクと
の位置合わせを行って露光を施こす投影露光装置に使用
する投影露光用マスクにおいて、遮光パターンをマスク
基板内部に設けた事を特徴とする投影露光用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2302210A JPH04174435A (ja) | 1990-11-07 | 1990-11-07 | 投影露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2302210A JPH04174435A (ja) | 1990-11-07 | 1990-11-07 | 投影露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04174435A true JPH04174435A (ja) | 1992-06-22 |
Family
ID=17906282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2302210A Pending JPH04174435A (ja) | 1990-11-07 | 1990-11-07 | 投影露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04174435A (ja) |
-
1990
- 1990-11-07 JP JP2302210A patent/JPH04174435A/ja active Pending
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