JPH01302167A - 半導体加速度センサ - Google Patents
半導体加速度センサInfo
- Publication number
- JPH01302167A JPH01302167A JP13309288A JP13309288A JPH01302167A JP H01302167 A JPH01302167 A JP H01302167A JP 13309288 A JP13309288 A JP 13309288A JP 13309288 A JP13309288 A JP 13309288A JP H01302167 A JPH01302167 A JP H01302167A
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- JP
- Japan
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- groove
- semiconductor
- acceleration sensor
- curvature
- thin part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 230000001133 acceleration Effects 0.000 title claims abstract description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分骨〕
この発明は、半導体支持ばシを用い九ピエゾ抵抗による
半導体加速度センサに関し、特に支持ばりの溝部での応
力集中緩和手段にかかわる０〔従来の技術〕 第３図は例えば特開昭６ｌ−９ｔ５７２Ｊｉｊ公報に示
された従来の半導体加速度センサを示す挟部正面着合図
である。ｌはシリコンからなる片持ばりで、同定端側に
溝部１ａを設けて局所的に薄肉部１ｂが形成きれ、セン
ナ感度を高めている。
半導体加速度センサに関し、特に支持ばりの溝部での応
力集中緩和手段にかかわる０〔従来の技術〕 第３図は例えば特開昭６ｌ−９ｔ５７２Ｊｉｊ公報に示
された従来の半導体加速度センサを示す挟部正面着合図
である。ｌはシリコンからなる片持ばりで、同定端側に
溝部１ａを設けて局所的に薄肉部１ｂが形成きれ、セン
ナ感度を高めている。
この片持ばシ１の薄肉部１ｂの表面部には、拡散による
複数のピエゾ抵抗が設けられているが図示は略す。２は
片持ばシｌの目由端に設けられた重シである。上記＠
＠ ｌ ａは異方性エツチング（エツチング液ＫＯＨ使
用）によっておシ、４部１ａの隅部は鋭い切欠きとなっ
ている。
複数のピエゾ抵抗が設けられているが図示は略す。２は
片持ばシｌの目由端に設けられた重シである。上記＠
＠ ｌ ａは異方性エツチング（エツチング液ＫＯＨ使
用）によっておシ、４部１ａの隅部は鋭い切欠きとなっ
ている。
上記のような従来の半導体加速度センサでは、片持ばｆ
ｉｌの溝部１ａの隅部はエツチングによシ鋭い切欠きと
なっておシ、加速度によシ片持ばシ１の薄肉部１ｂには
、溝部１ａの隅部に大きい応力集中が住じ破損するおそ
れがあるという１ｉＪｉ廟点があった。
ｉｌの溝部１ａの隅部はエツチングによシ鋭い切欠きと
なっておシ、加速度によシ片持ばシ１の薄肉部１ｂには
、溝部１ａの隅部に大きい応力集中が住じ破損するおそ
れがあるという１ｉＪｉ廟点があった。
この発明は、このような問題点を解決するためになされ
たもので、半導体支持ばりの薄肉部の４部の隅部での応
力集中を低減し、耐衝Ｓ性を向上し、破損を防止した半
導体加４度センサを得ることを目的としている。
たもので、半導体支持ばりの薄肉部の４部の隅部での応
力集中を低減し、耐衝Ｓ性を向上し、破損を防止した半
導体加４度センサを得ることを目的としている。
この発明にかかる半導体加速度センサは、半導体支持ば
シの溝部の隅部を、等方性エツチングによシ曲率半径の
大きい円弧面に形成したものである０ 〔作用〕 この発明においては、半導体支持ばυの溝部は等方性エ
ツチングにより形成してお９、これによシ溝部の隅部は
大きい円弧面に形成されてあり、この部分での応力集中
が緩和され、破損が防止される。
シの溝部の隅部を、等方性エツチングによシ曲率半径の
大きい円弧面に形成したものである０ 〔作用〕 この発明においては、半導体支持ばυの溝部は等方性エ
ツチングにより形成してお９、これによシ溝部の隅部は
大きい円弧面に形成されてあり、この部分での応力集中
が緩和され、破損が防止される。
第１図はこの発明による半導体加速度センサの要部を示
す斜視図である。図において、１１はシリコンからなる
半導体片持ばシで、固定端側に溝部１１ａが等方性エツ
チング（エツチング液として例えばぶつ酸（ＨＦ） ）
によ）形成され、上方に局部的に薄肉部１１ｂが形成さ
