JPH04174365A - 半導体gセンサ - Google Patents
半導体gセンサInfo
- Publication number
- JPH04174365A JPH04174365A JP30154890A JP30154890A JPH04174365A JP H04174365 A JPH04174365 A JP H04174365A JP 30154890 A JP30154890 A JP 30154890A JP 30154890 A JP30154890 A JP 30154890A JP H04174365 A JPH04174365 A JP H04174365A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- solder
- weight
- sensor
- sensitivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims abstract description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 abstract description 6
- 230000005484 gravity Effects 0.000 abstract description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体Gセンサのアセンブリに関するもので
ある。
ある。
第2図は従来の半導体Gセンサの構造を示す断面図であ
り、図において、(1)はGセンサチップ、(2)はG
センサチップ(1)に大きな出力感度を得るために形成
されるダイヤフラム、(4)はGセンサチップ(1)を
支える台座、(5)は台座(4)が固定されるパッケー
ジベース、(6)は出力感度をより大きくするためのお
もりである。
り、図において、(1)はGセンサチップ、(2)はG
センサチップ(1)に大きな出力感度を得るために形成
されるダイヤフラム、(4)はGセンサチップ(1)を
支える台座、(5)は台座(4)が固定されるパッケー
ジベース、(6)は出力感度をより大きくするためのお
もりである。
次に動作について説明する。裏面にダイヤフラム(2)
が形成されたGセンサチップ(1)の表面に図示しない
抵抗ブリッジを形成し、G(加速度)に従って出力か変
化することを利用して加速度を検出する。そのとき出力
感度を向上させるためにGセンサチップ(1)のビーム
先端におもり(6)を装着している。
が形成されたGセンサチップ(1)の表面に図示しない
抵抗ブリッジを形成し、G(加速度)に従って出力か変
化することを利用して加速度を検出する。そのとき出力
感度を向上させるためにGセンサチップ(1)のビーム
先端におもり(6)を装着している。
従来の半導体Gセンサは以上のように構成されているの
で、おもり装着時に強度的に弱いダイヤフラム部でGセ
ンサチップが折れやすいなどの問題点があった。
で、おもり装着時に強度的に弱いダイヤフラム部でGセ
ンサチップが折れやすいなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、おもり装着に関するアセンブリの作業性を向
上させ、簡易化した半導体Gセンサを得ることを目的と
する。
たもので、おもり装着に関するアセンブリの作業性を向
上させ、簡易化した半導体Gセンサを得ることを目的と
する。
この発明に係る半導体Gセンサは、Gセンサチップのビ
ーム先端にはんだをのせたものである。
ーム先端にはんだをのせたものである。
この発明において、ビーム先端にはんだによってはんだ
おもりを形成することにより、従来おもり装着時の過大
な力がダイヤフラムに加わらなくなる。
おもりを形成することにより、従来おもり装着時の過大
な力がダイヤフラムに加わらなくなる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図において、(1)、(2)、(4)、(5)は第2図
の従来例に示したものと同等であるので説明を省略する
。(3a)ははんだで形成されるはんだおもり、(3b
)ははんだをのせるため、及びはんだをのせる量と位置
を決めるためのアルミパッドである。
図において、(1)、(2)、(4)、(5)は第2図
の従来例に示したものと同等であるので説明を省略する
。(3a)ははんだで形成されるはんだおもり、(3b
)ははんだをのせるため、及びはんだをのせる量と位置
を決めるためのアルミパッドである。
次いで動作について説明する。動作は第2図の従来例と
同じであるが、従来、おもり(6)を設けた代りにアル
ミパッド(3b)及びはんだおもり(3a)を設ける点
だけが異なる。ウェハプロセスの段階でGセンサチップ
のビーム先端の表裏にアルミパッド(3b)を形成し、
アルミパッド(3b)上にはんだを溶融してのせ、はん
だおもり(3a)を形成する。
同じであるが、従来、おもり(6)を設けた代りにアル
ミパッド(3b)及びはんだおもり(3a)を設ける点
だけが異なる。ウェハプロセスの段階でGセンサチップ
のビーム先端の表裏にアルミパッド(3b)を形成し、
アルミパッド(3b)上にはんだを溶融してのせ、はん
だおもり(3a)を形成する。
以上のようにこの発明によれば、Gセンサチップのビー
ム先端に形成されたアルミパッド上にはんだを溶融して
のせるので、はんだおもり形成時に過大な力が加わらず
、チップ折れか発生しなくなり、また、アルミパッドの
形状や位置や大きさをコントロールすることて重心の位
置をコントロールてきるのて加速度に対する感度につい
て、高い精度か得られる効果かある。
ム先端に形成されたアルミパッド上にはんだを溶融して
のせるので、はんだおもり形成時に過大な力が加わらず
、チップ折れか発生しなくなり、また、アルミパッドの
形状や位置や大きさをコントロールすることて重心の位
置をコントロールてきるのて加速度に対する感度につい
て、高い精度か得られる効果かある。
第1図はこの発明の一実施例による半導体Gセンサの構
造を示す断面図、第2図は従来の半導体Gセンサの構造
を示す断面図である。 図において、(1)はGセンサチップ、(2)はダイヤ
フラム、(3a)ははんだおもり、(3b)はアルミパ
ッド、(4)は台座、(5)はパッケージベースである
。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
造を示す断面図、第2図は従来の半導体Gセンサの構造
を示す断面図である。 図において、(1)はGセンサチップ、(2)はダイヤ
フラム、(3a)ははんだおもり、(3b)はアルミパ
ッド、(4)は台座、(5)はパッケージベースである
。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体Gセンサにおいて、出力感度向上用のはんだお
もりをGセンサチップのビーム先端にはんだを用いて形
成したことを特徴とする半導体Gセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30154890A JPH04174365A (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | 半導体gセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30154890A JPH04174365A (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | 半導体gセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04174365A true JPH04174365A (ja) | 1992-06-22 |
Family
ID=17898264
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30154890A Pending JPH04174365A (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | 半導体gセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04174365A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19523171A1 (de) * | 1994-10-12 | 1996-04-18 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterbeschleunigungssensor |
-
1990
- 1990-11-06 JP JP30154890A patent/JPH04174365A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19523171A1 (de) * | 1994-10-12 | 1996-04-18 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterbeschleunigungssensor |
DE19523171C2 (de) * | 1994-10-12 | 2000-03-02 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterbeschleunigungssensor |
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