JPH02220477A - 半導体圧力センサの製造方法 - Google Patents
半導体圧力センサの製造方法Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 76
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 240000001973 Ficus microcarpa Species 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/484—Connecting portions
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、圧力を感知するゲージ抵抗が埋め込まれた圧
力センサ部およびこの圧力センナ部からの信号を増幅す
る増幅回路等が半導体基板上に集積化されてなる半導体
圧カセ、ンサの製造方法に関する。
力センサ部およびこの圧力センナ部からの信号を増幅す
る増幅回路等が半導体基板上に集積化されてなる半導体
圧カセ、ンサの製造方法に関する。
［従来の技術］
一般に、この種の半導体圧力センナにおいては、圧力を
感知する圧力センサ部およびこの圧力センサ部からの信
号を増幅する増幅回路等が形成されている半導体圧力セ
ンサチップは、前記圧力センサ部に加わる熱応力を吸収
緩和するために、シリコン単結晶からなるシリコン台座
を介してリードフレームなどに取り付けられている。
感知する圧力センサ部およびこの圧力センサ部からの信
号を増幅する増幅回路等が形成されている半導体圧力セ
ンサチップは、前記圧力センサ部に加わる熱応力を吸収
緩和するために、シリコン単結晶からなるシリコン台座
を介してリードフレームなどに取り付けられている。
このような半導体圧力センサの製造は、半導体圧力セン
サチップをシリコン台座にグイボンドし、さらに、この
シリコン台座をリードフレームなどにグイボンドした後
、半導体圧力センサチップの電極部とリードフレームと
のワイヤボンディングを行うようにしている。
サチップをシリコン台座にグイボンドし、さらに、この
シリコン台座をリードフレームなどにグイボンドした後
、半導体圧力センサチップの電極部とリードフレームと
のワイヤボンディングを行うようにしている。
［発明が解決しようとする課題］
このように従来の製造方法では、熱応力を吸収緩和する
ためのシリコン台座を設けているために、その分コスト
が高くなるとともに、グイボンドを２回行わねばならず
、製造工程が複雑になるなどの難点がある。
ためのシリコン台座を設けているために、その分コスト
が高くなるとともに、グイボンドを２回行わねばならず
、製造工程が複雑になるなどの難点がある。
このため、シリコン台座を設けることなく、半導体圧力
センサチップを、直接リードフレームにグイボンドする
ことが考えられるが、この場合には、以下に説明するよ
うな問題がある。
センサチップを、直接リードフレームにグイボンドする
ことが考えられるが、この場合には、以下に説明するよ
うな問題がある。
第１７図は、従来例の半導体圧力センサチップの平面図
であり、第１８図はその側面図であり、第１９図は第１
７図の切断面線Ａ−Ａから見た断面図であり、これらの
図において、８は半導体圧力センサチップ、９は圧力を
感知するゲージ抵抗が埋め込まれた圧力センサ部、！０
はダイヤフラムを構成するためイこエツチングされた部
分、１１は圧力センサ部９からの信号を増幅する増幅回
路等を有する集積回路部、！２は外部引き出し用の電極
部である。
であり、第１８図はその側面図であり、第１９図は第１
７図の切断面線Ａ−Ａから見た断面図であり、これらの
図において、８は半導体圧力センサチップ、９は圧力を
感知するゲージ抵抗が埋め込まれた圧力センサ部、！０
はダイヤフラムを構成するためイこエツチングされた部
分、１１は圧力センサ部９からの信号を増幅する増幅回
路等を有する集積回路部、！２は外部引き出し用の電極
部である。
