JPH0738122A - センサ用パッケージ - Google Patents
センサ用パッケージInfo
- Publication number
- JPH0738122A JPH0738122A JP5179073A JP17907393A JPH0738122A JP H0738122 A JPH0738122 A JP H0738122A JP 5179073 A JP5179073 A JP 5179073A JP 17907393 A JP17907393 A JP 17907393A JP H0738122 A JPH0738122 A JP H0738122A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- package member
- sensor
- sensor element
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来に比してより一層小型化できるセンサ用
パッケージを提供する。 【構成】 下側パッケージ部材３にはセンサ素子（例え
ば、半導体圧力センサ素子）を搭載するための凹部３ａ
及びリード６が設けられており、上側パッケージ部材４
にはパッケージ内に圧力を導入するための開口部８及び
Ｏリング７を搭載するための段差が設けられている。こ
のように構成されたセンサ用パッケージにおいて、下側
パッケージ部材３にセンサ素子を搭載し、半導体チップ
１とリード６とをワイヤボンディングした後に、下側パ
ッケージ部材３と上側パッケージ部材４とを接合する。
パッケージを提供する。 【構成】 下側パッケージ部材３にはセンサ素子（例え
ば、半導体圧力センサ素子）を搭載するための凹部３ａ
及びリード６が設けられており、上側パッケージ部材４
にはパッケージ内に圧力を導入するための開口部８及び
Ｏリング７を搭載するための段差が設けられている。こ
のように構成されたセンサ用パッケージにおいて、下側
パッケージ部材３にセンサ素子を搭載し、半導体チップ
１とリード６とをワイヤボンディングした後に、下側パ
ッケージ部材３と上側パッケージ部材４とを接合する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体圧力センサ素子
等のセンサ素子が搭載されるセンサ用パッケージに関
し、特に小型化が要求される用途に好適のセンサ用パッ
ケージに関する。
等のセンサ素子が搭載されるセンサ用パッケージに関
し、特に小型化が要求される用途に好適のセンサ用パッ
ケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は腕時計等に組み込まれる圧力セン
サ用パッケージを示す平面図、図５は同じくその部分断
面図である。パッケージ２３は略円盤状に成形された部
材であり、その上面中央部には凹部２８が設けられてお
り、更にこの凹部２８の底部にはセンサ素子を搭載する
ための凹部２８ａが設けられている。そして、この凹部
２８ａの周囲の４箇所にはリード２６が配設されてい
る。これらのリード２６は、いずれもパッケージ下面側
に延出している。また、パッケージ２３の上面周縁部に
は段差が設けられており、Ｏリング２７はこの段差部に
嵌合して配置されている。
サ用パッケージを示す平面図、図５は同じくその部分断
面図である。パッケージ２３は略円盤状に成形された部
材であり、その上面中央部には凹部２８が設けられてお
り、更にこの凹部２８の底部にはセンサ素子を搭載する
ための凹部２８ａが設けられている。そして、この凹部
２８ａの周囲の４箇所にはリード２６が配設されてい
る。これらのリード２６は、いずれもパッケージ下面側
に延出している。また、パッケージ２３の上面周縁部に
は段差が設けられており、Ｏリング２７はこの段差部に
嵌合して配置されている。
【０００３】一方、センサ素子は、半導体チップ２１及
びガラス台座２２により構成されている。半導体チップ
２１はＳｉ単結晶ウエハ又はＳＯＩ（Silicon On Insul
ator）ウエハの所定領域を選択的に異方性エッチングし
て薄肉化することにより形成されたダイヤフラムを備え
ており、このダイヤフラムの表面には複数個のピエゾ抵
抗素子によりホイートストンブリッジ回路が構成されて
いる。この半導体チップ２１は、その下面周縁部がガラ
ス台座２２に接着されて固定されている。この台座２２
は熱膨張係数が半導体チップ２１と略等しい材料により
形成されており、温度変化に起因する半導体チップ２１
の熱歪を緩和するという作用がある。
びガラス台座２２により構成されている。半導体チップ
