JPH0797647B2 - 半導体圧力センサの製造方法 - Google Patents
半導体圧力センサの製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、圧力を感知するゲージ抵抗が埋め込まれた圧
力センサ部およびこの圧力センサ部からの信号を増幅す
る増幅回路等が半導体基板上に集積化されてなる半導体
圧力センサの製造方法に関する。
力センサ部およびこの圧力センサ部からの信号を増幅す
る増幅回路等が半導体基板上に集積化されてなる半導体
圧力センサの製造方法に関する。
［従来の技術］ 一般に、この種の半導体圧力センサにおいては、圧力を
感知する圧力センサ部およびこの圧力センサ部からの信
号を増幅する増幅回路等が形成されている半導体圧力セ
ンサチップは、前記圧力センサ部に加わる熱応力を吸収
緩和するために、シリコン単結晶からなるシリコン台座
を介してリードフレームなどに取り付けられている。
感知する圧力センサ部およびこの圧力センサ部からの信
号を増幅する増幅回路等が形成されている半導体圧力セ
ンサチップは、前記圧力センサ部に加わる熱応力を吸収
緩和するために、シリコン単結晶からなるシリコン台座
を介してリードフレームなどに取り付けられている。
このような半導体圧力センサの製造は、半導体圧力セン
サチップをシリコン台座にダイボンドし、さらに、この
シリコン台座をリードフレームなどにダイボンドした
後、半導体圧力センサチップの電極部とリードフレーム
とのワイヤボンディングを行うようにしている。
サチップをシリコン台座にダイボンドし、さらに、この
シリコン台座をリードフレームなどにダイボンドした
後、半導体圧力センサチップの電極部とリードフレーム
とのワイヤボンディングを行うようにしている。
［発明が解決しようとする課題］ このように従来の製造方法では、熱応力を吸収緩和する
ためのシリコン台座を設けているために、その分コスト
が高くなるとともに、ダイボンドを２回行わねばなら
ず、製造工程が複雑になるなどの難点がある。
ためのシリコン台座を設けているために、その分コスト
が高くなるとともに、ダイボンドを２回行わねばなら
ず、製造工程が複雑になるなどの難点がある。
このため、シリコン台座を設けることなく、半導体圧力
センサチップを、直接リードフレームにダイボンドする
ことが考えられるが、この場合には、以下に説明するよ
うな問題がある。
センサチップを、直接リードフレームにダイボンドする
ことが考えられるが、この場合には、以下に説明するよ
うな問題がある。
第17図は、従来例の半導体圧力センサチップの平面図で
あり、第18図はその側面図であり、第19図は第17図の切
断面線Ａ−Ａから見た断面図であり、これらの図におい
て、８は半導体圧力センサチップ、９は圧力を感知する
ゲージ抵抗が埋め込まれた圧力センサ部、10はダイヤフ
ラムを構成するためにエッチングされた部分、11は圧力
センサ部９からの信号を増幅する増幅回路等を有する集
積回路部、12は外部引き出し用の電極部である。
あり、第18図はその側面図であり、第19図は第17図の切
断面線Ａ−Ａから見た断面図であり、これらの図におい
て、８は半導体圧力センサチップ、９は圧力を感知する
ゲージ抵抗が埋め込まれた圧力センサ部、10はダイヤフ
ラムを構成するためにエッチングされた部分、11は圧力
センサ部９からの信号を増幅する増幅回路等を有する集
積回路部、12は外部引き出し用の電極部である。
第20図は、半導体圧力センサチップ８が取り付けられる
リードフレーム1bの平面図であり、第21図はその側面図
である。これらの図において、2bは上述の半導体圧力セ
ンサチップ８が装着されるチップ装着部、いわゆる、ダ
イパッド部、３はダイパッド部2bに形成された受圧用開
口部、４はインナーリード、５はダイバー、６は外部リ
ードである。
リードフレーム1bの平面図であり、第21図はその側面図
である。これらの図において、2bは上述の半導体圧力セ
ンサチップ８が装着されるチップ装着部、いわゆる、ダ
イパッド部、３はダイパッド部2bに形成された受圧用開
口部、４はインナーリード、５はダイバー、６は外部リ
ードである。
第22図は、従来例の半導体圧力センサチップ８を、上述
のリードフレーム1bに直接ダイボンドし、さらに、半導
体圧力センサチップ８の電極部12とリードフレーム1bの
インナーリード４とをワイヤボンディングした状態を示
す平面図であり、第23図はその側面図であり、第24図は
第22図の切断面線Ａ−Ａから見た拡大断面図である。
