JPH01301176A - 半導体加速度センサ - Google Patents
半導体加速度センサInfo
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- JPH01301176A JPH01301176A JP13307488A JP13307488A JPH01301176A JP H01301176 A JPH01301176 A JP H01301176A JP 13307488 A JP13307488 A JP 13307488A JP 13307488 A JP13307488 A JP 13307488A JP H01301176 A JPH01301176 A JP H01301176A
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- semiconductor
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 15
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 4
- OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N [Si].[Au] Chemical compound [Si].[Au] OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000008642 heat stress Effects 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体からなる支持ば９にピエゾ抵抗を形成
し加速度を検出する半導体加速度センサに関し、特に台
座への固着手段の改良にかかわる。
し加速度を検出する半導体加速度センサに関し、特に台
座への固着手段の改良にかかわる。
ｔｇＳ図及び第４図は、例えば特開昭５９−９９３５６
号公報に示された従来の半導体加速度センナの要部を示
す平面図及び正面断面図である。図にお込て、ユはシリ
コン基板で、裏面からＴ＃２と表側から切込み溝３とが
エツチングにょシ形成され、中央部の重ｐ部４と、この
重シ部４に他端が連らなｐｌ一端が縁部６に連らなって
固定支持の支持ばシ５が４箇所形成されている。各支持
ば）５の固定端付近の表面には拡散などにょｐピエゾ抵
抗７が形成されており、接続配線及び′１を極が形成さ
れているが図示は略す。これらの抵抗γはブリッジ回路
に構成され、出方電圧が取出される。８は絶縁層である
。
号公報に示された従来の半導体加速度センナの要部を示
す平面図及び正面断面図である。図にお込て、ユはシリ
コン基板で、裏面からＴ＃２と表側から切込み溝３とが
エツチングにょシ形成され、中央部の重ｐ部４と、この
重シ部４に他端が連らなｐｌ一端が縁部６に連らなって
固定支持の支持ばシ５が４箇所形成されている。各支持
ば）５の固定端付近の表面には拡散などにょｐピエゾ抵
抗７が形成されており、接続配線及び′１を極が形成さ
れているが図示は略す。これらの抵抗γはブリッジ回路
に構成され、出方電圧が取出される。８は絶縁層である
。
上記のように構成された加速度センサ索子は、シリコン
からなる台座９上に、ガラス粉本を含むエポキシ化合物
からなる接着剤１ｏによシ縁部６の表面が全面に接合さ
れている。
からなる台座９上に、ガラス粉本を含むエポキシ化合物
からなる接着剤１ｏによシ縁部６の表面が全面に接合さ
れている。
上記のような従来の半導体加速度センサでは、基板ｌの
縁部６の裏面が全面で台座８に接着てれておシ、双方間
の熱応力で基板１が変形し、検出精度が低下するという
問題点があった。
縁部６の裏面が全面で台座８に接着てれておシ、双方間
の熱応力で基板１が変形し、検出精度が低下するという
問題点があった。
この発明は、このような問題点を解決するためになされ
たもので、台座とこれに接合された基板との間の熱応力
を緩和し、これによる検出精度の低下をなくした半導体
加速度センサを得ることを目的としている。
たもので、台座とこれに接合された基板との間の熱応力
を緩和し、これによる検出精度の低下をなくした半導体
加速度センサを得ることを目的としている。
この発明にかかる半導体加速度センサは、半導体基板に
、四周の縁部に一端部が固定された少なくとも２箇所の
柔軟性のある支持ばシと、これらの支持ばりの他端に連
らなる重９部とを形成し、各支持ば）の固定端付近の表
面に複数のピエゾ抵抗を形成し、これらの抵抗をブリッ
ジ回路に構成し、長方形の台座の対応する両辺上面に辺
方向の中央に外側寄り位置に一対の狭い幅の突出受座を
設け、この突出座面に上記基板の縁部の裏面の一部を接
合固定したものである〇 〔作用〕 この発明においては、基板は縁部の一部のみで台座の一
対の突出受座に接合されており、台座との間の熱応力が
逃され、検出精度の低下がなくされる。
、四周の縁部に一端部が固定された少なくとも２箇所の
柔軟性のある支持ばシと、これらの支持ばりの他端に連
らなる重９部とを形成し、各支持ば）の固定端付近の表
面に複数のピエゾ抵抗を形成し、これらの抵抗をブリッ
ジ回路に構成し、長方形の台座の対応する両辺上面に辺
方向の中央に外側寄り位置に一対の狭い幅の突出受座を
設け、この突出座面に上記基板の縁部の裏面の一部を接
合固定したものである〇 〔作用〕 この発明においては、基板は縁部の一部のみで台座の一
対の突出受座に接合されており、台座との間の熱応力が
逃され、検出精度の低下がなくされる。
第１図及び第２図はこの発明による半導体加速度センサ
の一実施例を示す概要平面図及び正面断面図である。図
において、１１は単結晶シリコンからなる長方形の基板
、１２は基板１１の裏面からエツチングによ多形成され
た１４部で、表面からエツチングによ多形成された切込
み溝部１３．１！：によシ、中央部に重り部１４と、両
側一対の支持はシ１５と、四周の縁部１６とを形成して
いる。支持ばり１５は薄肉にされ、たわみやすくしてお
９、表面に拡散などによシ４箇所のピエゾ抵抗１７が形
成てれ、ブリッジ回路に構成されている。１日は二酸化
シリコンなどからなる絶縁層である。なお、接続配線及
び電極は図示を略している。１９はシリコンからなる長
方形の台座で、上面には、対応する二辺の辺長方向の中
央位置に、外側寄りに一対の突出受座１９ａが小さい幅
で形成されている。
の一実施例を示す概要平面図及び正面断面図である。図
において、１１は単結晶シリコンからなる長方形の基板
、１２は基板１１の裏面からエツチングによ多形成され
た１４部で、表面からエツチングによ多形成された切込
み溝部１３．１！：によシ、中央部に重り部１４と、両
側一対の支持はシ１５と、四周の縁部１６とを形成して
いる。支持ばり１５は薄肉にされ、たわみやすくしてお
９、表面に拡散などによシ４箇所のピエゾ抵抗１７が形
成てれ、ブリッジ回路に構成されている。１日は二酸化
シリコンなどからなる絶縁層である。なお、接続配線及
び電極は図示を略している。１９はシリコンからなる長
方形の台座で、上面には、対応する二辺の辺長方向の中
央位置に、外側寄りに一対の突出受座１９ａが小さい幅
で形成されている。
上記基板１１が縁部ユ６裏面で、例えば金シリコン共晶
合金などによる接合材２］Ｃよシ突出受座１９ａに接合
され固定されている。
合金などによる接合材２］Ｃよシ突出受座１９ａに接合
され固定されている。
このように、基板１１は縁ｓ１６の裏面の一部のみで突
出受座１９ａ Ｋ接合されておシ、台座１９の熱変形な
どの影響は少なく、これによるＭ度の低下はなくされる
。
出受座１９ａ Ｋ接合されておシ、台座１９の熱変形な
どの影響は少なく、これによるＭ度の低下はなくされる
。
以上のように、この発明によれば、台座の対応する両辺
の上部に、辺方向の中央位置に外側寄りに小ぢい幅の一