２１はＳｉ単結晶ウエハ又はＳＯＩ（Silicon On Insul
ator）ウエハの所定領域を選択的に異方性エッチングし
て薄肉化することにより形成されたダイヤフラムを備え
ており、このダイヤフラムの表面には複数個のピエゾ抵
抗素子によりホイートストンブリッジ回路が構成されて
いる。この半導体チップ２１は、その下面周縁部がガラ
ス台座２２に接着されて固定されている。この台座２２
は熱膨張係数が半導体チップ２１と略等しい材料により
形成されており、温度変化に起因する半導体チップ２１
の熱歪を緩和するという作用がある。
【０００４】センサ素子は、パッケージ２３の凹部２８
ａ内に搭載される。そして、半導体チップ２１に設けら
れた電気回路は、ボンディングワイヤ２５を介してリー
ド２６に電気的に接続される。また、ワイヤ２５とリー
ド２６との接続部はエポキシ樹脂２４で被覆される。更
に、パッケージ２３の凹部２８の内部には、ゲル状のシ
リコン（図示せず）が挿入される。
ａ内に搭載される。そして、半導体チップ２１に設けら
れた電気回路は、ボンディングワイヤ２５を介してリー
ド２６に電気的に接続される。また、ワイヤ２５とリー
ド２６との接続部はエポキシ樹脂２４で被覆される。更
に、パッケージ２３の凹部２８の内部には、ゲル状のシ
リコン（図示せず）が挿入される。
【０００５】この圧力センサは、例えば腕時計等のケー
ス内に搭載される。この場合に、前記ケースには圧力導
入用の孔が設けられており、この孔に凹部２８が整合す
るようにして圧力センサがケース内に配置される。そし
て、Ｏリング２７は、前記圧力導入用孔の周囲のケース
に密着して、圧力センサをケースに固定すると共に時計
本体への水分等の侵入を防止する。前記ゲル状のシリコ
ンを介してセンサ素子に圧力が加えられると、圧力に応
じてダイヤフラムが変形し、ピエゾ抵抗素子の抵抗値が
変化する。この抵抗値に基づき、圧力を測定することが
できる。
ス内に搭載される。この場合に、前記ケースには圧力導
入用の孔が設けられており、この孔に凹部２８が整合す
るようにして圧力センサがケース内に配置される。そし
て、Ｏリング２７は、前記圧力導入用孔の周囲のケース
に密着して、圧力センサをケースに固定すると共に時計
本体への水分等の侵入を防止する。前記ゲル状のシリコ
ンを介してセンサ素子に圧力が加えられると、圧力に応
じてダイヤフラムが変形し、ピエゾ抵抗素子の抵抗値が
変化する。この抵抗値に基づき、圧力を測定することが
できる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のセンサ用パッケージにおいては、センサ素子を
搭載するための領域と、ワイヤボンディングのための領
域と、Ｏリングを載置するための領域とが必要であるた
めに、サイズが大きくなってしまうという問題点があ
る。即ち、従来のセンサ用パッケージにおいては、パッ
ケージ内にセンサ素子を搭載した後、半導体チップとリ
ードとをワイヤボンディングする。従って、ワイヤボン
ディングを可能とするために、パッケージの凹部２８の
開口面積は大きいことが必要である。また、Ｏリング２
７は、このパッケージ開口部の外側に配置する必要があ
る。このように、従来のセンサ用パッケージにおいて
は、大きく開口された開口部の外側にＯリングを配置す
るための領域が必要であるため、小型化が困難である。
た従来のセンサ用パッケージにおいては、センサ素子を
搭載するための領域と、ワイヤボンディングのための領
域と、Ｏリングを載置するための領域とが必要であるた
めに、サイズが大きくなってしまうという問題点があ
る。即ち、従来のセンサ用パッケージにおいては、パッ
ケージ内にセンサ素子を搭載した後、半導体チップとリ
ードとをワイヤボンディングする。従って、ワイヤボン
ディングを可能とするために、パッケージの凹部２８の
開口面積は大きいことが必要である。また、Ｏリング２
７は、このパッケージ開口部の外側に配置する必要があ
る。このように、従来のセンサ用パッケージにおいて
は、大きく開口された開口部の外側にＯリングを配置す
るための領域が必要であるため、小型化が困難である。
【０００７】従来、パッケージを小型化しようとする
と、ボンディング領域及びＯリング配設領域を削減する
ことはできないので、センサ素子を小型化してセンサ素
子搭載部の領域を小さくする必要がある。しかし、セン
サ素子を小型化することは、それに見合って加工精度を
向上させる必要があると共に、センサ特性のばらつきの
原因になる。
と、ボンディング領域及びＯリング配設領域を削減する
ことはできないので、センサ素子を小型化してセンサ素