第２０図は、半導体圧力センサチップ８が取り付けられ
るリードフレームｌｂの平面図であり、第２１図はその
側面図である。これらの図において、２ｂは上述の半導
体圧力センサチップ８が装着されるチップ装着部、いわ
ゆる、ダイパッド部、３はダイパッド部２ｂに形成され
た受圧用開口部、４はインナーリード、５はタイバー
６は外部リードである。
るリードフレームｌｂの平面図であり、第２１図はその
側面図である。これらの図において、２ｂは上述の半導
体圧力センサチップ８が装着されるチップ装着部、いわ
ゆる、ダイパッド部、３はダイパッド部２ｂに形成され
た受圧用開口部、４はインナーリード、５はタイバー
６は外部リードである。
第２２図は、従来例の半導体圧力センサチップ８を、上
述のリードフレームｔｂに直接グイボンドし、さらに、
半導体圧力センサチップ８の電極部１２とリードフレー
ム１ｂのインナーリード４とをワイヤボンディングした
状態を示す平面図であり、第２３図はその側面図であり
、第２４図は第２２図の切断面線Ａ−Ａから見た拡大断
面図である。
述のリードフレームｔｂに直接グイボンドし、さらに、
半導体圧力センサチップ８の電極部１２とリードフレー
ム１ｂのインナーリード４とをワイヤボンディングした
状態を示す平面図であり、第２３図はその側面図であり
、第２４図は第２２図の切断面線Ａ−Ａから見た拡大断
面図である。
これらの図において、７は接着材（グイボンド材）、１
３は金などの金属細線である。
３は金などの金属細線である。
従来例の半導体圧力センサチップ８を、リードフレーム
！ｂに直接グイボンドすると、第２４図に示されるよう
に、圧力センサ部９を中心に見た場合に、電極部１２お
よび集積回路１１側の部分と、その他の部分とでバラン
スが悪く、すなわち、圧力センサ部９の平面形状が正方
形であるのに対してリードフレームｔｂのダイパッド部
２ｂが長方形であるために対称性が悪く、このため、半
導体圧力センサチップ８と、リードフレーム１ｂおよび
接着材７との膨張係数の差による熱応力の分布が不均一
となり、圧力センサ部９の感度が不均一となって精度の
高い測定ができないという問題がある。
！ｂに直接グイボンドすると、第２４図に示されるよう
に、圧力センサ部９を中心に見た場合に、電極部１２お
よび集積回路１１側の部分と、その他の部分とでバラン
スが悪く、すなわち、圧力センサ部９の平面形状が正方
形であるのに対してリードフレームｔｂのダイパッド部
２ｂが長方形であるために対称性が悪く、このため、半
導体圧力センサチップ８と、リードフレーム１ｂおよび
接着材７との膨張係数の差による熱応力の分布が不均一
となり、圧力センサ部９の感度が不均一となって精度の
高い測定ができないという問題がある。
本発明は、上述の点に鑑みて為されたものであって、゛
シリコン台座を設けることなく、半導体圧力センサチッ
プをリードフレームに直接グイボンドできるようにする
とともに、熱応力の分布が均一になるようにすることを
目的とする。
シリコン台座を設けることなく、半導体圧力センサチッ
プをリードフレームに直接グイボンドできるようにする
とともに、熱応力の分布が均一になるようにすることを
目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明では、上述の目的を達成するために、圧力を感知
する圧力センナ部および該圧力センサ部からの信号を増
幅する増幅回路等が半導体基板上に集積化されてなる半
導体圧力センサチップの萌記圧カセンサ部に対応したほ
ぼ対称な形状のダイパッド部を有するリードフレームを
予め準備し、前記半導体圧力センサチップの裏面側の前
記圧力センサ部に対応する部分を、前記ダイパッド部に
接着材によって接着し、前記半導体圧力センサチップの
表面側の電極部と前記リードフレームのリード部とをワ
イヤボンディングするようにしている。
する圧力センナ部および該圧力センサ部からの信号を増
幅する増幅回路等が半導体基板上に集積化されてなる半