のリードフレーム1bに直接ダイボンドし、さらに、半導
体圧力センサチップ８の電極部12とリードフレーム1bの
インナーリード４とをワイヤボンディングした状態を示
す平面図であり、第23図はその側面図であり、第24図は
第22図の切断面線Ａ−Ａから見た拡大断面図である。
これらの図において、７は接着材（ダイボンド材）、13
は金などの金属細線である。
は金などの金属細線である。
従来例の半導体圧力センサチップ８を、リードフレーム
1bに直接ダイボンドすると、第24図に示されるように、
圧力センサ部９を中心に見た場合に、電極部12および集
積回路11側の部分と、その他の部分とでバランスが悪
く、すなわち、圧力センサ部９の平面形状が正方形であ
るのに対してリードフレーム1bのダイパット部2bが長方
形であるために対称性が悪く、このため、半導体圧力セ
ンサチップ８と、リードフレーム1bおよび接着材７との
膨張係数の差による熱応力の分布が不均一となり、圧力
センサ部９の感度が不均一となって精度の高い測定でき
ないという問題がある。
1bに直接ダイボンドすると、第24図に示されるように、
圧力センサ部９を中心に見た場合に、電極部12および集
積回路11側の部分と、その他の部分とでバランスが悪
く、すなわち、圧力センサ部９の平面形状が正方形であ
るのに対してリードフレーム1bのダイパット部2bが長方
形であるために対称性が悪く、このため、半導体圧力セ
ンサチップ８と、リードフレーム1bおよび接着材７との
膨張係数の差による熱応力の分布が不均一となり、圧力
センサ部９の感度が不均一となって精度の高い測定でき
ないという問題がある。
本発明は、上述の点に鑑みて為されたものであって、シ
リコン台座を設けることなく、半導体圧力センサチップ
をリードフレームに直接ダイボンドできるようにすると
ともに、熱応力の分布が均一になるようにすることを目
的とする。
リコン台座を設けることなく、半導体圧力センサチップ
をリードフレームに直接ダイボンドできるようにすると
ともに、熱応力の分布が均一になるようにすることを目
的とする。
［課題を解決するための手段］ 本発明では、上述の目的を達成するために、圧力を感知
する圧力センサ部および該圧力センサ部からの信号を増
幅する増幅回路等が半導体基板上に集積化されてなる半
導体圧力センサチップの前記圧力センサ部に対応したほ
ぼ対称な形状のダイパッド部を有するリードフレームを
予め準備し、前記半導体圧力センサチップの裏面側の前
記圧力センサ部に対応する部分を、前記ダイパッド部に
接着材によって接着し、前記半導体圧力センサチップの
表面側の電極部と前記リードフレームのリード部とをワ
イヤボンディングするようにしている。
する圧力センサ部および該圧力センサ部からの信号を増
幅する増幅回路等が半導体基板上に集積化されてなる半
導体圧力センサチップの前記圧力センサ部に対応したほ
ぼ対称な形状のダイパッド部を有するリードフレームを
予め準備し、前記半導体圧力センサチップの裏面側の前
記圧力センサ部に対応する部分を、前記ダイパッド部に
接着材によって接着し、前記半導体圧力センサチップの
表面側の電極部と前記リードフレームのリード部とをワ
イヤボンディングするようにしている。
［作用］ 上記構成によれば、リードフレームのダイパッド部を、
半導体圧力センサチップの圧力センサ部に対応したほぼ
対称形状とし、このダイパット部に半導体圧力センサチ
ップの圧力センサ部に対応する部分を接着するようにし
ているので、圧力センサ部に関してバランスのとれた対
称な形状となり、熱応力の分布が均一になり、これによ
って、圧力センサ部の感度も均一となる。
半導体圧力センサチップの圧力センサ部に対応したほぼ
対称形状とし、このダイパット部に半導体圧力センサチ
ップの圧力センサ部に対応する部分を接着するようにし
ているので、圧力センサ部に関してバランスのとれた対
称な形状となり、熱応力の分布が均一になり、これによ
って、圧力センサ部の感度も均一となる。
［実施例］ 以下、図面によって本発明の実施例について、詳細に説
明する。
明する。
第１図は、本発明の一実施例に適用されるリードフレー
ムの平面図であり、第２図はその側面図である。このリ
ードフレーム１には、第17図ないし第19図に示される従
来と同様の半導体圧力センサチップ８、すなわち、圧力
を感知する圧力センサ部９およびこの圧力センサ部９か
らの信号を増幅する増幅回路等の集積回路部11が半導体
基板上に集積化された半導体圧力センサチップ８が後述