れている。薄肉部１１ｂの表面部には熱拡散、イオン注
入などによシ４箇所のピエゾ抵抗１２が形成され、これ
らの抵抗はフルブリッジ回路（図示は略す）に構成てれ
ている０溝部１１ａの隅部は等方性エツチングによシ、
大きい曲率半径Ｒの円弧面に芒れている。１３は片持ば
シ１１の自由端側に接合された東シ、ユ４は固定端に接
合された台座で、パッケージ（図示は略す）内に接着さ
れる。
す斜視図である。図において、１１はシリコンからなる
半導体片持ばシで、固定端側に溝部１１ａが等方性エツ
チング（エツチング液として例えばぶつ酸（ＨＦ） ）
によ）形成され、上方に局部的に薄肉部１１ｂが形成さ
れている。薄肉部１１ｂの表面部には熱拡散、イオン注
入などによシ４箇所のピエゾ抵抗１２が形成され、これ
らの抵抗はフルブリッジ回路（図示は略す）に構成てれ
ている０溝部１１ａの隅部は等方性エツチングによシ、
大きい曲率半径Ｒの円弧面に芒れている。１３は片持ば
シ１１の自由端側に接合された東シ、ユ４は固定端に接
合された台座で、パッケージ（図示は略す）内に接着さ
れる。
上記一実施例の半導体加速度センサにおいて、加速度が
加わると、片持はシ１１がたわみ、抵抗１２の抵抗値が
変化し、これをブリッジ回路で出力電圧として取出す。
加わると、片持はシ１１がたわみ、抵抗１２の抵抗値が
変化し、これをブリッジ回路で出力電圧として取出す。
片持ばシ１１は薄肉部１１ｂでたわみが大きくなるが、
溝１１ａの隅部は大きい曲率半径Ｒで円弧面にされてお
り、応力集中が低減される。
溝１１ａの隅部は大きい曲率半径Ｒで円弧面にされてお
り、応力集中が低減される。
第２図はこの発明の他の実施例を示す斜視図で、シリコ
ンからなる半導体両持ば、９１５には、両固定端側にそ
れぞれ溝部１５ａが等方性エツチングにより形成され、
それぞれ局部的に薄肉部１５ｂが形成されている。各薄
肉部１５ｂの表面部には熱拡散などによるピエゾ抵抗１
６が４箇所宛形成でれ、双方の組の抵抗はそれぞれフル
ブリッジ回！＠（図示は略す〕に構成されており、一方
の組は常用にし他方の組は予備用としている。溝部１５
ａの隅部は等方性エツチングによシ、大きい曲率半径只
の円弧面にされている。両持ばシ１５には、上面中央に
重シ１７が接合され、両端には台座１４が接合されてい
て両端固定構造になっている。
ンからなる半導体両持ば、９１５には、両固定端側にそ
れぞれ溝部１５ａが等方性エツチングにより形成され、
それぞれ局部的に薄肉部１５ｂが形成されている。各薄
肉部１５ｂの表面部には熱拡散などによるピエゾ抵抗１
６が４箇所宛形成でれ、双方の組の抵抗はそれぞれフル
ブリッジ回！＠（図示は略す〕に構成されており、一方
の組は常用にし他方の組は予備用としている。溝部１５
ａの隅部は等方性エツチングによシ、大きい曲率半径只
の円弧面にされている。両持ばシ１５には、上面中央に
重シ１７が接合され、両端には台座１４が接合されてい
て両端固定構造になっている。
なお、上記実施例では重シは半導体支持ばシに接合した
が、半導体支持ばシに一体に形成したものであってもよ
い。
が、半導体支持ばシに一体に形成したものであってもよ
い。
以上のように、この発明によれば、半導体支持ばシに薄
肉部を形成するための溝部を、等方性エツチングによシ
形成し、溝部の隅部を曲率半径の大きい円弧面にしたの
で、応力集中が低減され、耐衝撃性が向上し、破損が防
止される。
肉部を形成するための溝部を、等方性エツチングによシ
形成し、溝部の隅部を曲率半径の大きい円弧面にしたの
で、応力集中が低減され、耐衝撃性が向上し、破損が防
止される。
第１図はこの発明による半導体加速度センサの一実施例
の要部斜視図、第２図はこの発明の他の実施例を示す半
導体加速度センナの要部斜視図、篤３図は従来の半導体
加速度センサの要部正面図である。 １１・・・半導体支持ばシ（片持ばシ）、ｌｌａ・・・
溝部、ｌｌｂ・・・薄肉部、１２・・・ピエゾ抵抗、１
３・・・厘シ、１５・・・半導体支持ばシ（両持ばシ）
、１５ａ・・・溝部、１５ｂ・・・薄肉部、１６・・・
ピエゾ抵抗なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示
す。
の要部斜視図、第２図はこの発明の他の実施例を示す半
導体加速度センナの要部斜視図、篤３図は従来の半導体
加速度センサの要部正面図である。 １１・・・半導体支持ばシ（片持ばシ）、ｌｌａ・・・
溝部、ｌｌｂ・・・薄肉部、１２・・・ピエゾ抵抗、１
３・・・厘シ、１５・・・半導体支持ばシ（両持ばシ）
、１５ａ・・・溝部、１５ｂ・・・薄肉部、１６・・・
ピエゾ抵抗なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示
す。
Claims (1)
- 半導体支持ばりの固定端近くの裏面部に溝部が形成さ
れて上部が薄肉部にされ、この薄肉部の表面部に複数の