対の突出受座を設け、基板１１を縁部１６の裏面の一部
のみで上記突出受座に接合して固定したので、基板１１
が台座の熱変形の影響を受けず、検出精度の低下がなく
される。
の上部に、辺方向の中央位置に外側寄りに小ぢい幅の一
対の突出受座を設け、基板１１を縁部１６の裏面の一部
のみで上記突出受座に接合して固定したので、基板１１
が台座の熱変形の影響を受けず、検出精度の低下がなく
される。
第１図はこの発明による半導体力ｌ１ｌａ度センサの一
実施例を示す概要平面図、第２図は鶏１図の■−ｎ線に
おける断面図、第３図は従来の半桿体加速度センサの概
要平面図、第４図は第３図のｆｆ −■線における断面
図である。 １１・・・半導体基板、１２・・・溝部、１３・・・切
込み溝部、１４・・・重り部、１５・・・支持ば９．１
６・・・ｆ＃、ｇｌｓ 。 １７・・・ピエゾ抵抗、１９・・・台座、１９ａ・・・
突出受座なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す
。
実施例を示す概要平面図、第２図は鶏１図の■−ｎ線に
おける断面図、第３図は従来の半桿体加速度センサの概
要平面図、第４図は第３図のｆｆ −■線における断面
図である。 １１・・・半導体基板、１２・・・溝部、１３・・・切
込み溝部、１４・・・重り部、１５・・・支持ば９．１
６・・・ｆ＃、ｇｌｓ 。 １７・・・ピエゾ抵抗、１９・・・台座、１９ａ・・・
突出受座なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す
。
Claims (1)
- 裏面からの溝部と表面からの切欠き溝とにより、中央
部に重り部と、四周の縁部と、この縁部に一端が固定端
として連なり、他端が可動端として上記重り部に連なり
、固定端近くが薄肉部にされた少なくとも２箇所の支持
ばりとが形成された半導体基板、上記支持ばりの薄肉部
の表面部に形成され、ブリツジ回路に構成された複数の
ピエゾ抵抗、及び上記半導体基板の対応する両辺の縁部
の裏面に対応し、辺方向の中央に外側寄りに位置し、狭
い幅にされた両側一対の突出受座が上面に設けられ、こ
れらの突出受座に上記半導体基板の縁部を載せ接合した
台座を備えた半導体加速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13307488A JPH01301176A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 半導体加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13307488A JPH01301176A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 半導体加速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01301176A true JPH01301176A (ja) | 1989-12-05 |
Family
ID=15096238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13307488A Pending JPH01301176A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 半導体加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01301176A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6332359B1 (en) | 1997-04-24 | 2001-12-25 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor sensor chip and method for producing the chip, and semiconductor sensor and package for assembling the sensor |
| JP2007333407A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Denso Corp | センサ装置 |
-
1988
- 1988-05-30 JP JP13307488A patent/JPH01301176A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6332359B1 (en) | 1997-04-24 | 2001-12-25 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor sensor chip and method for producing the chip, and semiconductor sensor and package for assembling the sensor |
| US6446507B2 (en) | 1997-04-24 | 2002-09-10 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor sensor chip and method for producing the chip, and semiconductor sensor and package for assembling the sensor |
| US6494092B2 (en) | 1997-04-24 | 2002-12-17 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor sensor chip and method for producing the chip, and semiconductor sensor and package for assembling the sensor |
| US6526827B2 (en) | 1997-04-24 | 2003-03-04 | Fuki Electric Co., Ltd. | Semiconductor sensor chip and method for producing the chip, and semiconductor sensor and package for assembling the sensor |
| US6564634B2 (en) | 1997-04-24 | 2003-05-20 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor sensor chip and method for producing the chip, and semiconductor sensor and package for assembling the sensor |
| US6632697B2 (en) | 1997-04-24 | 2003-10-14 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor sensor chip and method for producing the chip, and semiconductor sensor and package for assembling the sensor |
| JP2007333407A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Denso Corp | センサ装置 |
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