のようにして取り付けられる。
ムの平面図であり、第２図はその側面図である。このリ
ードフレーム１には、第17図ないし第19図に示される従
来と同様の半導体圧力センサチップ８、すなわち、圧力
を感知する圧力センサ部９およびこの圧力センサ部９か
らの信号を増幅する増幅回路等の集積回路部11が半導体
基板上に集積化された半導体圧力センサチップ８が後述
のようにして取り付けられる。
この実施例のリードフレーム１は、上述の第20図のリー
ドフレーム1bと異なり、半導体圧力センサチップ８の圧
力センサ部９に対応したほぼ対称の形状、すなわち、ほ
ぼ正方形のダイパッド部２が形成されている。その他の
構成は、上述のリードフレーム1bと同様であり、３はダ
イパッド部２に形成された受圧用開口部、４はインナー
リード、５はタイバー、６は外部リードである。
ドフレーム1bと異なり、半導体圧力センサチップ８の圧
力センサ部９に対応したほぼ対称の形状、すなわち、ほ
ぼ正方形のダイパッド部２が形成されている。その他の
構成は、上述のリードフレーム1bと同様であり、３はダ
イパッド部２に形成された受圧用開口部、４はインナー
リード、５はタイバー、６は外部リードである。
第３図は、このリードフレーム１に従来と同様の半導体
圧力センサチップ８を接着材７によって接着し、さら
に、半導体圧力センサチップ８の表面側の電極部12とリ
ードフレーム１のインナーリード４とをワイヤボンディ
ングした状態を示す平面図であり、第４図はその側面図
であり、第５図は第３図の切断面線Ａ−Ａから見た拡大
断面図である。
圧力センサチップ８を接着材７によって接着し、さら
に、半導体圧力センサチップ８の表面側の電極部12とリ
ードフレーム１のインナーリード４とをワイヤボンディ
ングした状態を示す平面図であり、第４図はその側面図
であり、第５図は第３図の切断面線Ａ−Ａから見た拡大
断面図である。
この実施例の製造方法では、半導体圧力センサチップ８
の圧力センサ部９に対応するほぼ対称形状のダイパッド
部２を有するリードフレーム１を予め準備し、このリー
ドフレーム１に半導体圧力センサチップ８の裏面側の圧
力センサ部９に対応する部分を、半田等の金属やシリコ
ン樹脂等の接着材（ダイボンド材）７によってリードフ
レーム１のダイパッド部２に接着する。
の圧力センサ部９に対応するほぼ対称形状のダイパッド
部２を有するリードフレーム１を予め準備し、このリー
ドフレーム１に半導体圧力センサチップ８の裏面側の圧
力センサ部９に対応する部分を、半田等の金属やシリコ
ン樹脂等の接着材（ダイボンド材）７によってリードフ
レーム１のダイパッド部２に接着する。
次に、半導体圧力センサチップ８の表面側の引き出し用
の電極部12とリードフレーム１のインナーリード４とを
金等の金属細線13によってワイヤボンディングする。な
お、この場合、半導体圧力センサチップ８の電極部12の
下方には、リードフレーム１のダイパッド部２が存在し
ないので、図示しない治具によって電極部12を受けてワ
イヤボンディングを行う。
の電極部12とリードフレーム１のインナーリード４とを
金等の金属細線13によってワイヤボンディングする。な
お、この場合、半導体圧力センサチップ８の電極部12の
下方には、リードフレーム１のダイパッド部２が存在し
ないので、図示しない治具によって電極部12を受けてワ
イヤボンディングを行う。
このように半導体圧力センサチップ８の圧力センサ部９
に対応するほぼ対称な形状のダイパッド部２に、半導体
圧力センサチップ８を接着するようにしているので、第
５図に示されるように、圧力センサ部９を中心に見た場
合に、電極部12および集積回路部11側と、その他の部分
とでバランス（対称性）が向上し、このため、半導体圧
力センサチップ８と、リードフレーム１および接着材７
との膨張係数の差による熱応力の分布が均一となり、圧
力センサ部９の感度が均一となる。
に対応するほぼ対称な形状のダイパッド部２に、半導体
圧力センサチップ８を接着するようにしているので、第
５図に示されるように、圧力センサ部９を中心に見た場
合に、電極部12および集積回路部11側と、その他の部分
とでバランス（対称性）が向上し、このため、半導体圧
力センサチップ８と、リードフレーム１および接着材７
との膨張係数の差による熱応力の分布が均一となり、圧
力センサ部９の感度が均一となる。
また、熱応力を吸収緩和するため、例えば、接着材７の
厚みを十分に確保するようにしてもよい。
厚みを十分に確保するようにしてもよい。