導体圧力センサチップの萌記圧カセンサ部に対応したほ
ぼ対称な形状のダイパッド部を有するリードフレームを
予め準備し、前記半導体圧力センサチップの裏面側の前
記圧力センサ部に対応する部分を、前記ダイパッド部に
接着材によって接着し、前記半導体圧力センサチップの
表面側の電極部と前記リードフレームのリード部とをワ
イヤボンディングするようにしている。
［作用］
上記構成によれば、リードフレームのダイパッド部を、
半導体圧力センサチップの圧力センサ部に対応したほぼ
対称形状とし、このダイパッド部に半導体圧力センサチ
ップの圧力センサ部に対応する部分を接着するようにし
ているので、圧力センサ部に関してバランスのとれた対
称な形状となり、熱応力の分布が均一になり、これによ
って、圧力センサ部の感度も均一となる。
半導体圧力センサチップの圧力センサ部に対応したほぼ
対称形状とし、このダイパッド部に半導体圧力センサチ
ップの圧力センサ部に対応する部分を接着するようにし
ているので、圧力センサ部に関してバランスのとれた対
称な形状となり、熱応力の分布が均一になり、これによ
って、圧力センサ部の感度も均一となる。
［実施例］
以下、図面によって本発明の実施例について、詳細に説
明する。
明する。
第１図は、本発明の一実施例に適用されるリードフレー
ムの平面図であり、第２図はその側面図である。このリ
ードフレームｌには、第１７図ないし第１９図に示され
る従来と同様の半導体圧力センサチップ８、すなわち、
圧力を感知する圧力センサ部９およびこの圧力センサ部
９からの信号を増幅する増幅回路等の集積回路部１１が
半導体基板上に集積化された半導体圧力センサチップ８
が後述のようにして取り付けられる。
ムの平面図であり、第２図はその側面図である。このリ
ードフレームｌには、第１７図ないし第１９図に示され
る従来と同様の半導体圧力センサチップ８、すなわち、
圧力を感知する圧力センサ部９およびこの圧力センサ部
９からの信号を増幅する増幅回路等の集積回路部１１が
半導体基板上に集積化された半導体圧力センサチップ８
が後述のようにして取り付けられる。
この実施例のリードフレーム！は、上述の第２０図のリ
ードフレーム１ｂと異なり、半導体圧力センサチップ８
の圧力センサ部９に対応したほぼ対称な形状、すなわち
、はぼ正方形のダイパッド部２か形成されている。その
他の構成は、上述のリードフレームＩｂと同様であり、
３はダイパッド部２に形成された受圧用開口部、４はイ
ンナーリード、５はタイバー ６は外部リードである。
ードフレーム１ｂと異なり、半導体圧力センサチップ８
の圧力センサ部９に対応したほぼ対称な形状、すなわち
、はぼ正方形のダイパッド部２か形成されている。その
他の構成は、上述のリードフレームＩｂと同様であり、
３はダイパッド部２に形成された受圧用開口部、４はイ
ンナーリード、５はタイバー ６は外部リードである。
第３図は、このリードフレームｌに従来と同様の半導体
圧力センサチップ８を接着材７によりて接着し、さらに
、半導体圧力センサチップ８の表面側の電極部１２とリ
ードフレーム１のインナーリード４とをワイヤボンディ
ングした状態を示す平面図であり、第４図はその側面図
であり、第５図は第３図の切断面線Ａ−Ａから見た拡大
断面図である。
圧力センサチップ８を接着材７によりて接着し、さらに
、半導体圧力センサチップ８の表面側の電極部１２とリ
ードフレーム１のインナーリード４とをワイヤボンディ
ングした状態を示す平面図であり、第４図はその側面図
であり、第５図は第３図の切断面線Ａ−Ａから見た拡大
断面図である。
この実施例の製造方法では、半導体圧力センサチップ８
の圧力センサ部９に対応するほぼ対称形状のダイパッド
部２を有するリードフレームＩを予め準備し、このリー
ドフレームｌに半導体圧力センサチップ８の裏面側の圧
力センサ部９に対応する部分を、半田等の金属やシリコ
ン樹脂等の接着材（グイボンド材）７によってリードフ
レームｌのダイパッド部２に接着する。
の圧力センサ部９に対応するほぼ対称形状のダイパッド