ピエゾ抵抗が形成されブリツジ回路に構成された半導体
加速度センサにおいて、上記溝部は等方性エツチングに
より形成され隅部が曲率半径の大きい円弧面にされてあ
ることを特徴とする半導体加速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13309288A JPH01302167A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 半導体加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13309288A JPH01302167A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 半導体加速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01302167A true JPH01302167A (ja) | 1989-12-06 |
Family
ID=15096661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13309288A Pending JPH01302167A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 半導体加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01302167A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5187565A (en) * | 1991-03-18 | 1993-02-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Liquid sealed semiconductor device and method of assembling the same |
| US5223086A (en) * | 1991-03-11 | 1993-06-29 | Nippondenso Co., Ltd. | Method of producing an acceleration sensor of a semiconductor |
| JPH09232593A (ja) * | 1996-02-22 | 1997-09-05 | S I I R D Center:Kk | 半導体装置 |
| US7277214B2 (en) | 2001-02-22 | 2007-10-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Tiltable-body apparatus, and method of fabricating the same |
-
1988
- 1988-05-30 JP JP13309288A patent/JPH01302167A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5223086A (en) * | 1991-03-11 | 1993-06-29 | Nippondenso Co., Ltd. | Method of producing an acceleration sensor of a semiconductor |
| US5187565A (en) * | 1991-03-18 | 1993-02-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Liquid sealed semiconductor device and method of assembling the same |
| JPH09232593A (ja) * | 1996-02-22 | 1997-09-05 | S I I R D Center:Kk | 半導体装置 |
| US7277214B2 (en) | 2001-02-22 | 2007-10-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Tiltable-body apparatus, and method of fabricating the same |
| US7362488B2 (en) | 2001-02-22 | 2008-04-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Tiltable-body apparatus, and method of fabricating the same |
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