なお、ワイヤボンディングされた後、成形されたケース
等を使用して所定の形状に埋め込み、タイバー５を切断
することによって外部リード６を独立させてセンサが完
成する。
等を使用して所定の形状に埋め込み、タイバー５を切断
することによって外部リード６を独立させてセンサが完
成する。
第６図は、本発明の他の実施例に適用される半導体圧力
センサチップ8aの平面図であり、第７図はその側面図で
あり、第８図は第６図の切断面線Ａ−Ａから見た断面図
である。
センサチップ8aの平面図であり、第７図はその側面図で
あり、第８図は第６図の切断面線Ａ−Ａから見た断面図
である。
この実施例の半導体圧力センサチップ8aは、圧力センサ
部９以外の部分が裏面よりエッチングされて薄く形成さ
れている。その他の構成は、従来例の半導体圧力センサ
チップ８と同様である。この半導体圧力センサチップ8a
も、第１図に示される上述の実施例と同様のリードフレ
ーム１のダイパッド部２に接着される。
部９以外の部分が裏面よりエッチングされて薄く形成さ
れている。その他の構成は、従来例の半導体圧力センサ
チップ８と同様である。この半導体圧力センサチップ8a
も、第１図に示される上述の実施例と同様のリードフレ
ーム１のダイパッド部２に接着される。
第９図は、本発明のさらに他の実施例に適用される半導
体圧力センサチップ8bの平面図であり、第10図はその側
面図であり、第11図は第９図の切断面線Ａ−Ａから見た
断面図である。
体圧力センサチップ8bの平面図であり、第10図はその側
面図であり、第11図は第９図の切断面線Ａ−Ａから見た
断面図である。
この実施例の半導体圧力センサチップ8bは、圧力センサ
部９と電極部12とを分離するように、集積回路部11の裏
面側がエッチングされて分離溝14が形成されている。そ
の他の構成は、従来の半導体圧力センサチップ８と同様
である。
部９と電極部12とを分離するように、集積回路部11の裏
面側がエッチングされて分離溝14が形成されている。そ
の他の構成は、従来の半導体圧力センサチップ８と同様
である。
第12図は、第９図の半導体圧力センサチップ8bが取り付
けられるリードフレーム1aの平面図であり、第13図はそ
の側面図である。
けられるリードフレーム1aの平面図であり、第13図はそ
の側面図である。
このリードフレーム1aは、上述の実施例と同様に、半導
体圧力センサチップ8bの圧力センサ部９に対応したほぼ
対称な形状、すなわち、ほぼ正方形のダイパッド部２が
形成されており、さらに、この実施例では、インナーリ
ード4aが延長されている。
体圧力センサチップ8bの圧力センサ部９に対応したほぼ
対称な形状、すなわち、ほぼ正方形のダイパッド部２が
形成されており、さらに、この実施例では、インナーリ
ード4aが延長されている。
第14図は、このリードフレーム1aに第９図の半導体圧力
センサチップ8bを接着材７によって接着し、さらに、半
導体圧力センサチップ8bの表面側の電極部12とリードフ
レーム1aのインナーリード4aとをワイヤホンディングし
た状態を示す平面図であり、第15図はその側面図であ
り、第16図は第14図の切断面線Ａ−Ａから見た拡大断面
図である。
センサチップ8bを接着材７によって接着し、さらに、半
導体圧力センサチップ8bの表面側の電極部12とリードフ
レーム1aのインナーリード4aとをワイヤホンディングし
た状態を示す平面図であり、第15図はその側面図であ
り、第16図は第14図の切断面線Ａ−Ａから見た拡大断面
図である。
この実施例の製造方法では、半導体圧力センサチップ8b
の圧力センサ部９に対応するほぼ対称形状のタイパッド
部２を有するリードフレーム1aを予め準備し、このリー
ドフレーム1aに半導体圧力センサチップ8bの裏面側の圧
力センサ部９に対応する部分を、半田等の金属やシリコ
ン樹脂等の接着材７によってリードフレーム1aのダイパ
ッド部２に接着するとともに、半導体圧力センサチップ
8bの電極部12の裏面側の部分を、リードフレーム1aのイ
ンナーリード4aに接着するようにしている。
の圧力センサ部９に対応するほぼ対称形状のタイパッド
部２を有するリードフレーム1aを予め準備し、このリー
ドフレーム1aに半導体圧力センサチップ8bの裏面側の圧
力センサ部９に対応する部分を、半田等の金属やシリコ
ン樹脂等の接着材７によってリードフレーム1aのダイパ
ッド部２に接着するとともに、半導体圧力センサチップ
8bの電極部12の裏面側の部分を、リードフレーム1aのイ
ンナーリード4aに接着するようにしている。