部２を有するリードフレームＩを予め準備し、このリー
ドフレームｌに半導体圧力センサチップ８の裏面側の圧
力センサ部９に対応する部分を、半田等の金属やシリコ
ン樹脂等の接着材（グイボンド材）７によってリードフ
レームｌのダイパッド部２に接着する。
次に、半導体圧力センサチップ８の表面側の引き出し用
の電極部１２とリードフレーム１のインナーリード４と
を金等の金属細線１３によってワイヤボンディングする
。なお、この場合、半導体圧力センサチップ８の電極部
１２の下方には、リードフレームｌのダイパッド部２が
存在しないので、図示しない治具によって電極部１２を
受けてワイヤボンディングを行う。
の電極部１２とリードフレーム１のインナーリード４と
を金等の金属細線１３によってワイヤボンディングする
。なお、この場合、半導体圧力センサチップ８の電極部
１２の下方には、リードフレームｌのダイパッド部２が
存在しないので、図示しない治具によって電極部１２を
受けてワイヤボンディングを行う。
このように半導体圧力センサチップ８の圧力センサ部９
に対応するほぼ対称な形状のダイパッド部２に、半導体
圧力センサチップ８を接着するようにしているので、第
５図に示されるように、圧力センサ部９を中心に見た場
合に、電極部！２および集積回路部ＩＩ側と、その他の
部分とでバランス（対称性）が向上し、このため、半導
体圧力センサチップ８と、リードフレーム１および接着
材７との膨張係数の差による熱応力の分布が均一となり
、圧力センサ部９の感度が均一となる。
に対応するほぼ対称な形状のダイパッド部２に、半導体
圧力センサチップ８を接着するようにしているので、第
５図に示されるように、圧力センサ部９を中心に見た場
合に、電極部！２および集積回路部ＩＩ側と、その他の
部分とでバランス（対称性）が向上し、このため、半導
体圧力センサチップ８と、リードフレーム１および接着
材７との膨張係数の差による熱応力の分布が均一となり
、圧力センサ部９の感度が均一となる。
また、熱応力を吸収緩和するため、例えば、接着材７の
厚みを十分に確保するようにしてもよい。
厚みを十分に確保するようにしてもよい。
なお、ワイヤボンディングされた後、成形されたケース
等を使用して所定の形状に埋め込み、タイバー５を切断
することによって外部リード６を独立させてセンサが完
成する。
等を使用して所定の形状に埋め込み、タイバー５を切断
することによって外部リード６を独立させてセンサが完
成する。
第６図は、本発明の他の実施例に適用される半導体圧力
センサチップ８ａの平面図であり、第７図はその側面図
であり、第８図は第６図の切断面線Ａ−Ａから見た断面
図である。
センサチップ８ａの平面図であり、第７図はその側面図
であり、第８図は第６図の切断面線Ａ−Ａから見た断面
図である。
この実施例の半導体圧力センサチップ８ａは、圧カセン
サ部９以外の部分が裏面よりエツチングされて薄く形成
されている。その他の構成は、従来例の半導体圧力セン
サチップ８と同様である。
サ部９以外の部分が裏面よりエツチングされて薄く形成
されている。その他の構成は、従来例の半導体圧力セン
サチップ８と同様である。
この半導体圧力センサチップ８ａも、第１図に示される
上述の実施例と同様のリードフレーム！のダイパッド部
２に接着される。
上述の実施例と同様のリードフレーム！のダイパッド部
２に接着される。
第９図は、本発明のさらに他の実施例に適用される半導
体圧力センサチップ８ｂの平面図であり、第１０図はそ
の側面図であり、第１１図は第９図の切断面線Ａ−Ａか
ら見た断面図である。
体圧力センサチップ８ｂの平面図であり、第１０図はそ
の側面図であり、第１１図は第９図の切断面線Ａ−Ａか
ら見た断面図である。
この実施例の半導体圧力センサチップ８ｂは、圧力セン
サ部９と電極部！２とを分離するように、集積回路部！
ｌの裏面側がエツチングされて分離溝１４が形成されて
いる。その他の構成は、従来の半導体圧力センサチップ
８と同様である。
サ部９と電極部！２とを分離するように、集積回路部！