子搭載部の領域を小さくする必要がある。しかし、セン
サ素子を小型化することは、それに見合って加工精度を
向上させる必要があると共に、センサ特性のばらつきの
原因になる。
【０００８】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、同一サイズのセンサ素子を使用してもパッ
ケージサイズを従来に比してより一層小型化できるセン
サ用パッケージを提供することを目的とする。
のであって、同一サイズのセンサ素子を使用してもパッ
ケージサイズを従来に比してより一層小型化できるセン
サ用パッケージを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係るセンサ用パ
ッケージは、センサ素子が搭載されるセンサ素子搭載部
と前記センサ素子に電気的に接続されるリードとを備え
た第１のパッケージ部材と、この第１のパッケージ部材
の前記センサ素子搭載部側に接合される第２のパッケー
ジ部材とを有することを特徴とする。
ッケージは、センサ素子が搭載されるセンサ素子搭載部
と前記センサ素子に電気的に接続されるリードとを備え
た第１のパッケージ部材と、この第１のパッケージ部材
の前記センサ素子搭載部側に接合される第２のパッケー
ジ部材とを有することを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明に係るセンサ用パッケージは、第１及び
第２のパッケージ部材により構成されている。前記第１
のパッケージ部材はセンサ素子搭載部及びリードを備え
ており、センサ素子はこの第１のパッケージ部材に搭載
され、前記リードとワイヤボンディングされて電気的に
接続される。即ち、本発明においては、第２のパッケー
ジ部材が接合されていない状態でワイヤボンディングす
ることが可能であり、ワイヤボンディングが終了した
後、第２のパッケージ部材を前記第１のパッケージ部材
のセンサ素子搭載部側に接合すればよい。従って、例え
ば第２のパッケージ部材に設けられる圧力導入用開口部
の開口面積及びＯリングのサイズ等を小さくすることが
できて、パッケージサイズを縮小することができる。
第２のパッケージ部材により構成されている。前記第１
のパッケージ部材はセンサ素子搭載部及びリードを備え
ており、センサ素子はこの第１のパッケージ部材に搭載
され、前記リードとワイヤボンディングされて電気的に
接続される。即ち、本発明においては、第２のパッケー
ジ部材が接合されていない状態でワイヤボンディングす
ることが可能であり、ワイヤボンディングが終了した
後、第２のパッケージ部材を前記第１のパッケージ部材
のセンサ素子搭載部側に接合すればよい。従って、例え
ば第２のパッケージ部材に設けられる圧力導入用開口部
の開口面積及びＯリングのサイズ等を小さくすることが
できて、パッケージサイズを縮小することができる。
【００１１】
【実施例】次に、本発明の実施例について添付の図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００１２】図１は本発明の第１の実施例に係るセンサ
用パッケージを示す断面図、図２は同じくその下側パッ
ケージ部材３を示す上面図である。本実施例に係るパッ
ケージは、下側パッケージ部材３と上側パッケージ部材
４との２つの部材を接合して構成される。下側パッケー
ジ部材３には、その上面中央部にセンサチップ搭載用の
凹部３ａが設けられている。そして、この凹部３ａの周
囲の４箇所にはリード６が配設されている。これらのリ
ード６は、いずれもパッケージ下面側に延出している。
用パッケージを示す断面図、図２は同じくその下側パッ
ケージ部材３を示す上面図である。本実施例に係るパッ
ケージは、下側パッケージ部材３と上側パッケージ部材
４との２つの部材を接合して構成される。下側パッケー
ジ部材３には、その上面中央部にセンサチップ搭載用の
凹部３ａが設けられている。そして、この凹部３ａの周
囲の４箇所にはリード６が配設されている。これらのリ
ード６は、いずれもパッケージ下面側に延出している。
【００１３】半導体チップ１及びガラス台座２により構
成された圧力センサ素子は、この下側パッケージ部材３
の凹部３ａ内に搭載され、半導体チップ１とリード６と
はボンディングワイヤ５により電気的に接続される。
成された圧力センサ素子は、この下側パッケージ部材３
の凹部３ａ内に搭載され、半導体チップ１とリード６と
はボンディングワイヤ５により電気的に接続される。
【００１４】上側パッケージ部材４は、その下面周縁部
が下側パッケージ部材３の上部周縁部に接合されて下側
パッケージ部材３上に固定される。この上側パッケージ
部材４にはパッケージ内に圧力を導入するための開口部
８が設けられており、この開口部８の下半部は下側が広
がった形状になっている。また、上側パッケージ部材４
の上面周縁部には、Ｏリング７を搭載するための段差が
設けられている。なお、開口部８内には、従来と同様
に、ゲル状のシリコンが挿入される。
が下側パッケージ部材３の上部周縁部に接合されて下側
パッケージ部材３上に固定される。この上側パッケージ
部材４にはパッケージ内に圧力を導入するための開口部
８が設けられており、この開口部８の下半部は下側が広
がった形状になっている。また、上側パッケージ部材４
の上面周縁部には、Ｏリング７を搭載するための段差が
設けられている。なお、開口部８内には、従来と同様
に、ゲル状のシリコンが挿入される。
【００１５】本実施例に係るセンサ用パッケージにおい
ては、先ず、ガラス台座２及び半導体チップ１により構
成されたセンサ素子を下側パッケージ部材３に搭載し、
半導体チップ１とリード６とをボンディングワイヤ５に
より電気的に接続する。その後、上側パッケージ部材４
を下側パッケージ部材３上に接合し、上側パッケージ部
材４の周縁部にＯリング７を配置する。
ては、先ず、ガラス台座２及び半導体チップ１により構
成されたセンサ素子を下側パッケージ部材３に搭載し、
半導体チップ１とリード６とをボンディングワイヤ５に
より電気的に接続する。その後、上側パッケージ部材４
を下側パッケージ部材３上に接合し、上側パッケージ部
材４の周縁部にＯリング７を配置する。
【００１６】本実施例においては、上側パッケージ部材
４が接合されていない状態でワイヤボンディングを行う
ので、上側パッケージ部材４の開口部８の開口面積を大
きくする必要がない。従って、図１に示すように、Ｏリ
ング７の配設位置を上面視でワイヤボンディング領域に
重ねることができて、パッケージを小型化することがで
きる。
４が接合されていない状態でワイヤボンディングを行う
ので、上側パッケージ部材４の開口部８の開口面積を大
きくする必要がない。従って、図１に示すように、Ｏリ
ング７の配設位置を上面視でワイヤボンディング領域に
重ねることができて、パッケージを小型化することがで
きる。
【００１７】図３は本発明の第２の実施例に係るセンサ
用パッケージを示す断面図である。下側パッケージ部材
１３は、第１の実施例と同様に、上面中央部にセンサ素
子を搭載するための凹部１３ａが設けられており、この
凹部１３ａの周囲にはリード１６が配設されている。そ
して、これらのリード１６は、いずれもパッケージ下面
側に延出している。また、これらのリード１６と半導体
チップ１とはボンディングワイヤ５により電気的に接続
される。
用パッケージを示す断面図である。下側パッケージ部材
１３は、第１の実施例と同様に、上面中央部にセンサ素
子を搭載するための凹部１３ａが設けられており、この
凹部１３ａの周囲にはリード１６が配設されている。そ
して、これらのリード１６は、いずれもパッケージ下面
側に延出している。また、これらのリード１６と半導体
チップ１とはボンディングワイヤ５により電気的に接続
される。
【００１８】上側パッケージ部材１４は、その下面周縁
部が下側パッケージ部材１３の上部周縁部に接合されて
下側パッケージ部材１３上に固定される。この上側パッ
ケージ部材１４の上部には突起１４ａが設けられてお
り、この突起１４ａの中心軸に沿って、パッケージ内に
圧力を導入するための開口部１８が設けられている。こ
の開口部は１８は、パッケージ内のセンサ素子収納空間
に連通している。また、Ｏリング１７は、突起１４ａに
嵌合して上側パッケージ部１４の上部に配設される。
部が下側パッケージ部材１３の上部周縁部に接合されて
下側パッケージ部材１３上に固定される。この上側パッ
ケージ部材１４の上部には突起１４ａが設けられてお
り、この突起１４ａの中心軸に沿って、パッケージ内に
圧力を導入するための開口部１８が設けられている。こ
の開口部は１８は、パッケージ内のセンサ素子収納空間
に連通している。また、Ｏリング１７は、突起１４ａに
嵌合して上側パッケージ部１４の上部に配設される。
【００１９】本実施例においては、第１の実施例と同様
の効果を得ることができるのに加えて、Ｏリングのサイ
ズを更に小さくすることができる。
の効果を得ることができるのに加えて、Ｏリングのサイ
ズを更に小さくすることができる。
【００２０】なお、上述の実施例においては、いずれも
センサ素子が半導体圧力センサ素子の場合について説明
したが、これにより本発明に係るセンサ用パッケージが
半導体圧力センサ用パッケージに限定されるものでない
ことは勿論であり、本発明に係るセンサ用パッケージ
は、チップ状又はボタン状等の形状の各種センサ素子の
パッケージとして使用することができる。例えば、本発
明に係るセンサ用パッケージは、ＳｎＯ2を用いた可燃
ガスセンサ、ＣＯセンサ及びＣＯ2センサ等の半導体セ
ンサ用パッケージ又は限界電流式酸素センサ等のセンサ
用パッケージとして使用することができる。
センサ素子が半導体圧力センサ素子の場合について説明
したが、これにより本発明に係るセンサ用パッケージが
半導体圧力センサ用パッケージに限定されるものでない
ことは勿論であり、本発明に係るセンサ用パッケージ
は、チップ状又はボタン状等の形状の各種センサ素子の
パッケージとして使用することができる。例えば、本発
明に係るセンサ用パッケージは、ＳｎＯ2を用いた可燃
ガスセンサ、ＣＯセンサ及びＣＯ2センサ等の半導体セ
ンサ用パッケージ又は限界電流式酸素センサ等のセンサ
用パッケージとして使用することができる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るセンサ
用パッケージは、センサ素子搭載部及びリードを備えた
第１のパッケージ部材と、この第１のパッケージ部材の
前記センサ素子搭載部側に接合される第２のパッケージ
部材とにより構成されているから、パッケージサイズを
小さくすることができて、センサのサイズをより一層小
型化することができる。
用パッケージは、センサ素子搭載部及びリードを備えた
第１のパッケージ部材と、この第１のパッケージ部材の
前記センサ素子搭載部側に接合される第２のパッケージ
部材とにより構成されているから、パッケージサイズを
小さくすることができて、センサのサイズをより一層小
型化することができる。
【図１】本発明の第１の実施例に係るセンサ用パッケー
ジを示す断面図である。
ジを示す断面図である。
【図２】同じくその下側パッケージ部材を示す上面図で
ある。
ある。
【図３】本発明の第２の実施例に係るセンサ用パッケー
ジを示す断面図である。
ジを示す断面図である。
【図４】従来の圧力センサ用パッケージを示す平面図で
ある。
ある。
【図５】同じくその断面図である。
１，２１；半導体チップ ２，２２；ガラス台座 ３，１３；下側パッケージ部材 ４，１４；上側パッケージ部材 ５，２５；ボンディングワイヤ ６，１６，２６；リード ７，１７；Ｏリング ８，１８；開口部 ２３；パッケージ
Claims (1)
- 【請求項１】 センサ素子が搭載されるセンサ素子搭載
部と前記センサ素子に電気的に接続されるリードとを備
えた第１のパッケージ部材と、この第１のパッケージ部
材の前記センサ素子搭載部側に接合される第２のパッケ
ージ部材とを有することを特徴とするセンサ用パッケー
ジ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5179073A JPH0738122A (ja) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | センサ用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5179073A JPH0738122A (ja) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | センサ用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0738122A true JPH0738122A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16059623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5179073A Pending JPH0738122A (ja) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | センサ用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0738122A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007528558A (ja) * | 2004-03-09 | 2007-10-11 | サイバーオプティクス セミコンダクタ インコーポレイテッド | ワイヤレス基板状センサ |
| WO2010016439A1 (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-11 | アルプス電気株式会社 | 圧力センサパッケージ及びその製造方法 |
| CN105810645A (zh) * | 2015-07-15 | 2016-07-27 | 维沃移动通信有限公司 | 生物识别芯片封装结构和移动终端 |
| JP2017150914A (ja) * | 2016-02-24 | 2017-08-31 | 株式会社フジクラ | 圧力センサモジュール及び圧力センサモジュールの取付構造 |
-
1993
- 1993-07-20 JP JP5179073A patent/JPH0738122A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007528558A (ja) * | 2004-03-09 | 2007-10-11 | サイバーオプティクス セミコンダクタ インコーポレイテッド | ワイヤレス基板状センサ |
| WO2010016439A1 (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-11 | アルプス電気株式会社 | 圧力センサパッケージ及びその製造方法 |
| JP5039208B2 (ja) * | 2008-08-05 | 2012-10-03 | アルプス電気株式会社 | 圧力センサパッケージ及びその製造方法 |
| CN105810645A (zh) * | 2015-07-15 | 2016-07-27 | 维沃移动通信有限公司 | 生物识别芯片封装结构和移动终端 |
| JP2017150914A (ja) * | 2016-02-24 | 2017-08-31 | 株式会社フジクラ | 圧力センサモジュール及び圧力センサモジュールの取付構造 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4165360B2 (ja) | 力学量センサ | |
| US20050194685A1 (en) | Method for mounting semiconductor chips and corresponding semiconductor chip system | |
| US20030177831A1 (en) | Semiconductor dynamic sensor having circuit chip mounted on package case with adhesive film interposed | |
| JPH06132545A (ja) | 圧力検出装置 | |
| JPH0875580A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH04258176A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH102824A (ja) | 真空表示装置付き圧力センサー | |
| JPH08178778A (ja) | 半導体圧力検出装置 | |
| JPH08193897A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH0738122A (ja) | センサ用パッケージ | |
| JPH063211A (ja) | 半導体圧力検出装置 | |
| JPS63228038A (ja) | 半導体圧力変換器 | |
| JPH07280679A (ja) | 圧力センサ | |
| JP4103227B2 (ja) | 圧力センサ | |
| JPH0547393Y2 (ja) | ||
| JPH0727639A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS6327724A (ja) | 半導体式圧力センサ | |
| JPH0566979B2 (ja) | ||
| JPH11108783A (ja) | 静電容量型圧力センサ及びその固定構造 | |
| JPH05299671A (ja) | 半導体圧力センサ及びその製造方法 | |
| JPH0688762A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP3196882B2 (ja) | 絶対圧センサ及びその製造方法 | |
| JP2000088687A (ja) | 絶対圧型半導体圧力センサ | |
| JP3099727B2 (ja) | 絶対圧センサ及びその製造方法 | |
| JPH0210238A (ja) | 半導体センサユニットの構造 |