次に、半導体圧力センサチップ8bの表面側の引き出し用
の電極部12とリードフレーム1aのインナーリード4aとを
金等の金属細線13によってワイヤボンディングする。
の電極部12とリードフレーム1aのインナーリード4aとを
金等の金属細線13によってワイヤボンディングする。
このように半導体圧力センサチップ8bの圧力センサ部９
に対応するほぼ対称な形状のダイパッド部２に、半導体
圧力センサチップ8bを接着するとともに、半導体圧力セ
ンサチップ8bの電極部12に対応する部分は、インナーリ
ード4aに接着するようにしているので、第16図に示され
るように、圧力センサ部９が独立したような状態とな
り、しかも、電極部12および集積回路部11側と、その他
の部分とでバランス（対称性）が向上し、このため、半
導体圧力センサチップ8bと、リードフレーム1aおよび接
着材７との膨張係数の差による熱応力の分布が均一とな
り、圧力センサ部９の感度が均一となる。
に対応するほぼ対称な形状のダイパッド部２に、半導体
圧力センサチップ8bを接着するとともに、半導体圧力セ
ンサチップ8bの電極部12に対応する部分は、インナーリ
ード4aに接着するようにしているので、第16図に示され
るように、圧力センサ部９が独立したような状態とな
り、しかも、電極部12および集積回路部11側と、その他
の部分とでバランス（対称性）が向上し、このため、半
導体圧力センサチップ8bと、リードフレーム1aおよび接
着材７との膨張係数の差による熱応力の分布が均一とな
り、圧力センサ部９の感度が均一となる。
なお、熱応力を緩和するために、上述のように接着材７
の層厚を厚くすればよく、この場合に、ワイヤボンデン
グの際のエネルギーが、厚い接着材７の層から逃げるこ
とが考えられるが、これを防止するために、電極部12の
真下のリードフレーム1aに、接着剤７の層厚よりもやや
低い突起を形成して受けるようにしてもよい。
の層厚を厚くすればよく、この場合に、ワイヤボンデン
グの際のエネルギーが、厚い接着材７の層から逃げるこ
とが考えられるが、これを防止するために、電極部12の
真下のリードフレーム1aに、接着剤７の層厚よりもやや
低い突起を形成して受けるようにしてもよい。
［発明の効果］ 以上のように本発明方法によれば、半導体圧力センサチ
ップを、該半導体圧力センサチップの圧力センサ部に対
応したほぼ対称な形状のダイパッド部を有するリードフ
レームの前記ダイパッド部に接着し、半導体圧力センサ
チップの電極部と前記リードフレームのリード部とをワ
イヤボンディングするようにしているので、従来例のよ
うにシリコン台座を介することなく、直接リードフレー
ムに接着でき、しかも、圧力センサ部に関してバランス
のとれた形状、すなわち、対称性のよい形状となり、熱
応力の分布が均一になり、これによって、圧力センサ部
の感度も均一となる。
ップを、該半導体圧力センサチップの圧力センサ部に対
応したほぼ対称な形状のダイパッド部を有するリードフ
レームの前記ダイパッド部に接着し、半導体圧力センサ
チップの電極部と前記リードフレームのリード部とをワ
イヤボンディングするようにしているので、従来例のよ
うにシリコン台座を介することなく、直接リードフレー
ムに接着でき、しかも、圧力センサ部に関してバランス
のとれた形状、すなわち、対称性のよい形状となり、熱
応力の分布が均一になり、これによって、圧力センサ部
の感度も均一となる。
第１図は本発明の一実施例に適用されるリードフレーム
の平面図、第２図は第１図の側面図、第３図は第１図の
リードフレームに半導体圧力センサチップを取り付けた
状態の平面図、第４図は第３図の側面図、第５図は第３
図の切断面線Ａ−Ａから見た拡大断面図、第６図は本発
明の他の実施例に適用される半導体圧力センサチップの
平面図、第７図は第６図の側面図、第８図は第６図の切
断面線Ａ−Ａから見た断面図、第９図は本発明のさらに
他の実施例に適用される半導体圧力センサチップの平面
図、第10図は第９図の側面図、第11図は第９図の切断面
線Ａ−Ａから見た断面図、第12図は第９図の半導体圧力
センサチップが取り付けられるリードフレームの平面
図、第13図は第12図の側面図、第14図は第12図のリード
フレームに第９図の半導体圧力センサチップを取り付け
た状態の平面図、第15図は第14図の側面図、第16図は第
14図の切断面線Ａ−Ａから見た拡大断面図、第17図は従
来例の半導体圧力センサチップの平面図、第18図は第17
図の側面図、第19図は第17図の切断面線Ａ−Ａから見た