ｌの裏面側がエツチングされて分離溝１４が形成されて
いる。その他の構成は、従来の半導体圧力センサチップ
８と同様である。
第１２図は、第９図の半導体圧力センサチップ８ｂが取
り付けられるリードフレーム１ａの平面図であり、第１
３図はその側面図である。
り付けられるリードフレーム１ａの平面図であり、第１
３図はその側面図である。
このリードフレームｌａは、上述の実施例と同様に、半
導体圧力センサチップ８ｂの圧力センナ部９に対応した
ほぼ対称な形状、すなわち、はぼ正方形のダイパッド部
２が形成されており、さらに、この実施例では、インナ
ーリード４ａが延長されている。
導体圧力センサチップ８ｂの圧力センナ部９に対応した
ほぼ対称な形状、すなわち、はぼ正方形のダイパッド部
２が形成されており、さらに、この実施例では、インナ
ーリード４ａが延長されている。
第１４図は、このリードフレーム１ａに第９図の半導体
圧力センサチップ８ｂを接着材７によって接着し、さら
に、半導体圧力センサチップ８ｂの表面側の電極部１２
とリードフレーム１ａのインナーリード４ａとをワイヤ
ボンディングした状態を示す平面図であり、第１５図は
その側面図であり、第１６図は第１４図の切断面線Ａ−
Ａから見た拡大断面図である。
圧力センサチップ８ｂを接着材７によって接着し、さら
に、半導体圧力センサチップ８ｂの表面側の電極部１２
とリードフレーム１ａのインナーリード４ａとをワイヤ
ボンディングした状態を示す平面図であり、第１５図は
その側面図であり、第１６図は第１４図の切断面線Ａ−
Ａから見た拡大断面図である。
この実施例の製造方法では、半導体圧力センサチップ８
ｂの圧力センサ部９に対応するほぼ対称形状のダイパッ
ド部２を有するリードフレームｌａを予め準備し、この
リードフレーム１ａに半導体圧力センサチップ８ｂの裏
面側の圧力センサ部９に対応する部分を、半田等の金属
やシリコン樹脂等の接着材７によってリードフレーム１
ａのダイパッド部２に接着するとともに、半導体圧力セ
ンサチップ８ｂの電極部１２の裏面側の部分を、リード
フレーム１ａのインナーリード４ａに接着するようにし
ている。
ｂの圧力センサ部９に対応するほぼ対称形状のダイパッ
ド部２を有するリードフレームｌａを予め準備し、この
リードフレーム１ａに半導体圧力センサチップ８ｂの裏
面側の圧力センサ部９に対応する部分を、半田等の金属
やシリコン樹脂等の接着材７によってリードフレーム１
ａのダイパッド部２に接着するとともに、半導体圧力セ
ンサチップ８ｂの電極部１２の裏面側の部分を、リード
フレーム１ａのインナーリード４ａに接着するようにし
ている。
次に、半導体圧力センサチップ８ｂの表面側の引き出し
用の電極部１２とリードフレーム１ａのインナーリード
４ａとを金等の金属細線１３によってワイヤボンディン
グする。
用の電極部１２とリードフレーム１ａのインナーリード
４ａとを金等の金属細線１３によってワイヤボンディン
グする。
このように半導体圧力センサチップ８ｂの圧力センサ部
９に対応するほぼ対称な形状のダイパッド部２に、半導
体圧力センサチップ８ｂを接着するとともに、半導体圧
力センサチップ８ｂの電極部Ｉ２に対応する部分は、イ
ンナーリード４ａに接着するようにしているので、第１
６図に示されるように、圧力センサ部９が独立したよう
な状態となり、しかも、電極部１２および集積回路部ｌ
Ｉ側と、その他の部分とでバランス（対称性）が向上し
、このため、半導体圧力センサチップ８ｂと、リードフ
レーム１ａおよび接着材７との膨張係数の差による熱応
力の分布が均一となり、圧力センサ部９の感度が均一と
なる。
９に対応するほぼ対称な形状のダイパッド部２に、半導
体圧力センサチップ８ｂを接着するとともに、半導体圧
力センサチップ８ｂの電極部Ｉ２に対応する部分は、イ
ンナーリード４ａに接着するようにしているので、第１
６図に示されるように、圧力センサ部９が独立したよう
な状態となり、しかも、電極部１２および集積回路部ｌ
Ｉ側と、その他の部分とでバランス（対称性）が向上し
、このため、半導体圧力センサチップ８ｂと、リードフ
レーム１ａおよび接着材７との膨張係数の差による熱応
力の分布が均一となり、圧力センサ部９の感度が均一と
なる。
なお、熱応力を緩和するために、上述のように接着材７
の層厚を厚くすればよく、この場合に、ワイヤボンディ
ングの際のエネルギーが、厚い接着材７の層から逃げる
ことが考えられるが、これを防止するために、電極部１
２の真下のリードフレームｌａに、接着剤７の層厚より
もやや低い突起を形成して受けるようにしてもよい。
の層厚を厚くすればよく、この場合に、ワイヤボンディ
ングの際のエネルギーが、厚い接着材７の層から逃げる
ことが考えられるが、これを防止するために、電極部１
２の真下のリードフレームｌａに、接着剤７の層厚より
もやや低い突起を形成して受けるようにしてもよい。
［発明の効果］
以上のように本発明方法によれば、半導体圧力センサチ
ップを、該半導体圧力センサチップの圧力センナ部に対
応したほぼ対称な形状のダイパッド部を有するリードフ
レームの前記ダイパッド部に接着し、半導体圧力センサ
チップの電極部と前記リードフレームのリード部とをワ
イヤボンディングするようにしているので、従来例のよ
うにシリコン台座を介することなく、直接リードフレー
ムに接着でき、しかも、圧力センサ部に関してバランス
のとれた形状、すなわち、対称性のよい形状となり、熱
応力の分布が均一になり、これによって、圧力センサ部
の感度も均一となる。
ップを、該半導体圧力センサチップの圧力センナ部に対
応したほぼ対称な形状のダイパッド部を有するリードフ
レームの前記ダイパッド部に接着し、半導体圧力センサ
チップの電極部と前記リードフレームのリード部とをワ
イヤボンディングするようにしているので、従来例のよ
うにシリコン台座を介することなく、直接リードフレー
ムに接着でき、しかも、圧力センサ部に関してバランス
のとれた形状、すなわち、対称性のよい形状となり、熱
応力の分布が均一になり、これによって、圧力センサ部
の感度も均一となる。
第１図は本発明の一実施例に適用されるリードフレーム
の平面図、第２図は第１図の側面図、第３図は第１図の
リードフレームに半導体圧力センサチップを取り付けた
状態の平面図、第４図は第３図の側面図、第５図は第３
図の切断面線Ａ−Ａから見た拡大断面図、第６図は本発
明の他の実施例に適用される半導体圧力センサチップの
平面図、第７図は第６図の側面図、第８図は第６図の切
断面線Ａ−Ａから見た断面図、第９図は本発明のさらに
他の実施例に適用される半導体圧力センサチップの平面
図、第１Ｏ図は第９図の側面図、第１１図は第９図の切
断面線Ａ−Ａから見た断面図、第１２図は第９図の半導
体圧力センサチップが取り付けられるリードフレームの
平面図、第１３図は第１２図の側面図、第１４図は第１
２図のリードフレームに第９図の半導体圧力センサチッ
プを取り付けた状部の平面図、第１５図は第１４図の側
面図、第１６図は第１４図の切断面線Ａ−Ａから見た拡
大断面図、第１７図は従来例の半導体装置センサチップ
の平面図、第１８図は第１７図の側面図、第１９図は第
１７図の切断面線Ａ−Ａから見た断面図、第２０図は従
来例のリードフレームの平面図、第２１図は第２０図の
側面図、第２２図は第２０図のリードフレームに第１７
図の半導体圧力センサチップを取り付けた状態の平面図
、第２３図は第２２図の側面図、第２４図は第２２図の
切断面線Ａ−Ａから見た拡大断面図である。 １、ｌａ、ｌｂ−・・リードフレーム、２，２ｂ・・・
ダイパッド部、４，４ａ・・・インナーリード、８，８
ａ 。 ８ｂ・・・半導体圧力センサチップ、９・・・圧力セン
サ部、１１・・・集積回路部、１２・・・電極部。
の平面図、第２図は第１図の側面図、第３図は第１図の
リードフレームに半導体圧力センサチップを取り付けた
状態の平面図、第４図は第３図の側面図、第５図は第３
図の切断面線Ａ−Ａから見た拡大断面図、第６図は本発
明の他の実施例に適用される半導体圧力センサチップの
平面図、第７図は第６図の側面図、第８図は第６図の切
断面線Ａ−Ａから見た断面図、第９図は本発明のさらに
他の実施例に適用される半導体圧力センサチップの平面
図、第１Ｏ図は第９図の側面図、第１１図は第９図の切
断面線Ａ−Ａから見た断面図、第１２図は第９図の半導
体圧力センサチップが取り付けられるリードフレームの
平面図、第１３図は第１２図の側面図、第１４図は第１
２図のリードフレームに第９図の半導体圧力センサチッ
プを取り付けた状部の平面図、第１５図は第１４図の側
面図、第１６図は第１４図の切断面線Ａ−Ａから見た拡
大断面図、第１７図は従来例の半導体装置センサチップ
の平面図、第１８図は第１７図の側面図、第１９図は第
１７図の切断面線Ａ−Ａから見た断面図、第２０図は従
来例のリードフレームの平面図、第２１図は第２０図の
側面図、第２２図は第２０図のリードフレームに第１７
図の半導体圧力センサチップを取り付けた状態の平面図
、第２３図は第２２図の側面図、第２４図は第２２図の
切断面線Ａ−Ａから見た拡大断面図である。 １、ｌａ、ｌｂ−・・リードフレーム、２，２ｂ・・・
ダイパッド部、４，４ａ・・・インナーリード、８，８
ａ 。 ８ｂ・・・半導体圧力センサチップ、９・・・圧力セン
サ部、１１・・・集積回路部、１２・・・電極部。
Claims (1)
- （１） 圧力を感知する圧力センサ部および該圧力セン
サ部からの信号を増幅する増幅回路等が半導体基板上に
集積化されてなる半導体圧力センサチップの前記圧力セ
ンサ部に対応したほぼ対称な形状のダイパッド部を有す
るリードフレームを予め準備し、 前記半導体圧力センサチップの裏面側の前記圧力センサ
部に対応する部分を、前記ダイパッド部に接着材によっ
て接着し、 前記半導体圧力センサチップの表面側の電極部と前記リ
ードフレームのリード部とをワイヤボンディングするこ
とを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4249389A JPH0797647B2 (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4249389A JPH0797647B2 (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02220477A true JPH02220477A (ja) | 1990-09-03 |
| JPH0797647B2 JPH0797647B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=12637584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4249389A Expired - Fee Related JPH0797647B2 (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0797647B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2020202721A1 (ja) * | 2019-03-29 | 2021-10-14 | 日立Astemo株式会社 | 物理量測定装置 |
-
1989
- 1989-02-21 JP JP4249389A patent/JPH0797647B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2020202721A1 (ja) * | 2019-03-29 | 2021-10-14 | 日立Astemo株式会社 | 物理量測定装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0797647B2 (ja) | 1995-10-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |