JPH04174365A - 半導体ｇセンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体Ｇセンサのアセンブリに関するもので
ある。

〔従来の技術〕

第２図は従来の半導体Ｇセンサの構造を示す断面図であ
り、図において、（１）はＧセンサチップ、（２）はＧ
センサチップ（１）に大きな出力感度を得るために形成
されるダイヤフラム、（４）はＧセンサチップ（１）を
支える台座、（５）は台座（４）が固定されるパッケー
ジベース、（６）は出力感度をより大きくするためのお
もりである。

次に動作について説明する。裏面にダイヤフラム（２）
が形成されたＧセンサチップ（１）の表面に図示しない
抵抗ブリッジを形成し、Ｇ（加速度）に従って出力か変
化することを利用して加速度を検出する。そのとき出力
感度を向上させるためにＧセンサチップ（１）のビーム
先端におもり（６）を装着している。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の半導体Ｇセンサは以上のように構成されているの
で、おもり装着時に強度的に弱いダイヤフラム部でＧセ
ンサチップが折れやすいなどの問題点があった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、おもり装着に関するアセンブリの作業性を向
上させ、簡易化した半導体Ｇセンサを得ることを目的と
する。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る半導体Ｇセンサは、Ｇセンサチップのビ
ーム先端にはんだをのせたものである。

〔作用〕

この発明において、ビーム先端にはんだによってはんだ
おもりを形成することにより、従来おもり装着時の過大
な力がダイヤフラムに加わらなくなる。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、（１）、（２）、（４）、（５）は第２図
の従来例に示したものと同等であるので説明を省略する
。（３ａ）ははんだで形成されるはんだおもり、（３ｂ
）ははんだをのせるため、及びはんだをのせる量と位置
を決めるためのアルミパッドである。

次いで動作について説明する。動作は第２図の従来例と
同じであるが、従来、おもり（６）を設けた代りにアル
ミパッド（３ｂ）及びはんだおもり（３ａ）を設ける点
だけが異なる。ウェハプロセスの段階でＧセンサチップ
のビーム先端の表裏にアルミパッド（３ｂ）を形成し、
アルミパッド（３ｂ）上にはんだを溶融してのせ、はん
だおもり（３ａ）を形成する。

【発明の効果〕

以上のようにこの発明によれば、Ｇセンサチップのビー
ム先端に形成されたアルミパッド上にはんだを溶融して
のせるので、はんだおもり形成時に過大な力が加わらず
、チップ折れか発生しなくなり、また、アルミパッドの
形状や位置や大きさをコントロールすることて重心の位
置をコントロールてきるのて加速度に対する感度につい
て、高い精度か得られる効果かある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例による半導体Ｇセンサの構
造を示す断面図、第２図は従来の半導体Ｇセンサの構造
を示す断面図である。 図において、（１）はＧセンサチップ、（２）はダイヤ
フラム、（３ａ）ははんだおもり、（３ｂ）はアルミパ
ッド、（４）は台座、（５）はパッケージベースである
。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体Ｇセンサにおいて、出力感度向上用のはんだお
   もりをＧセンサチップのビーム先端にはんだを用いて形
   成したことを特徴とする半導体Ｇセンサ。