断面図、第20図は従来例のリードフレームの平面図、第
21図は第20図の側面図、第22図は第20図のリードフレー
ムに第17図の半導体圧力センサチップを取り付けた状態
の平面図、第23図は第22図の側面図、第24図は第22図の
切断面線Ａ−Ａから見た拡大断面図である。 1,1a,1b……リードフレーム、2,2b……ダイパッド部、
4,4a……インナーリード、8,8a,8b……半導体圧力セン
サチップ、９……圧力センサ部、11……集積回路部、12
……電極部。
の平面図、第２図は第１図の側面図、第３図は第１図の
リードフレームに半導体圧力センサチップを取り付けた
状態の平面図、第４図は第３図の側面図、第５図は第３
図の切断面線Ａ−Ａから見た拡大断面図、第６図は本発
明の他の実施例に適用される半導体圧力センサチップの
平面図、第７図は第６図の側面図、第８図は第６図の切
断面線Ａ−Ａから見た断面図、第９図は本発明のさらに
他の実施例に適用される半導体圧力センサチップの平面
図、第10図は第９図の側面図、第11図は第９図の切断面
線Ａ−Ａから見た断面図、第12図は第９図の半導体圧力
センサチップが取り付けられるリードフレームの平面
図、第13図は第12図の側面図、第14図は第12図のリード
フレームに第９図の半導体圧力センサチップを取り付け
た状態の平面図、第15図は第14図の側面図、第16図は第
14図の切断面線Ａ−Ａから見た拡大断面図、第17図は従
来例の半導体圧力センサチップの平面図、第18図は第17
図の側面図、第19図は第17図の切断面線Ａ−Ａから見た
断面図、第20図は従来例のリードフレームの平面図、第
21図は第20図の側面図、第22図は第20図のリードフレー
ムに第17図の半導体圧力センサチップを取り付けた状態
の平面図、第23図は第22図の側面図、第24図は第22図の
切断面線Ａ−Ａから見た拡大断面図である。 1,1a,1b……リードフレーム、2,2b……ダイパッド部、
4,4a……インナーリード、8,8a,8b……半導体圧力セン
サチップ、９……圧力センサ部、11……集積回路部、12
……電極部。
Claims (1)
- 【請求項１】圧力を感知する圧力センサ部および該圧力
センサ部からの信号を増幅する増幅回路等が半導体基板
上に集積化されてなる半導体圧力センサチップの前記圧
力センサ部に対応したほぼ対称な形状のダイパッド部を
有するリードフレームを予め準備し、 前記半導体圧力センサチップの裏面側の前記圧力センサ
部に対応する部分を、前記ダイパッド部に接着材によっ
て接着し、 前記半導体圧力センサチップの表面側の電極部と前記リ
ードフレームのリード部とをワイヤボンディングするこ
とを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4249389A JPH0797647B2 (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4249389A JPH0797647B2 (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02220477A JPH02220477A (ja) | 1990-09-03 |
| JPH0797647B2 true JPH0797647B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=12637584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4249389A Expired - Fee Related JPH0797647B2 (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0797647B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020202721A1 (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 物理量測定装置 |
-
1989
- 1989-02-21 JP JP4249389A patent/JPH0797647B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02220477A (ja) | 1990-09-03 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |